DE2349512C3 - Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und TemperprozesseInfo
- Publication number
- DE2349512C3 DE2349512C3 DE2349512A DE2349512A DE2349512C3 DE 2349512 C3 DE2349512 C3 DE 2349512C3 DE 2349512 A DE2349512 A DE 2349512A DE 2349512 A DE2349512 A DE 2349512A DE 2349512 C3 DE2349512 C3 DE 2349512C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- silicon carbide
- diffusion
- wall parts
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67306—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67316—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder
Siliciumcarbid für die Aufnahme von Siliciumkristalischeiben bei Diffusions- und Temperprozessen.
Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid, wie sie für die Diffusion und Temperung von Siliciumkristallscheiben
in der Halbleitertechnik benötigt werden, sind entsprechenden Quarzhalterungen in der Temperatur-Stabilität
überlegen. Sie lassen sich jedoch aus massivem Siliciummaterial nur sehr schwierig und kostspielig
herstellen.
Verfahren zum Herstellen von Rohren oder Hohlkörpern aus Halbleitermaterial durch eine Gasphasenabscheidung
des Halbleitermaterials sind bekannt. So wird beispielsweise - wie aus der DE-OS 2125 085.1
zu entnehmen ist — ein einseitig geschlossenes Rohr aus Silicium durch Gasphasenabscheidung aus
einem Wasserstoff-Silico-chloroform-Gemisch bei ca. 120O0C auf einem Graphitrohr hergestellt und anschließend
der Graphittriigerkörper ohne Zerstörung der aus der Gasphase abgeschiedenen Siliciumschicht entfernt.
Solche Rohre werden für Diffusions- unid Temperprozesse
in der Halbleitertechnik bereits verwendet.
Die vorliegende Erfindung macht sich die Herstellung solcher Rohre zunutze, um auf billige und einfache
Weise durch entsprechende Weiterverarbeitung des Rohres zu einer Siliciumhalterung zu gelangen, welche
es ermöglicht, in Einzelaufnnhmen eine Vielzahl von
Siliciumkristallscheiben in einem einzigen Arbeitsgang zu diffundieren oder einer Temperbehandlung zu
unterwerfen.
Es wird deshalb erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zunächst in bekannter Weise ein Silicium- oder
Siliciumcarbidrohr durch Abscheidung aus der Gasphase von Silicium oder Siliciumcarbid auf einem erhitzten
Trägerkörper aus Graphit und Entfernen des Graphitträgerkörpers hergestellt wird, daß dann aus dem
Silicium-oder Siliciumcarbidrohr die Halterung durch mechanische Bearbeitung in paralleler und senkrechter
Richtung zur Rohrachse so herausgearbeitet wird, daß jeweils zwei zur Rohrachse parallellaufende Wandteile
stehenbleiben, in denen in gleichmäßigen Abständen Führungsschlitze für die querzustellenden Diffusionsscheiben vorhanden sind und die Wandteile durch
mindestens eine in Verlängerung der Wandteile einen geschlossenen Bogen bildende Strebe miteinander
verbunden sind.
Es liegt im Rahmen der vorliegenden Erfindung, die mechanische Bearbeitung mittels Diamantsägen bzw.
Diamantschleifscheiben durchzuführen.
Um eine möglichst gleichmäßige Abscheidung an allen Stellen des Graphitträgerkörpers zu erhalten, hat
es sich als zweckmäßig erwiesen, bei der Gasphasenabscheidung ein aus Wasserstoff und Silicochloroform
bestehendes Gasgemisch zu verwenden, welches bei ca. 12000C zersetzt wird, und das Silicium auf dem
Graphitträgerkörper mit möglichst hoher Abscheidegeschwindigkeit niederzuschlagen. Dadurch kann erreicht
werden, daß eine warzenfreie Abscheidung stattfindet und die Wandstärke des Silicumrohres überall gleichmäßig
ausgebildet ist was für die nachfolgende mechanische Bearbeitung sehr wichtig ist. Die Wandstärke des
Silicium- oder Siliciumcarbidrohres muß auf mindestens 1 mm eingestellt werden.
Auch kann vorgesehen werden, daß die Formen der Säge- und Schleifscheiben zum Anbringen der Führungungsschlitze
so ausgewählt werden, daß sie in Durchmesser und Dicke den in der Halterung zu
diffundierenden Kristallscheiben entsprechen. Dadurch wird ein guter Sitz der Haibleiterkristallscheibe in der
Halterung während der Diffusion gewährleistet.
Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung gelingt es, auf einfache und rationelle Weise eine
Halterung aus Silicium oder Siliciumcarbid (bei Verwendung der entsprechenden Siliciumverbindung, z. B. von
Trichlormethylsilan) herzustellen, welche dadurch gekennzeichnet ist, daß zwei nach außen gewölbte,
parallellaufende Seitenteile, durch mindestens eine als Verlängerung der Seitenteile einen geschlossenen
Bogen bildende Strebe miteinander verbunden sind und daß in gleichmäßigen Abständen in den Seitenteilen
Führungsschlitze für die zur Diffusion vorgesehenen quergestellten Siliciumkristallscheiben angebracht sind.
Gemäß einem Beispiel ist die Tiefe der Fühaingschlitze
in den Seitenteilen und die Höhe der Seitenteile so Bemessen, daß die Kristallscheiben nur durch die obere
Kante der Seitenwände gehalten werden (Zweipunktlagerung).
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Siliciumhalterungen sind wegen ihrer günstigen
äußeren Form sehr gut geeignet für Diffusionen von Siliciumkristallscheiben in durch Gasphasenabscheidung
gefertigen Siliciumrohren, da letztere nur mit einem Graphitträgerkörper mit entsprechend größerem
Querschnitt hergestellt werden müssen, um einen guten Sitz der Halterung im Siliciumdiffusionsrohr zu
gewährleisten. Die Halterung selbst nimmt sehr wenig Platz in Anspruch. Der Diffusionsgasstrom trifft fast
ungehindert alle Randstellen der quergestellten Kristallscheiben, wodurch eine homogene Diffusion gewährleistet
ist. Die Kristallscheiben werden durch die günstig gewählte Zweipunktlagerung stabil gehalten und nur im
äußerten Randbereich abgedeckt.
len in Verbindung mit den F i g. 1 bis 6 naher erläutert
Fig. 1, 3 und 5 zeigen besonders günstige Ausführungsformen
von aus Siliciumrohren hergestellten Halterungen;
F i g. 2, 4 und 6 zeigen die entsprechende Seitenansichten.
Die Herstellung des für die Halterung zu verwendenden Siliciumrohres kann beispielsweise nach dem in der
DE-OS 21 25 085.1 beschriebenen Verfahren geschehen. Es sind aber auch andere Verfahren zur Herstellung von |0
Siliciumrohren anwendbar.
Aus einen: solchen Siliciumrohr, welches aber auch
aus Siliciumcarbid bestehen kann, wird dann die in F i g. 1 im Schnitt (und in F i g. 2 in Seitenansicht)
dargestellte Halterung durch parallel und senkrecht zur ,5
Rohrachse mit der Diamantsäge und mit Diamantschleifblättern ausgeführte Schnitte herausgearbeitet
Mit dem Bezugszeichen 1 und 2 sind die stehengebliebenen Wandteile bezeichnet; der Bereich 3 zeigt den aus
dem ursprünglichen Siliciumrohr stehengebliebenen Teil für die Halterungsstrebe. Mit dem Bezugszeichen 4
ist die für die Diffusion vorgesehene Siliciumkristallscheibe
(strichpunktiert dargestellt) bezeichnet Die Bezugszeichen 5 und 6 markieren die in beide Wandteile
1 und 2 eingebrachten Führungsschlitze.
Aus der in F i g. 2 abgebildeten Seitenansicht zu Fig. 1, in welcher die gleichen Bezugszeichen gelten
wie in Fig. 1, ist ersichtlich, daß die Halterung an beiden Enden mit einer Strebe 3 und 7 versehen ist. Diese
Streben entstehen durch Verlängerung der Wandteile I und 2, d. h, in diesem Bereich bleibt das ursprüngliche
Siliciumrohr bis auf einen Bodenteil erhalten. Durch Verwendung von Sägeblättern mit dem gleichen
Durchmesser und der gleichen Dicke wie die später zu diffundierende Kristallscheibe beim Einbringen der
Führungsschlitze 5 und 6 erhält man eine Halterung, welche für die Kristallscheiben eine gute Paßform
aufweist
In Fig.3 ist im Schnitt eine ähnliche Ausführungsform wie in F i g. 1 abgebildet Der Unterschied ergibt
sich aus F i g. 4, welche die entsprechende Seitenansicht dazu darstellt Es lassen sich nämlich bei entsprechender
Formgebung der Halterung aus einem Siliciumrohr durch Längsteilung zwei Halterungen (16 und 17),
welche spiegelbildlich (im Rohr) gelagert sind, herstellen, wodurch die Halterungen billiger gefertigt werden
können. Allerdings weisen diese Halterungen nur eine Verstrebung (15) auf. Mit dem Elezugszeichen 10 und 11
sind die Wandteile der Halterung, mit 12 und 13 die Einschnitte für die Kristallscheiben und mit 14 die
Kristallscheibe selbst bezeichnet Die Halterungsstrebe hat das Bezugszeichen 15. Der mit durchgehenden
Linien gezeichnete Bereich 16 in der Fig.4 gibt die
Lage der 1. Halterung, der gestrichelt dargestellte Bereich 17 die Lage der 2. Halterung im ursprünglichen
Siliciumrohr wieder.
In F i g. 5 und 6 wird eine weitere Ausführungsform dargestellt bei der aus einem Siliciumrohr ebenfalls
zwei Halterungen (27 und 28) gefertigt werden können. Es wird sowohl die obere (27) als auch die untere (28)
Hälfte eines Siliciumrohres zu einer Halterung verarbeitet Die Verstrebungen (25 und 26) decken dann
allerdings die Siliciumkristalle an den entsprechenden Stellen mehr ab als bei den vorher beschriebenen
Ausführungsbeispielen. Mit dem Bezugszeichen 20 und 21 sind die Wandteile der Halterung, mit 22 und 23 die
Einschnitte und mit 24 die Kristallscheibe bezeichnet. Die HalterungsEtreben haben die Bezugszeichen 25 und
26. Der mit durchgehenden Linien gezeichnete Bereich 27 in der Fig.6 zeigt die Lage der 1. Halterung, der
gestrichelt dargestellte Bereich 28 die der 2. Halterung im ursprünglichen Siliciumrohr.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für die Aufnahme von Siliciiimkristallscheiben bei Diffusions- und Temper-Prozessen, bei dem in einem ersten Verfahrensschritt in bekannter Weise ein Silicium- oder Siliciumcarbidrohr durch Abscheidung aus der Gasphase von Silicium oder Siliciumcarbid auf einem erhitzten Trägerkörper aus Graphit und Entfernen des Graphitträgerkörpers hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß in einem weiteren Verfahrensschritt aus dem Silicium- oder Siliciumcarbidrohr die Halterung durch Sägen und Schleifen in paralleler und senkrechter Richtung zur Rohrachse so herausgearbeitet wird, daß jeweils zwei zur Rohrachse parallel laufende Wandteile stehenbleiben, in denen in gleichmäßigen Abständen Führungsschuh für die herzustellenden Kristallscheiben vorhanden sind und die Wandteile durch mindestens eine in Verlängerung der Wandteile einen geschlossenen Bogen bildende Strebe miteinander verbunden sind, und daß für die Herstellung der Führungsschlitze die Formen der verwendeten Säge- und Schleifscheiben so ausgewählt werden, daß sie in Durchmesser und Dicke den in der Halterung zu diffundierenden Kristallscheiben entsprechen.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2349512A DE2349512C3 (de) | 1973-10-02 | 1973-10-02 | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse |
BE145572A BE816507A (fr) | 1973-10-02 | 1974-06-18 | Procede de fabrication de supports en silicium ou carbure de silicium pour processus de diffusion |
GB3795774A GB1438877A (en) | 1973-10-02 | 1974-08-30 | Silicon or silicon carbide holders for use in diffusion operations |
FR7432291A FR2245573B1 (de) | 1973-10-02 | 1974-09-25 | |
US05/510,071 US4203940A (en) | 1973-10-02 | 1974-09-27 | Crystal wafer rack structures and the method of producing the same |
CH1315174A CH606477A5 (de) | 1973-10-02 | 1974-09-30 | |
CA210,503A CA1035209A (en) | 1973-10-02 | 1974-10-01 | Method for producing supports made from silicon or silicon carbide for diffusion processes |
JP11367074A JPS5428261B2 (de) | 1973-10-02 | 1974-10-02 | |
SE7412432A SE405812B (sv) | 1973-10-02 | 1974-10-02 | Forfarande for tillverkning av hallarelement av kisel eller kiselkarbid |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2349512A DE2349512C3 (de) | 1973-10-02 | 1973-10-02 | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2349512A1 DE2349512A1 (de) | 1975-04-24 |
DE2349512B2 DE2349512B2 (de) | 1977-10-13 |
DE2349512C3 true DE2349512C3 (de) | 1978-06-08 |
Family
ID=5894341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2349512A Expired DE2349512C3 (de) | 1973-10-02 | 1973-10-02 | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4203940A (de) |
JP (1) | JPS5428261B2 (de) |
BE (1) | BE816507A (de) |
CA (1) | CA1035209A (de) |
CH (1) | CH606477A5 (de) |
DE (1) | DE2349512C3 (de) |
FR (1) | FR2245573B1 (de) |
GB (1) | GB1438877A (de) |
SE (1) | SE405812B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19856468C1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-06-15 | Sico Jena Gmbh Quarzschmelze | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226173A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-26 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of disc wafer casing jig |
JPS5263363U (de) * | 1975-11-05 | 1977-05-10 | ||
JPS5529518U (de) * | 1978-08-17 | 1980-02-26 | ||
JPS60138914A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
EP0309272A3 (de) * | 1987-09-25 | 1990-03-07 | Southtech, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Substrathaltern und Scheibenhorden aus Siliciumcarbid für die Behandlung von Halbleiterwerkstoffen |
JP2701615B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1998-01-21 | 三井造船株式会社 | 半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法 |
US5538230A (en) * | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Sibley; Thomas | Silicon carbide carrier for wafer processing |
US5443649A (en) * | 1994-11-22 | 1995-08-22 | Sibley; Thomas | Silicon carbide carrier for wafer processing in vertical furnaces |
CN1079577C (zh) * | 1995-05-05 | 2002-02-20 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 半导体晶圆片用的竖直支架 |
US5817179A (en) * | 1997-01-23 | 1998-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | GaAs anneal boat design and method for use |
US6673198B1 (en) | 1999-12-22 | 2004-01-06 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved process drift control |
US7033920B1 (en) * | 2000-01-10 | 2006-04-25 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating a silicon carbide interconnect for semiconductor components |
US6975030B1 (en) | 2000-01-10 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Silicon carbide contact for semiconductor components |
US6563215B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication |
US20040173948A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-09-09 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for silicon boat, silicon tubing and other silicon based member fabrication |
CN1152422C (zh) * | 2002-04-25 | 2004-06-02 | 张彩根 | 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法 |
EP4101826A4 (de) * | 2020-02-07 | 2024-03-06 | Kyocera Corp | Wafer-boot |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT180726B (de) * | 1952-12-19 | 1955-01-10 | Victor Fuchs | Verfahren zur Herstellung von gefüllten Behältern, Tuben od. dgl. |
DE1137807B (de) * | 1961-06-09 | 1962-10-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
US3480151A (en) * | 1967-04-05 | 1969-11-25 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Supporting rack of quartz |
US3534862A (en) * | 1968-09-13 | 1970-10-20 | Rca Corp | Semiconductor wafer transporting jig |
US3850296A (en) * | 1971-07-21 | 1974-11-26 | Shinetsu Handotai Kk | Device and method for accommodating semiconductor wafers |
-
1973
- 1973-10-02 DE DE2349512A patent/DE2349512C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-06-18 BE BE145572A patent/BE816507A/xx unknown
- 1974-08-30 GB GB3795774A patent/GB1438877A/en not_active Expired
- 1974-09-25 FR FR7432291A patent/FR2245573B1/fr not_active Expired
- 1974-09-27 US US05/510,071 patent/US4203940A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-09-30 CH CH1315174A patent/CH606477A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-10-01 CA CA210,503A patent/CA1035209A/en not_active Expired
- 1974-10-02 JP JP11367074A patent/JPS5428261B2/ja not_active Expired
- 1974-10-02 SE SE7412432A patent/SE405812B/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19856468C1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-06-15 | Sico Jena Gmbh Quarzschmelze | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5428261B2 (de) | 1979-09-14 |
CA1035209A (en) | 1978-07-25 |
GB1438877A (en) | 1976-06-09 |
JPS5062579A (de) | 1975-05-28 |
US4203940A (en) | 1980-05-20 |
SE7412432L (de) | 1975-04-03 |
DE2349512A1 (de) | 1975-04-24 |
CH606477A5 (de) | 1978-10-31 |
SE405812B (sv) | 1979-01-08 |
FR2245573A1 (de) | 1975-04-25 |
FR2245573B1 (de) | 1978-03-31 |
DE2349512B2 (de) | 1977-10-13 |
BE816507A (fr) | 1974-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2349512C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse | |
DE3041961C2 (de) | ||
EP1243228B1 (de) | Dentalwerkzeug | |
DE2941908C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer eine Silizium-Schicht aufweisenden Solarzelle | |
DE3026272A1 (de) | Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung | |
DE2322952C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen | |
DE2546444B2 (de) | Wärmeaustauscherwand und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2654063A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial | |
DE2659214A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von unsymmetrischen teilen | |
DE2906285C2 (de) | Ionenquelle für die Feldionisation oder die Felddesorption sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1142420B (de) | Verfahren zum Herstellen von plaettchenfoermigen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen aus einem Halbleitereinkristall | |
DE10393928B4 (de) | Universalbandsägeblatt | |
DE669464C (de) | Verfahren zum Herstellen von walzenfoermigen Koerpern | |
DE2541215B2 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciumhohlkoerpern | |
EP0090350A1 (de) | Nicht poröse Wasserstoffdiffusions-Membran und deren Verwendung | |
DE2516059B2 (de) | Werkzeug zum Herstellen oder Bearbeiten von Stirnrädern | |
EP0232477B1 (de) | Verfahren zum Zonenglühen eines metallischen Werkstücks | |
DE102021108382A1 (de) | Verfahren zum erzeugen von verschränkungen an den zahnflanken eines innenverzahnten werkstücks | |
DE1901524A1 (de) | Verfahren zum formaendernden Bearbeiten eines kristallinen Koerpers aus Halbleitermaterial,insbesondere eines Siliziumeinkristalls | |
DE2953636T1 (de) | ||
DE2916138A1 (de) | Einbauhalter fuer einen messerkopf | |
DE2353203C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Auskoppelspiegel für Hochleistungslaser | |
DE2321186A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer anordnung aus silicium oder siliciumcarbid fuer diffusionsprozesse | |
DE2535116A1 (de) | Messer zum schneiden strang- oder stabfoermiger artikel der tabakverarbeitenden industrie | |
DE2620393B2 (de) | Verfahren und Werkzeug zur Reprofilierung der Räder von Eisenbahnradsätzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |