DE1417786B2 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Silicium großer Reinheit - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Silicium großer ReinheitInfo
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Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her- von Kühlwasser durchflossen. Die Primärspule 7 ist
stellen von Silicium großer Reinheit, insbesondere an den Ausgang eines HF-Generators angeschlossen,
von Siliciumeinkristallen, bei dem ein Strom von der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.
vollkommen reinem Siliciumwasserstoff, gegebenen- Die Welle 11 trägt den Siliciumkeimkristall 12 und falls in Gegenwart von Trägergasen, gegen die Ober- 5 ist so angeordnet, daß sie sowohl gedreht als auch fläche eines Siliciumkeims strömt, der sich in einer axial relativ zur Zersetzungskammer bewegt werden Umhüllung befindet und auf eine Temperatur ober- kannn. Durch das Gaseinlaßrohr 13 können Gase halb der Zersetzungstemperatur des Siliciumwasser- in die Kammer eingeleitet und durch das Gasauslaßstoffes erhitzt wird, und bei dem bei Verwendung rohr 14, das auch als Gegendüse bezeichnet werden von reinem Siliciumwasserstoff über die Einstellung io kann, abgeleitet werden. Das Gasauslaßrohr 14 endet eines geeigneten Unterdruckes in der Umhüllung in Form eines ringförmigen Rohres mit einem kreisallein und/oder durch Zusetzen einer geeigneten förmigen Schlitz 15 und ist mit seinem anderen Ende Menge von Trägergasen aus Argon oder Stickstoff an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschloseine Verminderung der Konzentration des Silicium- sen. Die beiden Wischer 16 sind an der Welle 11 Wasserstoffes am Zersetzungsort und eine Strömungs- 15 befestigt und dienen dazu, den Schlitz 15 von SiIigeschwindigkeit des Siliciumwasserstoffes zwischen ciumstaub freizuhalten.
vollkommen reinem Siliciumwasserstoff, gegebenen- Die Welle 11 trägt den Siliciumkeimkristall 12 und falls in Gegenwart von Trägergasen, gegen die Ober- 5 ist so angeordnet, daß sie sowohl gedreht als auch fläche eines Siliciumkeims strömt, der sich in einer axial relativ zur Zersetzungskammer bewegt werden Umhüllung befindet und auf eine Temperatur ober- kannn. Durch das Gaseinlaßrohr 13 können Gase halb der Zersetzungstemperatur des Siliciumwasser- in die Kammer eingeleitet und durch das Gasauslaßstoffes erhitzt wird, und bei dem bei Verwendung rohr 14, das auch als Gegendüse bezeichnet werden von reinem Siliciumwasserstoff über die Einstellung io kann, abgeleitet werden. Das Gasauslaßrohr 14 endet eines geeigneten Unterdruckes in der Umhüllung in Form eines ringförmigen Rohres mit einem kreisallein und/oder durch Zusetzen einer geeigneten förmigen Schlitz 15 und ist mit seinem anderen Ende Menge von Trägergasen aus Argon oder Stickstoff an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschloseine Verminderung der Konzentration des Silicium- sen. Die beiden Wischer 16 sind an der Welle 11 Wasserstoffes am Zersetzungsort und eine Strömungs- 15 befestigt und dienen dazu, den Schlitz 15 von SiIigeschwindigkeit des Siliciumwasserstoffes zwischen ciumstaub freizuhalten.
100 und 150 1 pro Stunde entsprechend der Tempe- Ein Schnitt durch das Gaseinlaßrohr 14 ist in
ratur des Keimkristalls derart eingestellt werden, daß Fig. 2 dargestellt. Das Gaseinlaßrohr enthält vier
sich der Siliciumwasserstoff ausschließlich auf der Rohre 17 und zwölf engere Rohre 18, die sich in
Oberfläche des Keimkristalls zersetzt, nach Patent 20 der äußeren Umhüllung 19 befinden.
1 042 553. Verschiedene Faktoren bestimmen die Fließbedin-
Es sind bereits Verbesserungen des Verfahrens gungen des in die Vorrichtung eingeleiteten Silicium-
nach dem Hauptpatent und hierzu geeigneter Vor- Wasserstoffes und beeinflussen so die Menge des
richtungen vorgeschlagen worden. Obwohl das Ver- sich in der Gasphase zersetzenden Gases. Dazu
fahren nach dem Hauptpatent die Herstellung von 25 gehört auch der Abstand zwischen der Heizspule 10
Silicium mit sehr hoher Reinheit erlaubt, hat dieses und dem Siliciumkeimkristall 12, die Ausbildung des
Verfahren vom Standpunkt des Wirkungsgrades aus Gaseinlaßrohres und des Gasauslaßrohres 14. Diese
nicht vollkommen befriedigt. Eine gewisse Menge Parameter werden daher so gewählt, daß die Zer-
von Siliciumwasserstoff wird dabei nämlich in der Setzung in der Gasphase auf ein Minimum herab-
Gasphase anstatt durch eine Oberflächenreaktion zer- 30 gedrückt wird, was durch die Menge des erzeugten
setzt. Das dabei erzeugte Silicium schlägt sich auf Siliciumstaubes erkennbar ist, und zwar abgestimmt
verschiedenen Teilen der Vorrichtung in Form eines auf die Temperatur, die Durchflußmenge und den
feinen Staubes nieder. Nach einer bestimmten Zeit Druck des Siliciumwasserstoffes
verdichtet sich der Staub an bestimmten Stellen der Wenn die Vorrichtung in Betrieb ist, fließt ein
Vorrichtung zu kleinen Teilchen, wodurch gewisse 35 Hochfrequenzstrom durch die Primärspule 7. In der
Störungen auftreten. Sekundärspule 8, in der Heizspule 10 und schließlich
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist eine Ver- im Siliciumkeimkristall 12 werden entsprechende
besserung des Wirkungsgrades bei dem Silicium- Ströme induziert. Die .Stromstärke muß so groß sein,
Wasserstoffzersetzungsprozeß nach dem Hauptpatent daß die Spitze des Keimkristalls auf eine Temperatur
durch Verminderung der Siliciummenge, die sich in 40 erhitzt wird, die über der Zersetzungstemperatur des
Form von Staub niederschlägt. Siliciumwasserstoffes liegt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- Der Keimkristall 12 und die Wischer 16 werden
löst, daß ein weiteres gegenüber Siliciumwasserstoff nun mittels der Achse 11 gedreht. Sehr reiner SiIi-
und dessen Zersetzungsprodukten inertes Gas derart ciumwasserstoff wird durch die vier Rohre 17 des
in die Umhüllung eingeleitet wird, daß der Silicium- 45 Gaseinlaßrohres 13 unter verminderter Konzentrawasserstoffstrom
vom inerten Gas umgeben wird, und tion eingeleitet. Durch die zwölf dünneren Rohre 18
daß das inerte Gas auf einer Temperatur unterhalb wird reiner Wasserstoff eingeleitet. Der Siliciumder
Keimkristalltemperatur gehalten wird. Vorteil- wasserstoff trifft auf die heiße Spitze des Keimhafte
Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen kristalle 12 auf und wird auf dessen Oberfläche und
gekennzeichnet. 50 in der unmittelbar anschließenden heißen Zone
Die Erfindung wird nun in Zusammenhang mit den thermisch in Silicium und Wasserstoff zersetzt. Der
in der Zeichnung dargestellten Figuren näher er- unzersetzte Siliciumwasserstoff, der Wasserstoff aus
läutert. dem Gaseinlaßrohr 13 und der bei der Zersetzung
F i g. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Herstellung von entstehende Wasserstoff werden durch das Gasauslaß-
Silicium nach der Erfindung; ■■.■■' 55 rohr 14 abgeleitet. ' i
F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch das Gaseinlaßrohr Die Welle 11 wird in dem Maße, wie der Keim-
der Vorrichtung nach Fig. 1. kristall 12 wächst, nach unten bewegt, so daß das
Die Vorrichtung nach F i g. 1 enthält eine aus zwei obere Ende des Keimkristalls immer in der gleichen
Glaszylindern 1 und 2 und zwei Metallabschlußplat- Lage bezüglich der Heizspule 10 bleibt,
ten 3 und 4 bestehende Zersetzungskammer. Zwi- 60 Trotz der genauen Einstellung des Abstandes
sehen den beiden Glaszylindern sind die Dichtungs- zwischen der Heizspule 10 und dem Keimkristall 12
ringe 5 und die damit verbundenen Neoprenschei- wird noch eine gewisse Menge Siliciumwasserstoff
ben 6 angeordnet. Der mittlere Teil der Zersetzungs- durch den heißen Wasserstoff, der bei der Zersetzung
kammer ist von einer Primärspule 7 und einer Sekun- entsteht und den Keimkristall 12 umgibt, zersetzt.
därspule 8 umgeben, die voneinander durch einen 65 Durch diese Zersetzung in der Gasphase wird die
isolierenden Abstandshalter 9 getrennt sind. Im Zer- Menge des als Staub anfallenden Siliciums erhöht,
setzungsraum ist eine dritte Spule, die Heizspule 10, Um die heißen Gase auf das Gebiet in der Nähe
angeordnet. Alle drei Spulen sind hohl und werden der Spitze des Keimkristalls so gut wie möglich zu
beschränken, wird kalter Wasserstoff durch die Rohre 18 in die Zersetzungskammer geleitet. Dieser
Wasserstoff bildet eine kalte Abschirmung rings um den Siliciumwasserstoffstrom, so daß der bei der
Zersetzung entstehende heiße Wasserstoff in einem möglichst kleinen Volumen zusammengehalten wird
und außerdem mithilft, den Siliciumwasserstoff auf die Spitze des Keimkristalls 12 zu richten. Das Silicium
wird daher fast vollständig durch Oberflächenreaktion erzeugt und nicht durch Reaktion in der
Gasphase. Die größte Menge des Siliciums wird daher auf den Keimkristall 12 niedergeschlagen, der
dabei wächst und einen zusammenhängenden Körper bildet, anstatt daß es in der Umgebung in Form von
Staub niedergeschlagen wird.
An Stelle von Wasserstoff als Gas, das den Siliciumwasserstoff umgibt, kann jedes dafür geeignete
Gas verwendet werden, das gegenüber dem Siliciumwasserstoff und gegenüber seinen Zersetzungsprodukten
inert ist und keinen Teil der Apparatur angreift. Beispielsweise ist Helium als inertes Gas ebenfalls geeignet.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen von Silicium großer Reinheit, insbesondere von Siliciumeinkristallen,
bei dem ein Strom von vollkommen reinem Siliciumwasserstoff, gegebenenfalls in Gegenwart von Trägergasen, gegen die Oberfläche
eines Siliciumkeims strömt, der sich in einer Umhüllung befindet und auf eine Temperatur
oberhalb der Zersetzungstemperatur des Siüciumwasserstoffes erhitzt wird, und bei dem
bei Verwendung von reinem Siliciumwasserstoff über die Einstellung eines geeigneten Unterdruckes
in der Umhüllung allein und/oder durch Zusetzen einer geeigneten Menge von Trägergasen
aus Argon oder Stickstoff eine Verminderung der Konzentration des Siliciumwasserstoffes
am Zersetzungsort und eine Strömungsgeschwindigkeit des Siliciumwasserstoffes zwischen 100
und 150 1 pro Stunde entsprechend der Temperatur des Keimkristalls derart eingestellt werden,
daß sich der Siliciumwasserstoff ausschließlich auf der Oberfläche des Keimkristalls zersetzt,
nach Patent 1042553, dadurch gekennzeichnet,
daß ein weiteres gegenüber Siliciumwasserstoff und dessen Zersetzungsproduktion inertes Gas derart in die Umhüllung eingeleitet
wird, daß der Siliciumwasserstoffstrom vom inerten Gas umgeben wird und daß das inerte
Gas auf einer Temperatur unterhalb der Keimkristalltemperatur gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliciumwasserstoff durch
eine zentrale Düse auf die Oberfläche des Keimkristalls geleitet wird und daß das inerte Gas
durch eine oder mehrere konzentrisch zur SiIiciumwasserstoffdüse angeordnete Düsen eingeleitet
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als inertes Gas Wasserstoff
verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als inertes Gas Helium verwendet
wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4, enthaltend
eine Zersetzungskammer, eine Keimkristallhalterung, eine Keimkristallerhitzungsvorrichtung
und eine zentrale Siliciumwasserstoffdüse, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere
zusätzliche Düsen zum Einleiten des inerten Gases um die Siliciumwasserstoffdüse und ein Gasauslaßrohr
in der Zersetzungskammer angeordnet sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende des Gasauslaßrohres
die Form eines ringförmigen Rohres mit einem kreisförmigen Schlitz hat, das die Keimkristallhalterung
umgibt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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US2763581A (en) * | 1952-11-25 | 1956-09-18 | Raytheon Mfg Co | Process of making p-n junction crystals |
GB745698A (en) * | 1953-09-25 | 1956-02-29 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to methods of producing silicon of high purity |
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- 1960-07-15 CH CH812760A patent/CH409894A/de unknown
Also Published As
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