JP3186096B2 - 感光素子アレイの製造方法 - Google Patents
感光素子アレイの製造方法Info
- Publication number
- JP3186096B2 JP3186096B2 JP16918791A JP16918791A JP3186096B2 JP 3186096 B2 JP3186096 B2 JP 3186096B2 JP 16918791 A JP16918791 A JP 16918791A JP 16918791 A JP16918791 A JP 16918791A JP 3186096 B2 JP3186096 B2 JP 3186096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- photosensitive element
- semiconductor layer
- semiconductor substrate
- collection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 23
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 8
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、感光素子アレイにおける
光生成（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）キャリアの分
離に関している。
光生成（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）キャリアの分
離に関している。
【０００２】
【従来技術とその問題点】半導体感光素子アレイは（以
下感光アレイ又は感光素子アレイと呼称する）、紫外
線、可視光線および近赤外線のスペクトルを測定するた
めに、分光光度計およびガスクロマトグラフなどの計器
でしばしば使用される。感光素子が密接して配置されて
アレイを形成し、入射光は、回折格子または同様な分散
装置により波長に関して分散される。波長によるこの分
散の結果、異なる波長範囲を有する光が、アレイの異な
る感光素子に入射する。
下感光アレイ又は感光素子アレイと呼称する）、紫外
線、可視光線および近赤外線のスペクトルを測定するた
めに、分光光度計およびガスクロマトグラフなどの計器
でしばしば使用される。感光素子が密接して配置されて
アレイを形成し、入射光は、回折格子または同様な分散
装置により波長に関して分散される。波長によるこの分
散の結果、異なる波長範囲を有する光が、アレイの異な
る感光素子に入射する。
【０００３】例えば、光は、分析すべき試料を通過し、
その後で、回折格子、プリズムまたは他の波長分散装置
に向けられ、異なる波長の光は、異なる空間方向に分散
される。所望の波長範囲の光が感光アレイにより捕捉さ
れる。分析精度は、主として、波長分散装置や感光アレ
イの空間的分解能により決まる。入射光が、直角の入射
角で感光アレイに当り、特定感光素子を通過する光が、
該感光素子だけで検知されることが理想的である。しか
し、実際には、光子は、９０°以外の角度で感光アレイ
に達することがある。さらに、感光素子は、一般に、均
一にドープ処理された基板に配置される。光が、特定感
光素子に付随する均一にドープされた収集領域に入る
と、光生成キャリアが形成される。光生成キャリアの一
部は、光の通過した感光素子に達するが、光生成キャリ
アは、無作為運動をおこない遠方の感光素子の収集領域
までかなりの距離を拡散することがある。この無作為拡
散により、不要信号を発生してアレイの空間的解像力を
低下させるので、“光学的クロストーク”と呼ばれてい
る。
その後で、回折格子、プリズムまたは他の波長分散装置
に向けられ、異なる波長の光は、異なる空間方向に分散
される。所望の波長範囲の光が感光アレイにより捕捉さ
れる。分析精度は、主として、波長分散装置や感光アレ
イの空間的分解能により決まる。入射光が、直角の入射
角で感光アレイに当り、特定感光素子を通過する光が、
該感光素子だけで検知されることが理想的である。しか
し、実際には、光子は、９０°以外の角度で感光アレイ
に達することがある。さらに、感光素子は、一般に、均
一にドープ処理された基板に配置される。光が、特定感
光素子に付随する均一にドープされた収集領域に入る
と、光生成キャリアが形成される。光生成キャリアの一
部は、光の通過した感光素子に達するが、光生成キャリ
アは、無作為運動をおこない遠方の感光素子の収集領域
までかなりの距離を拡散することがある。この無作為拡
散により、不要信号を発生してアレイの空間的解像力を
低下させるので、“光学的クロストーク”と呼ばれてい
る。
【０００４】１つの収集領域に入る光がキャリヤの光生
成される隣接収集領域に入り込む問題に関して、その発
生する可能性を減らすようにアレイが製造される。例え
ば、感光素子は、制御領域をもたらすために離して配置
され、望ましくない角度で到達する光線が反射され最終
的に吸収されるような導波管として作用する材料によ
り、被われている。
成される隣接収集領域に入り込む問題に関して、その発
生する可能性を減らすようにアレイが製造される。例え
ば、感光素子は、制御領域をもたらすために離して配置
され、望ましくない角度で到達する光線が反射され最終
的に吸収されるような導波管として作用する材料によ
り、被われている。
【０００５】光学的クロストークの問題に関しては、半
導体基板内の深部で発生する光生成キャリヤには、基板
表面近くに作られるキャリヤの場合よりも、より遠い感
光素子への拡散の可能性があるので、長波長光を貫通さ
せる点における問題が重大である。半導体基板の製造に
一般的に使用する材料、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓおよび
Ｇｅなどは低吸収係数であり、光子は、半導体基板の受
光面の下１００ミクロン以上のところに貫通してキャリ
ヤを形成することがある。
導体基板内の深部で発生する光生成キャリヤには、基板
表面近くに作られるキャリヤの場合よりも、より遠い感
光素子への拡散の可能性があるので、長波長光を貫通さ
せる点における問題が重大である。半導体基板の製造に
一般的に使用する材料、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓおよび
Ｇｅなどは低吸収係数であり、光子は、半導体基板の受
光面の下１００ミクロン以上のところに貫通してキャリ
ヤを形成することがある。
【０００６】感光アレイの空間的分解能を向上させるた
めに、光学的クロストークを減少させるための試みが行
われている。本出願書の譲受人に譲渡されＫａｍｉｎｓ
他に与えられた米国特許第４，１６０，９８５号には、
光生成キャリヤを、キャリヤの深さにより、アレイ表面
に向けたりアレイ表面から離れる方向に加速する電界
を、半導体基板内に発生するための埋込層の形成につい
て教示してある。
めに、光学的クロストークを減少させるための試みが行
われている。本出願書の譲受人に譲渡されＫａｍｉｎｓ
他に与えられた米国特許第４，１６０，９８５号には、
光生成キャリヤを、キャリヤの深さにより、アレイ表面
に向けたりアレイ表面から離れる方向に加速する電界
を、半導体基板内に発生するための埋込層の形成につい
て教示してある。
【０００７】
【発明の目的】光線および光生成キャリヤの移動の双方
に関して、収集領域が分離される感光アレイおよびその
製造方法を与えることが本発明の目的である。
に関して、収集領域が分離される感光アレイおよびその
製造方法を与えることが本発明の目的である。
【０００８】
【発明の概要】前記目的は、空間的および光学的クロス
トークに関して、隣接収集領域を分離させるように作用
するところの再結晶領域と収集領域とを伴う半導体基板
を有する感光アレイにより達成された。さらに、望まし
い実施例では、再結晶領域は、第一収集領域から第二収
集領域に、光線を通過させないように作用する。
トークに関して、隣接収集領域を分離させるように作用
するところの再結晶領域と収集領域とを伴う半導体基板
を有する感光アレイにより達成された。さらに、望まし
い実施例では、再結晶領域は、第一収集領域から第二収
集領域に、光線を通過させないように作用する。
【０００９】半導体基板の各収集領域は、動作上感光素
子、一般にフォトダイオードに付随している。収集領域
間の再結晶領域は、半導体基板の第一表面上に、適切な
電子受容体（アクセプタ）または電子供与体（ドナー）
材料の予め定められた厚さの層を配置することにより形
成される。収集領域を分離させるパターンに前記材料を
半導体基板に熱移動させるために、熱勾配帯域溶融法を
用いている。半導体基板内でドーピング材料を高濃度で
維持するように、温度が維持される。これにより、半導
体基板の第一収集領域で生成される光生成キャリヤが、
第二収集領域に移動しないようにさせる構造をもたら
す。濃度は、プロセスの行われる温度における、半導体
基板のドーピング材料の可溶性により決まる。例えば、
１２００Ｋの温度でアルミニウムがケイ素に熱的に駆動
されるときには、濃度は１０19ｃｍ-3に近づく。
子、一般にフォトダイオードに付随している。収集領域
間の再結晶領域は、半導体基板の第一表面上に、適切な
電子受容体（アクセプタ）または電子供与体（ドナー）
材料の予め定められた厚さの層を配置することにより形
成される。収集領域を分離させるパターンに前記材料を
半導体基板に熱移動させるために、熱勾配帯域溶融法を
用いている。半導体基板内でドーピング材料を高濃度で
維持するように、温度が維持される。これにより、半導
体基板の第一収集領域で生成される光生成キャリヤが、
第二収集領域に移動しないようにさせる構造をもたら
す。濃度は、プロセスの行われる温度における、半導体
基板のドーピング材料の可溶性により決まる。例えば、
１２００Ｋの温度でアルミニウムがケイ素に熱的に駆動
されるときには、濃度は１０19ｃｍ-3に近づく。
【００１０】感光アレイは、フォトダイオードの線形ア
レイであることが望ましい。再結晶領域は、一般に半導
体基板全体に及ぶが、光生成キャリヤの分離が目標で電
気的絶縁が目標ではないので、これは高精度の必要はな
い。同様に、半導体基板の収集領域および再結晶領域
は、逆の伝導度タイプである必要はない。というのも、
相対的な伝導度レベルを正しく達成したならば、同じタ
イプの領域で光生成キャリヤ分離をもたらすからであ
る。実際は、異なる伝導度レベルを有する同じタイプの
領域による分離が望ましい。
レイであることが望ましい。再結晶領域は、一般に半導
体基板全体に及ぶが、光生成キャリヤの分離が目標で電
気的絶縁が目標ではないので、これは高精度の必要はな
い。同様に、半導体基板の収集領域および再結晶領域
は、逆の伝導度タイプである必要はない。というのも、
相対的な伝導度レベルを正しく達成したならば、同じタ
イプの領域で光生成キャリヤ分離をもたらすからであ
る。実際は、異なる伝導度レベルを有する同じタイプの
領域による分離が望ましい。
【００１１】望ましい実施例では、紫外線、可視光線お
よび赤外線の範囲に高吸収係数を有するドーピング材料
を選択する。吸収係数は、隣接収集領域間の光子の移動
を妨げる再結晶領域をもたらし、それにより収集領域を
光学的に分離している。適するドーピング材料はアンチ
モンである。
よび赤外線の範囲に高吸収係数を有するドーピング材料
を選択する。吸収係数は、隣接収集領域間の光子の移動
を妨げる再結晶領域をもたらし、それにより収集領域を
光学的に分離している。適するドーピング材料はアンチ
モンである。
【００１２】本発明の利点は、光生成キャリヤの移動を
防止することにより、フォトダイオード・アレイの空間
的分解能を著しく改善することである。さらに、本発明
では、フォトダイオード・アレイの検出可能な波長範囲
を広げている。すでに述べたように、光の波長が増大す
るにつれて光学的クロストークはさらに激しくなる。６
００ｎｍよりも長い波長を有する光では、光子が貫通し
て、半導体表面の受光面の下の数ミクロン以上のところ
にキャリヤを生成する。光生成キャリヤが、上方にある
フォトダイオードではなく、隣接フォトダイオードによ
り収集されるという確率は、キャリヤの生成深さが増え
るにつれて増大する。そのために、分光光度計には、一
般に、高光スペクトル分解能、例えば５ｎｍ以下などに
対して、８００ｎｍの波長限界がある。本発明の収集領
域間の再結晶領域では、検出可能な高スペクトル分解能
波長範囲を、ケイ素で約１０００ｎｍにまで広げる分離
をもたらす。
防止することにより、フォトダイオード・アレイの空間
的分解能を著しく改善することである。さらに、本発明
では、フォトダイオード・アレイの検出可能な波長範囲
を広げている。すでに述べたように、光の波長が増大す
るにつれて光学的クロストークはさらに激しくなる。６
００ｎｍよりも長い波長を有する光では、光子が貫通し
て、半導体表面の受光面の下の数ミクロン以上のところ
にキャリヤを生成する。光生成キャリヤが、上方にある
フォトダイオードではなく、隣接フォトダイオードによ
り収集されるという確率は、キャリヤの生成深さが増え
るにつれて増大する。そのために、分光光度計には、一
般に、高光スペクトル分解能、例えば５ｎｍ以下などに
対して、８００ｎｍの波長限界がある。本発明の収集領
域間の再結晶領域では、検出可能な高スペクトル分解能
波長範囲を、ケイ素で約１０００ｎｍにまで広げる分離
をもたらす。
【００１３】別の利点は、このアレイおよび方法によ
り、さらに高密度なフォトダイオード・アレイが得られ
ることである。光学的クロストークを減少させる先行技
術の方法に関してすでに引用したＫａｍｉｎｓ他の特許
には、４０ミクロン幅、５００ミクロン長および約６０
ミクロンの中心間間隔を有するフォトダイオードが記述
してある。本発明では、５ミクロンのフォトダイオード
間隔が得られる。
り、さらに高密度なフォトダイオード・アレイが得られ
ることである。光学的クロストークを減少させる先行技
術の方法に関してすでに引用したＫａｍｉｎｓ他の特許
には、４０ミクロン幅、５００ミクロン長および約６０
ミクロンの中心間間隔を有するフォトダイオードが記述
してある。本発明では、５ミクロンのフォトダイオード
間隔が得られる。
【００１４】
【発明の実施例】図２に示すように、分光光度計などで
使用するための半導体感光素子アレイ１０には、入射光
子１４を受け入れるために配置されるＳｉ、Ｇｅまたは
ＧａＡｓなどの適切な半導体材料の薄い層である基板１
２が含まれる。基板１２は、抵抗率が約１０オーム−ｃ
ｍになるように、適切なｐ形またはｎ形ドーパントによ
り、軽くまたは中程度にドープ処理されることがある。
アレイ１０には、感光素子１８、２０および２２として
作用する多数の金属または強くドープ処理される帯域を
有する受光面１６がある。基板１２の受光面１６は、Ｓ
ｉＯ2 などの絶縁または不動態化材料の薄い絶縁層２４
により被覆することができる。
使用するための半導体感光素子アレイ１０には、入射光
子１４を受け入れるために配置されるＳｉ、Ｇｅまたは
ＧａＡｓなどの適切な半導体材料の薄い層である基板１
２が含まれる。基板１２は、抵抗率が約１０オーム−ｃ
ｍになるように、適切なｐ形またはｎ形ドーパントによ
り、軽くまたは中程度にドープ処理されることがある。
アレイ１０には、感光素子１８、２０および２２として
作用する多数の金属または強くドープ処理される帯域を
有する受光面１６がある。基板１２の受光面１６は、Ｓ
ｉＯ2 などの絶縁または不動態化材料の薄い絶縁層２４
により被覆することができる。
【００１５】入射光子１４は、薄い絶縁層２４を通り、
（このときに多分２０などの感光素子の１つを通ること
もあり）基板１２に入り込む。光子エネルギーは、２６
などにおいて１つ以上のキャリヤを光生成する。入射光
子１４が感光素子２０またはその非常に近くを通った場
合に、その感光素子により光生成キャリヤ２６の検出さ
れることが理想的である。しかし、光生成キャリヤは無
作為に移動し、キャリヤは、基板１２のかなりの距離を
拡散して、隣接素子の空間電荷領域においても収集され
るので、感光素子１８または２２においても検出され
る。光生成キャリヤ２６の理想的な経路を破線２８で示
し、望ましくない経路を３０および３２で示す。隣接感
光素子１８および２２に移動する光生成キャリヤは、偽
信号をもたらし、アレイ１０の空間的解像力を低下させ
る。したがって、この光学的クロストークをコントロー
ルすることにより、アレイの空間的分解能が改善され
る。
（このときに多分２０などの感光素子の１つを通ること
もあり）基板１２に入り込む。光子エネルギーは、２６
などにおいて１つ以上のキャリヤを光生成する。入射光
子１４が感光素子２０またはその非常に近くを通った場
合に、その感光素子により光生成キャリヤ２６の検出さ
れることが理想的である。しかし、光生成キャリヤは無
作為に移動し、キャリヤは、基板１２のかなりの距離を
拡散して、隣接素子の空間電荷領域においても収集され
るので、感光素子１８または２２においても検出され
る。光生成キャリヤ２６の理想的な経路を破線２８で示
し、望ましくない経路を３０および３２で示す。隣接感
光素子１８および２２に移動する光生成キャリヤは、偽
信号をもたらし、アレイ１０の空間的解像力を低下させ
る。したがって、この光学的クロストークをコントロー
ルすることにより、アレイの空間的分解能が改善され
る。
【００１６】図１に示すように、光学的クロストーク
は、各感光素子の間に再結晶領域３４を設けて制御する
ことができる。再結晶領域は、基板１２を、隔てられた
収集領域３６および３８に分割しているが、各収集領域
は異なる感光素子と動作可能なように関連している。
は、各感光素子の間に再結晶領域３４を設けて制御する
ことができる。再結晶領域は、基板１２を、隔てられた
収集領域３６および３８に分割しているが、各収集領域
は異なる感光素子と動作可能なように関連している。
【００１７】感光アレイの基板１２の再結晶領域３４
は、熱移動現象により作り出される。熱移動のプロセス
については、米国特許第２，７３９，０８８号および第
２，８１３，０４８号のなかでＰｆａｎｎにより記述さ
れており、両特許を参照されたい。手短に言えば、液体
小滴が、熱勾配にさらされる固体に埋め込まれている。
図１では、金属小滴４０が、基板１２の受光面１６上に
被着しているように示されているが、一般に小滴は、熱
勾配の開始前に、基板１２にエッチングされる。課され
る熱勾配の最高温度は、小滴４０の蒸着と反対側の半導
体基板１２の表面４２にある。それにより、基板と小滴
の下部、または前部との界面の温度を、小滴の後部界面
の温度よりも高くしている。液体中へのケイ素基板１２
などの固体の可溶性は温度とともに増大するので、溶解
固体原子の濃度は、冷たい後部界面よりも、小滴の熱い
前部界面の液体中の方が高い。この濃度不均衡により、
液体小滴における溶解固体原子の濃度勾配が生じる。こ
の濃度勾配は、次に、液体小滴の前部から後部界面へ
の、溶解固体原子の流動を引き起こす。拡散流動は、小
滴の熱い界面における基板１２の原子の断え間ない溶解
により供給される。溶解固体原子は、後部界面に継続的
に推積して、小滴は、半導体基板１２の中を順方向に移
動する。
は、熱移動現象により作り出される。熱移動のプロセス
については、米国特許第２，７３９，０８８号および第
２，８１３，０４８号のなかでＰｆａｎｎにより記述さ
れており、両特許を参照されたい。手短に言えば、液体
小滴が、熱勾配にさらされる固体に埋め込まれている。
図１では、金属小滴４０が、基板１２の受光面１６上に
被着しているように示されているが、一般に小滴は、熱
勾配の開始前に、基板１２にエッチングされる。課され
る熱勾配の最高温度は、小滴４０の蒸着と反対側の半導
体基板１２の表面４２にある。それにより、基板と小滴
の下部、または前部との界面の温度を、小滴の後部界面
の温度よりも高くしている。液体中へのケイ素基板１２
などの固体の可溶性は温度とともに増大するので、溶解
固体原子の濃度は、冷たい後部界面よりも、小滴の熱い
前部界面の液体中の方が高い。この濃度不均衡により、
液体小滴における溶解固体原子の濃度勾配が生じる。こ
の濃度勾配は、次に、液体小滴の前部から後部界面へ
の、溶解固体原子の流動を引き起こす。拡散流動は、小
滴の熱い界面における基板１２の原子の断え間ない溶解
により供給される。溶解固体原子は、後部界面に継続的
に推積して、小滴は、半導体基板１２の中を順方向に移
動する。
【００１８】温度勾配は、最低温度が、ドーピング材料
の融点よりも上で、基板１２の融点よりも下になるよう
でなければならないことは当然である。例えば、５００
ミクロンの厚さの基板上に小滴４０を形成するときにア
ルミニウムを使用する場合には、半導体基板１２の後部
即ち受光面１６は、アルミニウムの融解温度以上に加熱
しておかなければならず、前部表面４２は、後部表面よ
りも約２または３℃高い温度に加熱することができる。
アルミニウムの小滴４０は、溶解して半導体基板１２を
通り移動する。小滴が半導体基板を通ったならば、材料
は再結晶して、ドーピング材料の一部は、相対温度にお
けるドーピング材料の可溶性限界にだいたい等しい濃度
で再結晶領域に残存する。
の融点よりも上で、基板１２の融点よりも下になるよう
でなければならないことは当然である。例えば、５００
ミクロンの厚さの基板上に小滴４０を形成するときにア
ルミニウムを使用する場合には、半導体基板１２の後部
即ち受光面１６は、アルミニウムの融解温度以上に加熱
しておかなければならず、前部表面４２は、後部表面よ
りも約２または３℃高い温度に加熱することができる。
アルミニウムの小滴４０は、溶解して半導体基板１２を
通り移動する。小滴が半導体基板を通ったならば、材料
は再結晶して、ドーピング材料の一部は、相対温度にお
けるドーピング材料の可溶性限界にだいたい等しい濃度
で再結晶領域に残存する。
【００１９】液体小滴４０が半導体基板を完全に通過し
たときに、ドーピング材料の一部は、後部表面４２の基
板に存在する。残留材料を、図１の４４として示す。ド
ーピング材料が基板１２を所望の長さまで通過するよう
に、材料の量が選択される。一般に、所望の長さは、基
板の５００ミクロン全体であるが、それは重要なことで
はない。光生成キャリヤ分離は、ドーピング材料をわず
か５０−１００ミクロンの距離だけ熱的に移動させるこ
とにより可能であり、隣接収集領域３６および３８を電
気的に絶縁されないが該領域は光生成キャリヤに関して
分離される。
たときに、ドーピング材料の一部は、後部表面４２の基
板に存在する。残留材料を、図１の４４として示す。ド
ーピング材料が基板１２を所望の長さまで通過するよう
に、材料の量が選択される。一般に、所望の長さは、基
板の５００ミクロン全体であるが、それは重要なことで
はない。光生成キャリヤ分離は、ドーピング材料をわず
か５０−１００ミクロンの距離だけ熱的に移動させるこ
とにより可能であり、隣接収集領域３６および３８を電
気的に絶縁されないが該領域は光生成キャリヤに関して
分離される。
【００２０】ドーピング材料にアルミニウムを選択した
場合、図３に示すように、再結晶領域４６および４８
は、非常に高い濃度の受容体イオンを伴う強くドープ処
理されたｐ++形領域にすることができる。半導体基板５
０は、軽くドープ処理されたｐ- 材料にすることができ
る。半導体基板５０のｐ形ドーピング濃度がｐ＝１０15
ｃｍ-3であり、再結晶領域の濃度がｐ＝１０19ｃｍ-3で
ある場合、室温での再結晶領域と収集領域５２、５４お
よび５６との間の内蔵化学的電位差は、０．２４ｅＶで
あることが分かった。この化学的電位差は、収集領域５
２−５６を分離するための、光生成キャリヤに対する隔
壁（バリア）を形成するように作用する。このようにし
て、中央収集領域５４で生成されるキャリヤは、隣接収
集領域５２および５６に移動しないので、該領域の感光
素子１８および２２により検出されない。
場合、図３に示すように、再結晶領域４６および４８
は、非常に高い濃度の受容体イオンを伴う強くドープ処
理されたｐ++形領域にすることができる。半導体基板５
０は、軽くドープ処理されたｐ- 材料にすることができ
る。半導体基板５０のｐ形ドーピング濃度がｐ＝１０15
ｃｍ-3であり、再結晶領域の濃度がｐ＝１０19ｃｍ-3で
ある場合、室温での再結晶領域と収集領域５２、５４お
よび５６との間の内蔵化学的電位差は、０．２４ｅＶで
あることが分かった。この化学的電位差は、収集領域５
２−５６を分離するための、光生成キャリヤに対する隔
壁（バリア）を形成するように作用する。このようにし
て、中央収集領域５４で生成されるキャリヤは、隣接収
集領域５２および５６に移動しないので、該領域の感光
素子１８および２２により検出されない。
【００２１】再結晶領域４６および４８と同じ伝導度タ
イプを有する収集領域５２−５６の図３の実施例は望ま
しい実施例であるが、逆タイプの領域でも分離をもたら
すことができる。図４の半導体基板５８は、３つの感光
素子７０、７２および７４と動作可能なように接続され
た３つの収集領域６４、６６および６８を含む。図３の
望ましい実施例とは対照的に、収集領域６４−６８で作
り出される光生成キャリヤは、再結晶領域６０−６２に
より引き付けられる。動作中に、特定再結晶領域にキャ
リヤが溜ると、再結晶領域により与えられるエネルギー
隔壁が変化する。その結果、感光アレイの検出信号は、
時間とともに不安定な状態になる。この不安定状態は、
多くのアプリケーションにおいて望ましくない。しか
し、１つの解法は、外部ソースを用いて再結晶領域にバ
イアスを掛けることである。再結晶領域と収集領域との
間をゼロ・バイアスにすれば、この不安定状態を排除で
きるので、再結晶領域内におけるキャリヤ集積の問題を
克服できる。
イプを有する収集領域５２−５６の図３の実施例は望ま
しい実施例であるが、逆タイプの領域でも分離をもたら
すことができる。図４の半導体基板５８は、３つの感光
素子７０、７２および７４と動作可能なように接続され
た３つの収集領域６４、６６および６８を含む。図３の
望ましい実施例とは対照的に、収集領域６４−６８で作
り出される光生成キャリヤは、再結晶領域６０−６２に
より引き付けられる。動作中に、特定再結晶領域にキャ
リヤが溜ると、再結晶領域により与えられるエネルギー
隔壁が変化する。その結果、感光アレイの検出信号は、
時間とともに不安定な状態になる。この不安定状態は、
多くのアプリケーションにおいて望ましくない。しか
し、１つの解法は、外部ソースを用いて再結晶領域にバ
イアスを掛けることである。再結晶領域と収集領域との
間をゼロ・バイアスにすれば、この不安定状態を排除で
きるので、再結晶領域内におけるキャリヤ集積の問題を
克服できる。
【００２２】再び図１を参照する。基板１２の受光面１
６上に置かれる金属４０の小滴は、高吸収係数を有する
金属から成ることが望ましい。アンチモンがその一例で
ある。少なくとも紫外線、可視光線および赤外線の範囲
における高吸収係数は、隣接収集領域３６および３８の
光学的分離をもたらす。すなわち、再結晶領域３４は、
エネルギーが、第一収集領域３６の基板１２に入り、そ
の後で、隣接収集領域３８に移るような角度に向けられ
る光子に対する隔壁として作用する。光学的クロストー
クと同様に、このエネルギーの移行は、不要信号を引き
起こして、感光アレイの空間的分解能を低下させる。再
結晶領域３４によりもたらされる光学的分離により、感
光素子はお互いにさらに密着するように移動することが
でき、それによりアレイの空間的分解能がさらに向上す
る。
６上に置かれる金属４０の小滴は、高吸収係数を有する
金属から成ることが望ましい。アンチモンがその一例で
ある。少なくとも紫外線、可視光線および赤外線の範囲
における高吸収係数は、隣接収集領域３６および３８の
光学的分離をもたらす。すなわち、再結晶領域３４は、
エネルギーが、第一収集領域３６の基板１２に入り、そ
の後で、隣接収集領域３８に移るような角度に向けられ
る光子に対する隔壁として作用する。光学的クロストー
クと同様に、このエネルギーの移行は、不要信号を引き
起こして、感光アレイの空間的分解能を低下させる。再
結晶領域３４によりもたらされる光学的分離により、感
光素子はお互いにさらに密着するように移動することが
でき、それによりアレイの空間的分解能がさらに向上す
る。
【００２３】これまでに述べてきた実施例の他に、キャ
リヤ移動に対して隔壁として作用する所望の電位差を達
成するために、相対伝導度レベルまたはタイプ対の他の
構成を用いることができる。しかし、図３に示すような
望ましい実施例には、収集および再結晶領域について、
異なる伝導度レベルの、同じ伝導度タイプを用いてい
る。
リヤ移動に対して隔壁として作用する所望の電位差を達
成するために、相対伝導度レベルまたはタイプ対の他の
構成を用いることができる。しかし、図３に示すような
望ましい実施例には、収集および再結晶領域について、
異なる伝導度レベルの、同じ伝導度タイプを用いてい
る。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本願発明で用いる
再結晶領域によって、感光素子アレイにおける光生成キ
ャリヤの隣接感光素子への移動が阻止される。また該再
結晶領域は紫外線から赤外線に渉る光の吸収を大きくす
ることもできるので、射光のクロストークも減らされ
る。従って、感光素子アレイの素子間隔を短縮しかつ高
分解能を維持することができる。
再結晶領域によって、感光素子アレイにおける光生成キ
ャリヤの隣接感光素子への移動が阻止される。また該再
結晶領域は紫外線から赤外線に渉る光の吸収を大きくす
ることもできるので、射光のクロストークも減らされ
る。従って、感光素子アレイの素子間隔を短縮しかつ高
分解能を維持することができる。
図１は本発明の一実施例における熱移動を示す側断面図
である。 図２は光学的クロストークを説明するためのフォトダイ
オード・アレイの側面図である。 図３は相異なる電気伝導度レベルの半導体材料のドーピ
ングを説明するための本発明の一実施例の側断面図であ
る。 図４は相異なる伝導度タイプの半導体材料のドーピング
を説明するための本発明の一実施例の側断面図である。
である。 図２は光学的クロストークを説明するためのフォトダイ
オード・アレイの側面図である。 図３は相異なる電気伝導度レベルの半導体材料のドーピ
ングを説明するための本発明の一実施例の側断面図であ
る。 図４は相異なる伝導度タイプの半導体材料のドーピング
を説明するための本発明の一実施例の側断面図である。
１０：感光素子アレイ １２，５０，５８：半導体基板（基板と略称する） １４：入射光子 １６：受光面 １８，２０，２２，７０，７２，７４：感光素子 ２４：絶縁層 ２６：光生成キャリヤ ２８：理想的な経路 ３０，３２：望ましくない経路 ３４，４６，４８，６０，６２：再結晶領域 ３６，３８，５２，５４，５６，６４，６６，６８：収
集領域 ４０：金属小滴 ４２：最高温度面 ４４：残留材料
集領域 ４０：金属小滴 ４２：最高温度面 ４４：残留材料
フロントページの続き (73)特許権者 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎ ｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジョン・モル アメリカ合衆国カリフォルニア州パロ・ アルト，オールド・トレース・ロード 4111 (56)参考文献 特開 昭61−114546（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−114572（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232959（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−273364（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 31/10
Claims (4)
- 【請求項１】光学画像アレーを生成する感光素子アレー
の製造方法であって、以下（ａ）及び（ｂ）のステップ
を含むことを特徴とする方法、 （ａ）均一な伝導度タイプ及び均一な不純物濃度を有す
るように不純物をドープした半導体基板であって、第１
の伝導度タイプ及び第１の伝導度レベルを有する該半導
体基板の第１の表面上に空間的に分離した感光素子アレ
ーを形成するステップ、及び （ｂ）前記半導体基板内の前記感光素子下に再結晶領域
により画定される収集領域を形成するための、以下の
（イ）及び（ロ）のサブステップを含むステップ： （イ）前記第１の表面上の近接する前記感光素子間に金
属を堆積するサブステップ、及び （ロ）前記半導体基板内に、熱勾配帯域溶融法によって
前記金属を堆積した部分の前記第１の表面から前記半導
体基板の厚さより小さい深さだけ下方に向かって延びる
浅い再結晶領域を形成し、該深さは、前記再結晶領域が
１つの前記収集領域から近接する前記収集領域への光生
成キャリアの移動をほぼ阻止するように選ばれるサブス
テップ。 - 【請求項２】感光素子アレーの製造方法であって、以下
（ａ）から（ｄ）のステップを含むことを特徴とする方
法、 （ａ）均一な伝導度タイプ及び均一な不純物濃度を有す
るように不純物をドープすることにより第１の伝導度タ
イプ及び第１の伝導度レベルを有する半導体層を用意す
るステップ、 （ｂ）前記半導体層の第１の表面上に感光素子アレーを
形成するステップ、 （ｃ）前記第１の表面上の個々の感光素子間に金属の小
滴を堆積するステップ、及び （ｄ）前記小滴を、前記半導体層の下方に熱移動するこ
とによって前記感光素子間に、深さが前記半導体層より
浅い再結晶領域を形成し前記再結晶領域により前記感光
素子下に収集領域を画定するステップとを備え、 前記再結晶領域により １０００ｎｍまでの波長を有する
電磁エネルギーによって形成される光生成キャリアを前
記光生成キャリアが生成された前記収集領域内に制限す
るように前記半導体層の厚さと前記再結晶領域の深さと
を選択したことを特徴とする感光素子アレーの製造方
法。 - 【請求項３】光学画像アレーを生成する感光素子アレー
の製造方法であって、以下（ａ）及び（ｂ）のステップ
を含むことを特徴とする方法、 （ａ）均一な伝導度タイプ及び均一な不純物濃度を有す
るように不純物をドープした半導体基板であって、第１
の伝導度タイプ及び第１の伝導度レベルを有する該半導
体基板の第１の表面上に空間的に分離した感光素子アレ
ーを形成するステップ、及び （ｂ）前記半導体基板内の前記感光素子下に再結晶領域
で画定される収集領域を形成するための、以下の（イ）
及び（ロ）のサブステップを含むステップ： （イ）前記第１の表面上の近接する感光素子間に金属を
堆積するサブステップ、及び （ロ）前記半導体基板内に、熱勾配帯域溶融法によって
前記第１の表面の前記金属を堆積した部分から下方に向
かって前記半導体基板の厚さ全体に渡って延びる前記再
結晶領域を形成し、前記再結晶領域が１つの前記収集領
域から近接する前記収集領域へ光生成キャリアの移動を
阻止する深さとするサブステップ。 - 【請求項４】感光素子アレーの製造方法であって、 （ａ）均一な伝導度タイプ及び均一な不純物濃度を有す
るように不純物をドープした半導体層であって、第１の
伝導度タイプ及び第１の伝導度レベルを有する該半導体
層を用意するステップ、 （ｂ）前記半導体層の第１の表面上に感光素子アレーを
形成するステップ、 （ｃ）前記第１の表面上の個々の感光素子間に金属の小
滴を堆積するステップ、及び （ｄ）前記小滴を、前記半導体層の下方に熱移動するこ
とによって前記感光素子間に再結晶領域を形成し、前記
再結晶領域は前記半導体層の厚さ全体に渡って延びて前
記感光素子下に収集領域を画定するステップとを備え、 前記再結晶領域により １０００ｎｍまでの波長を有する
電磁エネルギーによって形成される光生成キャリアを前
記光生成キャリアが生成された領域内に制限するように
前記半導体層の厚さと前記再結晶領域の深さとを選択し
たことを特徴とする感光素子アレーの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53830790A | 1990-06-14 | 1990-06-14 | |
| US538,307 | 1990-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230073A JPH04230073A (ja) | 1992-08-19 |
| JP3186096B2 true JP3186096B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=24146360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16918791A Expired - Fee Related JP3186096B2 (ja) | 1990-06-14 | 1991-06-14 | 感光素子アレイの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5480811A (ja) |
| JP (1) | JP3186096B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413805B1 (en) | 1993-03-12 | 2002-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device forming method |
| TW264575B (ja) * | 1993-10-29 | 1995-12-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| US5923962A (en) * | 1993-10-29 | 1999-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| CN1156918C (zh) | 1993-12-02 | 2004-07-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| US6798023B1 (en) * | 1993-12-02 | 2004-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising first insulating film, second insulating film comprising organic resin on the first insulating film, and pixel electrode over the second insulating film |
| KR100319332B1 (ko) * | 1993-12-22 | 2002-04-22 | 야마자끼 순페이 | 반도체장치및전자광학장치 |
| JP3645379B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3645378B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5985740A (en) | 1996-01-19 | 1999-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst |
| JP3729955B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6478263B1 (en) * | 1997-01-17 | 2002-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP3645380B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置 |
| US5888858A (en) | 1996-01-20 | 1999-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6180439B1 (en) | 1996-01-26 | 2001-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
| US7056381B1 (en) | 1996-01-26 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of semiconductor device |
| US6465287B1 (en) | 1996-01-27 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization |
| US6100562A (en) | 1996-03-17 | 2000-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6544811B2 (en) * | 2001-01-19 | 2003-04-08 | Georgia Tech Research Corporation | Micromachined device having electrically isolated components and a method for making the same |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL168491B (ja) * | 1951-11-16 | Roussel-Uclaf, Societe Anonyme Te Parijs. | ||
| US2813048A (en) * | 1954-06-24 | 1957-11-12 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature gradient zone-melting |
| US4078243A (en) * | 1975-12-12 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Phototransistor array having uniform current response and method of manufacture |
| FR2408914A1 (fr) * | 1977-11-14 | 1979-06-08 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur monolithique comprenant deux transistors complementaires et son procede de fabrication |
| US4173496A (en) * | 1978-05-30 | 1979-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated solar cell array |
| US4686761A (en) * | 1985-03-21 | 1987-08-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of fabrication of low crosstalk photodiode array |
| JPH0682817B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1994-10-19 | 松下電器産業株式会社 | イメ−ジセンサ |
| JPH0644618B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1994-06-08 | 日産自動車株式会社 | 半導体受光装置 |
| JPS63161665A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US4879470A (en) * | 1987-01-16 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means |
| JPH01205475A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子の製造方法 |
| JP2800827B2 (ja) * | 1988-02-12 | 1998-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JPH01214174A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 高分解能赤外線センサー |
| US5189297A (en) * | 1988-08-29 | 1993-02-23 | Santa Barbara Research Center | Planar double-layer heterojunction HgCdTe photodiodes and methods for fabricating same |
| JPH0271567A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Toshiba Corp | 半導体受光装置の製造方法 |
| US5252857A (en) * | 1991-08-05 | 1993-10-12 | International Business Machines Corporation | Stacked DCA memory chips |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP16918791A patent/JP3186096B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-30 US US07/876,663 patent/US5480811A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5480811A (en) | 1996-01-02 |
| JPH04230073A (ja) | 1992-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3186096B2 (ja) | 感光素子アレイの製造方法 | |
| US4876586A (en) | Grooved Schottky barrier photodiode for infrared sensing | |
| US6489616B2 (en) | Doped, organic carbon-containing sensor for infrared detection and a process for the preparation thereof | |
| JP2744367B2 (ja) | 複数波長応答性赤外線検出装置 | |
| Sclar | Extrinsic silicon detectors for 3–5 and 8–14 μm | |
| US8907440B2 (en) | High speed backside illuminated, front side contact photodiode array | |
| US4586069A (en) | Opto-electrical device made of silicon for detecting infrared light | |
| US5030828A (en) | Recessed element photosensitive detector array with optical isolation | |
| EP2162924B1 (en) | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof | |
| US4791467A (en) | Heterojunction HgCdTe photovoltaic detector and its production process | |
| JP2642286B2 (ja) | 少数キャリアをトラップする組成勾配および凹所を設けたコンタクトを含む光感応性装置およびその製造方法 | |
| US4170490A (en) | Process for thermal gradient zone melting utilizing a beveled wafer edge | |
| EP1852920B1 (en) | Method of treating polycrystalline lead selenide infrared detectors | |
| RU2340981C1 (ru) | Способ изготовления матричного фотоприемника | |
| US6130431A (en) | Monolithic pattern-sensitive detector | |
| US4652901A (en) | Infrared sensitive silicon substrate with integrated electronic processing devices and method for producing same | |
| US4596605A (en) | Fabrication process of static induction transistor and solid-state image sensor device | |
| US4416051A (en) | Restoration of high infrared sensitivity in extrinsic silicon detectors | |
| US20030071221A1 (en) | Planar geometry buried junction infrared detector and focal plane array | |
| US5462882A (en) | Masked radiant anneal diffusion method | |
| Nissim et al. | cw laser assisted diffusion and activation of tin in GaAs from a SnO2/SiO2 source | |
| Bahir et al. | Planar p-on-n HgCdTe heterostructure infrared photodiodes | |
| US5846850A (en) | Double sided interdiffusion process and structure for a double layer heterojunction focal plane array | |
| US3511722A (en) | Method of making a nuclear particle detector | |
| US4502203A (en) | Method for fabricating semiconductor photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |