DE1521795B2

DE1521795B2 - Verfahren zum gaspolieren von halbleitermateiral

Info

Publication number: DE1521795B2
Application number: DE19651521795
Authority: DE
Inventors: Melvin Reisman Arnold Yorktown Heights NY Berkenbht (V St A )
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1964-08-12
Filing date: 1965-08-11
Publication date: 1972-01-27
Also published as: GB1081888A; USB389017I5; JPS4929790B1; NL6509555A; DE1521795A1; US3366520A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Polieren von Einkristallhalbleiterplatten mit Halogenwasserstoff enthaltendem Gas.

Die Herstellung spiegelglatter, fehlerfreier Oberflächen von Germanium und Silizium ist sehr wichtig, wenn diese Oberflächen anschließend verwendet werden für ein epitaktisches Niederschlagen von Halbleitermaterialien, wie beispielsweise Germanium, Silizium. Gallium, Arsenid usw.. wobei diese Strukturen direkt auf den in Frage kommenden Oberflächen hergestellt werden. Um Fehlerstellen in epitaktischen Schichten zu vermeiden, ist es wesentlich, jegliche Oxide oder anders entstandene Niederschläge, wie z. B. durch Sägen. Glätten oder Polieren von Oberflächen, zu entfernen.

Mechanisches Schneiden, Läppen und Polieren der Substratoberfläche führt ein Beschädigen der Oberfläche und der Masse des Substrats herbei, das für den epitaktischen Niederschlag verwendet wird. Poliertcchnikcn, die chemische Lösungen verwenden, vermeiden zwar ein Beschädigen der Oberfläche, crfordem aber, daß die Proben im Anschluß an das Polieren einer Umgebungs- oder anderen Zwischenatmosphäre vor dem Dampfriiederschlagen ausgesetzt werden. Im allgemeinen hinterlassen derartige Polierverfahreri Oberflächenfilme auf dem Substrat. Feine Vertiefungen und ein Abblättern kann gewöhnlich auf derartig chemisch polierten Siliziumplatten beobachtet werden, sogar dann, wenn die rotierende Bechertech pik für das Polieren verwendet wurde. Darüber hinaus werden diese Platten von einem Schleier bedeckt.

, Es ist bekannt (RCA Review, 1963, S. 488 bis 498), Halbleiterolwrflächen mit HCL enthaltendem Oas ?u polieren Obwohl Chlorwasserstoff verwendende Dampfpoliertechniken häufig geeignet sind, ergeben dieselben keine gleichbleibenden Ergebnisse, infolge der Veränderlichkeit der gasförmigen Chlorwasserstoffe. Im Falle von Silizium wurde weiter HCL als nicht verwendbar für Poliertechniken gefunden, wenn von geläppten Oberflächen ausgegangen wird. Im allgemeinen werden als Ausgangsprodukt für Chlorwasserstofftechniken mechanisch polierte Platten benutzt.

Das erfindungsgemäße Verfahren bedient sich einer Dampfpoliertechnik und ergibt auf Germanium und Silizium spiegelglatte, iehlerstellenfreie Oberflächen, wobei das Ausgangssubstrat entweder geläppt oder mechanisch poliert oder chemisch poliert ist. Diese Eigenschaften der polierten Fläche erzielt die Erfindung dadurch, daß die Platten einem mit vorherbestimmter Lineargeschwindigkeit fließenden Jodwasserstoffstrom und in an sich bekannter Weise einem Gasträger bei erhöhten Temperaturen ausgesetzt werden. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren polierten Germanium- oder Siliziumplatten sind verwendbar für epitaktischen Niederschlag bei der Herstellung von Planartransistoren und -Dioden und »Heterojunctionw-Ubergänge.

Die Verwendung von Halogenwasserstoffen für Bearbeitungsverfahren von Halbleitermaterialien ist zwar bekannt, jedoch nicht für Polierzwecke, sondern zur Reinigung und oder Abtragung von Halbleitermaterial (deutsche Patentschrift 966 879) und zum Zerschneiden von Halbleitermaterial (deutsche Auslegeschrift 1 151 162).

Durch die USA.-Patentschrift 3 102 061, die ein Ätzverfahren von Halbleitern betrifft, ist es bekannt, durch Zumischen eines inerten Gases die Wirksamkeit eines Gases zu regeln.

Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend an Hand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführurgsbeupieles beschrieben.

Die besagten, als Ausgangspunkt dienenden Platten werden behandelt in einer fließenden gasförmigen Mischung aus Jodwasserstoff und einem Gas aus der Gruppe von Wasserstoff, Helium und Mischungen derselben unter bestimmten Temperaturbedingungen, bestirr mter Lineargeschwindigkeit des Gasstromes und bestimmtem Partialdruck des Jodwasserstoffes.

Das Polierverfahren nach der Erfindung umfaßt Tür die Behandlung von Germanium- und Silizium-Einkristallplatten folgende allgemeine Schritte:

Linkristallplatten von Germanium oder Silizium mit bestimmter kristallographischcr Orientierung (z. B. III. 110. 100, 211 usw.) und von leitender Art, z. B. vom n- oder p-Typ und mit einer Störstcllcnkonzcntration von beispielsweise 1 · IO¹⁵ bis etwa I · IO^|g Fremclatomcn pro Kubikzentimeter werden von einem Einkristallblock mit Diamanten oder anderen geeigneten Mitteln abgeschnitten. Diese Platten werden dann auf gleiche Dicke geläppt auf einer Läppscheibe, wobei Aluminiumoxid-, Diamant' oder anderer geeigneter Läppstaub verwendet wird. Ab diesem Punkt sind für das Verfahren drei Wege möglich, nämlich die geläppte Platte kann gemäß dem Verfahren nach der E-findung behandelt werden oder die geläppte Platte kann mechanisch poliert und dann erfindungsgemäß poliert werden, oder die geläppte Platte kann chemisch poliert und hernach erfindungsgemäß poliert werdeiii.

Welcher der drei genannten Wege eingeschlagen wird, bestimmt in erster Linie die Geeignetheit und

die vom zu polierenden Halbleitermaterial geforderte endgültige Planheit. Somit ist, wenn eine Einrichtung für eine chemische Schnellpoliertechnik bei Raumtemperatur zur Verfugung steht, welche Oberflächenfehler und ein Abrunden der Platten vermeidet, die Dampfpoliertechnik die beste, um die durch das Lösungspoli-.'ren erhaltene Poliergüte zu erhalten und die Oberfläche von irgendwelchen Verunreinigungen zu reinigen. Es ist bereits eine chemische Polienechnik vorgeschlagen worden, die Germanium fehlerfrei _[0 poliert, so daß diese als Ausgangspunkt für das erfindungsgemäße Verfahren dient. Mechanisch polierte Oberflächen von Germanium sind ebenfalls verwendbar, aber infolge der durch das mechanische Polieren hervorgerufenen Fehler sind die damit hergestellten Germanium-Oberflächen nicht so vorteilhaft tür das Dampfpolieren, da das letztere langer erfolgen muß, um diese genannten Fehler auch beseitigen zu können. Bei Silizium ergeben chemische Polierverfahren starke Abrundungen der Platten, die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht beseiligbar sind. Es sind deshalb für Silizium geläppte Platten für das erfindungsgemäße Polierverfahren vorzuziehen. Obwohl das Dampfpolieren eine längere Zeit erfolgen muß, zeigen die fertigen Produkte keine wesentlichen Abrundungen der Ecken.

Um eine Einkristall-Germanium-Halbleiterplatte gemäß dem Dampfpolierverfahren behandeln zu können, ist die Verwendung von Jodwasserstoff und eines Gases wie Wasserstoff, Helium oder einer Mischung aus Wasserstoff und Helium für das Ätzen des Germaniums erforderlich. Der Jodwasserstoff kann an Ort und Stelle mit bekannten Apparaten erzeugt werden, und kann, wie weiter oben bereits erwähnt, mit Wasserstoff, Helium oder einer Mischung aus beiden Gasen gemischt werden.

Der Pai tialdruck des Jodwasserstoffs hängt in derartigen Mischungen von den Feinstrukturcigenschaf- lcn der polierten Platte ab und muß aus "wci Gründen unter einem kritischen Wert gehalten werden. Der erste Grund ist der. daß über diesem kritischen Wert die Feinstruktur angenagt vird. und der zweite Grund ist darin zu sehen, daß über diesem kritischen Wjrt •eichte Veränderungen der Ätztemperatur große Veränderungen in der Ätzgeschwindigkeit verursachen, während unter dicserp kritischen Wert eine große Veränderung in der Ätztemperatur nur geringfügige Veränderungen der Geschwindigkeit bringt. Es ist vorteilhaft, das Dampfpolieren mit HJ-Partialdruckwcrten nahe dem kritischen Wert auszuführen, so daß maximale Ätzgcschuindigkciten bei hoher Qualität erreichbar sind.

Das Dampfpolicren wird bei einer Temperatur !wischen 890 und 920 C ausgeführt wobei für Germanium die bevorzugte Temperatur bei 910 C liegt. Der l'artialdruck des Jodwasserstoffs liegt im allgemeinen zwischen 1 und 150 mm mit einem bevorzugten Bereich zwischen 16 und 70 mm Quecksilbersäule. Die Idealgeschwindigkeit der als Träger für den Jodwasserstoff dienenden Gasmischung liegt bei 1 bis 10 000 cm/Min, oder mehr, wobei die Polierergebnisse gleichbleibend gut sind. Ist jedoch die Geschwindigkeit des Gasstromes lm niedrig, kann man große Veränderungen in der Atzgeschwindigkeit bei kleinen Veränderungen der Gasstromgeschwindigkeit beobachten. Andererseits ist über dem kritischen Wert nur ein geringfügiges Verändern der Ätzgeswhwindigkeit bei großen Veränderungen der Gasgeschwindigkeit festzustellen. Die bevorzugte Lineargeschwindigkeit für Germanium ist 700 cm/Min, oder mehr, obwohl wie weiter oben festgestellt, gleichbleibend gute Polierergebnisse unter diesem Wert ebenfalls erzielbar sind. Geschwindigkeiten unter 300 cm/Min, werden nicht empfohlen, weil hierbei die Ätzgeschwindigkeit bei Veränderungen der Lineargeschwindigkeit sich sehr stark verändert.

Für Einkristall-Silizium-Halbleiterplatten ist das Verfahren bei folgenden Werten verwendbar:

Die Dampfpoliermischung für das Polieren derartiger Platten besteht wiederum aus Jodwasserstoff und einem Gas aus der Gruppe von Wasserstoff, Helium und einer Mischung von beiden. Die Temperatur beträgt zwischen 1200 und 1300" C, wobei 1220 bis 1250" C als bevorzugt anzusehen sind. Der Partialdruck des Jodwasserstoffes '•.ollte zwischen 1 und 150 mm Quecksilbersäule liegen, wobei als bevorzugt 16 bis 70 mm Quecksilbersäule anzusehen sind.

Die Gaslineargeschwindigkeit der über die Oberfläche der Halbleiterplatte hinwegströmenden Gasmischung liegt wiederum zwischen 1 und 10 000 cm Min., wobei die bevorzugte Geschwindigkeit 1000 cm/ Min. oder mehl beträgt. Die für ein Erreichen einer hohen Polierqualität erforderliche Zeit hängt sowohl für Germanium als auch für SiUzium davon ab, ob man von geläppten, mechanisch polierten oder chemisch polierten Platten ausgeht. Die erforderliche Zeit vermindert sich im allgemeinen in der angeführten Reihenfolge. Dies ergibt sich daraus, daß Fehler beim chemischen Polieren der Platten am geringsten sind und weil ein geringeres Abtragen erforderlich ist, wenn man nv't einer polierten Oberfläche beginnt und nur versucht, die Poliergüte zu erhalten, während die Oberfläche von Verunreinigungen oder leichten Fehlern befreit wird.

Ein weiterer Aspekt für das erfindungsgemäße Veriahren ist wichtig. Mit allen Parametern, wie dem Partialdruck des HJ, der GasstromUneargeschwindigkeit und der Ätztemperaturkonstanton nimmt die Geschwindigkeit zu bei einer Abnahme von H₂ im Gasträger, so daß, wenn reines H₂ als Gasträger verwendet wird, die Ätzgeschwindigkeit nur 60% von der beträgt, wenn reines He als Gasträger verwendet wird. Da FI₂ nützliche Effekte für das Polieren zeigt, indem unerwünschte Oxidüberzüge auf der Halbleiterplatte reduziert werden, und da H₂ im allgemeinen in höherer Reinheit erhältlich ist. als He und da es leichter ist. einen Apparat zu steuern, bei dem als Gastrager nur ein einziges Gas an Stelle einer Gasmischung verwendet wird, kann aus praktischen Erwägungen bzw. einer Einfachheit der Ausrüstung wegen auf din erhöhte Ätzgeschwindigkeit von reinem Hc oder H^/He-Mischungcn verzichtet werden. Wenn jedoch erhöht«. Ätzgeschwindigkeiten wichtig erscheinen, wi.d das reine He oder eine H₂-He-Mischung (vorzugsweise 0,2 Mol H₂ : 1 Mol He) verwendet. Die obenerwähnte H₂-He-Mischung wild dem reinen He vorgezogen, da, wenn das He geringe Mengen von O₂ enthält, das letztere durch des H₂ in einer Reaktion mit der Halbleiteroberfläche behindert wird.

Die Effekte, die ein Verändern des Ätzverhaltens der Substratplatten in bezug auf ein Entstehen einer glatten Oberfläche oder von Fehlern hervorrufen, sind am besten daraus zu sehen, wenn man die Parameter, Ätztemperatur, Partialdruck des Ätzmittels und lineare Gasstromgeschwindigkeit verändert.

Gibt man ein Ätzmittel, wie Jodwasserstoff von

einer bestimmten Konzentration, in einen Oasstrom bestimmter Lineargeschwindigkeit, wird im allgemeinen die spezifische Reaktionsgeschwindigkeitskonstante zunehmen bei einer Zunahme der Temperatur im Einklang mit dem bekannten kinetischen Verhalten. Mit dieser Erkenntnis sind zwei Verfahren zu betrachten. Das erste bezieht sich auf die Geschwindigkeit, mit welcher neues Ätzmittel in die Nähe der zu ätzenden Platte dringt. Dies kann als die Ätzmittelergänzungsgeschwindigkeit bezeichnet werden. Das zweite bezieht sich auf die Geschwindigkeit, mit welcher das Ätzmittel in der Nähe der zu ätzenden Platte eine Reaktion mit der Oberfläche der Platte eingeht. Das letztere wird mit Oberflächenreaktionsgeschwindigkeit bezeichnet. Wenn die zu polierende Oberfläche Erhebungen und Vertiefungen aufweist, ist es klar, daß bei einem idealisierten Polierverfahren das Ätzmittel bei völligem Ausschluß irgendeiner Reaktion in den Vertiefungen nur mit den Erhebungen eine Reaktion eingeht. Deshalb muß in der Praxis versucht werden. Zustände zu schaffen, die weitmöglichst dieser idealisierten Situation entsprechen. Diese Situation ist erreichbar, wenn die Regionen rund um die Erhebungen aktive Ätzregionen bilden, während die Regionen in der Nähe der Vertiefungen inaktive oder tote Zwischenflächen bilden. Da die Erhebungen einer zu polierenden, in einem fließenden Gasstrom befindlichen Platte häufiger einem Zusammentreffen mit dem Ätzmittel als die Vertiefungen ausgesetzt sind, wird, wenn die Reaktionsgeschwindigkeit mit den Erhebungen hoch genug ist. bei einem Zusammentreffen des Ätzmittels mit einer Erhebung, die Diffusion des Ätzmittels in die Vertiefungen nach vorhergehenden Zusammentreffen mit den Erhöhungen verringert. Da der diese Reaktionsgeschwindigkeit am meisten beeinflussende Faktor die Temperatur ist. ist es klar, daß für ein als Polieragens verwendbares Ätzmittel ein Temperaturbereich zu wählen ist. in welchem die Wahrscheinlichkeit einer Reaktion, die einem Zusammentreffen folgt, die Geschwindigkeit der Ätzmitteldiffusion in die Vertiefungen überschreitet. Wenn ein solch praktischer Temperaturbereich bei einem besonderen Ätzmittelhalbleitersystem nicht auffindbar ist. ist ein glattes Polieren nicht möglich.

Wird angenommen, daß ein Temperaturbereich besteht, in welchem die Oberflächenreaktionsgeschwindigkeit groß genug ist. beginnen die Effekte der Ätzmittelkonzentration eine Rolle zu spielen. Somit ist bei einer niedrigen Ätzmittelkonzentration die Anzahl der auf Erhebungen auftreffenden Ätzmittelpartikelchen nicht so groß, daß diese Stellen augenblicklich von zuviel Ätzmittelpartikelchen überschwemmt werden, die auf aktive Stellen in der Zeiteinheit relativ zur spezifischen Reaktionsgeschwindigkeitkonstanten auftreffen und das Polieren fließend vonstatten geht. Wenn jedoch die Ätzmittelkonzentration so groß wird, daß die Anzahl der Zusammenstöße pro Zeiteinheit die Anzahl der Partikeln erreicht bzw. überschreitet, kann dies zu einer Reaktion in einer gegebenen Fläche pro Zeiteinheit führen, wodurch einige dieser Partikelchen von den Erhöhungen abspringen und in die Vertiefungen diffundieren. Wenn derartiges geschieht, werden die Vertiefungen geätzt, und ge\\ i^e Lagen innerhalb der Vertiefungen werden schneller geätzt und ergeben ein Ansteigen von Feinstrukturätzvertiefungen in der fertig polierten Platte. Der Bereich der Ätzmittelkonzentrationen, der die höchste Polierqualität ergibt, ist der Bereich innerhalb des üblichen Temperaturbereichs, in dem die Ätzgeschwindigkeit bei einer besonderen Konzentration nur geringfügig mit der Temperatur sich verändert. Wenn dieser Status erfüllt ist, können zwei nützliche Ergebnisse beobachtet werden:

Die Ätzgeschwindigkeit ist im wesentlichen temperaturunabhängig, und eine genaue Ätztemperatursteuerung ist nicht wichtig; die maximale Geschwindigkeit für die Erzielung einer guten Polierqualität ist

ίο erreicht. Auswirkungen der Oasstromlincargeschwindigkeit: Wenn in einem vorgegebenen Ätzapparat die Ätzgeschwindigkeit als eine Funktion der Gaslineargeschwindigkeit bei konstanter Ätztemperatur und Ätzkonzentration gemessen wird, wurde hcrausgefunden, daß bei niedrigen Gasgeschwindigkeilcn die Ätzgeschwindigkeit merklich variiert mit der Geschwindigkeit und daß bei einer Zunahme der Gasgeschwindigkeit die Ätzgeschwindigkeit nur geringfügig mit der Geschwindigkeitszunahme sich verändert. In dem letztgenannten Bereich wirkt sich ein Fehler in der Festsetzung der Geschwindigkeit nicht übermäßig auf die Ätzgeschwindigkeit aus. Folglich ist es nützlich, um vorhersagbare Ätzgeschwindigkeiten zu erhalten, bei Gasstromlineargeschwindigkeiten zu arbeiten, die nur einen geringen Einfluß auf die Ätzgeschwindigkeit ausüben. Die Qualität der polierten Fläche wird nicht beeinflußt durch die Ätzgeschwindigkeit, die sich mit einem Variieren der Lineargeschwindigkei! verändert, aber die Vorhersage der pro Zeiteinheit entfernten Mengen bei höheren Geschwindigkeiten ist praktisch leichter durchführbar.

In der Zeichnung ist ein Schema eines Apparates für die Ausführung des erfindungsgemäßen Polierverfahrens schematisch dargestellt. Alle Teile außer den Heizdrähten sind aus geschmolzenem Quarz hergestellt, obwohl Hartglas verwendbar ist. bis auf die Teile, die höheren Temperaturen ausgesetzt sind. Die Mischkammer passiert Helium aus einer Quelle 1 und Wasserstoff aus einer Quelle 2. Dieses Gas wird dual· eine erhitzte Jodkristallschicht 4 mit einer Geschwindigkeit, die sicherstellt, daß die Gasmischung mit Joddampf gesättigt wird, geleitet, wenn die Magnetventile 5 und 6 geöffnet und das Ventil 7 geschlossen sind. Wenn die Ventile 5 und 6 geschlossen und das Ventil geöffnet ist. umgeht das Gas die Jodschtcht 4. Die erwähnten Ventile und die Jodschicht 4 sind angeordnet in einem thermostatisch gesteuerten flbad. Die Temperatur dieses Bades ist bestimmt durch den gewünschten Dampfdruck des Jods und kann beispielsweise von der Raumtemperatur bis 180" C betragen. Das in dem Bad verwendete öl ist ein temperaturbeständiges öl. wie Silikonöl oder Transformatoröl. Für eine Jodschicht mit 254 mm Länge und 51 mm Innendurchmesser sind Durchflußmengen bis

zu 2 1 Min. möglich. Es ist wichtig, zu bemerken, daß das Minimum des Partialdruckes des zu verwendenden Wasserstoffes größer sein muß als der Gleichgewichtsdampfdruck der Jodschicht. Dies ist notwendig, um eine komplette Umwandlung der Jodausströmung aus der Jodschicht 4 in Jodwasserstoff sicherzustellen, wenn die Gasmischung die Platinwolle-Katalysatorkammer 8 passiert hat. die auf einer Temperatur zwischen 300 und 400" C gehalten wird. Diese Kammer ist 304 mm lang und besitzt einen Innendurchmesser von 25 bis 58 mm und ist gefüllt mit einem Thermoelement aus einem verknüllten Platindraht von 0.025 mm Durchmesser. Der Ausfluß aus dieser Kammer, bestehend neben Jodwasserstoff aus Wasserstoff

und/oder Helium, wird zunächst indie Polierkammer 9 geführt, welche die Einkristallplatte 10 aus Germanium oder Silizium enthält. Diese Kammer wird auf einer geeigneten Poliertemperatur gehalten. Die Abdämpfe i-iinnen das System bei 11 verlassen.

Beispiel I

Eine chemisch polierte kreisförmige Einkristall-Germaniumplatte von 0,5 mm Dicke und 1.39 cm² Fläche wird in der Polierkanimer in reinem H₂ während 20 Minuten bei 890" C erhitzt. Die Platte wird dann mit einer Gasmischung aus H₂ und HJ behandelt, deren Gesamtdruck 760 mm beträgt, wobei der Partialdruck des HJ 70 mm und die lineare Gasstromgcschwindigkeit 700 cm/Min, bei 890 C für 5 Minuten beträgt. Die fertige Platte hat 0.1 mm in der Dicke verloren, ist spiegelglatt, rein, fehlerfrei und zeigt eine mikroskopische Glätte, die besser ist als 200 Λ, bestimmbar durch einen Interferometer-Test.

Beispiel II

Das Verfahren von Beispiel I wird wiederholt mit der Ausnahmt, daß die Ätztemperatur 920 C, der Partialdruck des HJ 16,4 mm Hg ist und der Gasträger aus einer Mischung von H₂ und He besteht (0,2 Mol H₂: 1 Mol He) und die Ätzzeit 1,15 Minuten beträgt bei einer Gasstromlineargeschwindigkeit von 250 cm/ Min. Als Ergebnis erhält man eine Platte, die 0,08 mm

ίο dünner als die Ausgangsplatte ist und deren Oberfläche spiegelglatt, rein und fehlerfrei ist und eine mikroskopische Glätte aufweist, die besser als 200 Ä ist. was bestimmbar ist durch einen Interferometer-Test.

Beispiele III bis VII >5

Das Verfahren von Beispiel I wird wiederholt mit der Ausnahme, daß die Operationszustände und die Vorbehandlung der Plattenoberfläche, wie in Tabelle I gezeigt, verwendet werden.

Tabelle I

Vorbehandlung der Plattcnohcrfläche

Temperatur I Cl

910 910 920 890 890

HJ	Gesamt	Gas
Partialdruek	druck
Imm Hg)	(mm HgI	_...
16.4	760	H₂
45	760	H₂
16.4	760	He
70	760	H₂
70	760	H₂

Gaslineargeschwindig-

keit
(cm Minute)

700
1000

250
700
700

Zeit	Dickcn-
	verlust
(Min.)	(mm)
5	0.05
5	0,06
15	0,1
10	0.25
10	0.22

Interfere· meierte»!

200 200 200 200 200

Chemisch poliert

Geläppt

Mechanisch poliert

Beispiele VIII bis XII

r> v„rf.,hrnn vnn Reisniel I wird wiederholt mit der Ausnahme, daß eine Siliziumplatte verwendet wird anSSt Ime?SrnTniumpSie und daß die Operationszustände und die Vorbehandlung der Platlenoberflächc. wie in Tabelle II gezeigt, verwendet werden.

Tabelle II

Vorbehandlung der
Plattenoberfläche

Geläppt

Mechanisch poliert.
Chemisch poliert. ..
Geläppt.

Temperatur ( C)

1220 1220 1220 1220

HJ

Partialdruck

Gesamtdruck

(mm HgI ' imm Hg)

Geläppt ! 1220

70 70 70 70 70

Gas

H₂
H,

H₂
He

HeH,

(1 Mol

He: 0.2 MoI H₁)

Gaslinear-	Zeit	Dicken verlust
eeschwindig- keit	(Min.)	(mm)
(cm Minute)	30	0.1
1000	30	0.08
1000	30	0.07
1000	30	0.2
1000	30	0.16
1000 i I

Interferomclcrt'-'Nt

4(X) 400 400 400 400

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

109 585/3

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Polieren von Einkristallhalbleiterplatten mit Halogenwasserstoff enthaltendem Gas, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten einem mit vorherbestimmter Lineargeschwindigkeit fließenden Jodwasserstoffstrom und in an sich bekannter Weise einem Gasträger bei erhöhten Temperaturen ausgesetzt werden,

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Germaniumplatte mit einem Gas einer Temperatur von 890 bis 920^aC poliert wird, das mit einer Lineargeschwindigkeit von 1 bis 10000 cm/Min, an der Platte vorbeiströmt und dessen Jodwasserstoffpartialdruck 1 bis 150 Torr beträgt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Siliziumplatte mit einem Gas einer Temperatur von 1200 bis 1300⁰C, insbesondere 1220 bis 1250 C. poliert wird, das mit einer Lineargeschwindigkeit von 1 bis 10000 cm/Min., insbesondere 1000 cm/Min., an der Platte vorbeiströmt und dessen Jodwasserstoffpartialdruck 1 bis 150 Torr, insbesondere 16 bis 70 Torr, beträgt.