DE1178827B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente durch pyrolytische Zersetzung einer Halbleiterverbindung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente durch pyrolytische Zersetzung einer Halbleiterverbindung

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DE1178827B
DE1178827B DEJ18778A DEJ0018778A DE1178827B DE 1178827 B DE1178827 B DE 1178827B DE J18778 A DEJ18778 A DE J18778A DE J0018778 A DEJ0018778 A DE J0018778A DE 1178827 B DE1178827 B DE 1178827B
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John C Marinace
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES WtWWt PATENTAMT Internat. Kl.: B Ol d
AUSLEGESCHRIFT
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Deutsche Kl.: 12 c-2
J 18778 IV c/12 c
28. September 1960
1. Oktober 1964
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente in einem allseitig geschlossenen, insbesondere aus Quarz bestehenden Reaktionsgefäß durch pyrolytische Zersetzung der Verbindung eines Halbleiters mit dem Transportgas und durch epitaktischen Niederschlag des halbleitenden Materials auf einen Halbleiterkörper.
Es ist bereits ein Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkörper be- ίο kanntgeworden, bei dem über den im waagerecht geführten Teil eines aus Quarz hergestellten L-förmigen Reaktionsgefäßes angebrachten Einkristallkörper ein Germaniumhalogenid, z. B. Germaniumjodid, in Gasform geleitet wird, wobei das zylindrische Reaktionsgefäß nebst Inhalt derart in mehreren örtlich verteilten Temperaturzonen erhitzt wird, daß eine thermische Zersetzung des Halogenids stattfindet, wobei Germanium auf dem genannten Einkristallkörper abgeschieden wird. Das bekannte Verfahren dient auch dazu, um aufeinanderfolgende Schichten verschiedener Leitfähigkeit oder von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp durch epitaktischen Niederschlag zu erzeugen.
Bei dem genannten bekannten Verfahren wird ein ständiger Strom eines Gases, beispielsweise Wasserstoff, vermittels besonderer Einlasse durch das L-förmige Reaktionsgefäß geleitet. Der vom Wasserstoffstrom mitgeführte Joddampf reagiert dabei mit einer im waagerechten Teil des Gefäßes untergebrachten Menge Germaniums zu Germaniumjodid, und dieser Dampf wird dann pyrolytisch zersetzt, wobei Germanium auf an anderen Stellen des Reaktionsgefäßes untergebrachten, als Substrat benutzten Scheiben abgeschieden wird.
Mit der Weiterentwicklung und Verbesserung des bekannten Verfahrens befaßt sich die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.
Bei einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente in einem allseitig geschlossenen, insbesondere aus Quarz bestehenden Reaktionsgefäß mit mehreren örtlich verteilten und unabhängig voneinander einstellbaren Temperaturzonen, in welchem dotiertes Halbleitermaterial oder Halbleitermaterial und Dotierungsmaterial in einer seiner Temperaturzonen verdampft wird, dieser Dampf dann mit einem Transportgas, vorzugsweise Halogen, eine chemische Verbindung eingeht, die in einer anderen Temperaturzone pyrolytisch zersetzt wird und beim Zersetzen einen epitaktischen Niederschlag des dotierten, halbleitenden Materials auf einem in dieser anderen Temperatur-Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für Halbleiterbauelemente durch pyrolytische
Zersetzung einer Halbleiterverbindung
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
New York, N.Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. R. Schiering, Patentanwalt,
Böblingen (Württ.), Bahnhofstr. 14
Als Erfinder benannt:
John C. Marinace, Yorktown Heights, N.Y.,
Richard F. Rutz, Cold Springs, N.Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 31. Dezember 1959
(863 318)
zone angeordneten Halbleiterkörper erzeugt, besteht danach die Erfindung darin, daß das Kristallwachstum am Halbleiterkörper beim ersten Ansetzen des Niederschlags und bei einer Änderung der Dotierung bis zum Erreichen der verlangten Störstoffkonzentration verzögert wird, indem die Temperatur einer der Niederschlagszone benachbarten Zone auf einen Wert eingestellt wird, welcher kleiner als die Temperatur der Verdampfungszone und kleiner oder gleich der Temperatur der Niederschlagszone ist.
Damit lassen sich die durch den zeitlich unterschiedlichen Verfahrensablauf zwischen Störstoffansammlung und Kristallwachstum bedingten bisher vorhandenen Schwierigkeiten überwinden. Da der Niederschlag mit einer sehr langsamen Geschwindigkeit erfolgt, läßt sich bei der Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung die Konzentration der Verunreinigungen, welche den Leitfähigkeitstyp bestimmen, in Verbindung mit den verlangten Abmessungen zwischen den pn-Übergängen in dem durch epitaktischen Niederschlag herzustellenden Halbleiterkristall besonders gut und genau steuern. Derartige Verhältnisse liegen z. B. beim Drifttransistor vor, wo eine enge Wechselbeziehung zwischen dem Gradienten der Konzentration der den Leitfähigkeitstyp bestimmenden Verunreinigungen und
«9 689/207
den physikalischen Abmessungen zwischen benachbarten pn-Übergängen besteht. Derartige Drifttransistoren erforderten bisher zu ihrer Herstellung sehr komplizierte Verfahrensstufen.
Das durch die Erfindung gelöste Problem sei nachstehend noch näher erläutert.
Bei der Anwendung der Technik des epitaktischen Dampfniederschlages zur Herstellung eines gewünschten Halbleitertyps entsteht eine gewisse Ver-
zwar innerhalb einer Zeit, in der das kristalline Niederschlagen oder das Kristallwachstum ein Minimum haben.
In F i g. 1 ist der Reaktionsbehälter mit 1 bezeichnet. Er besteht aus Quarz oder einem ähnlichen hitzebeständigen Material und enthält eine Reihe von steuerbaren Heizzonen. Die Temperatur in diesen Zonen läßt sich mit Hilfe der Heizwicklungen 2 a,
Diagramm für den spezifischen Widerstand « längs des Halbleiterkörpers!
Das Niederschlagen der epitaktischen Schicht erfolgt bei dem Verfahren nach der Erfindung in einer 5 abgeschlossenen Röhre, in der sich eine Zone befindet, aus der die Bestandteile aus einem früheren Verfahrenszustand rasch herausgeführt werden, so daß eine gewünschte Konzentration eines anderen, den Leitfähigkeitstyp bestimmenden Störstellenzuzögerung beim Einbringen einer gegebenen Störstoff- io satzes in dem Dampf über der Unterlage für das konzentration in den durch das Niederschlagen fer- Niederschlagen schnell hergestellt werden kann, und tigzustellenden Halbleiterkristall. Diese Verzögerung
entsteht zu dem Zeitpunkt, wo die Verunreinigungen
in den thermisch zu zersetzenden Dampf übergehen.
Die Verzögerungszeit endet, wenn in der Ablage- 15
stelle die gewünschte Störstoffkonzentration in dem
durch Niederschlag herzustellenden Kristall erreicht
ist. Oder mit anderen Worten ausgedrückt:
Wenn man während des Wachsens eines Kristalls
mit gegebenem spezifischem Widerstand die gerade 20 2 b und 2c, die z.B. aus Chromnickeldraht im Dampf vorhandenen Verunreinigungen ändern stehen, regeln und überwachen, will, um einen anderen Leitfähigkeitstyp und einen Innerhalb der durch die Heizwicklung 2a gesteu-
anderen spezifischen Widerstand zu erhalten, dann erten Zone ist eine Menge halbleitenden Materials 3 muß man in Betracht ziehen, daß es eine bestimmte angeordnet, das zu guterletzt niedergeschlagen wer-Zeit dauert, bis die verlangte Störstoffkonzentration 25 den soll. In der Zeichnung ist das Material 3 als ein erreicht ist. Während dieser Zeit wächst aber der Block aus Halbleitermaterial dargestellt. Dieses kann Kristall weiter, so daß in den Ablagerungen am Kri- jedoch auch eine andere Ausbildungsform besitzen, stall ein Abschnitt entsteht, wo die verlangte Verun- In dem Material 3 ist ein Störstellenmaterial ent-
reinigung, welche den Leitfähigkeitstyp bestimmt, halten, welches dem durch einen Niederschlag hernicht in der gewünschten Konzentration vorhan- 30 zustellenden Kristall den gewünschten Leitfähigkeitsden ist. typ geben soll. Es ist natürlich auch möglich, für die-
Das Verfahren des epitaktischen Dampfnieder- ses Störstellenmaterial eine besonders gesteuerte Schlages von Halbleitermaterial nach der Erfindung Heizzone des Reaktionsgefäßes vorzusehen. In dem bringt den Vorteil, daß plötzliche Änderungen von Reaktionsgefäß 1 befindet sich außerdem noch ein Störstoffkonzentrationen des einen Leitfähigkeitstyps 35 nicht besonders bezeichnetes Transportelement, das zu solchen des anderen Leitfähigkeitstyps in einem vorzugsweise ein Halogen ist und aus Jod besteht, durch Niederschlag herzustellenden Kristall erreich- Dieses wird in den Heizzonen der Spulen 2a, 2b bar sind und daß dabei die verlangte Konzentration und 2 c verdampft.
der den Leitfähigkeitstyp bestimmenden Verunreini- Die Unterlage, auf welcher der Niederschlag statt-
gungen an allen Stellen des Kristalls gewährleistet 40 finden soll, ist in einer anderen Temperaturzone 2 b wird. des Behälters 1 angeordnet. Die Unterlage besteht
Mit dem Verfahren des epitaktischen Nieder- aus einem Material, dessen Gitter die Kristallstruktur Schlages mit Hilfe pyrolytischer Zersetzung der der epitaktisch niedergeschlagenen Schichten be-Transportgas-Halbleiterverbindung, z. B. der Halb- stimmt. Die Anordnung nach F i g. 1 sieht die gleichleiterhalogenide, gemäß der Erfindung ist es in ein- 45 zeitige Herstellung von mehreren Elementen vor. fächer Weise möglich, einen Halbleiterkörper mit Der in der F i g. 1 dargestellte Körper der Unterlage einer derart hohen Dotierungskonzentration herzu- besteht daher aus einer Mehrzahl von Plättchen 4 aus stellen, daß die Entartungskonzentration der La- einkristallinem Halbleitermaterial, die in einem HaI-dungsträger erreicht wird. Dabei ist es noch mög- ter5 angeordnet sind. Die gewählte Anordnung erlich, besonders scharfe pn-Übergänge zwischen Be- 50 leichtert die Zirkulation des Dampfes 6 um die reichen entarteten Halbleitermaterials zu schaffen, Oberflächen dieser Plättchen 4. Eine getrennte Zone,
wie man sie bei der bekannten Tunneldiode bzw. bei der bekannten Esakidiode oder sonstigen, den quantenmechanischen Tunneleffekt ausnutzenden Anordnungen braucht.
Die Erfindung sei für beispielsweise Ausführungsformen an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
F i g. 1 stellt schematisch einen Schnitt durch das
in welcher die Temperatur durch die Wicklung 2 c gesteuert ist, ist aus später noch zu erläuternden Gründen nicht belegt.
55 Bei der Niederschlagsreaktion wird die Temperatur unter der Zone 2 a erhöht, so daß das Halbleitermaterial 3 und das Transportelement eine dampfförmige Verbindung 6 bilden. Die Temperatur im Bereich der Plättchen 4 in der Zone 2b wird dann
Reaktionsgefäß dar, in welchem das epitaktische 60 auf einen Wert festgelegt, der sich von dem des Aus-Niederschlagen nach vorheriger pyrolytischer Zer- gangsmaterials 3 unterscheidet, so daß sich der Setzung der aus dem Transportgas und dem Halbleitermaterial gebildeten Verbindung erfolgt;
F i g. 2 zeigt Diagramme für die Temperaturverteilung längs der Vorrichtung nach F i g. 1; 65 F i g. 3 ist eine Skizze eines nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Halbleiterkristalls mit einem pn-übergang mit dazugehörigem
Dampf 6 zersetzt unter Freigabe von Halbleitermaterial, welches epitaktisch an den Plättchen 4 zur Ablage kommt.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird die Temperatur der Zone 2 c in die Nähe der Temperatur von 2b jedesmal abgesenkt, wenn es notwendig wird, denDampf aus der Nachbarschaft der Plättchen4
5 6
herauszufegen. Dies ist z.B. der Fall beim Wechsel Annahme gemacht, daß. die Substratelemente 4 aus des Leitfähigkeitstyps. Diese Maßnahme ist beson- hochdotiertem p-leitendem Material bestehen und ders wirkungsvoll für die Ausbildung eines schma- daß das Halbleitermaterial 3 eine hohe Konzentralen Verlaufes eines Übergangs in einer hochdotierten tion von Störstoffen besitzt, welche n-Leitfähigkeit Halbleiteranordnung, wie er für eine Esakidiode 5 erzeugen. So wird eine η-leitende Zone scharf an oder Tunneldiode verlangt wird. Die Zone 2 c wird jedem der p-leitenden Plättchen 4 gebildet,
abgekühlt, um das Kristallwachstum zu bremsen, bis Das Niederschlagsverfahren gemäß der Erfindung sich die verlangte Störstoffkonzentration im Dampf ermöglicht den Niederschlag von Halbleiterschichüber den Plättchen 4 angesammelt hat. ten mit einem pn-übergang, welcher einen quanten-
Wo die die Leitfähigkeit bestimmenden Störstoffe io mechanischen Tunneleffekt aufweist. Eure solche Andern Dampf 6 durch getrennt geheizte Zonen züge- Ordnung ist unter der Bezeichnung Esakidiode oder führt werden, muß der Bedienende die Dampfdrücke Tunneldiode bekanntgeworden. Sie wird hergestellt und das physikalisch-chemische Verhalten der beson- aus zwei Zonen entgegengesetzten, Leitfähigkeitstyps, deren Verunreinigung im Dampf bei der Herstellung die einen pn-Ubergang in einem einkristallinen genauer Konzentrationen berücksichtigen, damit der 15 Halbleiterkörper bilden. Die p- und η-Zonen des abgelagerte Kristall den verlangten spezifischen Halbleiterkörpers haben eine die Leitfähigkeit beWiderstand erhält. Bei relativ kleiner Größe der stimmende Verunreinigung in einer Konzentration, Röhre 1 wird es schwierig, dicht nebeneinander be- welche ausreichend hoch ist, so daß die Konzentrafindliche gesteuerte Zonen mit großen Unterschieden tion der Ladungsträger im Halbleitermaterial nicht in den Temperaturen herzustellen. Dies braucht man 20 mehr von der Temperatur abhängt. Diese Eigenaber, wenn der die Leitfähigkeit bestimmende Stör- schaft ist als Entartung bekannt. Der pn-übergang stoff aus Arsen besteht. Arsen ist besonders flüchtig. im Halbleiterkörper ist sehr schmal, oder, mit ande-Das gleiche gilt auch bei Verwendung von Bor als ren Worten, der spezifische Widerstand steigt am Störstoff, welches aber nicht als flüchtig angesehen pn-Ubergang steil an. Eine solche Struktur ist außerwird. Um die Gestaltung des Reaktionsgefäßes und 25 ordentlich schwer herzustellen, weil die die Leitseiner Steuerung zu vereinfachen, ist es vorteilhaft, fähigkeit bestimmenden Mengen von Störstoffen dem den die Leitfähigkeit bestimmenden Störstoff in das Maximum nahekommen, was der Kristall an Stör-Halbleitermaterial 3 in einer solchen Konzentration stoffen aufnehmen kann. Außerdem muß der hohe einzubringen, daß die gewünschte Konzentration in Störstoffgehalt schnell hergestellt sein, damit sich ein dem niedergeschlagenen Kristall entsteht. 30 schmaler pn-übergang ausbildet. Um eine Vorstel-
Die Erfindung sei weiterhin auch an Hand des lung der Größenordnungen zu geben, sei an die Tat-Diagramms in F i g. 2 erläutert, welches die Tempe- sache erinnert, daß bei Germanium, welches eines raturverteilung für die pyrolytische Disproportionie- der am meisten erforschten Halbleitermaterialien ist, rungsreaktion für Germanium und Jod darstellt. eine Entartung auftritt, wenn die Dotierungskonzen-Während die spezifische Reaktion nicht endgültig 35 tration in der Größenordnung von IO19 Atomen pro festgesetzt worden ist, gilt die Reaktionsgleichung Kubikzentimeter liegt. Dies gibt ein Störatom auf
1000 Kristallatome, und die Dicke des pn-Ubergangs
2 Gel -». Ge + Gel mu^ m ^er Größenordnung von 150 Angströmein-
4 heiten sein.
Das freie Germanium wird auf der Unterlage nie- 40 Durch die Verwendung der Abführzone bei dem
dergeschlagen, wenn diese die niedrigste Temperatur Verfahren nach der Erfindung findet praktisch kein
in der Röhre hat. Niederschlag statt, während die verlangte Dampfkon-
Beim ersten Ansetzen des Niederschlages wird die zentration sich einstellt, so daß scharfe Übergänge
Temperatur unter dem Halbleitermaterial 3 und im zwischen Zonen von extrem hoher Störstoffkonzen-
Bereich der Plättchen 4 erhöht und die Temperatur 45 tration gebildet werden können,
in der Zone 2c herabgesetzt. Während der Vorberei- In Fig. 3 ist eine Skizze einer Halbleiteranord-
tungszeit wird einiges Halbleitermaterial aus der nung gezeigt, welche gemäß der Erfindung her-
Quelle 3 entfernt, und eine gewisse Ätzung der Platt- gestellt ist. Hierbei ist eine n-Zone 7 an einem pn-
chen4 oder Ausscheidung von Halbleitermaterial aus Übergang 8 mit einer p-Zone 9 verbunden. Längs
den Plättchen 4 findet statt, so daß sich überall sau- 50 der Struktur nach F i g. 3 ist der Verlauf des spezi-
bere Oberflächen für den Niederschlag vorfinden. fischen Widerstandes in einem darunterliegenden
Das Temperaturprofil in der Röhre 1 ist für diese Diagramm wiedergegeben. Dieses Diagramm zeigt
Vorbereitungsarbeit durch die Kurvet in Fig. 2 die Schärfe des Überganges und die hohe Störstoff-
dargestellt. Die Quelle 3 und die Plättchen 4 haben konzentration einer Tunneldiode,
danach eine höhere Temperatur als die Abführungs- 55 Nach den bisher bekanntgewordenen Verfahren
zone 2 c. war es sehr schwierig, eine abrupte Änderung der
Am Ende der Vorbereitungszeit ist die erf order- Störstoffkonzentrationen herbeizuführen, um einen liehe Zusammensetzung des Dampfes 6 erreicht. Die scharfen pn-übergang herzustellen. Durch die VerTemperatur in den Zonen 2 b und 2 c wird auf einem wendung der Abführzone oder Absaugzone 2 c sind Wert gehalten, welcher niedriger ist als die des Halb- 60 solche Übergänge leicht herstellbar. Ein weiterer leitermaterials 3. Diese Temperaturen sind durch die Vorteil wird dadurch erreicht, daß eine niedere Tem-Kurve B in F i g. 2 wiedergegeben. Unter diesen Be- peratur für die Plättchen 4 verwendet werden kann, dingungen geht das Halbleitermaterial 3 in den so daß dort auch die Diffusion sehr gering ist, durch Dampf 6 über, der Dampf 6 zersetzt sich in der die die Breite des Übergangs und die Gestalt der nebenstehenden niederen Temperaturzone über den 65 Widerstandskurve in der Fig. 3 geändert werden Plättchen 4, und es bildet sich ein Niederschlag aus könnte.
Halbleitermaterial auf diesen Plättchen in epitak- Für eine beispielsweise Ausführung des Verfahrens
tischer Form. Aus Gründen der Darstellung ist die nach der Erfindung seien nachstehend einige An-

Claims (2)

  1. gaben für die Bemessung der verschiedenen Teile, die beim Herstellungsverfahren benutzt werden, angegeben. Mit diesen Bemessungsangaben läßt sich
    eine Halbleiteranordnung mit einem pn-übergang in einem entarteten Halbleitermaterial gemäß F i g. 3 leicht herstellen.
    Abmessung der Röhre 1 10 cm Durchmesser, 25 cm Länge.
    Halbleitermaterial 3 20 bis 50 mg Barren Germanium mit Störstoffen aus Phosphor
    oder Antimon in einer Konzentration von etwa 1019 Atome pro Kubikzentimeter.
    Plättchen 4 Germaniumplättchen, geschnitten mit ihren Flächen parallel zur
    kristallographischen Ebene 111, die Konzentration von Gallium beträgt etwa 1019 Atome pro Kubikzentimeter.
    Transportelemente Jod bei einem Druck von 100 mm Hg.
    Kurvet (vgl. Fig. 1 und 2)
    Zone 2a etwa 550° C
    Zone 2 b etwa 550° C
    Zone 2 c etwa 300° C
    Kurve ß (vgl. Fig. 1 und 2)
    Zone la etwa 550° C
    Zone 2 ft etwa 300° C
    Zone 2 c etwa 300° C
    Patentansprüche: gefäßes (1) die Zirkulation des aus der Verbin-1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter- 25 dung des Transportgases mit dem verdampften
    körpern für Halbleiterbauelemente in einem all- Halbleitermaterial bestehenden Dampfes (6) er-
    seitig geschlossenen, insbesondere aus Quarz be- höht wird.
    stehenden Reaktionsgefäß mit mehreren örtlich 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, verteilten und unabhängig voneinander einstell- dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der baren Temperaturzonen, in welchem dotiertes 30 Verdampfungszone (2 a) und der Dampfzerset-Halbleitermaterial oder Halbleitermaterial und zungszone (2 b) etwa 550° C und die der benach-Dotierungsmaterial in einer seiner Temperatur- harten Zone (2 c) etwa 300° C beträgt,
    zonen verdampft wird, dieser Dampf dann mit 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, einem Transportgas, vorzugsweise Halogen, eine dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der chemische Verbindung eingeht, die in einer an- 35 Verdampfungszone (2a) etwa 550° C und die der deren Temperaturzone pyrolytisch zersetzt wird Dampfzersetzungszone (2 b) sowie die der be- und beim Zersetzen einen epitaktischen Nieder- nachbarten Zone (2 c) etwa 300° C beträgt,
    schlag des dotierten, halbleitenden Materials auf 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, einem an dieser anderen Temperaturzone an- dadurch gekennzeichnet, daß in einem Reaktionsgeordneten Halbleiterkörper erzeugt, dadurch 40 gefäß (1) von etwa 10 cm Durchmesser und gekennzeichnet, daß das Kristallwachs- 25 cm Länge ein Barren von 20 bis 50 mg Germatum am Halbleiterkörper (4) beim ersten Anset- nium innerhalb der Verdampfungszone (2 a) und zen des Niederschlags und bei einer Änderung ein aus Jod bestehendes Transportgas von der Dotierung bis zum Erreichen der verlangten 100 mm Hg Druck eingebracht sind.
    Störstoffkonzentration verzögert wird, indem die 45 6. Die Anwendung des Verfahrens nach den Temperatur einer der Niederschlags-Temperatur- Ansprüchen 1 bis 5 auf die Herstellung entartet zone (2 b) benachbarten Zone (2 c) auf einen dotierter Halbleiterzonen für Esakidioden.
    Wert eingestellt wird, welcher kleiner als die 7. Die Anwendung des Verfahrens nach den Temperatur der Verdampfungszone (2 a) und Ansprüchen 1 bis 5 auf die Herstellung von kleiner oder gleich der Temperatur der Nieder- 50 Drifttransistoren.
    schlagszone (2 b) ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- In Betracht gezogene Druckschriften:
    kennzeichnet, daß durch Schrägstellen des in der Deutsche Patentschriften Nr. 865 160, 960 268;
    Niederschlagszone untergebrachten Halbleiter- Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 029 803;
    körpers (4) gegen die Längsachse des Reaktions- 55 »electronics«, Juli 1960, S. 66 und 68.
    Bei der Bekanntmachung der Anmeldung ist ein Prioritätsbeleg ausgelegt worden.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    409 689/207 9.64 ® Bundesdruckerei Berlin
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