DE967930C - Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE967930C DE967930C DEG12444A DEG0012444A DE967930C DE 967930 C DE967930 C DE 967930C DE G12444 A DEG12444 A DE G12444A DE G0012444 A DEG0012444 A DE G0012444A DE 967930 C DE967930 C DE 967930C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- antimony
- crystal
- semiconductor
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
AUSGEGEBEN AM 27. DEZEMBER 1957
G 13444 VIIIc j21g
Die Erfindung bezieht sich auf elektrische Halbleiter und auf Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern
mit einer sogenannten P-N-Schicht, bei denen ein Gebiet von sogenannter positiver
Leitfähigkeit und ein Gebiet von sogenannter negativer Leitfähigkeit durch eine eigenleitende Schicht
voneinander getrennt sind, wobei diese letztere Schicht mit den beiden ersterwähnten Gebieten
aus einem Stück besteht und die sogenannte P-N-Schicht bildet.
Ein häufig verwendetes Verfahren zur Herstellung von P-N-Halbleitern mit reproduzierbaren
Eigenschaften besteht darin, einen Halbleitereinkristall aus einer annähernd reinen Halbleiterschmelze
bei sehr niedriger konstanter Wachstumsgeschwindigkeit zu züchten, und zwar gewöhnlich
bei einer Wachstumsgeschwindigkeit von weniger als 2,54 cm je Stunde, und der Schmelze kleine
Spuren von Donator- und Akzeptorverunreinigungen in langsamer Aufeinanderfolge beizugeben,
so daß der wachsende Barren sich von einem Halbleiter des einen Typus zu einem Halbleiter des
anderen Typus ändert. Dieses Verfahren zur Kristallzüchtung hat den Vorteil, daß die Gitterbeanspruchungen
und Gitterverzerrungen in dem sich ergebenden Einkristall sehr klein ausfallen.
709 821/16
Bei der praktischen Anwendung dieses Verfahrens entstehen jedoch eine Reihe von Schwierigkeiten.
Um Unregelmäßigkeiten zu vermeiden, müssen die Kristalle sehr langsam gezüchtet werden, und es
muß ein genügendes Zeitintervall zwischen der Zugabe der verschiedenen Verunreinigungen eingeschaltet
werden, damit diese innig mit der Schmelze vermischt und von dem wachsenden Barren aufgenommen werden können, bevor die
ίο nächste Verunreinigung beigegeben wird. Diese Forderung macht es auch praktisch unmöglich, in
Mehrschichthalbleitern eine Lage von einem Leitfähigkeitstypus von geringerer Dicke als beispielsweise
0,0025 cm zu erzeugen. Die zweite Verunreinigung muß in einer genügenden Menge
beigegeben werden, um den Einfluß der ersten Verunreinigung, welche Stromträger des umgekehrten
Leitfähigkeitstypus erzeugt, mehr als auszugleichen. Für Zweischichthalbleiter muß
eine dritte Verunreinigung in einer genügenden Menge beigegeben werden, um die Wirkung der
zweiten Verunreinigung, Stromträger des umgekehrten Vorzeichens zu erzeugen, wieder zu überwinden.
Der Verunreinigungsgehalt und die Gradienten in der ersten Schicht begrenzen also
den Verunreinigungsgehalt und die Gradienten, welche in den späteren Schichten erreichbar sind.
Wenn beispielsweise ein hoher Verunreinigungsgehalt auf der einen Seite einer Emittorelektrodenschicht
eines Transistors erwünscht ist, so muß die Kollektorschicht zuerst hergestellt werden, und der
Verunreinigungsgehalt auf beiden Seiten dieser Kollektorschicht muß niedriger gehalten werden,
als es optimal ist. Wegen des kontinuierlich zunehmenden Verunreinigungsgehaltes in der
Schmelze kann man ferner normalerweise nur eine oder zwei P-N-Schichten von guter Qualität in
einem einzigen nach diesen Verfahren gezüchteten Barren herstellen. Man muß vielmehr die verunreinigte
Schmelze, aus welcher der Kristall gezüchtet wird, in irgendeiner Weise reinigen, bevor
sie wieder verwendbar ist. Ferner muß man sehr sorgfältige, üblicherweise nur im Laboratorium
verwendete Methoden zur Aufrechterhaltung einer absolut konstanten Temperatur der Schmelze und
zur Schaffung einer absolut gleichmäßigen Verteilung der zugegebenen Verunreinigungen an der
sehr langsam wachsenden Kristallzwischenfläche verwenden.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit P-N-Schicht
und/oder von N-P-N-Transistoren. Es soll insbesondere ein Kristallzüchtungsverfahren angegeben
werden, bei welchem der Kristall schneller als bisher gezüchtet werden kann, ohne eine so gute
Temperaturkonstanz zu erfordern und ohne die Schwierigkeiten einer gleichmäßigen- Vermischung.
Weiterhin wird durch das Kristallzüchtungsverfahren eine große Anzahl beispielsweise von
100 guter P-N-Schichten in einem einzigen Barren hergestellt. Dies ist möglich, weil keine
Verunreinigungen aufeinanderfolgend zugegeben werden müssen, um eine Verunreinigungskonzentration
in der Schmelze hervorzurufen. Drittens kann der Rest der Schmelze, aus dem ein Kristall
gezüchtet ist, ohne vorherige Reinigung immer wieder von neuem benutzt werden, um neue gute
P-N-Schichten zu erzeugen.
Es wurde gefunden, daß die Mengen, in welcher Donator- und Akzeptorverunreinigungen, die in
einer Schmelze vorhanden sind, von einem Barren, der aus der Schmelze gezüchtet wird, aufgenommen
oder von ihm eingebaut werden, mit der Geschwindigkeit des Kristallwachstums schwankt. Das
Verhältnis des Verunreinigungsgehaltes, der in einen wachsenden Barren eingebaut wird, zum
Verunreinigungsgehalt in dem flüssigen Halbleitermaterial, aus welchem der Barren herauswächst,
wird Abscheidungskoeffizient genannt. Es wurde außerdem gefunden, daß Schwankungen dieses
Koeffizienten, die bei gewissen Verunreinigungen innerhalb eines gegebenen Bereichs der Wachstumsgeschwindigkeit
auftreten, wesentlich von den Schwankungen des Koeffizienten von gewissen anderen Verunreinigungen abweicht.
Erfindungsgemäß wird eine Schmelze aus einem Halbleitermaterial hergestellt, das eine Donatorverunre-inigung
und eine Akzeptorverunreinigung in kleiner Menge enthält, wobei der Akzeptor eine
andere Zunahme des Abscheidungskoeffizienten als der Donator zeigt und dann ein Halbleiterkristall
aus der Schmelze gezogen wird, wobei die Temperatur der Schmelze beim Wachsen des Kristalls
so geändert wird, daß die Wachstumsgeschwindigkeit zwischen einem Wert, bei dem ein P-Halbleiter
und einem Wert, bei dem ein N-Halbleiter entsteht,
verändert wird. Die Bezeichnung »kleine Menge« soll dabei Mengen von weniger als
0,05 Gewichtsprozent der verwendeten HaIbleitermenge
bedeuten. Diese Verunreinigungsmengen werden dabei der Schmelze in einem solchen Verhältnis zugegeben, daß Stromträger
vom entgegengesetzten Typus erzeugt werden, die kompensierende elektrische Wirkungen hervorbringen,
so daß ein halbleitender Kristall mit Eigenleitungscharakter aus der Schmelze mit einer
bestimmten Wachstumsgeschwindigkeit gezüchtet werden kann. Ferner sollen die verwendeten
Donator- und Akzeptorverunreinigungen verschieden große Abscheidungskoeffizienten über
einen Bereich der Wachstumsgeschwindigkeit. besitzen, welcher die obenerwähnte Wachstumsgeschwindigkeit, bei welcher ein Eigenhalbleiter
entsteht, einschließt. Dann wird ein Einkristall aus der Schmelze gezüchtet, und zwar mit einer
Wachstumsgeschwindigkeit, die sich allmählich von Werten oberhalb derjenigen Geschwindigkeit, bei
der Eigenhalbleiter entstehen, auf einen Wert unterhalb dieser Eigenhalbleitergeschwindigkeit
ändert, und umgekehrt. Bei einer Wachstumsgeschwindigkeit oberhalb der Eigenhalbleitergeschwindigkeit
wird ein Verunreinigungselement, z. B. der Donator, im Überschuß in den wachsenden
Kristall eingebaut, so daß ein N-Halbleiter entsteht, während bei einer Geschwindigkeit unterhalb
der Eigenhalbleitergeschwindigkeit das andere
Verunreinigungselement, also der Akzeptor, im Überschuß eingebaut wird, so daß ein P-Halbleiter
entsteht.
