DE2322952A1 - Verfahren zum herstellen von horden aus silizium oder siliziumcarbid fuer diffusionsprozesse - Google Patents

Verfahren zum herstellen von horden aus silizium oder siliziumcarbid fuer diffusionsprozesse

Info

Publication number
DE2322952A1
DE2322952A1 DE2322952A DE2322952A DE2322952A1 DE 2322952 A1 DE2322952 A1 DE 2322952A1 DE 2322952 A DE2322952 A DE 2322952A DE 2322952 A DE2322952 A DE 2322952A DE 2322952 A1 DE2322952 A1 DE 2322952A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
flattened
side walls
horde
graphite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2322952A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2322952B2 (de
DE2322952C3 (de
Inventor
Wolfgang Dipl Chem Dr R Dietze
Richard Mittermeier
Gerhard Steinwagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2322952A priority Critical patent/DE2322952C3/de
Priority to US05/452,934 priority patent/US3962391A/en
Priority to IT22264/74A priority patent/IT1010392B/it
Priority to JP49050654A priority patent/JPS5018503A/ja
Publication of DE2322952A1 publication Critical patent/DE2322952A1/de
Priority to US05/638,299 priority patent/US4093201A/en
Publication of DE2322952B2 publication Critical patent/DE2322952B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2322952C3 publication Critical patent/DE2322952C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Tubular Articles Or Embedded Moulded Articles (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

SIElCEiTS AKTIEFGESELLSCHAPT München 2, den ~ 7- MAf 1973 Berlin und München Wittelsbacherplats 2
Verfahren zum Herstellen von Horden aus Silizium oder Siliziumcarbid für Diffusionsprozesse.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Horden aus Silizium oder Siliziumcarbid für die Aufnahme von Siliziumkristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen.
Horden aus Silizium oder Siliziumcarbid, wie sie für die Diffusion und Temperung von Siliziumkristallscheiben in der Halbleitertechnik benötigt werden, sind aus massivem Siliziummaterial nur sehr schwierig und kostspielig herzustellen.
Verfahren zum Herstellen von Rohren οderHohlkörpern aus Halbleitermaterial durch eine Gasphasenabscheidung des Halbleitermaterials sind bekannt. So wird beispielsweise - wie aus der DT-OS 21 25 085.1 (=VPA 71/1075) zu entnehmen ist - ein einseitig geschlossenes Rohr aus Silizium durch Gasphasenabscheidung aus einem Wasserstoff-Silicochloroform-Gemisch bei ca. 1200 C auf einem Graphitrohr hergestellt und anschließend der Graphitträgerkörper ohne Zerstörung der aus der Gasphase abgeschiedenen
VPA 9/110/3018 - 2 -
Edt/Roh 409848/0925
Siliziumschicht entfernt. Solche Rohr werden für Diffusions- und Temperprozesse in der Halbleitertechnik bereits verwendet. v
Die vorliegende Erfindung macht sich die Herstellung solcher Rohie zunutze, um auf billige und einfache Weise durch entsprechende Weiterverarbeitung des Rohres zu einer Siliziumhorde zu gelangen, welche es ermöglicht, eine Vielzahl von Siliziumkristallscheiben, insbesondere stapeiförmig, in einem einzigen Arbeitsgang zu diffundieren oder einer Temperbehandlung zu unterwerfen.
Es wird deshalb erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zunächst in bekannter Weise ein Silizium- oder Siliziumcarbidrohr durch Abscheidung aus der Gasphase von Silizium oder Siliziumcarbid auf einem erhitzten Trägerkörper aus Graphit und Entfernen des Graphitträgerkörpers hergestellt wird, wobei bei der Gasphasenabscheidung ein mindestens einseitig abgeflachter Graphitträgerkörper verwendet wird, und dann aus dem abgeflachten Silizium- oder Siliziumcarbidrohr die Horde in ihrer gewünschten Form durch mechanische Bearbeitung in paralleler und senkrechter Richtung zur Rohrachse herausgearbeitet wird, wobei die abgeflachte Seite die Grundplatte der Horde darstellt.
Es liegt im Rahmen der vorliegenden Erfindung, die mechanische Bearbeitung durch Sägen mittels einer Diamantsäge und/oder auch durch Herausschleifen entsprechender Formen aus dem abgeflachten Silizium- oder Siliziumcarbidrohr herzustellen.
VPA 9/110/3018 - 3 -
409848/0925
Um eine möglichst gleichmäßige Abscheidung an allen Stellen, insbesondere an den abgeflachten Stellen des Graphitträgerkörpers, zu erhalten, hat es sich als zweckmäßig erwiesen, bei der Gasphasenabscheidung ein aus Wasserstoff und Silicochloroform bestehendes Gasgemisch zu verwenden, welches bei ca. 1200 C zersetzt wird, und das Silizium auf dem abgeflachten Graphitträgerkörper mit möglichst hoher Abscheidegeschwindigkeit niederzuschlagen. Dadurch kann erreicht werden, daß die Wandstärke des Siliziumrohres überall gleichmäßig ausgebildet ist, was für die.nachfolgende mechanische Bearbeitung sehr wichtig ist. Die Wandstärke des Si- oder SiC-Rohres muß auf mindestens 1 mm eingestellt werden. . .
Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung gelingt es, auf einfache und rationelle Weise eine Horde aus Silizium- oder Siliziumcarbid (bei Verwendung der entsprechenden Siliziumverbindung, z.B. von Tri chlorine thy 1-silan) herzustellen, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß sie die Form einer langgestreckten Wanne mit flachem Bodenteil und nach außen gewölbten Seitenwänden und in entsprechenden Abständen angebrachte Stützstreben aufweist, welche sich als Verlängerung der Seitenwände bis über die Mitte der für die spätere Diffusion vorgesehenen Siliziumkristallscheiben erstrecken.
Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der lehre der Erfindung wird die Höhe der Seitenwände so
VPA 9/110/3018 - 4 -
409848/0925
bemessen, daß die Kristallscheiben sowohl von unten, also von der Grundplatte der Horde, als auch von den Seitenwänden gestützt werden (Dreipunktlagerung).
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel wird die Höhe der Seitenwände so eingestellt, daß die Kristallseheiben nur auf der Grundplatte der Horde lagern (Einpunktlagerung). In diesem Fall sind die Seitenwände niedriger als im ersten Ausführungsbeispiel und dienen lediglich dazu, die Kristallscheiben gegen Herausfallen zu sichern.
Eine weitere Möglichkeit ist dadurch gegeben, daß die Höhe der Seitenwände so eingestellt wird, daß die Kristallscheiben nur durch die Seitenwände gehalten werden (Zweipunktlagerung) . In diesem Pail sind die Seitenwände höher als im ersten Ausführungsbeispiel.
In allen drei Fällen hat es sich als zweckmäßig erwiesen, zum zusätzlichen Sichern der Sllizlumkristallscheiben vor dem Umkippen nach vorn Stützteile aus Silizium zu verwenden. Diese können runde oder auch abgeflachte Siliziumstücke sein»
AIb besonders günstiges und mechanisch und thermisch stabiles Ausführungsbeispiel nach der lehre der Erfindung ist eine Horde anzusehen, bei der die In gewissen Abständen entlang der ßeitenwände auftretenden Stützstreben einen gee.chlos&eiietl Bogen bilden und eine abgeflachte Oberseite aufweisen« in diieeitt fall wird ein Graphitträgerkörper für die Gasphasenabscheidung verwendet, welcher beidseitig abgeflacht ist.
409848/0925
VPA 9/110/3018 -5.-
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Siliziumhorden sind wegen ihrer günstigen äußeren Form sehr gut geeignet für Diffusion von Siliziumkristallen in durch die Gasphasenabscheidung gefertigten Siliziumrohren, da- letztere nur mit einem Graphitträgerkörper mit entsprechend großem Querschnitt hergestellt werden müssen, um einen guten Sitz der Horde im Siliziumdiffusionsrohr zu gewährleisten.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren 1 bis 7«näher erläutert.
Die Figuren 1 und 3 zeigen Vorrichtungen zur Herstellung
des Siliziumrohres mit abgeflachten Seiten;
die Figuren 2 und 4 zeigen vergrößert ein Schnittbild
des hergestellten Rohres längs der Linien ΙΙ-ΙΓ bzw. IV-IV der Fig. 1 und 3;
die Figur 5 zeigt.eine besonders günstige Form
einer Siliziumhordej
die Figuren 6 und 7 zeigen Seitenansichten von mit Siliziumkristallscheiben beschickten Horden.
Die in Fig. 1 abgebildete Vorrichtung weist ein Reaktionsgefäß 1 in Form einer Quarzglocke auf, welches mit einem aus einer Silbergrundplatte 2 bestehenden Bodenteil verbunden ist. In der Silbergrundplatte 2 sind Rohre 4 angeordnet, durch die eine gasförmige Verbindung des abzuscheidenden Siliziums (SiHCT^) und Wasserstoff als Trägergas eingeleitet wird. Die Rohre 4 sind von weiteren Rohren
VPA 9/110/3018 - 6 -
409848/0925
umgeben, durch die die Restgase das Reaktionsgefäß 1 verlassen können. In der Silberplatte 2 sind auch Durchführungen 6 aus Teflon vorgesehen, durch die die als Strorazuführungen dienenden Silberelektroden 7 in das Innere des. Reaktionsgefäßes 1 geführt sind. Die Silberelektroden .7 sind mit aus Graphit bestehenden Haltern 8 und 9 verbunden. Auf dem Halter 8 ist ein rohrförmiger Trägerkörper 11 mit abgeflachten Seiten aus Graphit angeordnet, während der Halter 9 einen Graphitstab 10 trägt. Der Trägerkörper 11 und der Graphitstab 10 sind an der Oberseite mit einem Gewinde ,12 versehen, welches den Stab 10 mit dem Trägerkörper 11 mechanisch und elektrisch verbindet.
Wird an die Elektroden 7 eine Spannung angelegt, so werden der Trägerkörper 11 und der Stab 10 aufgeheizt. Der Stab 10 gibt dabei durch Strahlung nach allen Seiten und durch leitung nach oben Wärme ab, so daß insbesondere die Oberseite des Trägerkörpers 11 auf eine Temperatur erhitzt wird, die nicht wesentlich unterhalb der Temperatur des übrigen Trägerkörpers 11 liegt. Die Stirnseite des Trägerkörpers 11 wird mit einem Deckel 13 abgeschlossen, so daß der Trägerkörper 11 nach außen hin eine vollkommen glatte Oberfläche bietet. Zu diesem Zweck ist in den Mittelteil des Deckels 13 und in die Stirnseite des Stabes 10 ein Gewinde 14 eingeschnitten, durch das sich der Deckel 13 mit dem Stab 10 und damit auch mit dem Trägerkörper 11 verschrauben läßt.
YPA 9/110/3018 , - 7 -
409848/0925
Das Abscheiden des Siliziumrohres 15 erfolgt in bekannter Weise wie beim Herstellen von Stäben aus Halbleitermaterial nach dem sogenannten C-Verfahren. Ale gasförmige Verbindung wird Silicochloroform mit dem ülrägergas Waseerstoff verwendet. Die Slliziumabscheidung erfolgt bei !Temperaturen von etwa 1100 - 1200° C, vorzugsweise 1150° 0.
Nach dem Abscheidungsprozeß wird dann die gesamte in dem Reaktionsgefäß 1 befindliche Anordnung zur Entfernung des Graphitträgerkörpers 11 mit Deckel 13 auf eine femperatur von 1250° C für ca. 10 Minuten aufgeheizt und dabei im Reaktionsgefäß 1 eine Strömungsgeschwindigkeit der Wasserstoffatmosphäre von 250 l/h eingestellt. DaB Siliziumrohr 15 mit den abgeflachten Seiten läßt sich anschließend leicht vom Träge'rkörper 11 abziehen.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch die Anordnung vor dem Abziehen des Graphitträgerkörpers; es gelten die gleichen Bezugszeigen wie in Fig. 1. . l
In Fig. 3 wird eine andere Möglichkeit zur Herstellung eines abgeflachten Siliziumrohres dargestellt. Die Vorrichtung besteht auB einer Bodenplatte 20 aus Silber, die mit einer Glocke 21 aue Quarz gasdicht verbunden ist. Im Innern dieses aus der Silbergrundplatte 20 und der Quarzglocke 21 bestehenden Reaktionsraums befinden sich zwei vertikal angeordnete rohrföiMnige !Ürägerkörper 22 und 23 aus Graphitj die über Graphittelle 24 und 25 mit Elektroden 26 und 27 aus Silber verbunden sind» Diese Elektroden sind an eine Spannungsquelle 2Θ angeschlossen und über Teflondurchführungen 29 und 30 durch die Silberplatte 20 geführt. Die
9/110/3018 409848/092S
rohrförmigen Graphitträgerkörper 22 und 23 sind an ihren beiden Seiten abgeflacht, wie dies auch aus dem in Pig. 4 dargestellten Schnittbild zu ersehen ist. Die Graphitträgerkörper 22 und 23 sind an ihrem oberen Ende mit einer leitenden Brücke 31 aus Graphit verbunden. ...
Zur Abscheidung der die Diffusionsrohre bildenden Siliziumschichten 32 und 33 wird ein Gemisch aus Silicochloroform und Wasserstoff im Molverhältnis von etwa 0.1 durch die in der Bodenplatte 20 angebrachten Rohre 34 eingeleitet und an den auf ca. 1150° C.erhitzten Trägerkörpern 22 und 23 zersetzt, wobei sich Silizium 32 und 33 an den mit den abgeflachten Seiten versehenen Rohrwänden 22 und 23 abscheidet. Die Rohre 34 werden von weiteren Rohren 35 umgeben, durch welche die Restgase den Reaktionsraum verlassen. Entsprechend den abgeflachten Seiten der Graphitträgerkörper 22 und 23 bilden sich auch bei der Abscheidung Siliziumrohre 32 und 33 mit abgeflachten Seiten. .
Fig. 4 stellt einen Querschnitt durch eine Anordnung vor dem Abziehen des Graphit trägerkörper s dar; es geLten die gleichen Bezugszeichen wie in F±g. 3.
In Fig. 5 ist eine besonders günstige Ausführungsform einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Horde gezeigt. Mit dem Bezugszeichen 40 ist die aus dem Siliziumrohr 41 (gestrichelt gezeichnet) herausgearbeitete Horde bezeichnet, mit dem Bezugszeichen 42 die für die Diffusion vorgesehene Siliziumkristallscheibe. Diese
VPA "9/110/3018 .- 9 -
409848/0925
Horde wird durch senkrecht und parallel zur .Rohrachse ausgeführte Sägesehnitte mit der Diamantsäge aus einem einseitig abgeflachten Siliziumrohr herausgearbeitet.
Als günstige Maße haben sich für die Horde die in der Zeichnung angegebenen, aus der folgenden Gleichung ersichtlichen Verhältnisse erwiesen:
r2 - a2 a «^ 0.9 r«
2 <r2 - a; 0o8
Dabei bedeutet
b die Höhe der Seltenwände,
a das Maß der Abflachung des Siliziumrohres, d.h., Abstand Mittelpunkt Si-Rohr zur abgeflachten Grundplatte,
r^ den Innenradius des Siliziumrohres, Ty den Innenradius der Siliziumkristallscheibe.
In Pig. 6 ist eine Horde 43 mit einem Stapel 44 "von Sillziumkristallscheiben 45 dargestellt, welche aus einem beidseitig abgeflachten Siliziumrohr gefertigt wurde. Dabei befindet sich an dem einen Ende des Siliziumkristallscheibenstapels eine Stützstrebe 46, welche durch Stehenlassen der Sohrv/ände beim Heraussägen der Horde erhalten wird und Innerhalb der Horde einen geschlossenen Bogen mit einer abgeflachten Oberseite bildet» Der Slliziumkristallscheibenstapel 44 wird an seinem anderen Ende durch ein aus einem
YPA 9/110/3018 - 10 -
409848/0925
- ίο -
abgeflachten Siliziumstück bestehendes Stützteil 47 in seiner lage gehalten.
Eine andere Hordenausführungsform ist in Fig. 7 dargestellt. Dabei wird der Siliziumkristallscheibenstapel durch in entsprechenden Abständen entlang der Seitenwände der Horde 48 angebrachte Stützstreben 49 vor dem Umkippen gesichert.
12 Patentansprüche
7 Figuren
409848/0925 VPA 9/110/3018 - 11 -

Claims (12)

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen von Horden aus Silizium oder SiliziuincarMd für die Aufnahme von Siliziumkristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst in bekannter Weise ein Silizium- oder SiIiziumcarbidrohr durch Abscheidung aus der Gasphase von Silizium oder Siliziumcarbid auf einem erhitzten Trägerkörper aus Graphit und Entfernen des Graphitträgerkörpers hergestellt wird, wobei bei der Gasphasenabscheidung ein mindestens einseitig abgeflachter Graphitträgerkörper verwendet wird, daß dann aus dem abgeflachten Silizium- oder Siliziumcarbid— rohr die Horde in ihrer gewünschten Form durch mechanische Bearbeitung in paralleler und senkrechter Richtung zur Rohrachse herausgearbeitet wird, wobei die abgeflachte Seite die Grundplatte der Horde darstellt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mechanische Bearbeitung durch Sägen mittels einer Diamantsäge erfolgt.
3. "Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Horde durch Herausschleifen entsprechender Formen aus dem abgeflachten Silizium- oder SiIi ziumcarbidr ohr hergestellt wird.
4. Verfahren nach. Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Gasphasenabscheidung ein aus Wasserstoff und Silicochloroform bestehendes Gasgemisch verwendet wird, welches bei ca. 1200° C zersetzt und das Silizium auf
409848/0925 VPA 9/110/3018 - 12 -
dem abgeflachten Graphitträgerkörper mit möglichst hoher Abscheidegeschwindigkeit niedergeschlagen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die niedergeschlagene Silizium- oder Siliziumcarbidschicht auf eine Stärke von mindestens 1 mm ein-
• gestellt wird. ·
6. Horde aus Silizium oder Siliziumcarbid, hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, gekennzeichnet durch die Form einer langgestreckten Wanne mit flachem Bodenteil und nach außen gewölbten Seitenwänden und durch in entsprechenden Abständen angebrachte Stützstreben, welche sich als Verlängerung der Seitenwände bis über die Mitte der für die spätere Diffusion vorgesehenen Siliziumkristallscheiben erstrecken.
7. Horde nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der Seitenwände so bemessen ist, daß die Kristallscheiben sowohl von unten als auch von.den Seitenwänden gestützt werden (Dreipunktlagerung).
8. Horde nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der Seitenwände so bemessen ist, daß die Kristallscheiben nur auf der Grundplatte der Horde lagern (Einpunktlagerung) .
9. Horde nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der Seitenwände so bemessen ist, daß die Kristallscheiben nur durch die Seitenwände gehalten \*erden (Zweipunktlagerung).
VPA 9/1"0/3018 -13-
409848/092 5
ORIGINAL INSPECTED
10. Horde nach Anspruch 6 "bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützstreten einen geschlossenen Bogen bilden.
11. Horde nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützstreben eine abgeflachte Oberseite aufweisen.
12. Horde nach Anspruch 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein bewegliches Stützteil aus Silizium vorhanden ist, mit dem ein beliebig großer Kristallscheibenstapel vor dem Umkippen gesüiert ist.
VPA 9/110/3018
409 848/0925
Leerseite
DE2322952A 1973-05-07 1973-05-07 Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen Expired DE2322952C3 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2322952A DE2322952C3 (de) 1973-05-07 1973-05-07 Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen
US05/452,934 US3962391A (en) 1973-05-07 1974-03-20 Disc support structure and method of producing the same
IT22264/74A IT1010392B (it) 1973-05-07 1974-05-03 Procedimento per fabbricare gratic ci di silicio o carburo di silicio utile per processi di diffusione
JP49050654A JPS5018503A (de) 1973-05-07 1974-05-07
US05/638,299 US4093201A (en) 1973-05-07 1975-12-08 Disc support structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2322952A DE2322952C3 (de) 1973-05-07 1973-05-07 Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2322952A1 true DE2322952A1 (de) 1974-11-28
DE2322952B2 DE2322952B2 (de) 1978-08-24
DE2322952C3 DE2322952C3 (de) 1979-04-19

Family

ID=5880190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2322952A Expired DE2322952C3 (de) 1973-05-07 1973-05-07 Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3962391A (de)
JP (1) JPS5018503A (de)
DE (1) DE2322952C3 (de)
IT (1) IT1010392B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2293793A1 (fr) * 1974-12-06 1976-07-02 Norton Co Accessoires d'enfournement en carbure de silicium pour fours de diffusion
EP0233584A1 (de) * 1986-02-17 1987-08-26 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Suszeptor für Dampfablagerung
US5200157A (en) * 1986-02-17 1993-04-06 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor for vapor-growth deposition
DE202012005850U1 (de) 2012-06-14 2012-10-10 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Vorrichtung zum Halten von Halbleitersubstraten verschiedener Formen und Größen

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917848Y2 (ja) * 1975-02-07 1984-05-24 （株） 大東電材研究所 絶縁ジヤンパ−
US5538230A (en) * 1994-08-08 1996-07-23 Sibley; Thomas Silicon carbide carrier for wafer processing
US5443649A (en) * 1994-11-22 1995-08-22 Sibley; Thomas Silicon carbide carrier for wafer processing in vertical furnaces
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
US7033920B1 (en) 2000-01-10 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a silicon carbide interconnect for semiconductor components
US6975030B1 (en) 2000-01-10 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide contact for semiconductor components
US6563215B1 (en) 2000-01-10 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
US20110274926A1 (en) * 2009-02-27 2011-11-10 Hiroyuki Oda Polycrystalline silicon rod and apparatus for producing the same
JP5375312B2 (ja) * 2009-04-28 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン製造装置
US10450649B2 (en) * 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL300222A (de) * 1962-11-14
DE1917016B2 (de) * 1969-04-02 1972-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur herstellung von hohlkoerpern aus halbleiter material
DE2050076C3 (de) * 1970-10-12 1980-06-26 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
DE2125085C3 (de) * 1971-05-19 1979-02-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von einseitig geschlossenen Rohren aus Halbleitermaterial
US3807979A (en) * 1972-05-08 1974-04-30 Philadelphia Quartz Co Quaternary ammonium silicate for polishing silicon metal

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2293793A1 (fr) * 1974-12-06 1976-07-02 Norton Co Accessoires d'enfournement en carbure de silicium pour fours de diffusion
EP0233584A1 (de) * 1986-02-17 1987-08-26 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Suszeptor für Dampfablagerung
US5200157A (en) * 1986-02-17 1993-04-06 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor for vapor-growth deposition
DE202012005850U1 (de) 2012-06-14 2012-10-10 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Vorrichtung zum Halten von Halbleitersubstraten verschiedener Formen und Größen

Also Published As

Publication number Publication date
IT1010392B (it) 1977-01-10
JPS5018503A (de) 1975-02-27
DE2322952B2 (de) 1978-08-24
US3962391A (en) 1976-06-08
DE2322952C3 (de) 1979-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2322952A1 (de) Verfahren zum herstellen von horden aus silizium oder siliziumcarbid fuer diffusionsprozesse
DE2824564C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden
DE2133877A1 (de) Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen in halbleiterscheiben
DE2349512C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
DE2133876A1 (de) Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen
DE2050076A1 (de) Vorrichtung zum Herstellen von rohrförmigen Körpern aus Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium oder Germanium
DE2025611A1 (de)
DE1489258B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers
DE2229229A1 (de) Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern
DE1095951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE2541215C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumhohlkörpern
DE2806070C2 (de) Hartstoff aus BCN und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1521481B1 (de) Anordnung zur Waermebehandlung von scheibenfoermigen Halbleiterkoerpern
DE2829830A1 (de) Verfahren zur epitaktischen abscheidung
DE1251283B (de) Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von einkristallinen Halbleiterkörpern
DE2317131C3 (de) Verfahren zum Herstellen von aus Silicium oder Siliciumcarbid bestehenden Formkörpern
DE2529484C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Silicium auf einem Substrat
DE2321186A1 (de) Verfahren zum herstellen einer anordnung aus silicium oder siliciumcarbid fuer diffusionsprozesse
DE1090646B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Edelgasen
DE1236481B (de) Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase
DE3107260A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial, insbesondere silicium
DE2111946A1 (de) Verfahren zur Zuechtung von Kristallen auf einer Unterlage
DE2129931B2 (de) Vorrichtung zum Diffundieren einer Verunreinigung in Halbleiterscheiben
DE1290925B (de) Verfahren zum Abscheiden von Silicium auf einem Halbleiterkoerper

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee