DE1135671B - Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem HalbleiterkristallInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
W22927VIa/40d
ANMELDETAG: 28. MÄRZ 1952
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 30. AUGUST 1962
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 30. AUGUST 1962
Es ist bekannt, Halbleiterkristalle mit einem pn-Übergang aus einer Schmelze zu erzeugen, die
als Nebenbestandteile im Halbleitermaterial als Akzeptor oder Donator wirkende Verunreinigungen
enthält, indem das Erstarren der Schmelze so gelenkt wird, daß der Grenzbereich zwischen festem und
flüssigem Material bei fortschreitender Erstarrung bis zur Wiedererstarrung des ganzen Körpers verkleinert
wird. Die Nebenbestandteile sind dabei im Halbleitermaterial sowohl in der festen als auch
der flüssigen Phase in einem bestimmten Ausmaß löslich, und ihre Konzentration ist in den aneinandergrenzenden
Phasen bei Gleichgewicht verschieden groß. Beim Erstarren wird zunächst überwiegend
die eine Verunreinigung und dann überwiegend die andere abgeschieden, so daß ein pn-Übergang gebildet
wird.
Die vorliegende Erfindung will den Nachteil des bekannten Verfahrens, daß immer das gesamte
Halbleitermaterial eingeschmolzen werden muß, was hohen Zeitaufwand, Materialverluste, und Verunreinigungen
durch den Tiegel und die Atmosphäre über dem ausgedehnten Schmelzbad bewirkt, vermeiden.
Außerdem sollen steuerbare Konzentrationsänderungen der elektrisch wirksamen Nebenbestandteile
im Halbleiterkristall auf Grund der unterschiedlichen Abscheidungskoeffizienten ermöglicht werden.
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs und/oder eines
Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall durch Einschmelzen einer
Legierung aus Halbleiter-Grundstoff, z. B. Ge oder Si mit elektrisch wirksamen Elementen der III. und
V. Gruppe des Periodischen Systems, die in der Legierung in fester Lösung enthalten sind, wobei
die Erstarrung der Schmelze so gelenkt wird, daß die elektrisch wirksamen Elemente nacheinander
selektiv ausgeschieden werden, so daß das erstarrte Schmelzgut zwei aneinandergrenzende Zonen aufweist,
die entweder mit Akzeptoren oder mit Donatoren unter Bildung eines oder mehrerer pn-Übergänge
und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements angereichert sind. Sie empfiehlt
dazu, daß der Legierungs-Mischkristall nur partiell von einer Stelle aus aufgeschmolzen und danach
in umgekehrter Richtung zur Erstarrung gebracht wird.
Dadurch ergeben sich in wenigstens zwei Bereichen Veränderungen der Konzentration der elektrisch
wirksamen Verunreinigungen auf Grund verschiedener Mechanismen. Die erste Veränderung tritt
an der Stelle des tiefsten Eindringens der Schmelz-
Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs
und/oder eines Gradienten
eines elektrisch wirksamen Elements
in einem Halbleiterkristall
Anmelder:
Western Electric Company Incorporated,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 16. November 1951 (Nr. 256 791)
William Gardner Pfann, Basking Ridge, N. J.
(V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
zone in den Körpern auf. Sie erfolgt stufenweise und kann einen pn-Übergang hervorrufen. Die
zweite Veränderung ergibt sich in dem wiedererstarrten Bereich und erfolgt allmählicher. Sie kann
einen oder mehrere pn-Übergänge hervorrufen, deren Steilheit von stufenartig bis flach eingestellt werden
kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist sehr anpassungsfähig. Durch geeignete Steuerung können die
Konzentrationsgradienten der gelösten Substanz im Enderzeugnis nach Wunsch bestimmt werden. Das
kann in verschiedener Weise erfolgen, z. B. durch Änderung der Größe der Schmelzzone, durch
Änderung der Geschwindigkeit, mit der die Zone in das Material eindringt und sich wieder zurückzieht,
durch Einimpfen fester, flüssiger oder gasförmiger Zusätze oder durch Rühren mit variabler
Geschwindigkeit, wenn die Diffusion der gelösten Substanz in der Schmelze nicht augenblicklich erfolgt.
Es ist bekannt, daß manche Verunreinigungen rascher ausseigern als andere, und es ist gleichfalls
bekannt, daß bei normalen Erstarrungsvorgängen die Konzentration an fester gelöster Substanz zu
Beginn der Erstarrung hoch ist, während bei anderen Substanzen die Konzentration erst gegen Ende des
Erstarrens hohe Werte annimmt; d. h., daß — gemessen an der Durchschnittskonzentration — einige
Systeme aus Lösungsmittel und gelöster Substanz
209 638 322
Gammawerte größer als 1 und einige von kleiner als 1
haben. Wenn das zu behandelnde Material zwei oder mehr Verunreinigungen enthält, ist es somit
möglich, zunächst ein Überwiegen der ersten und später der anderen lediglich durch Änderung des
Volumens herbeizuführen. Gleiche Wirkungen können durch Regelung des Vorrückens der Schmelzzone
oder durch Rühren mit gleichförmiger oder veränderlicher Geschwindigkeit in der Schmelzzone
hervorgebracht werden.
An Hand der Zeichnungen sollen die physikalischen Grundlagen, Einzelheiten und Anwendungen des
Verfahrens nach der Erfindung beschrieben werden.
Fig. 1 ist eine graphische Darstellung eines Fest- und seigert in dem zuletzt erstarrenden Teil des
Werkstücks aus. Wenn das Gelöste dagegen den Schmelzpunkt erhöht, wie in Fig. 2b, dann ist y
größer als 1, und das Gelöste reichert sich im zuerst Erstarrten an. C0 ist in beiden Fällen die mittlere
Konzentration an' Gelöstem im Ausgangsmaterial. Die Konzentration C an Seigerungsstoffen an einem
beliebigen Punkt χ der Fig. 1 läßt sich durch die Gleichung
Q _ Q Π r)-l (1)
ausdrücken, wobei χ den bereits verfestigten Anteil
darstellt.
körpers, der einen normalen Erstarrungsvorgang 15 Die Ableitung dieser Gleichung beruht auf folgenden
Annahmen:
a) die Diffusion im festen Anteil ist vernachlässigbar,
b) die Diffusion im flüssigen Anteil erfolgt schnell,
c) γ ist konstant.
Für Systeme, in denen der y-Wert des Gelösten im Lösungsmittel kleiner als 1 ist, ist der kleinstmögliche
Wert für γ der, der. sich aus dem Diagramm
durchmacht, wobei das gesamte Material geschmolzen ist und lediglich durch Abkühlung des
geschmolzenen Körpers unter dem Schmelzpunkt zum Erstarren kommt und wobei die Abkühlungsgeschwindigkeit so klein ist, daß keine Flüssigkeits-
einschlüsse erfolgen und völlige Diffusion der gelösten Substanz in der flüssigen Phase gewährleistet
ist.
In Fig. 2a und 2b sind unter Mischkristallbildung
erstarrende Zweistoffsysteme dargestellt, wobei Fig.2a 25 der Fig. 2a errechnet. Für Systeme, in denen der
den Normalfall zeigt, wo der Konzentrations- y-Wert größer als 1 ist, stellt der theoretische Wert,
gradient y kleiner als 1 ist, während Fig. 2b ein der sich aus dem Diagramm der Fig. 2b errechnet,
System darstellt, wo y größer als 1 ist. den Maximalwert dar. Diese theoretischen Werte
Fig. 3 zeigt eine Darstellung der Konzentration sind unter der Voraussetzung richtig, daß nur geringe
des im Mischkristall gelösten Stoffes im Verhältnis 30 oder keine Diffusion im festen Zustand erfolgt und
zu dem verfestigten Anteil für Systeme nach Fig. 1, daß die Diffusion im flüssigen Zustand völlig ist.
2a und 2b, wobei die verschiedenen Kurven ver- Eine Diffusion im festen Zustand bzw. ihr Ausschiedene
Werte von γ darstellen. bleiben im flüssigen Zustand bewirkt, daß y sich
Fig. 4a und 4b dienen zur Erläuterung eines Aus- dem Wert 1 nähert. Andere Faktoren, die den
führungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens, 35 y-Wert beeinflussen, indem sie die Diffusion im
bei dem die Schmelzzone von der Oberfläche des
Körpers bis zu einer gewünschten Tiefe geführt wird
und dann in entgegengesetzter Richtung wieder
erstarrt.
Körpers bis zu einer gewünschten Tiefe geführt wird
und dann in entgegengesetzter Richtung wieder
erstarrt.
In Fig. 5a und 5b ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt,
bei dem die Schmelzzone von zwei Festflüssig-Grenzflächen aus normal erstarrt.
Fig. 6a und 6b zeigen ein dem den Fig. 4a und 4b ähnliches Verfahren, bei dem jedoch der Schmelzzone
Legierungskomponenten zugegeben werden.
Fig. 7 zeigt eine Schnittdarstellung einer Anordnung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Fig. 4a, 4b und 6a, 6b.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Körper handelt
es sich um eine unter Mischkristallbildung erstarrende flüssigen Anteil beeinflussen, sind die folgenden:
a) Rühren bewirkt Zunahme der Diffusion im
a) Rühren bewirkt Zunahme der Diffusion im
Legierung, die in einer Richtung, nämlich vom Ende O zum Ende P, mit einer so geringen Geschwindigkeit
erstarren kann, daß ein Einschluß an flüssiger Substanz verhindert und ausreichende Diffusion des
Gelösten im flüssigen Anteil ermöglicht ist. Diese Art des Erstarrens wird als normales Erstarren bezeichnet.
Es findet dabei meistens eine Ausseigerung statt, wodurch das Gelöste an dem einen oder
55 flüssigen Zustand und damit eine Annäherung der wirklichen Werte für y an den theoretischen
Wert des in Frage kommenden Mehrstoffsystems,
b) Bildung von Dendriten bewirkt abnehmende Diffusion im flüssigen Zustand und damit Annäherung
der y-Werte des in Frage kommenden Systems an den Wert 1. Ebenso erhöht ein
schnelleres Fortschreiten der Grenzfläche festflüssig die y-Werte, die kleiner als 1 sind, und
verkleinert die /-Werte, die größer als 1 sind.
c) Augenscheinlich ist die wirksame Diffusionsgeschwindigkeit im flüssigen Anteil um so höher,
je höher der Temperaturabfall von der flüssigen Zone zum festen Anteil ist. Dies wirkt also in
Richtung einer Annäherung der y-Werte des betreffenden Systems an den theoretischen Wert
des Gleichgewichtsdiagramms der Fig. 3.
In Fig. 3 ist der berechnete Anteil in den Mischkristallen gelöster Stoffe gegen den erstarrten Anteil
des Werkstückes aufgetragen, und zwar für einen anderen Ende des Körpers angereichert wird. Wenn 6o Stab, der normaler Erstarrung unterworfen war, wie
das Schaubild der Gleichgewichtsphase nach Fig. 2a in Fig. 1 gezeigt. Für jeden der Parameter A bis H
für das System gilt, dann ist der Konzentrations- werden die Kurven gezeigt, die y-Werten von
gradient y des Gelösten bzw. der Löslichkeits- 5, 3, 2, 0, 9, 0,5, 0,2, 0,1 und 0,01 entsprechen,
koeffizient, d. h. das Verhältnis der Konzentration Die Kurven sind aus der obigen Gleichung (1)
des Gelösten im festen Anteil Cs zu der im flüssigen 65 berechnet. C0, die mittlere Konzentration an die im
Anteil Cl bzw. das Verhältnis der isothermen Werkstoff Gelöstem, wird durch den Wert 1 der
Solidus/Liquidus Abschnitte, kleiner als 1, und das senkrechten Koordinate dargestellt. Die übrigen
Gelöste reichert sich zunächst in der Schmelze an Konzentrationswerte werden (in logarithmischem
5 6
Maßstab) als Bruchteile oder Vielfache von C0 dar- behandelt, daß er eine gleichförmige Konzentration
gestellt. Aus diesen Kurven sind die folgenden Csb an Antimon und Cb an Bor aufweist. Er wird
Schlüsse zu ziehen: dann in Stücke gesägt, und es wird eine Oberflächen-
a) Je größer der absolute Wert von (l-r) ist, »Sicht geschmolzen Fig. 4a zeigt eine Vorderansicht
um so größer sind die durch Steigerung hervo^ s ** oberen rechten Ecke an« solchen Körpers, von
gerufen! Extreme in der Konzeption d. h. ^"Α STsSStaSth £
ÄS^Τΐ,,"ί „b™öifergiÄ Tiefet hergestellt is, Danach
>äß, man die gc-UnterscMed 2w?chen to rnitüLn Konzentration
C0 an gelöster Substanz und dem Kon-
b) ra^SKl^dwi kleinere ,-Werte trationskurve des Antimons verläuft zunächst entschnellerer
Seigerung. Das heißt, daß beim sprechend der ausgezogenen Linie A horizontal auf
Vergleich der Kurvfn für zwei gelöste Sub- 1S dem Spiege der Antimonkonzentration CSÖ im
sässässas
rem γ stets in allen Funkten die steuere Neigung stattfindet (Dieser letztere Teü veriäuft in einer nach
Qj- hat. Für einen solchen Vergleich können die 20 rechts gerichteten Aufwärtskurve, da der 7-Wert von
Kurven senkrecht ohne Änderung des Verlaufs Antimon in Germanium kleiner als 1 ist.) Gleichparallel zu sich selbst verschoben werden, bis sie ζειί^ ^{\d^. Borkonzentration entsprechend der
sich bei irgendeiner gegebenen Konzentration ^strichelten Lime von Cs bis yBCs bei X1, von wo
oder erstarrtem Anteil schneiden, da ja die s* sich abwärts neigt, da der rWert von Bor in
Konzentration logarithmisch aufgetragen ist. 2S Germanium großer als 1 ist
Für y größer als f entspricht kleier U- ^f^ <5Ä"£ £ gtS %£.
langsamer Seigerung mit negativem ^- Nachdem die Schmelzzone bis zu X1 vorgerückt ist
c) Für ,-Werte in der Nähe von 0,1 wächst die ™d die Erstar™g begonnen hat sind die Konzen-
Konzentration ungefähr um den Faktor 8 in 3° ^Janeo ** wiedererstarrten festen Substanz beix^
den ersten 9/in des erstarrten Blocks gleich ysbCsb und ^CjB· Da Ύβ€β großer als
den ersten /10 des erstarrten Blocks. ^ ^ geht dag Germanium bei Xj zum p.Typ
Die weitere Untersuchung der Kurven in Fig. 3 über. Die Konzentrationen an Gelöstem haben den
zeigt, daß der prozentuelle Zuwachs in der Konzen- erläuterten Verlauf und kreuzen sich bei X2, wodurch
tration des Gelösten über den für χ = 0 geltenden 35 an dieser Stelle das Kristallmaterial wieder eine
Wert hinaus in den ersten 9/10 des Blocks verhältnis- η-Leitfähigkeit erlangt. Der Konzentrationsgradient
mäßig belanglos für die γ-Werte ist, solange diese bei X2 wird durch die Größe von Csb, Cb, die Entim
Bereich 0,01 bis etwa 0,2 liegen. Dies ist sehr fernung X1-S und die zugehörigen γ-Werte bewichtig,
da diese Größenordnung gerade die y-Werte stimmt. Das Ergebnis des beschriebenen Verfahrens
gewisser gelöster bedeutsamer Verunreinigungen 40 ist ein npn-Germaniumeinkristall.
darstellt, die gegenwärtig in Germaniumhalbleitern Durch Schmelzen einer dünnen Oberflächenschicht
darstellt, die gegenwärtig in Germaniumhalbleitern Durch Schmelzen einer dünnen Oberflächenschicht
verwendet werden. Beispiele sind die Akzeptoren in der Größenordnung von einigen hundertstel
Indium, Aluminium und Gallium mit y-Werten von Millimetern Dicke können sehr dünne p-Schichten
etwa 0,002, 0,07 und 0,12 und die Donatoren Arsen erzeugt werden. Wenn auch die Änderungen der
und Antimon mit den y-Werten 0,07 und 0,007. 45 Konzentration bei X1 unabhängig von der Menge der
Es ist zu beachten, daß Gleichung (1) zwar auf Schmelze sind, so hängt doch die Dicke der p-Schicht
jedes Teilstück des Körpers, aber nicht auf den von dieser Menge ab. Übergänge wie der bei xi sind
Körper als Ganzen angewendet werden kann, da geeignet für spannungsbegrenzende Vorrichtungen
gemäß dieser Gleichung für γ kleiner als 1 die vom Zener-Typ, in welchen die Grenzspannung in
Konzentration unendlich wird, wenn sich χ dem 50 der Größenordnung von einigen Volt liegt.
Wert 1 nähert. Für jede Legierung tritt an einem Der spitz zulaufende p-Bereich nach Fig. 4b ist
Wert 1 nähert. Für jede Legierung tritt an einem Der spitz zulaufende p-Bereich nach Fig. 4b ist
Punkt des Erstarrungsprozesses eine von zwei besonders geeignet zur Erhöhung der Frequenz-Alternativen
ein: grenze eines npn-Transistors, und zwar durch
a) Die Schmelze erreicht einen eutektischen oder Bildung eines Driftfeldes, welches die Elektronen in
peritektischen Punkt mit dem Auftreten einer 55 Richtung zum Kollektorübergang bei X2 beschleunigt,
zweiten Phase im festen Anteil, oder An Hand der Fig. 5a und 5b soll ein weiteres Aus-
b) wenn das System völlige Löslichkeit im festen führungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens
Zustand hat und darum eine zweite Phase nicht zur Herstellung von eingewachsenen pn-Übergängen
auftreten kann, ändert sich die Zusammen- beschrieben werden. Das Ausgangsmaterial ist ein
Setzung, bis Gleichförmigkeit erreicht ist, was 6o Einkristallstab aus einer Halbleiterlegierung, die zwei
bei χ = 1 eintritt, in dem Augenblick, da der oder mehr die Leitfähigkeit bestimmende Stoffe entletzte
Tropfen erstarrt. hält. Es ist angenommen, daß die Legierung aus
An Hand der Fig. 4a und 4b wird ein Ausführungs- Antimon und Gallium in Germanium besteht. Das
beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens be- Ausgangsmaterial besitzt für beide Stoffe eine im
schrieben, mit dem Umschmelz-pn-Übergänge her- g5 wesentlichen gleichmäßige Verteilung. Der Antimongestellt werden sollen. Eine Germaniumlegierung, die spiegel liegt im Ausgangsstoff höher als der des
Antimon als Donator und Bor als Akzeptor enthält, Galliums. Der Stab, der somit vom η-Typ ist, wird
soll als Beispiel gewählt werden. Der Körper wird· so dann in eine Zonenschmelzvorrichtung gebracht, in
das einen y-Wert größer als 1 hat, und welches sich daher in dem Teil der Schmelzzone anreichern würde,
welcher zuerst kristallisiert. Deshalb ist dieser Teil der Umschmelzzone von der inneren Begrenzung
5 derselben bis zu dem Punkt, wo sich die Kurven A und B schneiden, vom p-Typ. Da von diesem Schnittpunkt
bis zur Außenfläche wieder Antimon vorherrscht, ist der restliche Teil des Kristalls vom
η-Typ. Die Wirkung einer Umschmelzung der
welcher eine Schmelzzone von der Länge L an einer
gewünschten Stelle erzeugt wird. L wird danach
kleiner gemacht, bis die gesamte Schmelzzone wieder
erstarrt ist. Bei diesem Wiedererstarren der Zone von
den Enden aus einwärts verteilen sich die gelösten
Substanzen entsprechend dem Diagramm der Fig. 5b
und bilden vier pn-Übergänge. In Fig. 5b stellt
Kurvet die Konzentration des Antimons im behandelten Material dar, während die gestrichelte
Kurve B die des Galliums darstellt. Die Konzen- io Außenfläche der in Frage stehenden Germaniumtrationen beider gelöster Substanzen sind bei Csb legierung und des Zusatzes einer Pastille, welche und Cgu beiderseits der wiedererstarrten Schmelz- eine p-Typ-Verunreinigung mit einem y-Wert größer zone konstant. Wenn die Schmelzzone schrumpft, hat als 1 und eine η-Typ-Verunreinigung mit einem das zuerst ausgefrorene Material bei e und e\ die y-Wert kleiner als 1 enthielt, besteht also in dem Konzentrationen ysbCsb und yGaCea- Mit fort- 15 Zustandekommen eines npn-Körpers. Dieses Verschreitendem Erstarren überholt die Konzentration fahren hat den zusätzlichen Vorteil gegenüber dem des ausfrierenden Antimons die des Galliums bei d Verfahren gemäß Fig. 4a und 4b, daß eine weiterund dh da γsb kleiner als γGa ist und da beide gehende Steuerung der Leitfähigkeit und der Auskleiner als 1 sind [s. Gleichung (I)], so daß im Mittel- dehnung der p- und η-Bereiche möglich ist. Überdies teil der wiedererstarrten Zone Antimon vorherrscht. 20 können bei einem gegebenen Ausgangsmaterial Das Endergebnis ist ein n-Kristallstab mit den unterschiedliche pn- und npn-Übergänge durch p-Bereichen e — d und βγ — dx und den pn-Über- geeignete Wahl der Zusammensetzung und Menge gangen bei e, d, ίή und eh Wiederum können die der Zusätze gewonnen werden. Gradienten in den Punkten d und J1 einfach durch Während die beschriebenen Ausführungsbeispiele
gewünschten Stelle erzeugt wird. L wird danach
kleiner gemacht, bis die gesamte Schmelzzone wieder
erstarrt ist. Bei diesem Wiedererstarren der Zone von
den Enden aus einwärts verteilen sich die gelösten
Substanzen entsprechend dem Diagramm der Fig. 5b
und bilden vier pn-Übergänge. In Fig. 5b stellt
Kurvet die Konzentration des Antimons im behandelten Material dar, während die gestrichelte
Kurve B die des Galliums darstellt. Die Konzen- io Außenfläche der in Frage stehenden Germaniumtrationen beider gelöster Substanzen sind bei Csb legierung und des Zusatzes einer Pastille, welche und Cgu beiderseits der wiedererstarrten Schmelz- eine p-Typ-Verunreinigung mit einem y-Wert größer zone konstant. Wenn die Schmelzzone schrumpft, hat als 1 und eine η-Typ-Verunreinigung mit einem das zuerst ausgefrorene Material bei e und e\ die y-Wert kleiner als 1 enthielt, besteht also in dem Konzentrationen ysbCsb und yGaCea- Mit fort- 15 Zustandekommen eines npn-Körpers. Dieses Verschreitendem Erstarren überholt die Konzentration fahren hat den zusätzlichen Vorteil gegenüber dem des ausfrierenden Antimons die des Galliums bei d Verfahren gemäß Fig. 4a und 4b, daß eine weiterund dh da γsb kleiner als γGa ist und da beide gehende Steuerung der Leitfähigkeit und der Auskleiner als 1 sind [s. Gleichung (I)], so daß im Mittel- dehnung der p- und η-Bereiche möglich ist. Überdies teil der wiedererstarrten Zone Antimon vorherrscht. 20 können bei einem gegebenen Ausgangsmaterial Das Endergebnis ist ein n-Kristallstab mit den unterschiedliche pn- und npn-Übergänge durch p-Bereichen e — d und βγ — dx und den pn-Über- geeignete Wahl der Zusammensetzung und Menge gangen bei e, d, ίή und eh Wiederum können die der Zusätze gewonnen werden. Gradienten in den Punkten d und J1 einfach durch Während die beschriebenen Ausführungsbeispiele
Änderung der Maximallänge L der Schmelzzone ge- 25 des Verfahrens pn-und npn-Schichten von verhältnissteuert
werden. Die Gradienten bei e und er können mäßig großer Ausdehnung liefern, aus denen zahldurch
Änderung der Verweilzeit gesteuert werden, reiche Halbleitereinrichtungen hergestellt werden
nachdem die Schmelzzone ihr Maximalvolumen können, kann das Verfahren auch dazu benutzt
erreicht hat. werden, um solche Schichten in einzelnen Vor-
Fig. 6a und 6b zeigen Beispiele für Umschmelz- 30 richtungen und örtlich begrenzten Bereichen herzupn-Übergänge,
welche den nach dem Verfahren stellen.
gemäß Fig. 4a und 4b hergestellten pn-Übergängen So kann z. B. ein pn-Hakenkollektor dadurch
ähnlich sind. Nach Fig. 6a und 6b werden jedoch hergestellt werden, daß man eine heiße Elektrodendurch
Zusatz einer Pastille mit einer oder mehreren spitze auf η-Germanium geeigneter Zusammenbedeutsamen
Verunreinigungen die Gradienten ge- 35 Setzung aufsetzt, derart, daß ein örtlicher, mehr oder
ändert und die resultierenden pn-Zonen erzeugt. weniger halbkugelförmiger Bereich um die Spitze
Fig. 6a entspricht Fig. 4a. In dem gewählten Beispiel geschmolzen wird. Beim Wiedererstarren kann um
hat das Ausgangsmaterial eine Antimonkonzentra- die Elektrode ein npn-Gebilde entstehen; gleichzeitig
tion Csb, welche nach Überführung in den schmelz- wird die Elektrode in das Germanium eingebettet,
flüssigen Zustand bewirkt, daß eine Anfangskonzen- 40 Geeignete Spitzen sind solche aus Wolfram, Tantal
tration ysbCsb ausfriert. Wie bei dem Verfahren und die Eisen-Nickel-Legierungen, die unter dem
nach Fig. 4a und 4b wird die Oberfläche des Blocks Handelsnamen Permalloy bekannt sind,
zunächst bis zur angegebenen Tiefe geschmolzen, Andere Verfahren zur Erhitzung und Bildung
und danach wird das Impfmaterial, das die ge- dünner und/oder kleinflächiger pn-Übergänge sind
wünschten bedeutsamen Verunreinigungen enthält, 45 in Form von Elektronen- oder Ionen-Entladungen
zugesetzt. Das Impfmaterial kann auch auf den und Hochfrequenz verfügbar,
festen Kristallblock gelegt werden und während des Kanäle, deren Leitfähigkeitstyp von denen des
Umschmelzens in den Halbleiter eingeschmolzen Halbleiters abweichen, können in der Weise hergewerden.
Es ist zu beachten, daß die Gradienten durch stellt werden, daß man einen geheizten Draht oder
die Wiederverteilung des Gelösten bei Erstarren und 50 eine, elektrische Entladung über die Oberfläche führt,
nicht direkt durch die Zugabe des Impfmaterials Umschmelz-pn-Übergänge können auch zwischen
erzeugt werden. Der Zeitpunkt der Zugabe ist daher zwei verschiedenen Halbleitern gebildet werden,
nicht kritisch. Die Pastille, welche Bor und Antimon Zum Beispiel kann ein Stück p-Germanium in eine
als bedeutsame Verunreinigungen enthält, erzeugt Scheibe aus η-Silizium eingeschmolzen werden, worzusammen
mit dem bereits im Ausgangsmaterial 55 auf man die Schmelze fortschreitend gemäß Fig. 4
vorhandenen Antimon Konzentrationskurven A für bis 6 erstarren läßt.
Bor und B für Antimon, während das im Material Eine gewisse Diffusion des Gelösten im festen
ursprünglich vorhandene Antimon ohne die einge- Zustand kann bei der Bildung von Umschmelzimpften
Verunreinigungen die in Kurve D gezeigte pn-Übergängen nach Fig. 4a, 4b, 5a, 5b, 6a und 6b
Wirkung auf die Konzentration haben würde. Die 60 auftreten. Diese Abweichung bietet ein Mittel zur
Kurve D hat den gleichen Verlauf wie die Kurve A Steuerung des Konzentrationsgradienten von überder
Fig. 4b. Alle drei Kurven für den wieder- schüssigen Ladungsträgern am pn-übergang, da hier
erstarrten Bereich sind normale Erstarrungskurven. im Falle einer Diffusion im festen Zustand die
Da in dem Ausgangsmaterial Antimon vorherrscht, Steilheit des Gradienten verringert werden kann,
bevor die Pastille zugesetzt wurde, ist'das ganze 65 indem man einfach die Schmdzzone für eine längere
Material bis zur Grenze der Schmelzzone vom η-Typ. Zeitspanne in Kontakt mit der festen Substanz hält.
In dem nächsten Abschnitt, d. h. in dem nach dem Fig. 7 zeigt eine Schnittansicht einer Vorrichtung
innen gelegenen Teil der Schmelzzone überwiegt Bor, zur Herstellung von pn-Übergängen nach Fig. 4a
und 4b sowie Fig. 6a und 6b. Die das behandelte Material umgebende Atmosphäre innerhalb des aus
Quarz oder einem anderen geeigneten Material bestehenden Ofenbehälters 29 kann eingestellt werden.
Bei diesem Beispiel ist die Beheizung mittels einer Induktionsspule 30 durchgeführt, an deren Stelle
auch eine Widerstandsspule oder ein Brenner benutzt werden kann. Die Induktionsspule 30 erhitzt das zu
behandelnde Werkstück nicht unmittelbar, sondern erhöht die Temperatur des Erhitzers 31, der aus
Graphit bestehen kann, und der von Haltestäben 32 aus Quarz getragen wird. Diese Quarzstäbe sind in
eine kühlende Unterlage 33 eingelassen, die wieder aus Graphit bestehen kann. Diese kühlende Unterlage
wird durch eingebettete Kühlschlangen gekühlt. Das zu behandelnde Werkstück 34 wird unter den
Erhitzer 31 gelegt. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, eine Quarzscheibe 35 auf und eine zweite Quarzscheibe
36 unter das· Material34 zu legen. Die
Quarzscheiben wirken als Wärmeverteiler, bei deren Verwendung die p- und η-Zonen besonders flach
ausfallen. Die obere Scheibe 35 hält zugleich den Flüssigkeitsspiegel flach und verhindert es, daß die
Oberflächenspannung die Form des Körpers wesentlich verändert. Damit wird die Steuerung der Gleichförmigkeit
der pn-Schichten verbessert.
Wenn der zu behandelnde Kristall aus Germanium mit den Abmessungen von etwa 1 · 1 · 2 cm besteht
und das Umschmelzen einer Schichtdicke von 0,5 mm gewünscht wird, hat sich eine Quarzscheibe 35
von 1,57 mm Dicke als zweckdienlich erwiesen. Die Scheibe sollte nicht so schwer sein, daß sie den
geschmolzenen Teil des Kristalls über den Rand des festen Teils hinausdrängt. Die in dem Ofenbehälter 29
aufrechtzuerhaltende Atmosphäre hängt von dem jeweiligen Zweck ab. Nach der Darstellung wird eine
Wasserstoffatmosphäre benutzt. Der Wasserstoff kann natürlich durch ein anderes indifferentes Gas
ersetzt werden. Wenn das zu behandelnde Material durch Impfung mittels Gas beeinflußt werden soll,
muß natürlich dieses Gas an Stelle von Wasserstoff eingeleitet werden.
Für die Durchführung des Verfahrens gemäß Fig. 5 empfiehlt sich die .Verwendung einer feststehenden
länglichen Graphitform für die Aufnahme des Werkstücks; die Form ist von einer geeignet
bemessenen Induktionsspule, die mit einer Hochfrequenzquelle in Verbindung steht, umgeben. Das
Ganze ist in einem Quarzrohr untergebracht, welches mit Öffnungen für die Einführung und Entnahme von
Wasserstoff oder einem anderen geeigneten Gas ausgestattet ist.
Beispiele elektrisch wirksamer Legierungskomponenten für Halbleiter der IV. Gruppe des Periodischen
Systems, wie z. B. Germanium und Silizium, sind Bor, Gallium, Indium, Thallium und Aluminium,
die der III. Gruppe des Periodischen Systems angehören, und Antimon, Arsen, Wismut und Phosphor
aus der V. Gruppe des Periodischen Systems.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zum Herstellen eines pn-Überganges und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall durch Einschmelzen einer Legierung aus Halbleitergrundstoff, z. B. Ge oder Si mit elektrisch wirksamen Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems, die in der Legierung in fester Lösung enthalten sind, wobei die Erstarrung der Schmelze so gelenkt wird, daß die elektrisch wirksamen Elemente nacheinander selektiv ausgeschieden werden, so daß das erstarrte Schmelzgut zwei aneinandergrenzende Zonen aufweist, die entweder mit Akzeptoren oder mit Donatoren unter Bildung eines oder mehrerer pn-Übergänge und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements angereichert sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Legierungs-Mischkristall nur partiell von einer Stelle aus aufgeschmolzen und danach in umgekehrter Richtung zur Erstarrung gebracht wird.In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 567 970.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 20» 638/522 8.
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