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Verfahren zur Herstellung einer hochreinen, kristallographisch perfektionierten, ebenen Oxydschicht auf einkristallinen, insbesondere scheibenförmigen Körpern aus Silizium
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung exakt ausgebildeter, störungsfreier Oxydschichten auf Siliziumkörpern. Ausser durch ihren störungsfreien Gitteraufbau sollen die Oxydschichten ausserdem auch dadurch ausgezeichnet sein, dass ihre Begrenzungsflächen praktisch planparallel verlaufen und dass der Übergang zwischen der Siliziumschicht und der Siliziumoxydschicht eben und ungestört ist.
Derartige Oxydschichten auf Siliziumkörpern sind neuerdings für die sogenannte MOS-Technik bedeutungsvoll.
Unter dieser MOS-Technik wird eine neuartige Technik in der Herstellung von Halbleiterbauelementen, z. B. Dioden oder Transistoren, verstanden, bei der z. B. auf einem Siliziumkörper vom p-Leitungstyp eine Oxydschicht aufgebracht wird. Der Ausdruck "MOS" entstand durch die Abkürzung von "Metalloxyd und Semiconductor" und bedeutet also eine Schichtenfolge von z. B. Siliziumdioxyd und Silizium.
Beiden sogenannten MOS-Bauelementen, z. B. MOS-Transistoren und MOS-Dioden, wird die Erscheinung ausgenutzt, dass-wie man bei Untersuchungen festgestellt hat-unter einer auf einen p-leitenden Siliziumkristall aufgebrachten Oxydschicht eine dünne Inversionsschicht vom n-Leitungstyp im Siliziumkristall ausgebildet wird.
Es sind zwar bereits Verfahren zur Herstellung von Oxydschichten auf Siliziumkörpern bekannt. Diese Schichten dienten aber bisher praktisch nur zur Stabilisierung der Halbleiteroberfläche. Den Anforderungen, die heute an die Oxydschichten auf Grund ihrer vielseitigen und vor allem ihrer andersartigen Verwendung gestellt werden, genügen die nach den bekannten Verfahren gewonnenen Schichten nicht mehr. Für die Verwendung in der sogenannten MOS-Technik sind diese Verfahren fast ausnahmslos ungeeignet.
Die bekannten Verfahren bestehen beispielsweise darin, die Halbleiterkörper einer oxydierenden Atmosphäre auszusetzen. Da die Ansicht vertreten wurde, dicke Oxydschichten würden die angestrebte Wir- kung - nämlich die Abschirmung der Halbleiteroberfläche gegen die Einwirkung der umgebenden Atmo- sphäre-besser herbeiführen als dünne Schichten, wurden die Halbleiterkörper bei der oxydierenden Behandlung auf hohe Temperaturen gebracht, um in wirtschaftlich tragbaren Zeiträumen ausreichend dicke Oxydschichten zu erzielen.
Da in vielen Fällen die Anwendung hoher Temperaturen bei der Stabilisierung fertiger Halbleiterbauelemente unmöglich ist, wurden auch schon Verfahren entwickelt, bei denen nicht eine sauerstoffhaltige Atmosphäre zur Einwirkung auf die Halbleiteroberfläche gebracht wird, sondern die die Verwendung von Ozon vorsehen oder eine anodische Oxydation der Oberfläche der Halbleiter vorschlagen. Doch auch die nach diesen bekannten Verfahren hergestellten Oxydschichten können die überhöhten Ansprüche der heutigen Technik hinsichtlich der Ausbildung der Oxydschichten nicht erfüllen.
Es ist auch bereits bekannt. die Siliziumoberfläche einer abtragenden Behandlung durch Überleiten eines Gases zu unterwerfen, bevor die Oxydbildung vorgenommen wird. Ebenfalls ist es bereits Stand der Technik, dieOberfläche einesSiliziumkörpers einer Halogenwasserstoffatmosphäre auszusetzen, bevor die
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Oxydschicht erzeugt wird. Aber auch hiebei ist nicht die Gewähr gegeben, dass einwandfrei ausgebildete, insbesondere ebene, planparallele Begrenzungsflächen aufweisende Oxydschichten gebildet werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem hochreine, kristallographisch perfektionierte, ebene Oxydschichten auf einkristallinen, insbesondere scheibenförmigen Siliziumkörpern hergestellt werden können, die auch besonders hohen Anforderungengenügen.
Die Erfindung sieht zur Lösung dieser Aufgabe vor, dass die Abtragung der Siliziumoberfläche mittels einer chemischen Transportreaktion bewirkt wird, indem auf den Teil der Oberfläche der Siliziumkörper, auf dem die Oxydschicht gebildet werden soll, eineAbdeckplatte in einem geringen Abstand, vorzugsweise in einem Abstand von 0, 1 bis 1 mm, aufgebracht wird, dass nach der Abtragung das Reaktionsgefäss mit einem inerten Gas durchgespült wird und dass danach Wasserdampf oder Sauerstoff in das Reaktionsgefäss eingeleitet und in an sich bekannter Weise zur Einwirkung auf die Siliziumoberfläche gebracht wird.
Bei Verwendung von Sauerstoff als Oxydationsmittel wird dabei Stickstoff oder ein Edelgas zur Durchspü- des Reaktionsgefässes verwendet ; im Falle der Anwendung von Wasserdampf als oxydierendes Medium kann ausserdiesenGasen mit besonderem Vorteil Wasserstoff zur Durchspülung benutzt werden.
Der Erfindung liegen folgende, durch eingehende Untersuchungen bestätigte Erkenntnisse zugrunde.
Die Bildung der Oxydschicht auf der Siliziumoberfläche setzt gewöhnlich an einzelnen Stellen erhöhter Aktivität an ; derartige Stellen werden hauptsächlich durch Gitterstörungen und Verunreinigungen gebildet oder durch Versetzungen, die an der Oberfläche der Kristalle enden. Die zuerst gebildeten Oxydationskeime werden schliesslich von einem dünnen Oxydfilm umgeben. Die Oxydschicht als Ganzes wird umso inhomogener, je mehr dieser als Keime wirksame Stellen erhöhter Oberflächenaktivität an der Oberfläche vorhanden sind. An den aktiven Stellen wächst die Oxydschicht am schnellsten ; sie ist daher dort am dicksten.
Wenn also einwandfreie, überall gleichmässig dicke, ebene Oxydschichten auf der Siliziumoberfläehe gebildet werden sollen, muss daher zunächst die oberste Schicht der Siliziumkörper abgetragen werden bis eine von Gitterstörungen, Verunreinigungen und Versetzungen od. dgl. freie Oberfläche zutage tritt. Gitterstörungen an der Oberfläche werden durch die mechanische Behandlung der Kristalle, z. B. durch die Zerschneide- oder Zersägetechnik verursacht und lassen sich kaum vermeiden. Die Abtragung der ober- sten Schicht muss weiterhin in der Weise erfolgen, dass durch die Abtragung nicht selber wieder Störungen im Kristallgefüge oder in der Gitterstruktur verursacht werden.
Ebenso dürfen auch durch die zur Abtragung verwendeten Mittel nicht wieder Verunreinigungen an die Oberfläche der Siliziumkristalle gebracht werden, Darüberhinausmuss das abtragende Mittel derart ausgewählt werden, dass es eine polierte, ebene Oberfläche erzeugt, also die Kristalloberfläche überall gleichmässig angreift. Wenn weiterhin dafür Sorge getragen wird, dass auch nach dem abtragenden Behandlungsmechanismus keine neuen Störungen an der Kristalloberfläche erzeugt werden-sei es durch Verunreinigungen oder mechanisch-sondern dass un- mittelbar anschliessend dieOxydationder Oberflächevorgenommen wird, ist also die Gew ähr für eine perfekt ausgebildete Oxydschicht auf der Siliziumoberfläche gegeben.
Durch die in der Erfindung angegebenen Massnahmen, die unmittelbar nacheinander, d. h. auch insbesondere ohne Wechsel des Reaktionsgefässes, durchgeführt werden, lassen sich daher die in gewünschter Weise ausgebildeten Oxydschichten herstellen.
Nach der abtragenden Behandlung der Siliziumkörper wird, wie bereits ausgeführt, das Reaktionsgefäss mit einem inerten Gas, z. B. Argon oder Wasserstoff, durchgespült. Dadurch werden Reste der gebil- deten flüchtigen Siliziumverbindung sowie Reste der die Abtragung bewirkenden Gas- oder Dampfatmosphäre aus dem Reaktionsgefäss entfernt.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens gemäss der Erfindung wird bei Verwendung von Wasserdampf als Oxydationsmittel zur Durchspülung des Reaktionsgefässes nach der abtragenden Reaktionsphase reiner Wasserstoff verwendet.
