FR1131213A - Procédé et appareil de contrôle de l'épaisseur d'un échantillon de semi-conducteur au cours d'une attaque électrolytique - Google Patents
Procédé et appareil de contrôle de l'épaisseur d'un échantillon de semi-conducteur au cours d'une attaque électrolytiqueInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1131213T | 1955-09-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1131213A true FR1131213A (fr) | 1957-02-19 |
Family
ID=9637753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1131213D Expired FR1131213A (fr) | 1955-09-09 | 1955-09-09 | Procédé et appareil de contrôle de l'épaisseur d'un échantillon de semi-conducteur au cours d'une attaque électrolytique |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1131213A (fr) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1146982B (de) * | 1959-05-28 | 1963-04-11 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren |
| DE1158636B (de) * | 1960-08-24 | 1963-12-05 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
| US3192141A (en) * | 1959-12-24 | 1965-06-29 | Western Electric Co | Simultaneous etching and monitoring of semiconductor bodies |
| US3219556A (en) * | 1961-12-26 | 1965-11-23 | Beckman Instruments Inc | Ion measurement apparatus and method |
| DE1211721B (de) * | 1959-05-26 | 1966-03-03 | Philco Corp Eine Ges Nach Den | Verfahren und Vorrichtung zum AEndern der Dicke von Festkoerpern |
-
1955
- 1955-09-09 FR FR1131213D patent/FR1131213A/fr not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1211721B (de) * | 1959-05-26 | 1966-03-03 | Philco Corp Eine Ges Nach Den | Verfahren und Vorrichtung zum AEndern der Dicke von Festkoerpern |
| DE1146982B (de) * | 1959-05-28 | 1963-04-11 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren |
| US3192141A (en) * | 1959-12-24 | 1965-06-29 | Western Electric Co | Simultaneous etching and monitoring of semiconductor bodies |
| DE1158636B (de) * | 1960-08-24 | 1963-12-05 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
| US3219556A (en) * | 1961-12-26 | 1965-11-23 | Beckman Instruments Inc | Ion measurement apparatus and method |
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