AT185893B - Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleitern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleitern

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154693B (de) * 1959-03-07 1963-09-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1160105B (de) * 1958-12-18 1963-12-27 Int Standard Electric Corp Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes
DE1521494B1 (de) * 1966-02-25 1970-11-26 Siemens Ag Vorrichtung zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in Halbleiterkoerper

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DE1160105B (de) * 1958-12-18 1963-12-27 Int Standard Electric Corp Diffusionsverfahren zum Herstellen von einer oder mehreren UEbergangsflaechen in einem Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes
DE1154693B (de) * 1959-03-07 1963-09-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
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