DE3123234A1 - "verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi" - Google Patents

"verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi"

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Description

  • Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs
  • in einem Halbleltermaterial der Gruppe II-VI Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI, welches Zn enthält.
  • Es ist bekannt, daß Halbleitermaterialien der Gruppe II-VI, wie z. B. ZnS und ZnSe einen verhältnismäßig großen Bandabstand haben. Wenn es möglich wäre, einen pn-Übergang in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI auszubilden, ließen sich Halbleiterelemente mit neuen Funktionen und insbesondere lichtemittierentle Dioden herstellen, bei denen tlie Spitzenintensität der Lichtemission in einem Spektralbereich wesentlich kürzerer Wellen länge, z. Pos. im blaugrünen oder blauvioletten Wellenaangenbereich liegt. Damit wäre man in der Lage, lichtemittierende Dioden her-.zus teilen zustellen, welche eine Lichtemission mit Wellenlängen zulassen, die kürzer als 5500 A sind.
  • Es ist bekannt, daß die Halbleitermaterialien der Gruppe II-VI und insbesondere die Materialien ZnS sowie ZnSe :zur Herstellung von Halbleiterkristallen mit einer n-Leitfähigkeit gut geeignet sind.
  • Jedoch war es bisher nicht möglich, stabile p-leiten.de Halbleiterkristalle zu erhalten.
  • Der Bandabstand und die l,eitfähigkeit von gegenwärtig verfügbaren Materialien der Gruppe II-VI sind in der nachfolgenden Tabelle aufgeführt.
  • Tabelle 1
    ZnS ZnSe | ZnTe e CdS | CdSe | CdTe
    Leitfähigkeit n n p n ( n
    P
    Bandabstand 3.6 2.8 2.2 2.5 1.74 1. 5
    Halbleiterkristalle mit einer n-Leitfähigkeit und einem verhälinismäßig niederen Widerstand sind leicht herzustellen. Sie bilden sich nahezu spontan während des Herstellungsverfahrens oder können durch Dotierung mit Elementen der Gruppe III bzw. Gruppe VII erhalten werden, die als n-leitende Störstellen dienen. Bisher war es.
  • jedoch unmöglich, stabile p-leitende Halbleiterkristalle durch Dotieren mit Störstellen unter Verwendung bisher bekannter Dotierungstechniken zu erhalten. Selbst wenn mit Akzeptorstörstellen dotiert wurde, und insbesondere wenn eine Störstellendotierung während dcs 7,üclltens Züchtens des Kristalls aus der Flüssigphase vorgenommen wurde, uìn eine p Leitfähigkeit zu schaffen, ergab sich entweder ein Kristall, der nach wie vo#r n-leitend war, oder einen sehr hohen im Bereich von Isolatoren liegenden Widerstand hatte. Dasselbe traf auch zu bei der Dotierung mit Akzeptorstörstellen unter Verwendung einer Diffusionsmethode, oder wenn eine Leitfähigkeitsumwandlung mit Hilfe eines Legierungsverfahrens erreicht werden sollte; Somit ergab sich .kein Weg pn-leitende Halbleiterbereiche praktisch nutzbar herzustellen, und insbesondere war es nicht mögich gute pn-Übergänge zu schaffen.
  • Der Grund für diese Erscheinung ergibt sich aus der Tatsache, daß sich beim Dotieren mit Akzeptorstörstellen im Halbleiterkristall De@ekte ausbilden, die die Funktion yon Donnatoren haben, und daher zusammen init den eingeleiteten Akzeptorstörstellen dem natürlichen Trend der Ausbildung eines stabilen thermodynamischen Zustandes folgen, womit die Akzeptorträger kompensiert werden. Diese Erscheinung wird auch als Selbstkompensation bezeichnet. Die Defekte, welche sich innerhalb des Kristalls mit der Funktion von Donatoren ausbilden, bestehen z.B. aus Se-Leerstellen, die infolge des Austretens.von Se-Atomen aus dem Kristall entstehen. Dieses Austreten von Se-Atomen aus einem ZnSe-Halbleiter ergib#t sich aufgrund des höheren Dampfdruckes der Se-Atome verglichen mit dem Dampfdruck der Zn-Atorne. Die entstehenden Defekte umfassen auch Komplexe aus Se-Leerstellen und dotierten Störstellen. Auch diese Defekte wirken wie Donatoren.
  • Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zur Herstellung eines .pn-Übergangs zu schaffen, welcher verhältnismäßig leicht herstellbar ist und die Eigenschaften der Elemente aus der Gruppe II Gruppe II - VI ausnutzt. Dabei soll zunächst ein n#-leitender Halbleiter mit verhältnismäßig niederem Widerstand geschaffen werden, welcher durch eine Nachbehandlung zumindest bereichsweise p-leitend gemacht werden kann, um- einen stabilen pn-Übergang zu schaffen; Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Hall leiterkristall aus Elementen der Gruppe II-VI aus der Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdifferenzverfahrens gezüchtet wird, und daß der Kristall anschließend einer thermischen T.ellansllung in einer Zn-Atmosphäre unterzogen wird.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren Ansprüchen.
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert. -Wie bereits erwähnt, haben in Halbleitermaterialien der Gruppe II-VI wie ZnS, ZnSe und CdS die Elemente der Gruppe VI einen höher#en Dampfdruck als die Elemente der Gruppe II. Daher treten sowohl beim Wachstum des Stibstratkristalls als auch bei anderen therr##i -sehen Wärmebehandlungen die Elemente der Gruppe VI leichter aus dem gewachsenen Kristall aus und verursachen die Abweichung von der Stöchiometrie. Die sich daraus e#rgebenden Defekte, wie z..B.
  • Leerstellen, welche Gitterpunkte repräsentieren, die zuvor.mit Elementen der Gruppe VI besetzt waren, wirken als Donatoren, wodurch ein derartiger Kristall immer die Tendenz hat n-leitend.
  • zu werden. Diese Abweichung von der Stöchiometrie ergibt sich beim Wachstum des Kristalls um so häufiger, je höher die Temperatur der Wärmebehandlung ist. Daraus leitet sich ab, daß das Verfahren Verfahren zur Herstellung des Substratkristalls extrem wichtig ist, wenn ein solcher Kristall das Ausgangsprodukt.bei der Her-Stelillllg VOII Halbleiterelementen sein soll.
  • Ilerkönunliche Verfahren zur Merstellung von Subs tratkr istallen aus ZnSe arbeiten mit einer hohen Temperatur von.etwa 1500°cm z B. nach dem Bridgeman' schen Verfahren. - Auch Verfahren, bei denen in der Datnpfphase gearbeitet wird, erfordern hohe Tempe#-raturen in der Größenordnung von 1000 C und-darüber. Diese bekannten Verfahren führen für den hergestellten Kristall zu einer starken Abweichung von der Stöchiometrie. Je mehr Elemente der Gruppe VI, z. B. Se-Atome, aus dem Kristall austreten, um so stärker n-leitend wird der Kristall. Bei einer starken Abweichung von der Stöchiometrie verbinden sich die Leerstellen verhältnisinäßig leicht mit Reststörstellen, die innerhalb des Kristalls vor#handen sind, oder mit Störstellen, welche später in den Kristall bei nachfolgenden Bearbeitungsschritten eingeführt werden. Aus diesem Grund ist der Anteil der Leerstellen schwer zu kontrollieren, so daß das Vorhandensein solcher Leerstellen bei der späteren Ausbildung eines pn-Übergahgs lästig ist. Aus diesem Grund ist es äußerst wünschenswert, ein Substratkristall bei der niedrigst möglichen Temperatur herzustellen. Aus diesem Grund sollte ein Substratkristall, der zur Herstellung von Halbleiterelementen mit einem pn-Übergang benutzt wird und aus einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI besteht, nach einem Knstallziehverfahren aus der Flüssigphase unter Verwendung des Temp eraturdifferen zverfahrens herstellbar sein. Ein der -artiges Verfahren wird in einer parallelen Anmeldung vorgeschlagen. Dabei erhält man aus dem Halbleitermaterial ZnSe einen als Halbleitersubstrat besonders geeigneten Kristall, der nur geringe geringe Abweichungen von der Stöchiometrie hat und bei erhält nismäßig niederen Temperaturen in der Größenordnung von etwa 9500C bis 1000 0C oder darunter herstellbar ist.
  • Das erwähnte Kristallziehverfahren ist nicht nur für ZnSe-Kristalle sondern auch für das Ziehen von Kristallen aus CdS, CdSe und ZnS geeignet, wobei üblicherweise nur n-leitende Kristalle entstehen, wie aus Tabelle 1 hervorgeht. Das Kristallziehverfahren ist ferner dazu geeignet, einen ZnSe-Kristall herzustellen, der etwa 1% oder weniger Te enthält. Ferner ist das Verfahren auch zur He#rstellung von Mischkristallen geeignet.
  • Nachfolgend wird die Erfindung im Detail beschrieben,.wobei als Ausgangsmaterial ein Halbleitermaterial der Gruppe II-VI, u. z.
  • ZnSe Verwendung findet.
  • Unter Benutzung eines Niedertemperatur-Kristaliziehverfahrebs aus der Flüssigphase bei gleichzeitiger Verwendung der Temperaturdifferenzmethode erhält man einen ZnSe-Kristall mit einer extretn starken Reduzierung der Abweichung von der Stöchiometrie. Um den gesamten Bereich oder einen Teil des Bereichs dieses ZnSe-Kristalls n-leitend zu machen, wird keine Störstellendötierung benötigt, vielmehr ergibt sich diese durch das bereits voraus stehend genannte Herstellungsverfahren. Anschließend wird der Kristall einer thermischen Behandlung bei einer ausreichend unterhalb der Kristall ziehtemperatur liegenden Temperatur in einer Zn-Atmosphäre oder in einer geschmolzenen Zn-Lösung unterzogen. Dadurch erhält man eine gezielte Abweichung von der Stöchiometrie mit einer entsprechenden Verringerung der Se-Atome im Kristall, was dazu dient den Kristall n-leitend zu machen.
  • Bei Bei diesem Verfahren werden keine Donator-Störstellen eingeleitet, so daß der Widerstand des n-leitenden Kristalls nur von dem Anteil der erzeugten Se-Leerstellen bestimmt wird. Man kann also den Widerstand des Kristalls sowohl durch die Zeitdauer als auch.durch die Höhe der Temperatureinwirkung in der Zn-Atmosphäre einstellen.' Auf diese Weise wird ein ZnSe-Kristall in einer atomaren Zn-Atmosphäre zu einem n-leitenden Kristall gemacht, der eine Trägerdichte in der Größenordnung von etwa 1 cm oder darunter hat.
  • In diesem Verfahrens zustand ist der gesamte Kristall n-leitend und kann als Ifali'leitersubstrat Verwendung finden. Anschließend werden Akzeptorstörstellen in das Substrat eindiffundiert, um die Leitfähigkeit zu ändern und aus dem Kristall zumindest 'bereichsweise einen p-leitenden Kristall zu machen, so daß ein pn-Übergang entsteht. Alternativ dazu kann eine p-leitende und mit Akzeptorstör#-stellen dotierte Halbleiterschicht auf dem Substrat mit Hilfe eines epitaxialen Verfahrens aus der Flüssigphase aufgewachsen werden, wodurch man ebenfalls einen pn-Übergang -erhält. Ein Verfahren, mit welchem man nur einen p-leitenden Halbleiterbereich erhält, wird nachfolgend beschrieben.
  • Da man mit den Maßnahmen der Erfindung einen n-leitenden Halbleiterbereich ohne das Dotieren mit Donatorstörstellen erhalten kann, ergeben sich bei der Herstellung eines pn-Übergangs folgende Vorteile.
  • 17 3 Da eine Menge von 10 cm Donatorstörstellen nur eine sehr ge-.ringe Menge darstellt, ist es sehr schwierig, wenn eine solche Menge an Dönatorstörstellen kontrolliert eingeleitet werden soll.
  • Bei Bei dem vorliegenden Verfahren gemäß der Erfindung wird jedoch eine Dotierung mit#Donatorstörstellen nicht verwendet, vielmehr kann man die Steuerung der Trägerkonzentration verhältnismäßig einfach erreichen, da dieser Teil des Verfahrens nur von der thermischen Behandlung abhängt. Bei dem bekannten Verfahren zur Einstellung der Trägerkonzentration für eine n-Leitung mit Hilfe der Dotierung von Störstellen, ergeben sich nicht nur technische Schwierigkeiten bei der Durchführung der Dotierung, vielmehr muß auch besondere Sorgfalt angewandt werden, um den Anteil der Se-Leerstellen immer ausreichend unterhalb der Trägerkonzentration aufgrund der verwendeten Störstellen zu halten; Mit dem bekannten Kristallziehverfahren ist es sehr schwierig, die Se-Leerstellen unterhalb einem bestimmten bereits erwähnten Niveauwert zu halten. Im Gegensatz dazu braucht bei dem Verfahren gemäß der Erfindung der Anteil der Störstellen nicht weiter in Betracht gezogen werden. Außerdem ergibt sich der Vorteil, daß sich kaum komplizierte Phänomene wie das Einwirken von Komplexen Leerstellen und Störstellen entwickeln.
  • Die Erfindung zeigt eine große Überlegenheit, wenn sie für die Ausbildung eines p-leitenden Halbleiterbereichs in.einem nachfolgenden Verfahrensschritt eingesetzt wird Z. B. heißt das, für den Fall, daß man beabsichtigt, eine Diffusion mit Akzeptor-Störstellen zur Ausbildung eines p-leftenden Kristalls vorzunehmen, wobei die n-Leitfähigkeit des Kristalls durch die Donatorstörstellen gegeben ist, brauchen die Akzeptorstörstellen nur in einem solchen Umfang dotiert werden, daß die Donatorstörstellen kompensiert werden, und daß die verbleibenden Träger aus Löchern bestehen.
  • Für den Fall, daß eine große Anzahl von Donatorstörstellen vorhanden ist, kann sich die Kompensation nicht im gewünschten U-mfang fang einstellen, so daß die Ausbildung eines p-leitenden Bereichs um. so schwieriger wird. Da jedoch bei der Erfindung eine D onator -StDrstellendotierung nicht erfolgt, braucht eine solche Überlegung nicht angestellt zu werden, so daß die Ausbildung eines p-leitenden Bereichs verhältnismäßig leicht verwirklicht werden kann.
  • Es sei bemerkt, daß es nicht wünschenswert ist, durch die thermische Behandlung des Kristalls in einer atomaren Zn-Atmosphäre den Grad der Abweichung von der Stöchiometrie unnötig groß zu machen. Vielmehr soll der Grad der Abweichung von der Stöchiometrie so klein wie möglich sein und lediglich einen solchen Umfang haben, das die Herstellung der beabsiebtigten Halbleiteranordnung möglich ist.- Der Effekt der Abweichung von der Stöchiometrie wurde experimentell untersucht und es ergaben sich für die Herstellung einer lichtemittierenden Methode die na chfoTgend aufgeführten optimalen Bedingungen.
  • Wenn die Wärmebehandlung in einer Zn-Schmelzlösung für etwa eine Stundebei etwa 900°C bis etwa 1000°C durchgeführt wird, erhält man einen n-leitenden Bereich mit einem Widerstand von etwa 0,1 1bis -cm, der.sich bis in eine Tiefe von etwa- 10/im erstreckt, Wenn die thermische Glühbehandlung bei einer Temperatur von etwa 800°C bis etwa 900°C etwa 1 Stunde dauert, ergibt sich ein Widerstand von etwa 10 bis etwa 20Q cm, wobei die Wärmebehandlung bis in eine Tiefe von etwa 7 um wirkt. Bei einer Glühtempera-0 tur von etwa 600 C stellt sich.ein Widerstand von etwa 100 bis 200# --cm bis in eine Tiefe von etwa 3/um ein. Bei dieser erkennbaren Abhängigkeit ist es lediglich notwendig, die gewünschte Glühtemperatur und Dauer der Wärmebehandlung aus zu suchen suchen, um mit der Wärmebehandlung die gewünschten Eigenschaften .einzustellen.
  • Nachfolgend wird ein Herstellungsverfahren für einen p-leitenden Halbleiterkristall erläutert, der für die Herstellung einer Halbleiteranordnung als Substratkristall Verwendung findet. Für die Beschreibung wird beispielsweise ZnSe als Halbleitermaterial benutzt. Wie vorausstehend erläutert, wird das Niedrigtemperatur-Krlstallziehverfahren benutzt, um einen Kristall als der Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdifferenzver- .
  • fahrens herzustellen, wobei sich ein Kristall mit einer geringen Abweichung von der Stöchiometrie ergibt. Zusätzlich dazu, wird während dem Ziehen des Kristalls nicht nur eine Akzeptorstör-, stellendotierung vorgesehen, sondern auch gleichzeitig Verfahrensschritte durchgeführt, um das Verdampfen von Se aus dem Kristall während des Ziehens zu verhindern, indem das Verfahren in einer Atmosphäre mit erhöhtem Se-Dampfdruck abläuft. Die -Steuerung des Dampfdrucks entsprechend.den gewünschten Ergebnissen wurde in diesem Zusammenhang bereits vorgeschlagen.
  • Wenn man diesem angedeuteten Verfahrensablauf folgt, läßt sich die Abweichung von der Stöchiometrie auf ein sehr geringes Niveau herabdrücken. Gleichzeitig damit ergibt sich auch eine starke Unterdrückung der bereits vorausstehend erläuterten Selbstkompensation. Auf diese Weise ist es möglich, reproduzierbar einen p-leitenden ZnSe-Kristall durch Dotieren von Akzeptorstörstellen herzustellen. Zu diesem Zweck können verschiedene -Arten von Störstellenmaterialien Verwendung finden, wobei sich Au oder Ag als besonders geeignet heraus stellten. Diese Materialien haben einen hohen Diffusionskoeffizienten und eine große Diffusions geschwindigkeit Diffusionsgeschwindigkeit auch noch bei verhältnismäßig niederen Temperaturen, so daß sich daraus die vorteilhafte Möglichkeit der Herstellung eines pn-Übergangs bei niederen Temperaturen ergibt.
  • Wie l)erei1.s erwähnt, ist es sehr einfach einen#Teil des p-leitenden Kristalls n-leitend zu machen, um einen pn-Ubergang-zu erhalten, da hierzu lediglich die thermische Behandlung in einer Zn-Atmosphåre erforderlich ist.
  • Das erwähnte Kristallziehverfahren bietet die Möglichkeit den Anteil der Se-Leerstellen auf ein wesentlich geringeres Niveau abzusenken, als dies bei herkömmlichen Ziehverfahren aus der flüssigen Phase ohne die Verwendung eines gesteuerten Dampfdruckes für das Element der Gruppe VI der Fall ist. Selbstverständlich kann das Verfahren des gesteuerten Dampfdruckes auch bei cter Herstellung des Substratkristalls verwendet werden, um durch die Wärmebehandlung in einer atomaren Zn-Atmosphäre den Ausgangskristall n-leitend zu machen.
  • Wenn bei einem solchen n-leitenden Kristall durch eine weitere Behandlung ein Bereich p-leitend gemacht werden soll, kann ebenfalls. der Se-Dampfdruck gezielt eingestellt werden. Selbst wenn Akzeptorstörstellen in einen n-leitenden Kristall mit Hilfe einer Diffusion eingeleitet werden sollen, um diesen Kristall bereichsweise p-leitend zu machen und einen pn-Übergang zu schaffen, kann eine Anordnung vorgesehen werden, bei welcher Se-Dampf den n-leitenden Kristall umgibt und der Druck dieses Dampfes reguliert wird. Dadurch wird die neue Entstehung von Se -l..eer:;tellen unterdrückt, womit die Diffusion mit Akzeptorstörstellen störstellen leichter auszuführen ist. Dies gilt auch für das Aufwachsen eines p-leitenden Bereichs auf einem n-leitenden Substrat mit Hilfe der bekannten Technik. Da während des Wachsens des Kristalls Se-Leerstellen und Akzeptorstörstellen wechse-Iseitig in die beiden benachbarten Bereiche an der Wachstumsgrenzschicht eindringen, wird das Verfahren zum Regulieren des Da-mpf druckes besonders wirkungsvoll.
  • Das erläuterte Verfahren gemäß der Erfindung soll anhand zweier Beispiele noch klarer dargestellt werden; Beispiel 1 Ein p-leitender ZnSe -Halbleiterkristall wird als Substratkristall aus der Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdiff.erenzverfahrens gewachsen, wobei der Dampfdruck eines Elements der Gruppe VI eingestellt wird. Der Substratkristall mit Leerstellen wird einer thermischen Behandlung für eine Zeitdauer von 1 1 Stunde bei etwa 900°C in einer Zn-Schmelzlösung unterzogen. Als Ergcl~,-nis dieser Behandlung erhält man eine n-leitende Schicht mit einem Widerstand von etwa 0,1 bis etwa 152-cm bis zu einer Tiefe von etwa 10/im von der Oberfläche des p-leitenden Kristalls. Danach wird die Rückseite des Substratkristalls bis zu einer Dicke von etwa 20µm mit Hilfe einer chemischen Ätzung entfernt, um den p-Bereich freizulegen. Auf die Vorderseite des Kristalls, welche die n-leitende Schicht ist, wird mit Hilfe einer Vakuumaufdampfung oder eines Legierverfahrens ein Mischmetall au:; In-Sn aufgebracht, welches als elektrische Anschlußelektrode dient. Auf der rückwärtigen r)-leiter)lf n Seite wird Au mit Hilfe einer Vakuumbeschichtung abgelagert. Der sich sich durch diese Maßnahmen ergebende Aufbau wird in ein Quarzrohr eingeführt, welches evakuiert wird. Anschließend wird hochreines Argongas d.urch das Quarzrohr geleitet., wobei eine Temperatur von etwa 300°C bis etwa 400°C, vorzugsweise zwischen 330°C und 350 C, für eine Zeitdauer von etwa drei Minuten aufrechterhalten wird. Anschließend wird das Quarzrohr langsam abgekühlt, womit man einen pn- Übergang in Form einer Diode erhält Beispiel 2 Als Substratkristall wird ein ZnSe-Kristall-verwendet> der aus einer Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdiffer enz -verfahrens in einer Zn-Schmelzlösung gewachsen und anschließend für 24 Stunden einer thermischen Nachbehandlung bei etwa 90900 bis etwa 1000°C unterzogen wird. Dadurch wird der Kristall nleitend und erhält einen Widerstand von etwa 0,1 1 bis etwa 1#-cm.
  • Auf die Oberfläche des Kristalls wird ein p-leitender Kristall bis zu einer Dicke von etwa 20µm bei einer Temperatur von 650 C aufgewachsen, wobei das Temperaturdifferenzverfahren Verwendung findet. Dabei beträgt die Temperaturdifferenz zwischen dem Ausgangskristall und dem Substratkristall für 2 Stunden etwa -1OOC.
  • Durch diese Behandlung bildet sich ein p-Ubergang. Durch Maßnahmen, wie sie anhand des Beispiels 1 beschrieben wurden, werdell tV{eta'llelektroden angebracht und die Diode fertiggestellt.

Claims (8)

  1. 1' a t c n t a n s p r ü c h e 1. Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI, welches Zn enthält, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß ein Halbleiterkristall aus Elementen der Gruppe II-VI aus der Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdifferenzverfahrens gezüchtet wird, und daß der Kristall anschließend einer thermischen Behandlung in einer 7.n-A.tmosphäre.unterzogen wird.
  2. 2 Verfahren nach.Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß die Zn-Atmosphäre eine Zn-Schmelzlösung ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, da d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß während der Kristallzüchtung ein vorgegebener Dampfdruck Eines Elements der Gruppe VI eingestellt wird, welches Bestandteil des ifalbleiterrnaterials der Gruppe II-VI ist.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1bis 3, 4 a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß ein ZnSe-Kristall Verwendung findet.
  5. erfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, tl a 4 u r c 1I g e k e n n z e i c ii n e t, nlaß zur Ausbildung eines pn-U#bergangs ein p-leitender Halbleiter-Bereich durch Kristallzüchtung in der Flüssigphase unter Verwendung des Temperaturdifferenzverfahrens gebildet wird, wobei ein bestimmter Dampfdruck des Elements der Gruppe VI eingestellt wird.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche l.bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß zur Ausbildung eines pn-Übe.rgangs ein p-leitender Bereich durch Diffusion oder Legieren gebildet wird, wobei ein bestimmter vorgegebener Dampfdruck eines Elements der Gruppe VI aufrechterhalten wird, welches ein Bestandteil des Halbleitermaterials ist.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß als Störstellenmaterial für die Festlegung der Leitfähigkeit des p-leitenden.Bereichs Au oder Ag Verwendung findet.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6, d a d .u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß zur Bestimmung der Leitfähigkeit des p-leitenden Bereichs als Störstellen Material Au oder Ag Verwendung findet.
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GB (1) GB2081013B (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237536A1 (de) * 1981-10-09 1983-04-28 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Sendai, Miyagi Halbleiteranordnung
DE3324086A1 (de) * 1982-07-06 1984-01-12 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Sendai, Miyagi Gruenes licht emittierende znse-diode
EP0338252A1 (de) * 1988-03-16 1989-10-25 Production Engineering Association Verfahren zur Dotierung von Zink-Selenid-Einkristall
US5169799A (en) * 1988-03-16 1992-12-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for forming a doped ZnSe single crystal
DE19918647A1 (de) * 1999-04-16 2000-10-26 Forschungsverbund Berlin Ev Verfahren zur Herstellung eines ZnSe-Volumeneinkristalls und lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen ZnSe-Volumeneinkristall

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575325A (en) * 1980-06-12 1982-01-12 Junichi Nishizawa Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof
JPS596583A (ja) * 1982-07-02 1984-01-13 Semiconductor Res Found ＺｎＳｅ青色発光ダイオ−ド
JPS6037077B2 (ja) * 1982-07-02 1985-08-23 財団法人 半導体研究振興会 ＺｎＳｅの結晶成長法
CA1203921A (en) * 1984-05-18 1986-04-29 Laszlo Szolgyemy Diffusion method to produce semiconductor devices
JPS60251631A (ja) * 1984-05-28 1985-12-12 Semiconductor Res Found 不均一不純物密度分布を有する半導体装置の製造方法
US5140385A (en) * 1987-03-27 1992-08-18 Misawa Co., Ltd. Light emitting element and method of manufacture
DE3887274D1 (de) * 1987-11-10 1994-03-03 Toshiba Kawasaki Kk Thermische Behandlung von einer II-VI-Halbleiterverbindung.
US4904618A (en) * 1988-08-22 1990-02-27 Neumark Gertrude F Process for doping crystals of wide band gap semiconductors
US5252499A (en) * 1988-08-15 1993-10-12 Rothschild G F Neumark Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation
JP2525930B2 (ja) * 1990-05-15 1996-08-21 スタンレー電気株式会社 ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体の結晶成長方法
US5940163A (en) * 1994-07-19 1999-08-17 Electro Plasma Inc. Photon coupled color flat panel display and method of manufacture
US5861528A (en) * 1996-01-22 1999-01-19 Mitsui Chemicals, Inc. Process for preparing diels-alder addition product from conjugated diolefin and acrylonitrile
GB2361480B (en) 2000-04-19 2002-06-19 Murata Manufacturing Co Method for forming p-type semiconductor film and light emitting device using the same
FR2816755B1 (fr) * 2000-11-13 2002-12-20 Commissariat Energie Atomique Procede de croissance d'un materiau semi-conducteur massif de type ii-vi
TWI762930B (zh) * 2010-02-09 2022-05-01 晶元光電股份有限公司 光電元件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1025995B (de) * 1954-04-01 1958-03-13 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern mit aneinandergrenzenden Zonen verschiedener Leitfaehigkeit
US3070467A (en) * 1960-03-30 1962-12-25 Bell Telephone Labor Inc Treatment of gallium arsenide
DE2046036A1 (de) * 1969-09-24 1971-04-01 Intel Corp Verfahren und Vorrichtung zur Diffusions behandlung von Halbleitern
US3670220A (en) * 1971-02-26 1972-06-13 Zenith Radio Corp Pn junctions in znse, zns, or zns/znse and semiconductor devices comprising such junctions
US3940847A (en) * 1974-07-26 1976-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating ion implanted znse p-n junction devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL256342A (de) * 1959-09-29
US3568306A (en) * 1965-09-25 1971-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of making photovoltaic device by electroplating
US3496429A (en) * 1967-08-21 1970-02-17 Zenith Radio Corp Solid state light sources
US3549434A (en) * 1968-09-19 1970-12-22 Gen Electric Low resisitivity group iib-vib compounds and method of formation
US3551117A (en) * 1969-12-08 1970-12-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for growing single crystals of iib-vib compounds
US3745073A (en) * 1971-02-26 1973-07-10 Zenith Radio Corp Single-step process for making p-n junctions in zinc selenide
US4190486A (en) * 1973-10-04 1980-02-26 Hughes Aircraft Company Method for obtaining optically clear, high resistivity II-VI, III-V, and IV-VI compounds by heat treatment
JPS5121777A (ja) * 1974-08-17 1976-02-21 Handotai Kenkyu Shinkokai Handotaisochi
JPS6037076B2 (ja) * 1980-06-11 1985-08-23 潤一 西澤 ３−６族化合物半導体の温度液相成長法
JPS577171A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Junichi Nishizawa Manufacture of znsepn junction

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1025995B (de) * 1954-04-01 1958-03-13 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern mit aneinandergrenzenden Zonen verschiedener Leitfaehigkeit
US3070467A (en) * 1960-03-30 1962-12-25 Bell Telephone Labor Inc Treatment of gallium arsenide
DE2046036A1 (de) * 1969-09-24 1971-04-01 Intel Corp Verfahren und Vorrichtung zur Diffusions behandlung von Halbleitern
US3670220A (en) * 1971-02-26 1972-06-13 Zenith Radio Corp Pn junctions in znse, zns, or zns/znse and semiconductor devices comprising such junctions
US3940847A (en) * 1974-07-26 1976-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating ion implanted znse p-n junction devices

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nl-Z.: J.Crystal Growth 39, 1977, S.73-91 *
US-Buch: II-VI Semiconducting Compounds 1967, International Conference, 1967, S.395,399 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237536A1 (de) * 1981-10-09 1983-04-28 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Sendai, Miyagi Halbleiteranordnung
DE3324086A1 (de) * 1982-07-06 1984-01-12 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Sendai, Miyagi Gruenes licht emittierende znse-diode
EP0338252A1 (de) * 1988-03-16 1989-10-25 Production Engineering Association Verfahren zur Dotierung von Zink-Selenid-Einkristall
US5169799A (en) * 1988-03-16 1992-12-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for forming a doped ZnSe single crystal
DE19918647A1 (de) * 1999-04-16 2000-10-26 Forschungsverbund Berlin Ev Verfahren zur Herstellung eines ZnSe-Volumeneinkristalls und lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen ZnSe-Volumeneinkristall

Also Published As

Publication number Publication date
US4526632A (en) 1985-07-02
JPS6333294B2 (de) 1988-07-05
GB2081013A (en) 1982-02-10
FR2484702A1 (fr) 1981-12-18
FR2484702B1 (fr) 1985-07-05
GB2081013B (en) 1984-08-22
JPS577131A (en) 1982-01-14
DE3123234C2 (de) 1986-02-13

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