DE2163075C2 - Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE2163075C2
DE2163075C2 DE2163075A DE2163075A DE2163075C2 DE 2163075 C2 DE2163075 C2 DE 2163075C2 DE 2163075 A DE2163075 A DE 2163075A DE 2163075 A DE2163075 A DE 2163075A DE 2163075 C2 DE2163075 C2 DE 2163075C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
layer
disc
gallium
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2163075A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2163075A1 (de
Inventor
Elie Herouville St.-Clair Andre
Marc Caen Mahieu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR7046400A external-priority patent/FR2119176A5/fr
Priority claimed from FR7046399A external-priority patent/FR2119175A5/fr
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2163075A1 publication Critical patent/DE2163075A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2163075C2 publication Critical patent/DE2163075C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/915—Separating from substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Es ist bekannt, daß die ternären Kristalle bestimmte physikalische Eigenschaften aufweisen, durch die sie für industrielle Anwendungen und namentlich für die Halbleiterindustrie, ζ. B. auf dem Gebiet der optischen Elektronik, besonders geeignet sind. Was wenigstens die optische Elektronik anbelangt, sind diese Eigenschaften stark von Änderungen in den Konzentrationen der Bestandteile der Kristalle an verschiedenen Punkten ihres Volumens abhängig. Es ist bekannt, daß derartige Änderungen häufig sehr gleichmäßig verlaufen, was sich in einer kontinuierlichen Änderung des Verhältnisses !wischen den Konzentrationen der vorhandenen Bestandteile längs der Wachstumsachsen der Kristalle lußert. Dies ist der Tatsache zuzuschreiben, daß von ewei Elementen derselben chemischen Klasse - z. B. zwei Elementen mit amphöterem Charakter = das Element, dessen Atom den kleinsten Radius aufweist, zuerst während der Herstellung eines Kristalls ablagert und daß die Konzentration dieses Elements bei zunehmender Dicke der Ablagerung gleichmäßig abnimmt.
Insbesondere wurde gefunden, daß bei Anwachsen
ίο
durch Epitaxie in der Flüssigphase eines ternären Kristalls aus Gallium- und Aluminiumarsenid (Ga-Al-As), das zwei amphotere Elemente, und zwar Gallium und Aluminium, enthält, das Aluminium, dessen Atom einen kleineren Radius als den des Galliumatoms aufweist, verhältnismäßig schneller als das erwähnte Gallium niederschlägt, während die Konzentration an Arsen konstant bleibt
Aus dieser ungleichmäßigen, aber kontinui?rlichen Verteilung der Konzentrationen längs der Wachstumsachse eines ternären Kristalls folgt, daß längs einer gewählten Bezugsfläche dieses Kristalls bestimmte physikalische Eigenschaften des erwähnten Kristalls nicht gleich sind Die optische Durchlässigkeit in der Richtung der Wachstumsachse kann z.B. nicht gleich der in der entgegengesetzten Richtung sein.
Es kann also für verschiedene Anwendungen und insbesondere für die optische Elektronik wichtig sein, daß man über ternäre Kristalle verfügt, in denen die Konzentrationsprofile der Bestandteile, von den Substraten her gesehen, im Vergleich zu denen, die bei Anwachsen der erwähnten Kristalle durch Epitaxie in der Flüssigphase erhallen werden, umgekehrt sind.
Ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches ist aus »Journal of Applied Physics« 37 (1965) 10, 3733-40 bekannt.
Nach diesem Verfahren gewährleistet Jod, das mit Sauerstoff in einer zugeschmolzenen Flasche gemischt wird, die einerseits eine Quelle von Aluminiumarsenid- oder Galliumarsenidpulver oder ein Gemisch des GalliumarsenidpuWers mit Aluminiumkörnern und andererseits die Substrate aus Galliumarsenid enthält, den Transport von der Quelle zu den Substraten und das epitaktische Anwachsen der Ga-Al-As-Schicht.
Dieser Wachsvorgang in der Dampfphase weist zwei wesentliche Nachteile auf.
An erster Stelle wird der Niederschlagvorgang mit sehr niedriger Geschwindigkeit durchgeführt: es wird z. B. eine Anwachszeit von 64 Stunden für die Bildung einer Kristallschicht mit einer Dicke wn nahezu 260 μπι erwähnt.
Andererseits hat die Erfahrung gezeigt, daß die Ergebnisse schwer reproduzierbar sind und daß die erhaltenen Schichten inhomogen sind.
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß es aus der US-PS 33 70 980 bekannt ist. Einkristallfilme auf polykristallinen Substraten dadurch herzustellen, daß der Einknstaüfilm zunächst epitaktisch auf einen Einknstallkörper ar/gewachsen. dann der Einkristallfilm mit einem polykristallinen Film bedeckt und schließlich der Finkristallkörper von dem Einkristallfilm entfernt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß ein elektrolumineszierendes Halbleiterbauelement mit einem monolithischen, stabilen Halbleiterkörper, hei dem die Fläche, an der das atomare Verhältnis von Aluminium zu Gallium seinen Höchstwert hat. zumindest teilweise frei zugänglich ist. schnell und gut reprodnerbar hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkfriale gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unterarisprüchen,
Ein so hergestellter Halbleiterkörper weist insbesondere zwei Vorteile auf.
Einerseits wird die Schicht aus der ternären
Verbindung unmittelbar längs ihrer Flüche, die den ersten während der Epitaxie durchgeführten Kristallablagerungen entspricht, physikalisch zugänglich, was der Hauptzweck der Erfindung ist, während die Struktur andererseits eine große mechanische Festigkeit aufweist.
Die mechanische Festigkeit der Struktur ist auf das Vorhandensein des auf der aus der ternären Verbindung bestehenden Schicht niedergeschlagenen Substrats zurückzuführen. Wenn die Scheibe, von der ausgegan- iu gen wird, völlig entfernt werden würde, ohne daß zuvor die ternäre Schicht abgedeckt werden würde, würde man selbstverständlich und wunschgemäß die ersten niedergeschlagenen Schichtteile erreichen; die erhaltene Anordnung wäre dann aber infolge ihres ungenügen- ι > den mechanischen Zusammenhangs praktisch völlig unbrauchbar.
Der erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterkörper für ein elektrolumineszierendes Halbleiterbauelement kann als aus verschiedenen Halbleitermaterialien zusammengesetzt betrachtet werden, wobei sich nur die Probleme des Zusammenhangs zwischen den angrenzenden Materialien und den etwaigen Kontaktanschlüssen auf diesen Materialien ergeben. Die erwähnten Materialien können derart dotiert werden, daß in zwischen den Flächen liegenden Ebenen Obergänge gebildet werden.
Die Ausgangshalbleiterscheibe kann derart selektiv entfernt werden, daß verschiedene Zugangsflächen auf der ternären Schicht gebildet werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 bis 3 schematisch und im Schnitt einen erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterkörper in drei verschiedenen Herstellungsstufen, und
F i g. 4 auf gleiche Weise einen erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterkörper in einer anderen möglichen Ausführungsform.
Es sei bemerkt, daß die Abmessungen auf den Zeichnungen und die gegenseitigen Verhältnisse der Bestandteile der Wirklichkeit nicht entsprechen, sondern derart gewählt sind, daß die Zeichnungen deutlich sind.
In Fig. 1 wird auf einem Substrat 10 aus Halbleitermaterial eine einkristalline Schicht 11 eines ternären Stoffes niedergeschlagen, der Aluminium, Gallium und Arsen enthält.
Die Scheibe 10 besteht z. B. aus einer binären Ill-V-Verbindung, wie Galliumarsenid, während die Schicht 11 aus Gallium- und Aluminiumarsenid besteht. Die Ablagerung dieser letzteren Schicht auf Galliumarsenid erfolgt durch die Technik der Epitaxie in der Flüssigkeitsphase.
Obgleich der angenommene Ablagerungsvorgang für die Erfindung nicht wesentlich ist. wird dennoch kurz der Vorgang beschrieben, der normalerweise bei der Ablagerung von Galliumarsenid und Aluminiumarsenid durch Epitaxie in der Flüssigkeitsphase durchgeführt wird.
In einem Tiege1 werden z. B. einerseits die zu überziehende Scheibe und andererseits Aluminium= und Galliumarsenidkristalle mit einem bestimmten Aluminiümanteil (Im allgemeinen 03 bis 0,8 GeWr0A) angebracht.
Der Tiegel wird in einen Ofen gesetzt, in dem eine Temperatur in der Größenordnung von 8000C bis 90O0C vorherrscht. Wenn die gewählte Temperatur im Tiegel erreicht ist, und die Gallium- und Aluminiumarsenidkristalle flüssig geworden sind, werden die Flüssigkeit und das Substrat miteinander in Berührung gebracht. Die Tiegeltemperatur wird dann sehr gleichmäßig (in der Größenordnung von 0,5 bis l°C/min) herabgesetzt und während dieser Abkühlungsphase wächst auf der Scheibe eine einkristalline feste epitaktische Schicht aus Gallium- und Aluminiumarsenid an.
Es ist günstig, wenn ein Tiegel verwendet wird, der eine Form aufweist, wie sie in der französischen Patentschrift 16 00 341 beschrieben ist; dieser Tiegel enthält zwei Abteile, die durch eine bewegbare, einen Teil eines außerhalb des Tiegels liegenden Steuerungsmittels bildende Querwand voneinander getrennt sind, mit deren Hilfe die Scheibe und das flüssige Aluminium- und Galliumarsenid miteinander in Berührung gebracht werden können, indem einfach die erwähnte Querwand verschoben wird, ohne daß die Lage ces Tiegels im Ofen geändert wird.
Die physikalischen Bedingungen, unter denen die Bearbeitung durchgeführt wird (> nzenti ation von Aluminium, Temperatur, bei der das Srbstrai und die Flüssigkeit miteinander in Berührung gebracht werden, Abkühlungsgeschwindigkeit, usw.), können je nach den für die epitaktische Ablagerung verlangten Eigenschaften sehr verschieden sein.
Auf vielerlei Weise beeinflußbar und entsprechend der Abscheidungsgeschwindigkeit von Gallium und Aluminium, von denen die erste niedriger als die zweite ist, nimmt die Alurniniumkonzentratiow in der Dickenrichtung der Schicht 11 von der Grenzfläche 10a zwischen der Scheibe 10 und der erwähnten Schicht 11 an gleichmäßig ab.
Anschließend wird auf der Schicht 11 ein Substrat 12 niedergeschlagen, das aus dem gleichen Material wie die Scheibe 10 oder aus einem von diesem Material verschiedenen Material besteht, wobei die Wahl von der Art der Schicht 11 und von den Haftungsmöglichkeiten an dieser Schicht, sowie von dem beabsichtigten physikalischen Zweck abhängig ist (siehe F i g. 2).
In dem beschriebenen Beispiel einer Schicht 11 aus Gaiiium- und Aluminiumarsenid kann das Substrat 12 aus einer binären HIV-Verbindung, z. B. Galliumarsenid, hergestellt werden, welches Material auch für die Scheibe 10 verwendet wird, während d>e Ablagerung epitaktisch erfolgen kann.
Da das Substrat 12 nachher als mechanische Abstützung für das Gebilde dienen muß. soll es eine Dicke von vorzugsweise mindestens 100 μΓη aufweisen. Da hingegen die Schicht 11 mechanisch nicht von Bedeutung ist. kann deren Dicke beliebig gewählt werden und einige μπι bis zu einigen zehn μπι betragen, je nach den Anforderungen, die die auf diese Weise h^rgc >trllte Anordnung erfüllen muß.
Dann wird die Scheibe 10 durch mechanisches Schleifen und/odei chemisches Ätzen teilv. eise oder vollständig entfernt, damit schließlich Strukturen der in Fig. 5 dargestellten Art (in der die Scheibe 10 vollständig entfe; nt ist) oder der in F i g. 4 dargestellten Art (in der die Scheibe an einigen Stellen mit einer bestimmten Dicke zurückgeblieben ist und eine Oberflächenschicht bildet) erhalten werden. Uitabhängig von dem Ausmaß der Entfernung der Scheibe ist nun die endgültige Struktur derartig, daß die Schicht 11 Unmittelbar über d'e Fläche zugänglich ist, die den ersten während der Epitaxie erhaltenen Kristallniederschlägen entspricht. Beim Entfernen der Scheibe kann auch ein Teil der wirksamen Schicht entfernt werden.
Durch geeignete Dotierung der nacheinander niedergeschlagenen Materialien lassen sich auf bekannte Weise elektrolumineszierende Anordnungen erhalten. Ein Übergang kann z. B. auf der Ebene der Grenzfläche zwischen der Schicht 11 und dem Substrat 12 dadurch erhalten werden, daß für die Schicht 11 der N-Leitungstyp und für die Schicht 12 der P-Leitungstyp gewählt wird, oder umgekehrt. Dieser Übergang kann auch dadurch erhalten werden, daß eine geeignete Verunreinigung in die Schicht 11 eindiffundiert wird, nachdem diese Schicht niedergeschlagen und bevor sie mit dem Substrat 12 überzogen worden ist. Auch kann ein PN-Übergang nach Entfernung der Seheibe dadurch gebildet werden, daß eine Verunreinigung über die dem Substrat gegenüber liegende Fläche der wirksamen Schicht eindiffundiert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen mit einem monolithischen Halbleiterkörper, der mindestens ein Substrat aus einem einkristallinen Halbleitermaterial und eine elektro-optisch wirksame Schicht aus einem einkristallinen Mischkristall aus ternären Verbindungen wechselnder Zusammensetzung aus Aluminium, Gallium und Arsen enthält, derart, daß in der Schicht das atomare Verhältnis von Aluminium zu Gallium in der Nähe des Substrats minimal ist, in der Dickenrichtung der wirksamen Schicht zunimmt und seinen Höchstwert an der dem Substrat gegenüberliegenden Fläche der wirksamen Schicht erreicht, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer ersten Fläche einer Scheibe (10) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial zunächst die wirksame Schicht (11) durch Flüssigphasenepitaxie niedergeschlagen wird, wonach auf dieser wirksamen Schicht das Substrat (12) angebracht und dann von der zweiten, freigelassenen Fläche der Scheibe (10) her diese Scheibe zumindest teilweise entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) aus einer binären Verbindung eines Elementes a^s der fünften Spalte des periodischen Systems und eines Elementes aus der dritten Spalte des periodischen Systems gebildet wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch geke inzeichnet, daß die Scheibe (10) aus einer binären Verbindung ein·"', Elementes aus der fünften Spalte des periodischen Systems und eines Elementes aus der dritten Späh- des periodischen Systems verwendet wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3. dadurch gekennzeichnet, daß eine Scheibe (10) und ein Substrat (12) aus Galliumarsenid verwendet werden.
DE2163075A 1970-12-23 1971-12-18 Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen Expired DE2163075C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7046400A FR2119176A5 (en) 1970-12-23 1970-12-23 Monolithic semiconductor body - comprising binary cpd substrate and active layer of a ternary cpd
FR7046399A FR2119175A5 (en) 1970-12-23 1970-12-23 Monolithic semiconductor body - comprising binary cpd substrate and active layer of a ternary cpd

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2163075A1 DE2163075A1 (de) 1972-07-13
DE2163075C2 true DE2163075C2 (de) 1982-03-04

Family

ID=26216125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2163075A Expired DE2163075C2 (de) 1970-12-23 1971-12-18 Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3823043A (de)
JP (1) JPS5029787B1 (de)
CA (1) CA930075A (de)
DE (1) DE2163075C2 (de)
GB (1) GB1370430A (de)
NL (1) NL7117428A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1365465A (en) * 1973-02-06 1974-09-04 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device manufacture
GB1439822A (en) * 1973-02-06 1976-06-16 Standard Telephones Cables Ltd Gallium arsenide photocathodes
DE3345214A1 (de) * 1983-12-14 1985-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diode
JPS6415913A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Mitsubishi Monsanto Chem Epitaxial growth method of substrate for high-brightness led
JPH0770755B2 (ja) * 1988-01-21 1995-07-31 三菱化学株式会社 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法
DE112012006998B4 (de) * 2012-10-10 2019-05-16 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Luftreifen

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3370980A (en) * 1963-08-19 1968-02-27 Litton Systems Inc Method for orienting single crystal films on polycrystalline substrates
FR1600341A (de) * 1968-12-31 1970-07-20

Also Published As

Publication number Publication date
DE2163075A1 (de) 1972-07-13
NL7117428A (de) 1972-06-27
US3823043A (en) 1974-07-09
CA930075A (en) 1973-07-10
GB1370430A (en) 1974-10-16
JPS5029787B1 (de) 1975-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10247017A1 (de) SiC-Einkristall, Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristalls, SiC-Wafer mit einem Epitaxiefilm, Verfahren zur Herstellung eines SiC-Wafers, der einen Epitaxiefilm aufweist und eine elektronische Vorrichtung aus SiC
DE1178827B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente durch pyrolytische Zersetzung einer Halbleiterverbindung
DE2257834A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes
DE2030805A1 (de) Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten
DE1965258B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer epitaktischen Schicht
DE69005711T2 (de) Verfahren zur Herstellung von P-Typ-II-VI-Halbleitern.
DE4415601C2 (de) Komposit-Struktur für elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung
DE2005271C3 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE1285465B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Schichten aus Silicium oder Germanium
DE2163075C2 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen
EP0005744B1 (de) Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten
DE2310117A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von versetzungsfreien einkristallinen schichten auf keimkristallen
DE2154386C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch
DE2703518B2 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von einkristallinem Galliumarsenid auf einem Substrat
DE2110961C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären III-V-Mischkristalls
DE2404276A1 (de) Verfahren zum anwachsen eines werkstoffes auf einem substrat aus einem in der luft nichtstabilen material durch epitaxie aus der dampfphase und durch dieses verfahren hergestellte halbleiterscheiben
DE1521804A1 (de) Verfahren zum chemischen Polieren von Substraten der III-V Verbindungshalbleiter
DE3604260A1 (de) Fluessigkeitsepitaxieverfahren
DE69623854T2 (de) Trockenätzverfahren
DE2014509C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines epitaktisch gewachsenen Films aus einer halbleitenden A tief III B tief V -Verbindung
DE10117306B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Dünnschicht-Anordnung
DE69409387T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Einzelsubstraten aus einem Silizium-Halbleiterwafer
DE3530999C2 (de)
DE1544236C3 (de) Zweischichtkorper aus einer einkri stalhnen Unterlage und einer darauf epitaktisch aufgewachsenen Selenschicht und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1414921C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer einkristallinen hochohmigen Schicht aus Silicium

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee