CH311394A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung.

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CH311394A
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0022960A1 (de) * 1979-07-05 1981-01-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren zur stapelfehlerinduzierenden Oberflächenzerstörung von Halbleiterscheiben
US5133160A (en) * 1979-07-05 1992-07-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe M.B.H. Process for the removal of specific crystal structures defects from semiconductor discs

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