JPS6367727A - 光照射機構 - Google Patents
光照射機構Info
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- JPS6367727A JPS6367727A JP61213323A JP21332386A JPS6367727A JP S6367727 A JPS6367727 A JP S6367727A JP 61213323 A JP61213323 A JP 61213323A JP 21332386 A JP21332386 A JP 21332386A JP S6367727 A JPS6367727 A JP S6367727A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、光照射機構、特に半導体装置作成技術にとっ
て好ましい光照射機構に関するものである。
て好ましい光照射機構に関するものである。
「従来技術」
近年、超ＬＳＩに代表される半導体の高密度化が進み、
それと共にその作製に用いられる種々の装置の性能に高
い要求がなされる様になってきている。
それと共にその作製に用いられる種々の装置の性能に高
い要求がなされる様になってきている。
現在、半導体ｆｆｆｉは、シリコン基板上にＣＶＤ装置
、又はスパッタリング装置を用いて種々の半導体膜、導
体膜、絶縁体膜を積層させると共に、適時、エツチング
を行ない所望の構成を得ている。この際、各膜厚は、主
に膜形成時間を適宜設定することによって調整している
。この中で、ＣＶＤ装置、特に光ＣＶＤ装置は、低温で
膜形成を行ない得るもので、窒化シリコン膜形成等に好
都合なものである。
、又はスパッタリング装置を用いて種々の半導体膜、導
体膜、絶縁体膜を積層させると共に、適時、エツチング
を行ない所望の構成を得ている。この際、各膜厚は、主
に膜形成時間を適宜設定することによって調整している
。この中で、ＣＶＤ装置、特に光ＣＶＤ装置は、低温で
膜形成を行ない得るもので、窒化シリコン膜形成等に好
都合なものである。
この膜厚は半導体基板上でのバラツキは、±ｌＯ％以内
にすることが望ましく、光ＣＶＤ装置の場合光源の選定
及びその配置にはそれなりの工夫が必要とされる。具体
的には、基板上に多数の光源を平行に配置して、基板に
対して直角で一様な光を作ることが望ましいが、有限個
の光源を用いて基板上での光度を一定にすることは理論
的に不可能であり、しかも、光源を多数設けることは、
電源ラインの本数が増え、それらの間で放電が起こる確
率が高くなる。
にすることが望ましく、光ＣＶＤ装置の場合光源の選定
及びその配置にはそれなりの工夫が必要とされる。具体
的には、基板上に多数の光源を平行に配置して、基板に
対して直角で一様な光を作ることが望ましいが、有限個
の光源を用いて基板上での光度を一定にすることは理論
的に不可能であり、しかも、光源を多数設けることは、
電源ラインの本数が増え、それらの間で放電が起こる確
率が高くなる。
以上の問題点は、光ＣＶＤの分野に限らず、一般に充分
に制御された照射量を必要とする他の分野に共通なもの
であり、そのバフ決はそれらの分野に大きく又はそれな
りに寄与するものである。
に制御された照射量を必要とする他の分野に共通なもの
であり、そのバフ決はそれらの分野に大きく又はそれな
りに寄与するものである。
「発明の目的」
本発明は上記問題点に鑑みてチャンバなされたものであ
り、その目的とするところは、照度量が所定の強度分布
でもって、対象物を照射することの出来る光照射機構を
提供することである。
り、その目的とするところは、照度量が所定の強度分布
でもって、対象物を照射することの出来る光照射機構を
提供することである。
「発明の構成」
簡単に述べれば、本発明は、対象物を照射する光の空間
的分布を時間的にずらせチャンバする事によって、その
バラツキを平均化したものである。
的分布を時間的にずらせチャンバする事によって、その
バラツキを平均化したものである。
そして、その為に１、本発明は、被照射物を保持する手
段と、前記保持手段の周囲に配置された光源と、前記保
持手段を回動させる手段とから光照射機構を構成した。
段と、前記保持手段の周囲に配置された光源と、前記保
持手段を回動させる手段とから光照射機構を構成した。
「実施例」
第１図及び第２図は、本発明になる光照射機構を用いた
光ＣＶＤ装置を示す断面図である。
光ＣＶＤ装置を示す断面図である。
図中、光ＣＶＤ装置１は、チャンバ３、紫外線光源５、
正六角形状の基板ホルダ７、回動機構９及び反応ガス導
入系１１及び排出系１３から成っている。光源５は、一
端の閉鎖された石英管１７によって気密に囲まれた水銀
ランプ１９から成り、膜形成を行なうべき基板１５が取
りつけられた基板ホルダの周囲に等間隔で同心円上に設
けられている。モータ２１は、これら光源５に囲まれた
基板ホルダ７を回動させ、基板１５と各光源５との相対
位置を周期的に適時変化させている。又、石英管１７内
は、冷却用の窒素が循環しており、水銀ランプ１９の温
度が上昇し過ぎることを防止している。
正六角形状の基板ホルダ７、回動機構９及び反応ガス導
入系１１及び排出系１３から成っている。光源５は、一
端の閉鎖された石英管１７によって気密に囲まれた水銀
ランプ１９から成り、膜形成を行なうべき基板１５が取
りつけられた基板ホルダの周囲に等間隔で同心円上に設
けられている。モータ２１は、これら光源５に囲まれた
基板ホルダ７を回動させ、基板１５と各光源５との相対
位置を周期的に適時変化させている。又、石英管１７内
は、冷却用の窒素が循環しており、水銀ランプ１９の温
度が上昇し過ぎることを防止している。
基板ホルダ７の中空内部に、加熱手段２３としてハロゲ
ンランプヒータが設けられている。このヒータ２３はチ
ャンバ３上部から支持されており、基板ホルダ７を加熱
している。
ンランプヒータが設けられている。このヒータ２３はチ
ャンバ３上部から支持されており、基板ホルダ７を加熱
している。
基板１５は、２５ａａＸ３５ｃｍの大きさで、基板ホル
ダ７の一面当り２枚、全部で１２枚取付けられている。
ダ７の一面当り２枚、全部で１２枚取付けられている。
次に、このＣＶＤ装置の動作について説明する。
先ず膜形成を行なうべき基板１５を基板ホルダ７の各面
毎に２枚づつ取付ける。チャンバ３を完全に密閉し、排
出系（真空ポンプ）１３によって内部の気圧を約１０−
１〜１０−’ｔ ｏ ｒ ｒ宿下げる。次に、チャンバ
３内に、反応ガス導入系１１から反応ガスを約３ｔｏｒ
ｒの圧力になる迄導入する。基板１５が加熱手段２３に
よって所定温度となった状態で、モータ２１を駆動させ
基板ホルダ７を回転させると共に、光源５から紫外線を
基板面に向って照射する。反応ガスは、基板１５上で熱
と光によって所定の化学反応を進行させ、基板面に生成
物を積層させる。
毎に２枚づつ取付ける。チャンバ３を完全に密閉し、排
出系（真空ポンプ）１３によって内部の気圧を約１０−
１〜１０−’ｔ ｏ ｒ ｒ宿下げる。次に、チャンバ
３内に、反応ガス導入系１１から反応ガスを約３ｔｏｒ
ｒの圧力になる迄導入する。基板１５が加熱手段２３に
よって所定温度となった状態で、モータ２１を駆動させ
基板ホルダ７を回転させると共に、光源５から紫外線を
基板面に向って照射する。反応ガスは、基板１５上で熱
と光によって所定の化学反応を進行させ、基板面に生成
物を積層させる。
光ａ５の照度及び基板ホルダの回転速度を一定に保って
膜形成を行なっても、基板上の照度バラツキは平均化さ
れるが、各基板表面での照度をより一様にするには、基
板ホルダの回転速度を一定に保つ一方、光源５の照度を
これに同期させ、適当に変化させることが効果的である
。又、これとは逆に、光源５の照度を一定に保つ一方、
基板ホルダ７の回転速度を光源５との相対位置によって
適宜変化させることも、光ａ５の配置によっては効果が
期待出来る。
膜形成を行なっても、基板上の照度バラツキは平均化さ
れるが、各基板表面での照度をより一様にするには、基
板ホルダの回転速度を一定に保つ一方、光源５の照度を
これに同期させ、適当に変化させることが効果的である
。又、これとは逆に、光源５の照度を一定に保つ一方、
基板ホルダ７の回転速度を光源５との相対位置によって
適宜変化させることも、光ａ５の配置によっては効果が
期待出来る。
尚、上記実施例は、１つの好ましい実施態様を示したも
のであり、種々の変形例が考えられる。
のであり、種々の変形例が考えられる。
そのいくつかの例を以下に示す。
基板ホルダ７の断面形状は正六角形としたが、本件発明
者の検討によれば、正１２角形も充分に特徴を持つ形状
である事が分った。この場合、実施例同様各面２枚の基
板を同時に処理できる。勿論、その抽圧方形、正八角形
等の正多角形にする事も可能である。又、特殊な場合に
は、丸形、（非圧）多角形もあり得る 光源１５は、基板ホルダ７０回転軸に対して同心円上に
配置したが、これ以外の配置も、場合によっては、より
効果的である。回転駆動機構は基板ホルダの下側に設け
られているが、これは基板ホルダの上側に設けても横側
にピニオンギアを用いて設けても良い。
者の検討によれば、正１２角形も充分に特徴を持つ形状
である事が分った。この場合、実施例同様各面２枚の基
板を同時に処理できる。勿論、その抽圧方形、正八角形
等の正多角形にする事も可能である。又、特殊な場合に
は、丸形、（非圧）多角形もあり得る 光源１５は、基板ホルダ７０回転軸に対して同心円上に
配置したが、これ以外の配置も、場合によっては、より
効果的である。回転駆動機構は基板ホルダの下側に設け
られているが、これは基板ホルダの上側に設けても横側
にピニオンギアを用いて設けても良い。
「効果」
対象物に対して、常にバラツキの小ない一様な照射量で
光照射を行なう事ができる。
光照射を行なう事ができる。
第１図は、本発明の実施例を示す縦断面図である。第２
図は、本発明の実施例を示す横断面図である。
図は、本発明の実施例を示す横断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被照射物を保持する手段と、 前記保持手段の周囲に配置された光源と、 前記保持手段を回動させる手段とからなる 光照射機構
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213323A JPS6367727A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 光照射機構 |
| KR1019870009832A KR910003742B1 (ko) | 1986-09-09 | 1987-09-05 | Cvd장치 |
| EP19920104124 EP0490883A1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | CVD apparatus |
| DE8787307896T DE3782991T2 (de) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | Cvd-verfahren und vorrichtung. |
| EP87307896A EP0260097B1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | Cvd method and apparatus |
| CN87106283A CN1020290C (zh) | 1986-09-09 | 1987-09-09 | 化学汽相淀积装置 |
| US07/194,206 US4950624A (en) | 1986-09-09 | 1988-05-16 | Method of depositing films using photo-CVD with chamber plasma cleaning |
| US07/971,242 US5427824A (en) | 1986-09-09 | 1992-09-08 | CVD apparatus |
| US08/376,736 US5629245A (en) | 1986-09-09 | 1995-01-23 | Method for forming a multi-layer planarization structure |
| US08/769,115 US5855970A (en) | 1986-09-09 | 1996-12-18 | Method of forming a film on a substrate |
| US09/188,382 US6013338A (en) | 1986-09-09 | 1998-11-10 | CVD apparatus |
| US09/398,059 US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 1999-09-17 | CVD apparatus |
| US10/339,631 US20030140941A1 (en) | 1986-09-09 | 2003-01-10 | CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213323A JPS6367727A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 光照射機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367727A true JPS6367727A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16637248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213323A Pending JPS6367727A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 光照射機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522935A (en) * | 1992-02-28 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61213323A patent/JPS6367727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522935A (en) * | 1992-02-28 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device |
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