Der Verunreinigungsgradient unmittelbar an und senkrecht zur Eigenhalbleiter-P-N-Schicht
läßt sich sehr leicht und sehr genau dadurch beeinflussen, daß man die Ziehgeschwindigkeit entsprechend
ändert. Die Menge der Stromträger in jedem Leitfähigkeitsgebiet läßt sich leicht und
ίο genau durch die absolute Menge der Donator- und Akzeptorverunreinigungsmengen, welche der
Schmelze beigegeben werden, beeinflussen, und das Verhältnis der negativen zu den positiven Stromträgern
läßt sich durch das Verhältnis der Donator- und Akzeptorverunreinigungen 'in der Schmelze
beeinflussen, welches seinerseits die Wachstumsgeschwindigkeit des Eigenhalbleiters bestimmt.
Die Kristallwachstumsgeschwindigkeit hängt natürlich von dem Temperaturgradienten an der
Grenzfläche zwischen dem flüssigen und dem bereits erstarrten Material ab und läßt sich bequem und
vorzugsweise dadurch beeinflussen, daß man einfach die Temperatur der Schmelze erhöht oder
erniedrigt. Die Kristallwachstumsgeschwindigkeit läßt sich in dieser Weise von Null auf etwa 50 cm
je Stunde verändern.
Im weiteren Verfahren wird ein Barren, welcher eine Mehrzahl von Halbleitern mit mehrfacher
P-N-Schicht enthält und sich für Hochfrequenztransistoren eignet, dadurch gezüchtet, daß der
Reihe nach die Temperatur der Schmelze von einem Wert· oberhalb der Eigenhalbleitertemperatur bis
auf einen Wert unterhalb dieser Temperatur geändert wird und daß dabei die Temperatur der
Schmelze während des Temperaturanstiegsintervalls so weit erhöht wird, daß ein Teil des bereits
gezüchteten-Kristalls von neuem schmilzt. Auf diese Weise lassen sich sehr dünne Schichten des
Halbleitermaterials von einem Leitfähigkeitstyp zwischen größeren Gebieten des entgegengesetzten
Materialtyps erzielen und werden mit diesen letzteren Gebieten über Emittorelektroden- und KoI-lektorelektroden-P-N-Schichten
verbunden, welche optimale Eigenschaften für Hochfrequenztränsistoren hoher Verstärkung besitzen.
Fig. ι ist eine schematische Darstellung eines Teiles der zur Ausführung der Erfindung benutzten
Einrichtung;
Fig. 2 ist eine vergrößerte Darstellung eines Teiles des mit der Einrichtung nach Fig. 1 gezüchteten
Barrens oder Kristalls;
Fig. 3 enthält eine Reihe von Kurven, welche die Schwankung des Abscheidungskoeffizienten in
Abhängigkeit von der Wachstumsgeschwindigkeit für Germanium, und zwar für bestimmte als
Beispiel angegebene Akzeptor- und Donatorverunreinigungen, wiedergibt;
Fig. 4 zeigt zwei Kurven des Abscheidungskoeffizienten in Abhängigkeit von der Wachstumsgeschwindigkeit
für eine bestimmte Donatorverunreinigung und eine bestimmte Akzeptorverunreinigung
und veranschaulicht die Wirkung der Wachstumsgeschwindigkeit auf den Leitfähigkeitstypus
des Halbleiters, der aus einer diese Verunreinigungen in geeignetem Verhältnis enthaltenden
Schmelze gezüchtet wird;
Fig. 5 enthält eine Anzahl von Kurven, welche die Beziehung und die Art der Zeitabhängigkeit der
Heizleistung, der Temperatur der Schmelze, der Wachstumsgeschwindigkeit und der Lage der
Grenzschicht der Flüssigkeit zu dem wachsenden Kristall während einer bestimmten Periode der
Wachstumsgeschwindigkeit darstellt, wobei diese Periode der Wachstumsgeschwindigkeit zur Herstellung
von Hochfrequenztransistoren hoher Ver-Stärkung, und zwar für N-P-N-Transistoren,
bevorzugt wird;
Fig. 6 zeigt den Verunreinigungsgehalt längs eines gezüchteten Barrens, und zwar unter Voraussetzung
eines Bereichs der Wachstumsgeschwindigkeit nach Fig. 5, zusammen mit einer schematischen
Darstellung des entstehenden Halbleitertypus über die ganze Länge des gezüchteten Barrens;
Fig. 7 schließlich veranschaulicht einen gemäß der Erfindung hergestellten Hochfrequenztransistor
von der bereits obenerwähnten Bauart N-P-N.
In Fig. ι ist eine Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens gemäß der Erfindung dargestellt,
welche ein Quarzgefäß 10 enthält, welches in einen Vakuumofen eingesetzt ist und dessen· Temperatur
geregelt werden kann, beispielsweise mittels eines Heizwiderstandes oder Induktionsheizungselementes
11, das in Reihe mit einem einstellbaren Widerstand
13 und einem Schalter 14 an einer Stromquelle 12 liegt. In dem Gefäß 10 wird ein annähernd
reiner Halbleiter, z. B. Germanium, mit einer Reinheit, die einem spezifischen Widerstand
von über 2 Ohm/cm entspricht, geschmolzen, und es werden winzige Mengen einer Akzeptorverunreimgung,
z. B. von Gallium, und einer Donatorverunreinigung, z. B. von Antimon, beigegeben, so
daß eine Germanium-Gallium-Antimon-Schmelze 15 entsteht. Die speziellen gewählten Verunreinigungen
und ihre Mengen werden weiter unten noch erwähnt. Die Schmelze befindet sich im Vakuum
oder in einer reduzierenden oder auch neutralen Atmosphäre, indem beispielsweise durch den Ofen
dauernd Argon hindurchgeleitet wird, und zwar unter einem solchen Druck, daß die Luft vollständig
verdrängt wird. Ein kleiner Kristall oder Impfkristall 16 von hochgradig reinem monokristallinem
Halbleitermaterial, z. B. ein Germaniumeinkristall von einer Reinheit, die einem
spezifischen Widerstand oberhalb 2 Ohm/cm entspricht, wird in eine Zange 17 eingesetzt, derart,
daß er unten aus der Zange herausragt und die Zange sodann abgesenkt, bis das untere Ende des
Impfkristalls in die Schmelze 15 eintaucht. Die Zange 17 und der Kristall 16 werden vorzugsweise
mit einer konstanten Geschwindigkeit oberhalb 20 Umdrehungen, je Minute gedreht, beispielsweise
mit etwa 100 Umdrehungen je Minute, um die Schmelze so stark umzurühren, daß eine konstante
und gleichmäßige Konzentration beider Verunreinigungen an der Übergangsstelle der
Flüssigkeit in den erstarrten Körper entsteht,
obwohl man P-N-Schichthalbleiter auch ohne eine
derartige Drehung erzeugen kann. Die Zange 17 wird dabei durch irgendwelche geeignete Mittel
mit einer Geschwindigkeit angehoben, welche der durchschnittlichen Wachstumsgeschwindigkeit des
Kristalls entspricht. Die durchschnittliche Wachstumsgeschwindigkeit des Kristalls hängt von dem
Temperaturgradienten an der Wachsfiäche ab, der seinerseits hauptsächlich durch die Temperatur der
Schmelze 15 bestimmt wird. Die Temperatur der
Schmelze 15 wird ihrerseits durch die mittlere Leistung, welche dem Heizelement 11 aus der
Stromquelle 12 zugeführt wird, beeinflußt. Die mittlere Wachstumsgeschwindigkeit kann etwa
7,6 cm je Stunde betragen. Während des Anhebens des Kristalls 16 entsteht ein Einkristallkörper 18
durch Erstarrung der Schmelze 15. Die genaueren Kunstgriffe zur Züchtung eines solchen Einkristallkörpers
durch Herausziehen· eines Impfkristalls aus
einer Schmelze sind bekannt und bedürfen keiner Erläuterung.
Es wird der Körper 18 nicht mit konstanter Geschwindigkeit,
sondern vielmehr mit Geschwindigkeiten, die periodisch geändert werden, aus der
Schmelze gezogen. Der Schwankungsbereich der Wachstumsgeschwindigkeit wird lediglich durch
Änderung der Dauer und/oder der Amplitude der dem Heizelement 11 zugeführten elektrischen Leistung
beeinflußt und dadurch die Temperatur der
Schmelze 15 und der Temperaturgradient an der Grenzfläche zwischen der Flüssigkeit und dem erstarrten
Körper beeinflußt. Bei einer geeigneten periodischen Änderung der Wachstumsgeschwindigkeit
und bei Verwendung geeigneter Mengen
und Arten von Verunreinigungen in der Schmelze 15 kann man es erreichen, daß der Kristall zeitweise
als ein N-Halbleiter und zeitweise als ein P-Halblei,ter entsteht und daß zwischen diesen beiden
Halbleitergebieten P-N-Schichten liegen, so
daß also eine Vielzahl von P-N-Schichten längs des ganzen Halbleiterkörpers erzeugt wird. Eine in diesem
Sinne charakteristische Verteilung der N- und P-Gebiete, die mit der Erfindung erzielbar ist, ist
in Fig. 2 dargestellt. Diese Verteilung der Leit-
fähigkeitszonen ist für N-P-N-Transistoren von großem Vorteil.
Die speziellen Donator- und Akzeptorverunreinigungen, ebenso wie das Verhältnis derselben und
ihre absoluten Mengen lassen sich aus der Abhän-
gigkeit des Äusscheidungskoeffizienten von der Wachstumsgeschwindigkeit dieser Verunreinigungen für das betreffende Halbleitermaterial bestimmen.
Der Abscheidungskoeffizient stellt den Prozentsatz der in den wachsenden Kristall eingebauten
oder von ihm gebundenen Verunreinigung dar. Die Fig. 3 veranschaulicht derartige typische Kurven
für den Abscheidungskoeffizienten, und zwar für Germanium bei einer Verunreinigung mit In:
dium, Antimon, Arsen und Gallium. Wie diese
Kurven erkennen lassen, tritt bei den Akzeptorverunreinigungen Indium und Gallium eine geringe
Änderung des Abscheidungskoeffizienten für Germanium in einem Bereich der Wachstumsgeschwindigkeit
von Null bis etwa 15 cm je Stunde auf, während die Donatorverunreinigungen Arsen und insbesondere
Antimon einen ausgesprochenen Anstieg des Abscheidungskoeffizienten bei zunehmender
Wachstumsgeschwindigkeit zeigen. Man erkennt außerdem, daß die absoluten Werte des Abscheidungskoeffizienten
K für die verschiedenen Verunreinigungen sehr verschieden sind. In Fig. 3
ist bei den Kurven, für Gallium und Arsen die Ordinate nur mit einem Zehntel des wahren
Wertes gezeichnet. Die folgende Tabelle zeigt die allgemeine Größe und die Art der Änderung des
Abscheidungskoeffizienten mit der Wachstumsgeschwindigkeit für die angegebenen Donator- und
Akzeptorverunreinigungen bei Germanium.
bei 2,5 cm/Std.
- 7,6 cm/Std.
- 13,0 cm/Std.
Akzeptoren
Indium Gallium
Indium Gallium
Ο,ΟΟΙΙ
Ο,ΟΟΙΙ
O,OOI2
Ο,ΟΟΙΙ
O,OOI2
Ο,ΙΙ
0,11
0,11
0,12
Donatoren
Antimon Arsen
Antimon Arsen
O,OO3
0,005
0,006
0,005
0,006
0,05 0,07 0,08
Die Werte des Koeffizienten K nach dieser Tabelle aus den Kurven in Fig. 3 wurden durch Leitfähigkeitsmessungen
von Germaniumkristallen erhalten, die bei verschiedenen konstanten Wachstumsgeschwindigkeiten
aus einer Schmelze von Germanium gezüchtet werden. Wegen der Schwierigkeiten der Messung können die mitgeteilten
Werte Meßfehler von der Größenordnung + oder —10% enthalten.
Die folgende Gleichung dürfte den ungefähren Verlauf des Abscheidungskoeffizienten K mit der
Wachstumsgeschwindigkeit für eine gegebene Verunreinigung bei Germanium angeben
vi
K = K0 +[Ka-K0) e
wobei K0 die Konzentration des Verunreinigungsgehaltes
pro Volumeneinheit des festen Körpers zur Konzentration der flüssigen Schmelze im Gleichgewicht
ist, Ka die Konzentration des Verunreinigungselementes
in der Oberflächenschicht des wachsenden festen Kristalls zur Konzentration in der
Flüssigkeit ist, V die jeweilige Wachstumsgeschwindigkeit, V1 ein Wachstumsgeschwindigkeitsfaktor,
der für die jeweilige Verunreinigung charakteristisch ist und von der Diffusionskonstante dieser
Verunreinigung in Germanium abhängt, und e die Basis der natürlichen Logarithmen.
In Fig. 4 sind zwei Kurven der Abscheidung in Abhängigkeit von der Wachstumsgeschwindigkeit
für Antimon und für Gallium zusammen dargestellt, um zu veranschaulichen, inwiefern eine
Änderung der Wachstumsgeschiwindigkeit einen N- bzw. einen P-Halbleiterstoff erzeugen kann,
wenn die genannten beiden Verunreinigungen im richtigen Verhältnis in der Schmelze 15 vorhanden
sind. Wenn man das geeignete Verhältnis von Antimon und Gallium in der Schmelze 15 annimmt,
so existiert eine bestimmte Wachstumsgeschwindigkeit, die im folgenden als Ziehgeschwindigkeit
für Eigenleitung bezeichnet werden wird und in Fig. 4 mit 5 cm je Stunde angegeben ist, bei
welcher der elektrische Einfluß der positiven Stromträger oder Löcher im Germaniumkristall
durch die prozentuelle Bindung des Galliums gerade den elektrischen Einfluß der negativen
Stromträger oder freien Elektronen, welche auf die prozentuelle Bindung des Antimons zurückzuführen
ist, aufhebt. Bei dieser Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung ist der gezüchtete Kristall weder vom
P-Typus noch vom N-Typus. Wenn die Wachstumsgeschwindigkeit über diese Ziehgeschwindigkeit für
Eigenleitung erhöht wird, nimmt das Verhältnis des gebundenen Antimons zum gebundenen Gallium
zu, so daß die negativen Stromträger überwiegen und ein N-Material entsteht. Wenn umgekehrt
die Wachstumsgeschiwindigkeit unter diese Ziehgeschwindigkeit
für Eigenleitung gesenkt wird, nimmt das Verhältnis des Antimons zum Gallium,
welches von dem Kristall aufgenommen wird, ab, und die positiven Stromträger überwiegen daher,
so daß ein P-Halbleiter entsteht. Man erkennt aus einer Betrachtung der Fig. 4, daß eine schnelle
Änderung der Wachstumsgeschwindigkeit zum Beispiel von 2,5 cm je Minute oberhalb· und unterhalb
der Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung in dem Kristall eine dünne eigenleitende Schicht mit einem
sogenannten scharfen oder steilen Gradienten der Verunreinigungsko-nzentration senkrecht zur
Schicht liefert, während eine langsame Änderung der Wachstumsgeschwindigkeit z. B. 0,125 cm je
Minute eine ziemlich breite eigenleitende Schicht mit einem flachen Gradienten der Verunreinigungskonzentration senkrecht zur Schicht hervorruft.
Das Verhältnis der überschüssigen negativen Stromträger im N-Gebiet zu den überschüssigen
positiven Stromträgern im P-Gebiet läßt sich leicht dadurch einstellen, daß man nur die Größe der
Wachstumsgeschiwindiigkek'sänderung auf beiden
Seiten der Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung beeinflußt. Der Gradient der Verunreinigungskonzentration
an der P-N-Schicht und das Verhältnis der überschüssigen positiven zu den überschüssigen
negativen Stromträgern kann weiter dadurch beeinflußt werden, daß man Antimon und
Gallium der Schmelze 15 im richtigen Verhältnis beigibt, uim andere gewünschte Ziehgeschwindigkeiten
für Eigenleitung zu erzielen, bei denen ein größerer oder kleinerer Unterschied zwischen den
beiden dargestellten Kurven vorhanden ist. Die wirkliche Leitfähigkeit der N- und P-Gebiete kann
auch natürlich durch die ganze Menge beider der Schmelze 15 beigegeben en Verunreinigungen beeinflußt
werden und ebenso durch den Grad der Vermischung, da eine ungenügende Vermischung
die Verunreinigungskonzentration in der Flüssigkeit an deren Grenzfläche erhöht.
Das tatsächliche Verhältnis der Donatorverunreiniguiig
zu der Akzeptorverunremigung, das man zu verwenden hat, läßt sich leiert durch das
folgende Verfahren bestimmen. Eine bekannte geringe Menge einer Donatorverunreinigung, z. B.
von Antimon, wird einer im wesentlichen reinen Germaniumschmelze beigegeben und die Leitfähigkeit
des aus dieser Schmelze gezüchteten Kristalle bei verschiedenen Wachstumsgeschwindigkeiten gemessen.
Dieser Vorgang wird dann mit einer Akzeptorverunreindgung, z. B. mit Gallium, an
Stelle der Donatorverunreinigung wiederholt. Da die Beweglichkeit der Elektronen, d. h. der negativen
Stromträger, etwa das 2,1 fache der Beweglichkeit der Löcher, d. h. der positiven Stromträger,
beträgt, wird eine solche Menge der Donatorverunreiinigu'ng benutzt, die, bei alleiniger Zugabe
zur Schmelze, eine 2,ifache Leitfähigkeit erzeugen würde, wie sie bei der Menge der Akzeptorverunreinigung
.auftritt, die man bei der gewünschten Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung nötig hat.
Dies läßt sich leicht aus den obengenannten Leitfähigkeitsmessungen bestimmen, da die Leitfähigkeit
in einem gezüchteten Kristall direkt mit der Menge der Donator- oder Akzeptorverunreinigung
in der Schmelze variiert. Das Verhältnis der Donator- zur Akzeptorverunreinigung, welches der
Schmelze beigegeben werden muß, läßt sich also bestimmen. Diese Verunreiniigungsverhältnisse sind
nicht kritisch. Bei Antimon und Gallium kann man Gewichtsverhältnisse zwischen 20 und 60 Teilen
Antimon zu 1 Teil Gallium benutzen, je nachdem
welche Eiigenschiaften in der P-N-Schicht gewünscht go
werden. Bei Antimon und Indium kann man ebenso Gewichtsverhältnisse von 1 Teil Antimon zu 2,5
bis 5 Teilen Indium benutzen. Bei diesen Verhältniswerten für Antimon und Gallium bzw. für
Antimon und Indium führen Wachstuimsgeschwindigkeiten
über 12,5 cm je Stunde gewöhnlich zu einem N-Germanium, während Wachstumsgeschwindigkeiten
unter 2,5 cm je Stunde gewöhnlich zu P-Germanium führen. Die absoluten Werte
der beiden beigegebenen Verunreinigungen können außerdem noch erheblich geändert werden und
lassen sich nach der Leitfähigkeit in dem P- und N-Gebiet des gewünschten Halbleiters bestimmen.
Geeignete Kristalle haben sich aus Schmelzen züchten lassen, die verschiedene Kombinationen
einer Akzeptor- und einer Donatorverunreinigung enthielten, wobei der gesamte Verunrein-igungsgehalt
zwischen 0,1 und 500 mg je 100 g Germanium betrug. Daß ein 'derart weiter Bereich des
möglichen gesamten Verunreinigungsgehaltes benutzt werden kann, liegt natürlich auch daran,
daß die verschiedenen. Donator- und Akzeptorverunreinigungen sehr stark verschiedene Abscheid'ungskoeffizienten
besitzen, so daß sehr stark verschiedene Mengen der jeweils gewählten Verunreinigungen
der Schmelze beigegeben werden müssen, um die gleiche Wirkung in dem festen Halbleiter zu erzeugen. So muß beispielsweise etwa
ioomal mehr Indium der Schmelze 15 beigegeben
werden als Gallium, um den gleichen Akzeptorverunreifnigungsgehalt
in dem gezüchteten Kristall zu erzeugen.
Eine andere bis zum 'gewissen Grade direkte Methode zur Bestimmung des Verhältnisses
einer bestimmten Donatorverunreinigung zu einer bestimmten AkzeptorverunreinigTiiig·, welche der
709 821/16
Schmelze 15 beigegeben werden sollen, besteht einfach darin, diese Verunreinigungen der Schmelze
in einem Verhältnis beizugeben, welches durch das Verhältnis d'es betreffenden Absehei'dungskoeffl·-
zienten bestimmt, in der Absicht, in dem gezüchteten Kristall eine Verun-reinigungskonzentration
für jede einzelne Verunreinigung von derselben Größenordnung zu erzeugen. Es wird dann ein
vorläufiger kleiner Halbleiterkörper mit verschiedenen Wachstumsgeschwindigkeiten gezüchtet, und
die Übergangsstelle vom N- zum P-Halbleiter bei dieser vorläufigen Probezüchtung wird auf diejenige
Wadustumsgeschwindigkeit abgestimmt, die
für das Übergangsgebiet benutzt wird. Dieses Verfahren wird sodann bei etwas anderen Verhältnissen,
aber bei den gleichen Donator- und Akzeptorverunreinigungen wiederholt, und es werden auf diese Weise vollständige empirische
Zahlen werte gewonnen, aus denen das Verhältnis der Donator- und Akzeptorverunreinigung für eine
gewünschte Ziehgeschwindigkedt für Eigenleitung leicht bestimmt werden kann.
Ein bequemes Verfahren zur Beigabe der Donator- und Akzeptorverunreinigungen zur
Schmelze 15 in geeigneten Mengen und im richtigen
Verhältnis besteht darin, eine Legierung der Donator- und Akzeptorverunreinigungen herzustellen,
in welcher dile Verunreinigungen nach den obenerwähnten Verfahren im richtigen Verhältnis
vorhanden sind. Die geschmolzene Legierung wird durch Eintauchen in Wasser abgeschreckt,
um eine Trennung der beiden Verunreinigungen zu vermeiden. Wahlweise können auch die
beiden Verunreinigungselemente zusammen zu einem Pulver verarbeitet werden und anschließend
zusammengesintert werden. Dabei wird annähernd vollständig reines Germanium zunächst im Gefäß
10 geschmolzen und ein kleines Stück der Verunreindgungslegierung
sodann beigegeben und mit dem geschmolzenen Germanium vermischt. Die
Menge der zugegebenen Legierung kann sehr verschieden bemessen werden; es haben sich gute
P-N-Schichten bei Verwendung von 0,1 bis 10 mg Arseti-Galliium-Legierting, von 1 bis 100 mg Antimon-Gallium-Legierung
und' von 5 bis 5°° mS
Antimon-Indium-Legierung für je 100 g Germanium
herstellen lassen.
In Fig. 5 und 6 ist eine bevorzugte Vorschrift für die Änderung der Wacbstumsgesehwindigkeit
veranschaulicht, bei welcher N-P-N-Halbleiter entstanden, die als Hochfrequenztransistoren besonders
gut geeignet waren. Halbleiter für diesen besonderen Zweck sollen vorzugsweise eine besondlers
dünne P-Schicht besitzen. Es wird daher ein Verhältnis der Donator- zur Akzeptorverunreinigung
gewählt, bei welchem eine ziemlich niedrige Ziehgeschwindigkeiit für Eigenleitung entsteht,
beispielsweise von etwa 5. cm je Stunde. Bei Benutzung von Antimon und Gallium ist ein
Gewichtsverhälitnis von etwa 50 Teilen Antimon zu ι Teil Gallium angemessen, während bei Benutzung
von Antimon und Indium eiln Gewiehtsvearhältnisvon
etwa 1 Teil Antimon zu 3 Teilen Indium sich bewährt hat. Bei einem, geringeren Verhältniswert
von Antimon zu Gallium oder von Antimon zu Indium entstehen breitere P-Scbichten. Die Menge
der Akzeptor - Donator -Veronreinigungslegierung in der Schmelze 15 beträgt vorzugsweise etwa 1 bis
50 mg der Legierung je iöo g Germanium, und
zwar je nach den verwendeten Verunreinigungen und je nach den gewünschten elektrischen Eigenschaften.
Im einzelnen st zu sagen, daß 1 bis 20 mg der Antimo-n-Gallium>-Legierung und 10 bis-100 mg
der Anitimon-Indium-L'egierung für je 100 g Germanium
beigegeben werden können.
In Fi|g. 5 stellt die Kurve A die Ofenleistung
dar, die Kurve B die Temperatur der Schmelze, die Kurve C die Wachetumsgeschwindigkek des
Kristalls und die Kurve D die Lage der Grenzfläche der Flüssigkeit innerhalb des wachsenden
Kristalls. Für alle Kurven ist derselbe Zei'tmaßstab verwendet. Zu Beginn des Kristallwacbstums, der
durch den anfänglichen Teil jeder Kurve dargestellt ist, wird dem Ofen ein Mittelwert der Leistung
zugeführt, bei dem eine Temperatur der Schmelze unterhalb dier Ziehtemperatur für Eigenleitung
erzeugt wird, und eine Wachstamsgeschwindigkeit, die etwas oberhalb der Ziehgeschwindigkeit
für Eigenleitung Hegt. Die durchschnittliche. Wachstumsgeschwindigkeit beträgt z. B. 7,5 cm je Stunde, wenn diie Eigengeschwindigkeit
5 cm je Stunde beträgt. Nachdem diese Werte für eine konstante Wachstumsgeschwindigkeit eingestellt
sind, wird ein Zyklus der Ofenleistung oberhalb und unterhalb der anfänglichen mittleren
Leistung durchlaufen, indem die Amplitude der dem Ofen zugeführten Leistung auf Werte, die
oberha-lb und unterhalb der anfänglichen mittleren Leistung liegen, eingestellt wird, wobei, aufeinanderfolgend
zunehmende Amplitudenwerte von jeweils gleicher Dauer verwendet werden, bis der gewünschte AmpMtude-nhiub für die Leistung erreicht
ist. Wahlweise kann auch düe Amplitude der Leistung konstant gehalten werden, jedoch muß die
Dauer jedes Amplitudenwertes allmählich erhöht werden, bis die gewünschte Dauer für jeden
Amplitudenwert -erreicht ist. Der Leistungszyklus im Endzustand kann vorteilhaft -ein solcher Zustand
sein, bei welchem, die Leistung in Abständen von je ι Minute zwischen Null und 1800 Watt geschalt-et
wird.
Dieser allmähliche Aufbau bis zur gewünschten Amplitude und Dauer der Leistungsschwankung ißt
normalerweise deshalb notwendig, weil man' im
allgemeinen vor dem Beginn des Prozesses die Schwankungen der Wachstumsgeschwindigkeit
nicht mit den Schwankungen der Ofenleistung genau in das richtige Verhältniis setzen kann.
Während des allmählichen Aufbaues des Leistungszyklus kann der Arbeiter die wirkliche Schwan-
kung der Wachstiumsgeschwindigkeit aus der Lage der Grenzfläche An der flüssigen Schmelze -beurteilen
und diejenigen Einstellungen der mittleren Ofenleilstung treffen, die zur Einhaltung eines konstanten
mittleren Durchmessers des wachsenden Kristalls erforderlich sind.
Bei einem Leistungszyklius, wie er in Fig. 5 dargestellt
ist und bei welchem eine veränderte Amplitude, die jeweils während einer konstanten Zeit
gilt, verwendet wird, ist die anfängliche geringe Zunahme der Ofenleistung im Zeitintervall E ausreichend,
um die Temperatur der Schmelze über die Ziehtemperatur für Eigenleitung zu heben, reicht
jedoch nicht aus, eine Ziebtemperatur Null zu erreichen. Die Geschwindigkeit des Kristallwachsturns
nimmt also während dieses Intervalls ab, so daß ein Übergang von einem N-Halbleiiter zu einem
P-Halbleiter stattfindet, das Wachstum jedoch nicht unterbrochen wird. Während des nächsten
Zeitintervalls F wird die Ofenleistung auf einen Wert verkleinert, bei welchem die Abnahme der
Temperatur der Schmelze ein allmähliches Anwachsen der Wachstumsgeschwindigkeit hervorruft,
bis der Kristall wieder von einem P-HaIb-Ifeiter zu einem N-Halbleiiter wird.
Während des darauffolgenden Zeitintervalle G wird die Ofenleistung wieder auf ein Maximum
gesteigert, bei welchem die Temperatur der Schmelze schnell zunimmt und die Ziehtemperatur
für Eigenleitung durchläuft, sowie die Temperatur, bei welchem kei.i Wachsen, mehr stattfindet, so daß
die Wacbstuimsigeschwindigkek schnell abnimmt,
bis ein TeM des gezüchteten Kristalls von neuem schmilzt. Wie in Kurve D dargestellt, enthält der
wiedergeschmolzene Teil das ganze P-Material und einen Teil des zuletzt gewachsenen N-Materials. Man
erkennt, daß die Amplitude und die Dauer der Ofenleistung, die man einhalten muß, um diesen Rückschmelzungsvorgang
sicherzustellen, sich leicht dadurch einstellen läßt, daß man einfach das Ansteigen
der Grenzfläche der flüssigen Schmelze am Kristall bei ZunahmederTemperaturder Schmelzebeobachtet.
Während des nächsten Intervalls H wird die
Ofenleistung wieder auf einen gewünschten Mihimal.wert abgesenkt, so daß die Temperatur der
Schmelze stark abfällt, bis der Kristall von neuem zu wachsen beginnt und bis die Wachstumsgeschwindigkeit
so stark ansteigt, daß zuerst ein P-Material und dann ein N-Material entsteht. Während des neuerlichen Schmelzen« des gezüchteten
Kristalls wird das P-Material, welches bereits während des vorhergehenden Intervalls G hoher
Heizleistung erstarrt war, wieder geschmolzen, und das einzige P-Material, welches immer im erstarrten
Zustand verbleibt, ist dasjenige Material, welches infolge des Anwachsens der Wachstumsgeschwiindiiigkei't
während dieses letzteren Intervalls H von niedriger Heizleistung erstarrt war.
■ P-Sehiichten mit einer Dicke von weniger als
0,0025 cm lassen sich somit durch eine Änderung in der Heizleistung herstellen, die ausreicht, um
eine Änderung der Wachstuimisgeschwindigkeit
während des Intervalls H von etwa 1,25 cm je Minute hervorzurufen. Das Verhältnis der Dauer
der Intervalle hoher Heizleistung und1 niedriger Heizleistung kann vorteilhaft zu 1 gewählt werden,
wie in. Fig. 5 dargestellt ist. Die Dauer der Heizleistung während der Intervalle E, F, G und H
kann vorteilhaft jeweils 1 Minute betragen.
Fig. 6 zeigt die überschüssige Donator- und Akzeptorverunreinigungsveränderutig in der Riehtong
der Längsachse eines Kristalls 18, der schematised als Stab dargestellt und bei Wachstomsgeschwindiigkeiten
nach Fig. 5 hergestellt ist. Der Anfangsiteil 20 des Kristalls 18 entspricht den
anfänglichen stationären Wachistumsbedingungen
in Fig. 5 und besitzt eiinen schwachen Überschuß von Donatorverunreiniguingen, so daß dieser
Anfangsteil ein N-Material darstellt. Dieser Donatorüberschuß nimmt während des langsamen
Anwachsens, der Heizleistung innerhalb des Intervails
E allmählich ab, bis sich kontinuierlich ein Akzeptorüberschuß einstellt, der zu einem P-Gebiet
21 führt. Die dazwischenliegende P-N-Schicht 23 ist somit eine ziemlich breite Zwischenschicht mit
einem sich stetig ändernden Gradienten des Verunreinigungsgehaltes
quer zur Zwischenschichtebene. Der nächste Teil 24 des Kristalls 18 entsteht
während des Intervalls F von geringerer Heizleistung in Fig. 5 und zeigt eine allmähliche Abnahme
der überschüssigen Akzeptorverunreinigung und einen allmählichen Aufbau der überschüssigen
Donatorverunreiinigung, bis das Material ein ausgesprochenes N-Materiail wird. Die sich ergebende
P-N-Schicht 25 entspricht der P-N-Schicht 23 mit einem niedrigen Gradienten des Verunreinigungsgehaltes
quer zur Schicht. Man erkennt, daß während dieses anfänglichen Leistungszyklus, d. h. während
der Intervalle E und jF, in denen sich die
Amplitude allmählich aufbaut, kein neuerliches Schmelzen des bereits erstarrten Kristalls stattfindet.
Der nächste Teil 26 des Kristalls 18 erstarrt während des Intervalls H, in dem wieder eine geringe
Leistung herrscht, da der Teil des Kristalls, welcher während des Intervalls E von höherer Leistung
entstanden war, durch erneutes Schmelzen während dieser Zeit G wieder beseitigt wird.
Die Verunreinigungskonzentration des endgültigen Kristalls fällt also steil von einem hohen Donatorüberschuß
zu einem mittleren Akzeptorüberschuß, so daß eine sehr schmale P-N-Schicht 27 mit einem starken Gradienten der Verunreinigungskonzentration
und einem hohen. Verhältnis der negativen Stromträger zu den positiven Stromträgern auif beiden Seiten der Schicht entsteht.
Die P-N-Schicht 27 ist somit ideal für die Benutzung als Emittorelektrodenschicht in einem
Transistor geeignet. Der Akzeptoriiberschuß nimmit von der P-N-Schicht 27 an in der P-Sehicht 28
allmählich ab, und der Donatorgehalt nimimt zu,
während der Kristall zu wachsen beginnt, so daß eine weitere P-N-Schicht 29 von größerer Breite
als die Schicht 27 und mit einem geringeren Gradienten des Verunreiniigiungsgehaltes ent:? eht. Die
P-N-Schicht 29 eignet sich: also in idealer Weise
als Kollektorschicht in einem Transistor. Wenn die Beschleunigung der Wachstuimsgeschwindigkeit
weniger als 2· cm je Minute beträgt, hat die Schicht
29 gewöhnlich eine Kapazität von weniger als 10 pF je Quiadratmillliiimeter bei einer Sperrspannung
von 4,5 Volt an der Schicht. Ein. N-P-N-Halbleiter in Form eines dünnen
Stabes wie im Transistor mach Fig. 7 läßt sich leicht aus dem Kristall i8 dadurch herstellen, daß
man ihm. in der Längsrichtung in Stäbe mit einer
Breite von etwa 0,63 om und eiilner Dicke von.
vorzugsweise weniger als 0,1 cm zerschneidet und diese Stäbe dann in der Mitte ihrer N-Gebiete zerbricht
oder zerschneidet, beispielsweise längs der
strichpunktierten Linie 30 in Fig. 6. Bei Verwendung eines ziemlich schnellen Temperatur-Wechsels,
mit anderen Worten, einer Dauer eines vollständigen Temperatuarzykl-us von einer hohen zu
einer niedrigen Temperatur der Schmelze von nur wenigen Miouten, beispielsweise von 2 bis 5 Minuten,
können über 100 P-N-Schiehten über die ganze Länge eines einzigen Kristalls gezüchtet
werden, so daß mehrere tausend kleine N-P-N-Sitäbe nach Fdg. 7 entstehen. Praktisch sollen
wenigstens N-Gebiete von 0,15 om zwischen zwei P-Schichten hergestellt werden, so daß die aus dem
Kristall durch Zerschneiden gewonnenen Stäbe aufgetrennt werden können, ohne eine P-Schicht zui
zerstören.
Die Lage der P-N-Schiichrten längs eines Stabes
läßt sich leicht dadurch bestimmen, daß man an die beiden Enden des Stabes eine Wechselspannung
von etwa 500 Volt anliegt und' dann den Stab mit einer Benzin- oder Tetrachlor-Kohlenstoff-Suspension
von Barium-Titanat übergießt. Dabei sammelt sich dann wegen der Potentiialdifferenz, die an jeder
P-N-Schiicht entsteht, die Bari.um-T'itanat-Suspensiion
als eine dünne weiße Linie an der Staboberfläche bei jeder P-N-Schrcht.
In Fdg. 7 ist ein Hochfrequenztransistor 34 mit
einem N-P-N-Halbleiter, der mach den oben
beschriebenen Verfahren hergestellt ist, veranschaulicht. Eine erste Drahtelektrode 35, nämlich
eine Emitterelektrode, ist beispielsweise dadurch an den Halbleiterkörper befestigt, daß ein Zinnkontakt
oder Antimonkontakt 36 -mit dem- N-Gebiet 37 verschmolzen ist. Eine zweilte Drahtelektrode 38,
welche die Kollektorelektrode bildet, ist in ähnlicher Weiise mittels eines Zinnkontaktes oder eines
Antimonkontaktes 39 mit dem anderen N-Gebiet 40 verschmolzen, welches an die Kollektor-P-N-Schicht
29 angrenzt. Eine dritte Drahitelektrode4i,
welche die Basiselektrode bildet, ist mit der P-Schicht 28 durch Verwendung einer Akzeptorvesraoreinigung,
z. B. durch -einen aufgeschmolzenen Indiumkontakt 42, verbunden. Die P-Schicht 28 ist
so dünn (vorzugsweise weniger als 0,0025 cm'), daß es normalerweise extrem schwierig ist, die
Elektrode 41 nmr an diese P-Schicht 28 anzuschließen, ohne einen Kurzschluß der P-N-Scbichten
27 und 28 hervorzurufen. Die Benutzung einer Akzeptorveruinreiniigung, nämlich von Indium
als das verbindende. Medium, ermöglicht es, die Verbindung über die ganze Breite vom P-Gebiet 28
in die N-Gebiete 37 und 40 auszudehnen, ohne die Schichten 27 und 28 kurzzuschließen, da eine
gleichrichtende P-N-Schwelle ebenfalls· zwischen
jedem N-Gebiet und· dem Gebiet des Halbleiters, mit welchem das Indium verschmolzen ist, entsteht.
Ein vorzugsweise verwendetes Verfahren zur Herstellung dieser Indiumverbindung besteht darin,
eine kleine Indiumperle auf die P-Schicht 28 aufzusetzen und den Draht 41 in diese Indiumperle einzupressen
oder einzubetten und dann den ganzen Halbleiterkörper für einige Minuten auf eine Temperatur
von etwa 4000 C zu erhitzen, so daß der Draht 41 mit dem Indium und gleichzeitig mit der
Oberfläche des ganzen Halbleiterkörpers verschmilzt und dadurch die Basiselektrode zuverlässig angeschlossen
wird. Der an die Oberfläche angrenzende Teil jedes N-Gebfetes 37 und 40, mit dem das
Indium verschmolzen wird, wird in P-Material umgewandelt, da nämlich das Indium eindiffundiert
und sich eine P-N-Schicht an der Grenze der Eindringtiefe eines solchen Akzeptors bildet. Die Indiumperle
stellt gleichzeitig eine hervorragend gute stromleitende Verbindung zu der P-Schicht 28 dar.
Bei einem bekannten Verfahren zum Betrieb von Hoehf requenztransistoren 34 wird durch eine kleine
Änderung des Hochfrequenzstromes zwischen den Elektroden 41 und 35 bei einer Vorspannung der
Emittorelektrodenschichti 27 in der Durchlaßrichtung
eine viel größere Änderung des Stromes zwischen den Elektroden 41 und 38 hervorgerufen,
wenn die Kollektarschacht 29 in der Sperrichtung vorgespannt ist. Die extrem geringe Dicke der
P-Schicht 28 von weniger als 0,0025 om un'd ebenso
das hohe Verhältnis der negativen zu den positiven Stromträgern auf beiden Seiten:der Schicht 27 stellt
eine hoheEmissdonsfähigkeit der den Kollektor strom
beeinflussenden Elektronen, welche in die P-Schicht 2i8 eindringen, sicher. Die geringe Dicke der
P-Schicht vermindert auch die Phasenverschiebungen durch die Laufzeitefrekte, und der Gradient,
welcher dem allmählichem Übergang der Verunreinigungskonzentration an der P-N-Schicht 29 entspricht,
bewirkt die Entstehung einer Kolilektorelekt roden schicht von hohem Widerstand und niedriger
Kapazität (gewöhnlich weniger als 10 pF), so daß eine hohe Verstärkung entsteht. Transistoren,
welche gemäß Fig. 7 aufgebaut sind, besitzen SfcromverStärkungsfaktoren von über 50 bei den
obengenannten Betriebsbedingungen.
Obwohl eine bestimmte Zusammensetzung der Schmelze und ein bestimmter Verlauf der Änderung
der Wachstuimsgeschwindigkeit für die Herstellung von N-P-N-Halbleitern für Hochfrequenztransistoren
beschrieben worden ist, erkennt man, daß auch andere leicht zu bestimmende Zusammensetzungen
der Schmelze und andere Änderungen der Wachstumsgeschwindigkeit verwendet werden
können und zu Halbleitern mit mehreren P-N-Scbichten
führen können, die für andere Anwendungszwecke bestimmt sind und nahezu jede beliebige
Form annehmen und nahezu jede beliebige Kombination von elektrischen Eigenschaften zeigen
können. So können z. B. P-N-Halbleiter für Hochfrequienzgleichrichter
leicht dadurch hergestellt werden, daß man eine Schmelze 15 verwendet, die
aus etwa 5 mg Antimon und Gallium besteht, und zwar in einem Gewdchtsverhältnds von etwa 30 Teilen
Antimon zu 1 Teil Gallium für je 100 g Ger-
manium und einer mäßigen Geschwindigkeitsänderung von 1,25 cm je Minute beim Durchlaufen der Eigengeschwindigkeit ohne ein Schmelzen
des schon erstarrten· Kristalls und einer im wesentlichen gleichen Amplitude und Dauer der
Geschwindigkeitsabweichung oberhalb und unterhalb der Eigengeschwindigkeit. Bei Benutzung
einer solchen Schmelze und eines solchen Zyklus der Wachetuimsgeschwindigkeit sind sowohl die P-N-Schichten,
welche sich bei zunehmender Wachstunisgeschwindigkeit bilden, als auch die P-N-Schichten,
die sich bei abnehmender Wachstumsgeschwindigkeit bilden, beide für Hochfrequenzgleichrichter
geeignet, da sie eine niedrigere Kapazität besitzen und nur einen geringen Gradienten
der Verunreinigungskonzentration senkrecht zu den Schichten aufweisen sowie ein annähernd gleich
großes Verhältniis der positiven zui den negativen
Stromträgern auf beiden Seiten der Schicht zeigen.
Um noch ein anderes Beispiel zu nennen., sei ausgeführt, daß P-N-Schichthalbleiter für hohe Leistung
und als Niederfrequenzgleichrichter bequem dadurch hergestellt werden können, daß eine Schmelze
15 aus etwa 20 mg Antimon und Gallium in einem Gewichtsiverhältnis von etwa 30 Teilen Antimon zu
ι Teil Gallium für je 100 g Germanium benutzt wird und ein Zyklus der Wachstumsgeschwindigkeit
durchlaufen wird, der einen hohen Wert der Wachstunisgeschwindigkeit oberhalb und einen
niedrigen Wert unterhalb der Eigengeschwindigkeit aufweist und bei dem ein Zuirückschmel'zen in
ein ausgeprägtes N-Gebiet stattfindet, bevor ein längeres langsames Erzeugen eines P-Gebietes erheblich
unterhalb der Eigengeschwindigkeit stattfindet. Darauf folgt eine schnelle Änderung von
dieser P-Wachstuimsgeschwindigkeit zu einer hohen N-Wachstuimsgeschwindigkeit. Bei einer solchen
Schmelze und einem solchen Geschwindigkeitszyklus sind sowohl die P-N-Schicht als die N-P-
Schicht für Hochstromgleichrichter geeignet, da sie einen hohen Verunreinigungsgradienten senkrecht
zur Schicht aufweisen und einen reichlichen Vorrat von positiven und negativen Stromträgern für den
Strom in der Durchlaßrichtung besitzen.
Als Donator kann auch Arsen an Stelle von Antimon
und als Akzeptor auch Indium an Stelle von . Gallium verwendet werden. Man muß nur verlangen,
daß die Donatorveranreinigung und die Akzeptorverunreinigung hinsichtlich des Ab-Scheidungskoeffizienten
mit der Wachstumsgeschwindigkeit verschiedene Steilheit aufweisen und ferner, daß der Donator und Akzeptor in der
Schmelze 15 in einem solchen Verhältnis vorhanden ist, daß die Wachs.tumsgeschwmdigkeit, bei der
sich ein Eigenhalbleiter bildet, zwischen der Geschwindigkeit Null und der Geschwindigkeit liegt,
bei der eine Keimbilldung in der Schmelze beginnt.
Claims (12)
- PATENTANSPRÜCHE:i. Verfahren zuir Herstellung von Halbleitern mit P-N-Schicht und/oder von N-P-N-Transiistoren, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schmelze aus einem Halbleitermaterial, das eine Donatorverunreinigung und eine Akzeptorverunreinigung in kleiner Menge enthält, hergestellt wird, wobei der Akzeptor eine andere Zunahme des Abscheidungskoeffizienten als der Donator zeigt, sodann ein Halbleiterkristall aus dieser Schmelze gezogen wird, wobei die Temperatur der Schmelze beim Wachsen des Kristalls so geändert wird, daß die Wachstumsgeschwindigkeit zwischen einem Wert, bei dem ein P-Halbleiter entsteht, und einem Wert, bei dem ein N-Halbleiter entsteht, verändert wird.
- 2. Verfahren .nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kleinen Verunreinigungsmengen so bemessen sind, daß ein halMeitender Einkristall mit Eigenleitungscharakter bei konstanter Ziehgeschwindigkeit entsteht und jede Verunreinigung eine andere Änderung des Abseheidungskoeffizienten über einen Bereich der Ziehgeschwindigkeit aufweist, welcher die Ziehgeschwindigkeit bei Eigenleitung einschließt, und daß, um die Schmelze gründlich zu verrühren, ein Halbleiterkristall bei Drehung desselben mit mindestens 20 Umdrehungen je Minute gezogen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall aus der Schmelze bei Geschwindigkeiten oberhalb und unterhalb der Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung gezüchtet wird mit einer Änderung der Wachstuimsgeschwindigkeit zwischen 0,125 und 2,5 cm je Minute.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung der Temperatur in einer Erhöhung der Temperatur der Schmelze bis zum erneuten Schmelzen des Kristalls durchgeführt wird und dann die Temperatur abgesenkt wird, so daß der Kristall mit einer Geschwindigkeit unterhalb der Ziehgeschwindigkeit für Eigenleitung wächst.
- 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Germanium mit einer Reinheit entsprechend einem, spezifischen Widerstand über 2 Ohimcm ist und der ganze Veruinreinigungsgehalt zwischen 0,1 und 50a mg je 100 g Germanium beträgt.
- 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Germani'umschmelze mit Antimon und Gallium dotiert wird, wobei das Verhältnis des Antimons zum· Gallium zwischen 20 und 60 Teilen Antimon auf 1 Teil Gallium und der gesamte Antimon-Galruim-Gehalt in der Schmelze zwischen 1 und 100 mg Antimon—Gallium auf je ιoog Germanium -bemessen wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Germaniumschmelze mit iao Antimon und Indium dotiert wird, wobei das Verhältnis des Antimons zum Indium 1 Teil Antimon zu 21,5 bis 5 Teilen Indium, und der gesamte Antimon-Indium<jehalt der Schmelze zwischen 5 und 500 mg Antimon—-Indium auf je 100 g Germanium bemessen wird.709 821/16
- 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Germanium-Einkristall durch Herausziehen eines Impfkristalls aus der Schmelze erzeugt wird und daß der wachsende Kristall mit mehr als 20 Umdrehungen, je Minute umläuft.
- 9. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der Schmelze schnell geändert wird, so· daß die Wachistamsgeschwinidigkeit einen Wert duirclvläuift, bei welchem eigenleitendes Germanium gebildet wird, und zwar mit einer Änderung der Wachstumsgeschwindigkeit von etwa 1,25 cm je Minute.
- 10. Verfahren nach Anspruch 6 zur Herstellung von P-N-Schicht-Halbleitern, welche ein hohes Verhältnis der Stromträger in der Vorwärts- und Rückwärtsrichtung aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichtsverhältnis. von Antimon zu Gallium etwa 50 Teile Antimon auf 1 Teil Gallium und der gesamte AntimonrGalliiurn-Gehalt zwischen 5 und 20 mg Antimon—Gallium je 100 g Germanium bemessen wird und daß der Einkristall mit einer Wachstumsgeschwindigkeit bis zu über 12,5 cm je Stande gezogen wird, dann die Temperatur der Schmelze erhöht wird, bis das Kristallwachistum auesetzt und der Einkristall in das vorher gezüchtete NOermaniium zurückscbmilzt, und sodann die Temperatur erniedrigt wird, SiO daß der Kristall von neuem langsam zu wachsen beginnt.
- 11. Halbleiterkörper, der nach dem Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche ι bis 10 hergestellt ist, aus welchem P-N-Halbleiter geschnitten werden können, gekennzeichnet durch einen Einkrietallhalbleiter, der aus einer Schmelze gezüchtet ist und über seine Länge eine Mehrzahl von N-Gebieten und P-Gebieten enthält, wobei jedes P-Gebiet zwisehen zwei N-Gebieten liegt und mit ihnen zu einem einzigen Körper verbunden ist.
- 12. Halbleiterkörper nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das P-Gebiet eine Dicke von weniger als 0,0025 cm aufweist.In Betracht gezogene Druckschriften:
»Das Elektron«, Bd. 5 (1951/52), S. 432;
USA.-Patentschrift Nr. 2 602 763;
deutsche Patentanmeldungen W 5787 VIIIc/21 g(bekanntgemacht am 2>i.2.1952); 14677VIIIc/21 g (bekanntgemacht am 29. 5. 1952).Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US320111XA | 1952-08-13 | 1952-08-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE967930C true DE967930C (de) | 1957-12-27 |
Family
ID=21862629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG12444A Expired DE967930C (de) | 1952-08-13 | 1953-08-14 | Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE522097A (de) |
CH (1) | CH320111A (de) |
DE (1) | DE967930C (de) |
GB (1) | GB738231A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1040694B (de) * | 1956-08-27 | 1958-10-09 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2998335A (en) * | 1956-02-04 | 1961-08-29 | Telefunken Gmbh | Method and apparatusfor growing single crystals from molten bodies |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2602763A (en) * | 1948-12-29 | 1952-07-08 | Bell Telephone Labor Inc | Preparation of semiconductive materials for translating devices |
-
0
- BE BE522097D patent/BE522097A/xx unknown
-
1953
- 1953-08-11 GB GB22139/53A patent/GB738231A/en not_active Expired
- 1953-08-12 CH CH320111D patent/CH320111A/de unknown
- 1953-08-14 DE DEG12444A patent/DE967930C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2602763A (en) * | 1948-12-29 | 1952-07-08 | Bell Telephone Labor Inc | Preparation of semiconductive materials for translating devices |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1040694B (de) * | 1956-08-27 | 1958-10-09 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE522097A (de) | |
CH320111A (de) | 1957-03-15 |
GB738231A (en) | 1955-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1217348B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium | |
DE1135671B (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall | |
DE2639707C2 (de) | Verfahren zur Steuerung der Sauerstoffkonzentration beim Ziehen von Siliciumkristallen | |
DE1515884C3 (de) | Verfahren zum Abgleich des Wider standswertes eines in monolithischer Technik hergestellten Widerstandes | |
EP1739210A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall | |
DE1223951B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen | |
DE2107149C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines hchtstrahlen abgebenden Mehrschicht Halbleiterbauelementes | |
DE1034772B (de) | Verfahren zum Ziehen von spannungsfreien Einkristallen fast konstanter Aktivatorkonzentration aus einer Halbleiterschmelze | |
DE60008880T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials | |
DE3123234A1 (de) | "verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi" | |
DE1282602B (de) | Verfahren zur Herstellung von eine oder mehrere Hohlkehlen aufweisenden Zwillingskristallen in einer Schmelze | |
DE2005271B2 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
DE2062041B2 (de) | ||
DE2931432A1 (de) | Eindiffundieren von aluminium in einem offenen rohr | |
DE1153540B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus Halbleitermaterial | |
DE967930C (de) | Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1298085B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen hoher Kristallguete durch Zonenschmelzen | |
DE2346399A1 (de) | Verfahren zum zuechten von epitaxialschichten | |
DE1019013B (de) | Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren | |
DE1195420B (de) | Verfahren zur Schwemmzonenbehandlung eines Stabes aus kristallischem Halbleitermaterial | |
DE1519869B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Faserstruktur in einem Koerper aus einer halbleitenden Verbindung | |
DEG0012444MA (de) | ||
DE1544224B2 (de) | Siliziumdiode und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE1137078B (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren stabilen Halbleiterelementen | |
DE2728771A1 (de) | Verfahren zur epitaktischen ablagerung eines halbleitermaterials |