CH320111A - Verfahren zur Herstellung von Körpern mit mindestens einer P-N-Grenzschicht und nach dem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper
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Verfahren zur Herstellung von Körpern mit mindestens einer P-N-Grenzschicht und nach dem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper
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CH320111A
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C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B15/20—Controlling or regulating
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CH320111D1952-08-131953-08-12Verfahren zur Herstellung von Körpern mit mindestens einer P-N-Grenzschicht und nach dem Verfahren hergestellter Halbleiterkörper
CH320111A
(de)
Verfahren zur Herstellung eines aus einer Trägerschicht und mindestens einer Kontaktschicht bestehenden Kontaktes und nach dem Verfahren hergestellter Kontakt.