Das für die chemischeTransportreaktion notwendige Temperaturgefälle wird beispielsweise durch einen gehemmten Wärmeübergang von dem Siliziumkörper, der direkt oder indirekt beheizt wird, auf die Deckplatteerzielt. DieDeckplattekann praktisch aus jedem beliebigen Material bestehen ; dieses Material muss nur bestimmte Bedingungen erfüllen. So muss es beispielsweise einen Schmelzpunkt besitzen, der über der jeweiligenArbeitstemperaturliegt. Weiter muss das Material im hochreinen Zustand herstellbar sein, d. h. die Deckplatte darf keine Verunreinigungsstoffe abgeben, die in den Siliziumkörpern zu einer Veränderung der elektrischen Eigenschaften führen würden. Ebenso darf es natürlich keine Legierungsbildung mit dem Silizium eingehen.
Darüber hinaus muss es auch eine genügende Haftfestigkeit für Silizium besitzen. Beispielsweise sind Materialien, wie Quarz, Graphit, Sinterkorund od. dgl., für die Deckplatte geeignet. Ebenso kann eine Platte aus Silizium verwendet werden oder eine Platte, die mit Silizium über-
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zogen ist oder wenigstens an der dem Siliziumkörper zugewendeten Seite einen Siliziumüberzug aufweist.
Als Transportmittel kann dabei beispielsweise Halogen oder Halogenwasserstoff Verwendung finden. Es sind praktisch alle jene Stoffe als Transportmittel geeignet, die mit dem Silizium eine reversible Reaktion unter Bildung ausschliesslich gasförmiger Verbindungen einzugehen vermögen. Ein Temperaturgefälle zwischen dem abzutragenden Siliziumkörper und der diesem Körper zugewendeten Seite der Deckplatte bringt die Reaktion unter Abscheidung des Siliziums auf dieser Seite der Deckplatte zum Ablauf. Wird beispielsweise gasförmiger Chlorwasserstoff als Transportmittel, vorzugsweise im Gemisch mit einem Trägergas, z. B. Wasserstoff, verwendet. dringt das Gasgemisch auch in den engen Raum zwischen dem Siliziumkörper und der Deckplatte ein.
Die Oberfläche des Siliziumkörpers und vor allem die der Deckplatte weisen stets geringe Unebenheiten auf, die die Bildung von Zwischenräumen zwischen dem Siliziumkörper und der Deckplatte bewirken. Es kann auch ein Abstandhalter zwischen den Siliziumkörper und die Deckplat- te gelegt werden. Ebenso ist es möglich, die Deckplatte frei in dem geringen, angegebenen Abstand über der abzutragenden Siliziumoberfläche anzuordnen und durch zusätzliche Mittel zu haltern. Eingehende Untersuchungen zeigten aber, dass der Abstand zwischen der abzutragenden Oberfläche des Siliziumkörpers und der Deckplatte nicht grösser als etwa 1 mm sein soll, wenn die polierende Abtragung gewährleistet sein soll.
Der Chlorwasserstoff reagiert mit dem erhitzten, z. B. auf einerteniperaturum 11000C gehaltenen Si- lizium des abzutragenden Körpers nach der Gleichung
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Bei Temperaturen um 11000C werden bereits erhebliche Mengen des Siliziumsubchlorids SiCl2 gebildet. Im Zwischenraum erfolgt dann auf Grund des Temperatursprungs ein Siliziumtransport über die Gasphase nach der Gleichung
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seite der Deckplatte abgeschieden. Der Siliziumsubchlorid-Partialdruck tritt umso stärker in Erscheinung, je höher die Temperatur des abzutragenden Siliziumkörpers ist.
Um die Abtragung überall gleichmässig zu bewirken, ist es notwendig, die Deckplatte so auszuwählen, dass der Abstand der Deckplatte zur abzutragenden Siliziumoberfläche überall gleichmässig ist. Ein Parallellaufen der gegenüberliegenden Flächen des Siliziumkörpers und der Deckplatte ist daher erwünscht.
WennohneTrägergasgearbeitet wird, ist es zweckmässig, mitunterdruck zu arbeiten, damit die Reaktion unter Kontrolle gehalten werden kann.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Transportmittel, z. B. der Chlorwasserstoff, nicht von aussen her in das Reaktionsgefäss eingeleitet wird, sondern wenn er im Reaktionsgefäss selbst gebildet wird. Dadurch wird eine Einschleppung von Verunreinigungen durch das Transportmittel vermieden. Man kann in diesem Fall beispielsweise so vorgehen, dass man eine gasförmige Siliziumhalogenverbindung in das Reaktionsgefäss einströmen lässt. Die Halogenverbindung, die meist mit Wasserstoff verdünnt zur Anwendung gelangt, wird zunächst an den heissen Teilen des Reaktionsgefässes, z. B. am Heizer, an den heissen Wänden oder auch an der heissen Seite der Deckplatte, die dem Siliziumkörper abgewendet ist, thermisch zersetzt und auf diese Teile abgeschieden. Dabei läuft die Reaktion ab :
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Ausserdem dringt diegasförmige Siliziumverbindung in geringer Menge auch in den engen Raum zwischen dem abzutragenden Siliziumkörper und der Deckplatte ein und wird hier unter Silizium abscheidung
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zersetzt. Bevor jedoch weiteres Reaktionsgas nachdiffundieren kann, sorgt der durch die Zersetzung gebil- detechlorwasserstoff für die Bildung des Siliziumsubchlorids aus dem Silizium der Oberfläche des erhitzten Siliziumkörpers und bewirkt die Abscheidung dieses Siliziums auf der dem Siliziumkörper zugewendeten, eineniedrigere Temperatur als der Siliziumkörper aufweisenden Seite der Deckplatte. Dabei kann sowohl im strömenden als auch im geschlossenen System gearbeitet werden. Anstelle von Silicochloroform kann beispielsweise auch Siliziumtetrachlorid in das Reaktionsgefäss eingeleitet werden.
Wird dabei Silizium-
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im Gemisch mit WasserstoffDieses Gasgemisch dringt auch in den Zwischenraum zwischen dem abzutragenden Siliziumkörper und der Deckplatte ein, wird hier unter Siliziumabscheidung zersetzt, während dann der gebildete Chlorwasserstoff, der auch aus dem freien Reaktionsraum in den Zwischenraum nachdiffundiert, eine polierende
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und Abscheidung des gebildeten Siliziums auf der Unterseite der Deckplatte bewirkt.
Wird dagegen, z. B. im Falle des Siliziumtetrachlorids, ohne Wasserstoff als Trägergas gearbeitet, reagiert die Verbindung im wesentlichen nach der Gleichung
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mit dem heissen Silizium des abzutragenden Siliziumkörpers, während das gebildete Siliziumsubehlorid SiCl auf Grund der Disproportionierung nach der Gleichung
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auf die Unterseite der Deckplatte abgeschieden wird, die eine etwas niedrigere Temperatur als die abzutragende Oberfläche des Siliziumkörpers aufweist. Der Temperaturintervall liegt, je nach dem Abstand, zwischen etwa 15 und 30 C.
Nach Abschluss der Abtragung der Oberfläche des Siliziumkörpers mittels der chemischen Transportreaktion wird die Deckplatte vorteilhafterweise abgehoben. Man kann die Behandlung auch weiterführen, ohne dass die Deckplatte abgehoben wird ; manhat jedoch festgestellt, dass es in diesem letzten Fall schwierig ist, gleichmässig dicke Oxydschichten herzustellen.
Um nach der Abtragung der gewünschten Siliziumoberfläche alle gas-oder dampfförmigen Stoffe, die während der abtragenden Reaktionsphase entweder in das Reaktionsgefäss eingeleitet oder auf Grund der Abtragung im Reaktionsgefäss gebildet wurden, aus dem Reaktionsraum zu entfernen, wird nach der er- wünschten Abtragung ein inertes Gas wie Argon oder im Falle der Verwendung von Wasserdampf als Oxydationsmittel vorzugsweise Wasserstoff durch das Reaktionsgefäss geschleust. Die Siliziumkörper werden während des Durchleitens weiter auf hoher Temperatur, beispielsweise auf etwa 12000C gehalten.
Wenn die Gewähr gegeben ist, dass der Reaktionsraum von diesen Gasen oder Dämpfen frei ist., wird entweder Wasserdampf oder Sauerstoff in das Reaktionsgefäss eingeleitet und auf die vorbehandelte, nun störungsfreie Oberfläche der Siliziumkörper zur Einwirkung gebracht.
Vorteilhafterweise erfolgt die Zuführung des Wasserdampfes mittels eines Trägergases, z. B. mittels eines Edelgases, jedoch insbesondere mit Wasserstoff. Der Wasserstoff wird beispielsweise durch einen erhitzten Wasserkessel geleitet und mit Wasserdampf gesättigt. Aus praktischen Gründen ist es zweckmässig, zur Durchspülung Wasserstoff zu verwenden und zur Oxydation mit Wasserdampf gesättigten Wasserstoff einzuleiten. Untersuchungen zeigten, dass Wasserdampf in kürzesten Zeiten einwandfreie Oxydschichten liefert.
Die Siliziumkörper werden während der Einwirkung des Oxydationsmittels, z. B. des Wasserdampfs, aufeinerTemperatur zwischen etwa 900 und 11500C gehalten. Da keine Störungen an der Oberfläche des Siliziumkörpers mehr vorhanden sind, wächst die Oxydschicht überall gleichmässig auf, so dass eine ho-
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mogene Oxydschicht mit einer scharfen Grenzfläche Silizium-Siliziumdioxyd gewährleistet ist.
Im folgenden wird zur Erläuterung der Erfindung ein Ausführungsbeispiel an Hand der Fig. 1-3 näher beschrieben.
Im Ausführungsbeispiel wird die polierende Abtragung der Silizium oberfläche mittels einer chemischen Transportreaktion vorgenommen ; die Oxydation der ideal störungsfreien Siliziumoberfläche erfolgt mittels Wasserdampf.
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vorzugsweise einkristalline Siliziumscheibe 1 wird mit Hilfe der direkt oder indirekt beheiztenstand von höchstens etwa 1 mm eine Abdeckplatte 3 aus inertem Material, z. B. aus Graphit, die an der der Siliziumscheibe zugewendeten Seite mit einem Überzug aus Silizium versehen ist, angebracht.
Die Deckplatte 3 befindet sich an der der Siliziumscheibe zugewendeten Seiteauf Grund des gehemmten Wärmeüberganges von der Sbheibe 1 auf einer Temperatur, die etwa 15-30 C, je nach dem Abstand zwischen Scheibe und Deckplatte, tiefer liegt als die der Siliziumscheibe. Wird nun-entweder im geschlossenen oder im strömenden System - in das Reaktionsgefäss ein Gasgemisch aus beispielsweise SiCl4 und 1\ im Molverhältnis von 0, 05 eingeleitet, so erfolgt zunächst eine thermische Zersetzung desSiCl4- Gases an den heissen Teilen des Reaktionsgefässes, z. B. an der Wandung, und auch an unbedecktenTeilen der Siliziumscheibe 1, in geringer Menge auch an der von der Abdeckplatte 3 bedeckten Oberflä- che der Siliziumscheibe 1.
Bevor jedoch weiteres SiCI-Gas in den Zwischenraum 5 zwischen der Siliziumscheibe 1 und der Abdeckplatte 3 nachdiffundieren kann, führt das gebildete Chlorwasser- stoffgas zur Bildung von Siliziumsubchlorid mit dem heissen Silizium an der bedeckten Oberfläche derSiliziumscheibe 1, und das Siliziumsubchlorid wird auf Grund des Temperaturgefälles zwischen dieser Oberfläche und der dieser Oberfläche zugewendeten Seite der Deckplatte unter Abscheidung von elementarem Silizium auf diese Seite der Deckplatte disproportionieren.
Wird der Abstand 8 zwischen Scheibe 1 und Deckplatte 3 auf etwa 0, 5 mm eingestellt und die Strömungsgeschwindigkeit des verwendeten Reaktionsgasgemisches auf 30 l/h gehalten, erhält man nach einer Reaktionszeit von etwa 15 min eine vollkommen gleichmässige Abtragung der Siliziumscheibe, die etwa 10 - 20/. I Dicke entspricht.
Das abgetragene Silizium bildet eine dünne Oberflächenschicht 4 auf der dem Siliziumkörper zugewen- deten Seite der Deckplatte 3. Die einander gegenüberliegenden Flächen des Siliziumkörpers 1 und der Deckplatte 3 verlaufen planparallel.
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Nach der abtragenden Reaktionsphase wird vorteilhafterweise die Deckplatte entfernt. In der Praxis erweist sich wegen der einfachen Handhabung eine mit einem Griff 9 versehene Deckplatte 3, ähnlich wie sie in Fig.4 dargestellt ist, als günstig. Der Griff 9 wird beweglich durch den Boden des Reaktionsgefässes hindurchgeführt.
Werden gleichzeitig mehrere nebeneinander angeordnete Silizumscheiben 1 behandelt, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, empfichlt es sich, zur Verbesserung des Gasaustausches zwischen dem Zwischenraum 5 und dem übrigen Raum im Reaktionsgefäss eine Abdeckplatte 3 zu verwenden, die mit Schlitzen 7 versehen ist.
Nach der polierend abtragenden Behandlung der erwünschten Oberfläche der Siliziumscheiben 1 wird das Reaktionsgefäss mit inertem Gas, im Ausführungsbeispiel etwa 10 min lang mit reinem Wasser- st off durchgespült. Die Strömungsgeschwindigkeit wird im Beispiel auf 50 - 100 l/h eingestellt. DieTem- peratur der Siliziumscheibe 1 wird während des Durchspülens beibehalten.
Anschliessend wird mit Wasserdampf gesättigter Wasserstoff in das Reaktionsgefäss eingeleitet. Die Temperatur der Siliziumscheibe 1 wird dabei zwischen etwa 900 und 1100uC gehalten, vorzugsweise auf etwa 1000 C. Wenn die Strömungsgeschwindigkeit des bei 950C mit Wasserdampf gesättigten Wasserstoffes auf etwa 30 l/h eingestellt wird, erhält man nach etwa 4 h bei einer Temperatur der Siliziumscheibe von etwa 10000C eine etwa 0, 6/. I dicke Oxydschicht.
In Fig. 2 ist eine Siliziumscheibe 1 dargestellt, auf die nach dem Verfahren gemäss der Erfindung eine dünne Oxydschicht 6 aufgebracht ist. Die Scheibe 1 liegt auf dem Heizer 2 auf.
Die Oxydschicht ist kristallographisch einwandfrei ausgebildet, weist keine Störungen im Kristallgefüge auf, enthält z. B. auch keine Poren, ist über die ganze Ausdehnung gleichmässig dick und von der Siliziumoberfläche durch eine scharfe Grenzfläche getrennt.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung werden mehrere Siliziumkörper, insbesondere Siliziumscheiben, übereinandergestapelt im Reaktionsgefäss angeordnet. Bei Anwendung der chemischen Transportmethode zur Abtragung der Siliziumoberfläche ist also in diesem besonderen Fall die eine Sili-
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ziumscheibe jeweils als Deckplatte der benachbarten Scheibe wirksam. Dabei wird jeweils entsprechend der charakteristischen Eigenschaft der chemischen Transportreaktion das Silizium im Temperaturgefälle transportiert. Wird die Erwärmung der jeweils mit einem Abstand von 0, 1 bis 1 mm übereinandergesta- peltenSiliziumscheiben von unten, z.
B. durch einen Heizer, auf dem die unterste Scheibe aufliegt, vorgenommen, erfolgt die polierende Abtragung jeweils an den oberen Flächen der Scheiben, da diese Flächen in diesem Fall die höhere Temperatur aufweisen. Das abgetragene Silizium wird auf die der jeweiligen Fläche zugewendeten Fläche der nächsten Siliziumscheibe abgeschieden. Erfolgt dagegen die Er- wärmung von oben, wird auf Grund des gehemmten Wärmeüberganges von einer Scheibe zur andern zu der jeweils unterenScheibeeinTemperaturgradient eingestellt. In diesem Falle erfolgt die Abtragung von der jeweils unteren Seite der Siliziumscheiben und die Abscheidung des Siliziums auf die obere Fläche der jeweils darunterliegenden Siliziumkörper.
PATENTANSPRÜCHE :
1. VerfahrenzurHerstellungeinerhochreinen, kristallographisch perfektionierten, ebenen Oxydschicht auf einkristallinen, insbesondere scheibenförmigen Körpern aus Silizium durch Oxydation, bei dem die Siliziumkörper zunächst einer Gas-oder Dampf atmosphäre ausgesetzt werden, die unter Bildung fliichti-
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Verbindungen des Siliziums einschicht gebildet werden soll, eine Abdeckplatte in einem geringen Abstand, vorzugsweise in einem Abstand von 0. 1 bis 1 mm, aufgebracht wird, dass nach der Abtragung das Reaktionsgefäss mit einem inerten Gas durchgespült wird und dass danach Wasserdampf oder Sauerstoff in das Reaktionsgefäss eingeleitet und
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körpers Halogenwasserstoff in das Reaktionsgefäss eingeleitet wird.