DE3026272A1 - Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung - Google Patents

Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung

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DE3026272A1 DE19803026272 DE3026272A DE3026272A1 DE 3026272 A1 DE3026272 A1 DE 3026272A1 DE 19803026272 DE19803026272 DE 19803026272 DE 3026272 A DE3026272 A DE 3026272A DE 3026272 A1 DE3026272 A1 DE 3026272A1
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Nagano Electronics Industrial Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Nagano Electronics Industrial Co Ltd
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Description

1. Nagano Electronics Industrial Co., Ltd.
Koshoku-shi/ Nagano-ken (Japan)
2. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Choyoda-ku, Tokyo (Japan)
Präzisionsformverfahren für Wafermaterial und Vorrichtung zu dessen Durchführung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Präzisionsformverfahren für Wafermaterial und eine Vorrichtung zu dessen Durchführung und betrifft insbesondere ein neues und verbessertes Verfahren zum Formen von Wafermaterial, wie z.B. Silikonhalblei terwaf er, die in der Elektronikindustrie verwendet werden, mit hoher Abmessungspräzision und hoher Produktivität.
Es ist bekannt, daß verschiedene Einkristallmaterialien in der Elektronikindustrie weite Verbreitung gefunden haben,
wie z.B. hochreines Silikon und Germanium als Halbleitermaterial und Gadolingalliumgranat (im folgenden als GGG abgekürzt) als Magnetblasenspeicher in Elektronenrechnern. Diese Einkristallmaterialien werden in Form sehr dünner Plättchen verwendet. Derartig winzige Plättchen des Einkristall-
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materials werden durch Zersägen eines barrenähnlichen sogenannten Stabs oder Barren des gewachsenen Einkristalls in Wafer mit einer Dicke von einigen Zehnteln Millimetern und dann mittels Schneiden der Wafer in Plättchen hergestellt.
Mit der Weiterentwicklung der Elektroniktechnologie sind die Anforderungen für die Abmessungsgenauigkeit dieser Materialien immer weiter gewachsen, nicht nur, um die Qualitätskontrolle der fertiggestellten Elektronikgeräte zu erleichtern, sondern ebenfalls um die Produktivität zu verbessern. Beispielsweise ist es erforderlich, den Durchmesser der Wafermaterialien innerhalb +_ 0,2 mm oder vorzugsweise innerhalb _+ 0,1 mm zu überwachen. Zusätzlich ist es allgemein bei der Behandlung der Wafermaterialien üblich, daß kreisförmige Wafer mit einer oder mehreren sogenannten Orientierungsebenen zur Erleichterung der Montage auf einer Schneidmaschine versehen werden. Eine Orientierungsebene ist ein Teil des Ebenenumfangs, den man mittels Wegschneiden eines sichelförmigen Teils aus einer kreisförmigen Wafer erhält.
Das gewöhnliche Verfahren zum Formen des Wafermaterials, das die obenerwähnten Anforderungen sowohl hinsichtlich der Abmessungsgenauigkeit und der Form befriedigt, umfaßt zuerst das Schleifen des Einkristallbarrens, bis der Barren bzw. die; Stange einen Querschnitt aufweist, der genau mit der Form und den Abmessungen der fertiggestellten Wafer übereinstimmt und dann den Schritt des Zersägens des so geschliffenen Barrens in Wafer auf einer Sägemaschine.
Das obenbeschriebene Verfahren zum Formen von Wafern hat verschiedene Nachteile. Erstens ist die Schneidebe'ne, wie es häufig der Fall ist, wenn die Richtung der Kristallachse in der Wafer von äußerster Wichtigkeit ist, nicht immer exakt
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senkrecht zur Achse des Einkristallstabs, entsprechend den besonderen Erfordernissen in der kristallographischen Ausrichtung der fertiggestellten Wafer. Bei solchem geneigten Sägen ist die gesägte Wafer nicht mehr kreisförmig, sondern elliptisch, so daß der Unterschied in der Länge der längeren und kürzeren Achsen manchmal den erlaubten Fehler im Durchmesser der kreisförmigen Wafer überschreitet. Angenommen, daß beispielsweise der Einkristallstab einen Durchmesser von 100 mm und die Sägeebene um 4° von der senkrecht zur Stabachse verlaufenen Ebene geneigt ist, ist die längere Achse der gesägten elliptischen Wafer etwa 0,2 mm länger als die kürzere Achse, so daß der maximal erlaubte Fehler von _+ 0,2 mm prinzipiell unweigerlich überschritten wird.
Infolge der Sprödigkeit des Einkristallmaterials findet zweitens im allgemeinen an den Waferkanten ein Splittern beim Schneiden statt, das die Produktivität nachteilig beeinflußt, da eine derartig gesplitterte Wafer kein Handelsprodukt ist.
Drittens fordern einige Verwender des Wafermaterials, daß jede Wafer am Umfang so abgerundet ist, daß ein zufälliges Zersplittern der Wafer bei ihrer Handhabung vermieden wird. Das Abrunden jeder einzelnen Wafer ist sehr zeitaufwendig.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neues verbessertes Verfahren zum Formen des Wafermaterials aus einem stangenähnlichen Einkristall mit hoher Präzision und hoher Produktivität zu schaffen. Mit dem Verfahren soll eine hohe Abmessungsgenauigkeit beim Formen einer Wafer aus einem Einkristallstab sogar dann erreicht werden, wenn die Schneidebene zur Ebene senkrecht zur Achse des Stabes geneigt ist. Weiter soll ein Verfahren geschaffen werden, mit dem das Abrunden der Kanten gleichzeitig mit dem Ausbilden des genauen Waferdurchmessers in einer einzigen Anordnung durchge-
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— Ό —
führt werden kann. Mit der Erfindung wird ebenfalls eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens geschaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man
a) einen Einkristallstab so schleift, daß der Stab einen um den zu schleifenden Rand größeren Querschnitt als das fertiggestellte Wafermaterial aufweist,
b) den Einkristallstab in Wafer zersägt, und man
c) die Wafer einem Formschleifen mittels Kopieren eines Originals mit einem Querschnitt, der genau mit der herzustellenden Wafer übereinstimmt, unterzieht.
Der obenbeschriebene Schritt c) wird erfindungsgemäß wirksam mit einer Vorrichtung durchgeführt, welche
a) eine um eine Achse sich drehende Einspannvorrichtung, die das Wafermaterial in einer solchen Stellung hält, daß die Ebene des Wafermaterials senkrecht zur Rotationsachse verläuft,
b) ein Original der fertigzustellenden Wafer mit genau dem gleichen Querschnitt wie die fertigzustellende Wafer aufweist, das sich koaxial mit der Einspannvorrichtung bei gleicher Geschwindigkeit dreht, und
c) eine Kopierschleifvorrichtung, die sich um eine Achse dreht, die parallel zur Achse der Einspannvorrichtung verläuft und sich relativ zu bzw. von der Achse der Einspannvorrichtung wegbewegen kann und mit einer Kopierwalze und einer Schleifscheibe versehen ist, die den gleichen Durchmesser wie die Kopierwalze aufweist, so daß die Kopierwalze mit dem Original und die Schleifscheibe mit dem mittels der Aufspanneinrichtung gehaltenen Wafermaterial in Berührung kommt, wenn die Kopierschleifvorrichtung in Richtung auf die Einspannvorrichtung und das Original hinbewegt wird, aufweist.
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Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Ansicht des Hauptteils der Vorrichtung zum Formschleifen;
Fig. 2 ein Teil eines vergrößerten axialen Querschnitts der Schleifscheibe und einer Wafer.
Bei dem Verfahren wird ein stabähnlicher Einkristall aus einem Silikonhalbleiter oder GGG, der als Barren oder Stab bezeichnet wird und einen Durchmesser von einigen Zentimetern bis 10 cm oder mehr aufweist, in dem Verfahrensschritt a) mittels Verwendung eines mittelpunktslosen Schleifgerätes oder einer anderen geeigneten Schleifmaschine in einem solchen Maß geschliffen, daß der Grundstab einen Querschnitt aufweist, der größer als der der gewünschten Wafer nach Fertigstellung ist, und zwar um einen Rand, der in dem darauffolgenden Schritt c) geschliffen wird. Wenn die gewünschten Waferprodukte kreisförmig sind und keine Orientierungsebene aufweisen, dann wird der Einkristallstab in diesem Schritt ebenfalls kreisförmig geschliffen, und zwar zu einem Querschnitt mit einem Durchmesser von beispielsweise 0,5 bis 1,5 mm größer als der Durchmesser des gewünschten Waferprodukts. Dieser zu schleifende Rand oder der Schleifüberstand ist nicht besonders begrenzt, wobei jedoch ein übermäßig großer zu schleifender Rand oder Schleifüberstand insofern nicht erwünscht ist, da in dem darauffolgenden Schritt c) eine größere Materialmenge entfernt werden muß, wohingegen ein zu kleiner Rand Schwierigkeiten beim exakten Befestigen der mit einem Rand versehenen Wafer auf der Einspannvorrichtung mit sich bringt.
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Wenn die fertiggestellte Wafer mit einer Orientierungsebene versehen werden soll, muß der Einkristallstab entsprechend mit einer flachen Oberfläche versehen werden, die parallel zur Achse des Stabes verläuft, und zwar mittels Schleifen mit einer Flachschleif- oder anderen geeigneten Schleifmaschine. Diese flache Fläche ist ebenfalls zur Orientierungsebene in der fertiggestellten Wafer unter Berücksichtigung einer notwendigen Kristallgitterorientierung oder anderen gewünschten Faktoren parallel. Die Breite der flachen Fläche sollte ebenfalls unter Berücksichtigung der in Schritt c) erforderlichen Materialentfernung nicht unnötig gesteigert, andererseits unter Berücksichtigung der Schwierigkeit beim Befestigen des mit dem Rand versehenen Plättchens auf der Einspannvorrichtung im Schritt c) nicht unnötig vermindert werden.
Der in Schritt a) geschliffene Einkristallstab mit einem gewünschten Querschnitt wird dann in Schritt b) in Wafer bzw. Plättchen gewünschter Dicke gesägt. Das Sägen bzw. Zerschneiden in der Schneidmaschine zum Zerschneiden eines stabähnlichen Körpers ist allgemein bekannt und bedarf keiner besonderen Beschreibung. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird jedoch ein Vorteil darin gesehen, daß die Geschwindigkeit der Schneidmaschine gesteigert werden kann, da ein geringes Zersplittern der Kanten der Wafer ohne Bedeutung insofern ist, da das Zersplittern innerhalb des Randes der Wafer begrenzt ist, der im darauffolgenden Schritt c) mittels Schleifen entfernt wird.
Die mittels Zersägen des Einkristallstabs in Schritt"b) erhaltene, mit einem Rand versehene Wafer wird dann dem Formschleifen unterworfen. Dieser Schritt c) des Formschleifens wird im einzelnen im Bezug auf die Zeichnung, die den Hauptteil der Vorrichtung zeigt, im folgenden beschrieben.
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Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird eine mit einem Rand versehene Wafer W auf dem unteren Einspannelement 5 angeordnet, das mittels der Welle 6 um eine Achse drehbar ist. Die obere Fläche des unteren Einspannelements 5 ist flach und verläuft senkrecht zur Drehachse, so daß die mit einem Rand versehene Wafer W auf dem unteren Einspannelement 5 ebenso flach senkrecht zur Rotationsachse liegt. Auf der Oberfläche der Wafer W, die auf dem unteren Einspannelement 5 liegt, wird dann ein oberes Einspannelement 4 mit einer flachen Unterseite abgesenkt, so daß die Wafer W fest zwischen dem unteren und oberen Einspannelement 5, 4 gehalten rotiert.
Über dem oberen Einspannelement 4 ist ein Original 3 angeordnet, das genau den gleichen Querschnitt in Form und Abmessungen wie das gewünschte Waferprodukt nach Herstellung aufweist und ist mittels der Welle 1 gehalten. Es ist in diesem Fall wesentlich, daß das Original 3 und die Einspannvorrichtung, bestehend aus dem oberen und unteren Einspannelement
4, 5 sich koaxial bei gleicher Geschwindigkeit drehen, üblicherweise sind das Original 3 und das obere Einspannelement 4 einstückig auf der oberen Welle 1 , die koaxial zur unteren Welle 6 verläuft, befestigt.
Die Drehgeschwindigkeit der Einspannvorrichtung oder des Originals 3, d.h. der oberen und unteren Wellen 1,6 sollte nicht übermäßig hoch und vorzugsweise im Bereich von 2 Upm bis 30 Upm oder vorzugsweise von 5 Upm bis 20 Upm liegen.
Andererseits ist die Vorrichtung mit einer Kopierschleifvorrichtung 2, bestehend aus einer Kopierwalze 7 und einer auf der Welle 9 befestigten, sich mit hoher Geschwindigkeit drehenden Schleifscheibe 8versehen.Die Drehachse der Welle 9 verläuft notwendigerweise parallel zur Drehachse der Wellen 1, 6. Es ist natürlich so, daß die Kopierwalze 7 und
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die Schleifscheibe 8 beide koaxial zur Welle 9 verlaufen. Es ist wesentlich, daß die Kopierwalze 7 und die Schleiffläche der Schleifscheibe 8 den gleichen Durchmesser innerhalb des erlaubten Fehlers im Durchmesser der fertiggestellten Wafer aufweisen.
Weiter ist die Welle relativ zu den Wellen 1, 6 hin- und wegbewegbar, während sie sich mit einer hohen Geschwindigkeit dreht. Die Stellungen der Kopierwalze 7 und der Schleifscheibe 8 längs der Welle 9 sind so bestimmt, daß wenn die Welle 9 in Richtung der Wellen 1,6 bewegt wird, die Umfangsfläche der Kopierwalze 7 mit der ümfangsfläche des Originals 3 in Berührung kommt, während die Schleiffläche der Schleifscheibe 8 mit dem Umfang des Randes der mit dem Rand versehenen Wafer W so in Berührung kommt, daß der Rand der Wafer W mittels Schleifen durch die Schleifscheibe 8 entfernt wird.
Wenn die Kopierschleifvorrichtung 2 sanft gegen die Wellen 1,6 gedrückt wird, wird die Entfernung des Randes der Wafer mittels der Schleifscheibe 8 fortgesetzt, bis die Bewegung der Welle 9 unterbrochen wird, wenn die Ümfangsfläche der Kopierwalze 7 mit der Ümfangsfläche des Originals 3 in Berührung kommt. Auf diese Weise wird die Wafer W fertiggestellt, wobei sie genau die gleichen Abmessungen und die gleiche Form wie das Original 3 mit ausreichender Genauigkeit aufweist.
Wenn kein Abkanten bei der fertiggestellten Wafer erforderlich ist, d.h., wenn die Ümfangsfläche der Wafer eine einfache zylindrische Fläche ist, kann die Schleiffläche der Schleifscheibe 8 ebenfalls eine einfache zylindrische Fläche sein. Wie jedoch oben erwähnt, wird manchmal gewünscht, daß die Umfangskanten der Wafer abgekantet sind. Um ein der.-
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artiges Abkanten durchzuführen, ist es von Vorteil, daß die Schleifscheibe 8 nicht nur eine zylindrische Schleiffläche 8a, sondern ebenfalls konische oder geneigte Schleifflächen 8b aufweist, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, die einen Teil eines vergrößerten Querschnitts der Schleifscheibe 8 darstellt. In diesem Fall ist die Schleifscheibe 8 vorzugsweise in axialer Richtung der Welle 9 über einen kleinen Bereich bewegbar.
Mit der obenbeschriebenen Form der Schleifscheibe 8 wird die mit einem Rand versehene Wafer W zuerst mit der zylindrischen Schleiffläche 8a der Schleifscheibe 8 zur Ausbildung der zylindrischen Umfangsflache 10a der Wafer W mit dem genauen Durchmesser mittels Drücken der zylindrischen Schleiffläche 8a gegen die mit dem Rand versehene Wafer W geschliffen. Darauf wird die Schleifscheibe 8 ein wenig relativ zur Wafer W in axialer Richtung der Welle 9 bewegt, so daß eine der konischen Schleifflächen 8b mit einer der Umfangskanten der Wafer W in Berührung kommt, wodurch ein Abkanten des Umfangs der Wafer W zur Ausbildung einer abgekanteten Fläche 10b bewirkt wird. Wenn eine der abgekanteten Flächen 10b auf diese Weise fertiggestellt wurde, wird die Schleifscheibe 8 wiederum in umgekehrter axialer Richtung bewegt, so daß die andere Umfangskante der Wafer W mit der anderen konischen Schleiffläche 8b der Schleifscheibe 8 zur Ausbildung der anderen abgekanteten Fläche 10b geschliffen wird.
Wie oben beschrieben, wird mit dem Verfahren und der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung eine wirksame Einrichtung geschaffen, mit der eine Wafer nicht nur mit einem gewünschten genauen Durchmesser und einer Orientierungsfläche oder Orientierungsflächen, sondern ebenfalls mit abgekanteten Flächen mittels einmaligem Befestigen auf der Vorrichtung hergestellt werden kann.
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Es wird eine neue und wirksame Einrichtung zum Formen von Wafermaterial in genauen Abmessungen aus einem Einkristallstab geschaffen. Im Unterschied zu den gewöhnlichen Verfahren wird der Einkristallstab zuerst geschliffen, damit er einen Querschnitt erhält, der um einen zu schleifenden Rand größer als der gewünschte Durchmesser der Wafer ist, woraufhin der Stab dann in die mit Rändern versehenen Wafer zersägt wird und die mit Rändern versehenen Wafern
dann einem Formschleifen mittels Kopieren eines Originals der gewünschten Wafer unterzogen wird. Die Erfindung schafft ebenfalls eine Vorrichtung für das obenbeschriebene Verfahren, wobei die mit einem Rand versehene Wafer nicht nur so geschliffen wird, daß sie den genauen Durchmesser und die äußere Form erhält, sondern daß ebenfalls ihre Umfangskanten nacheinander mittels einem einmaligen Montieren auf
dem Gerät abgekantet werden.
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Claims (3)

1. Nagano Electronics Industrial Co., Ltd.
Koshoku-shi, Nagano-ken (Japan)
2. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Choyoda-ku, Tokyo (Japan)
Präzisionsformverfahren für Wafermaterial und Vorrichtung zu dessen Durchführung
Patentansprüche
1. Präzisionsformverfahren für Wafermaterial aus einem Einkristallstab, dadurch gekennzeichnet daß man
a) den Einkristallstab so schleift, daß der Stab einen um einen zu schleifenden Rand größeren Querschnitt als das fertiggestellte Wafermaterial aufweist,
b) den Einkristallstab in mit einem Rand versehene Wafer zersägt, und man
c) die mit einem Rand versehenen Wafer einem Formschleifen mittels Kopieren eines Originals, das einen Querschnitt aufweist, der genau mit dem Querschnitt des fertigzustellenden Wafermaterials übereinstimmt, unterzieht.
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2. Vorrichtung zur Durchführung des Präzisionsformverfahrens für Wafermaterial, zum Formschleifen eines mit einem Rand versehenen Wafermaterials in genaue Abmessungen, gekennzeichnet durch
a) eine um eine Achse (1, 6) sich drehende Einspannvorrichtung (4, 5), die das mit einem Rand versehene Wafermaterial in einer solchen Stellung hält, daß die Ebene des Wafermaterials senkrecht zur Rotationsachse verläuft,
b) ein Original (3) des fertigzustellenden Wafermaterials, das genau den gleichen Querschnitt wie das fertigzustellende Wafermaterial aufweist und sich koaxial zur Einspannvorrichtung (4, 5) bei gleicher Geschwindigkeit dreht, und durch
c) eine sich um eine parallel zu der Rotationsachse(1,6) der der Fdnspamvorrichtung( 4,5) verlauf ende Achse (9) drehende Kooierschleifvorrichtung, die relativ zu der Rotationsachse (1, 6) der Einspannvorrichtung (4, 5) hin-und wegbewegbar ist und mit einer Kopierwalze (7) und einer Schleifscheibe (8) versehen ist, wobei die Schleifscheibe (8) eine Schleiffläche mit einem der Kopierwalze entsprechenden Durchmesser aufweist, so daß die Kopierwalze (7) mit dem Original (3) und die Schleifscheibe mit dem mit einem Rand versehenen Wafermaterial in Berührung kommt, wobei das Wafermaterial mittels der Einspannvorrichtung (4, 5) gehalten wird, wenn die Kopierschleifvorrichtung in Richtung der Einspannvorrichtung (4, 5) und des Originals (3) bewegt wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schleiffläche der Schleifscheibe (8) aus einem zylindrischen Abschnitt (8a) mit einem der Kopierwalze (7) entsprechenden Durchmesser und mindestens einem konischen.Abschnitt (8b) besteht, und daß die Schleifscheibe (8) in axialer Richtung bewegbar ist.
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DE19803026272 1979-07-13 1980-07-11 Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung Granted DE3026272A1 (de)

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JP8914679A JPS5613728A (en) 1979-07-13 1979-07-13 Grinding method for semiconductor wafer
JP13830879A JPS5662754A (en) 1979-10-26 1979-10-26 Grinding method for gallium, gadolinium, garnet and wafer

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062318A1 (de) * 1981-04-08 1982-10-13 Löhr & Herrmann Ingenieurgesellschaft mbH Vorrichtung zum Kantenschleifen von plattenförmigem Gut
DE3326356A1 (de) * 1982-07-30 1984-02-09 Hitachi, Ltd., Tokyo Wafer und verfahren zu seiner herstellung
EP0222521A2 (de) * 1985-11-04 1987-05-20 Silicon Technology Corporation Automatische Kantenschleifmaschine
EP0226772A2 (de) * 1985-12-27 1987-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Herstellen von Halbleitersubstraten
EP0264679A1 (de) * 1986-10-13 1988-04-27 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Anbringen einer abgeschrägten Randkontur an einer Halbleiterscheibe
EP0264700A1 (de) * 1986-10-22 1988-04-27 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Anbringen einer umlaufenden Hohlkehle am Rand einer Halbleiterscheibe eines Leistungshalbleiter-Bauelements
EP0544256A1 (de) * 1991-11-28 1993-06-02 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Verfahren zum Abkanten einer Halbleiterscheibe
EP0549143A1 (de) * 1991-11-27 1993-06-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited Vorrichtung zum Polieren der Schrägkanten eines Wafers
DE102006060195A1 (de) * 2006-12-18 2008-06-26 Jacobs University Bremen Ggmbh Kantenverrundung von Wafern

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279992A (en) * 1982-07-30 1994-01-18 Hitachi, Ltd. Method of producing a wafer having a curved notch
US5230747A (en) * 1982-07-30 1993-07-27 Hitachi, Ltd. Wafer having chamfered bend portions in the joint regions between the contour of the wafer and the cut-away portion of the wafer
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4925809A (en) * 1987-05-23 1990-05-15 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and epitaxial growth on the semiconductor wafer with autodoping control and manufacturing method therefor
US5076021A (en) * 1989-04-28 1991-12-31 Silicon Technology Corporation Flat grind stage assembly for an automatic edge grinder
US4966645A (en) * 1989-12-04 1990-10-30 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus
JP2859389B2 (ja) * 1990-07-09 1999-02-17 坂東機工 株式会社 ガラス板の周辺エッジを研削加工する方法及びこの方法を実施するガラス板の数値制御研削機械
US5274959A (en) * 1991-06-05 1994-01-04 Texas Instruments Incorporated Method for polishing semiconductor wafer edges
US5289661A (en) * 1992-12-23 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Notch beveling on semiconductor wafer edges
JPH07323420A (ja) * 1994-06-02 1995-12-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ製造方法及びその装置
JPH081493A (ja) * 1994-06-17 1996-01-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
TW308561B (de) * 1995-08-24 1997-06-21 Mutsubishi Gum Kk
US5624501A (en) * 1995-09-26 1997-04-29 Gill, Jr.; Gerald L. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US5928066A (en) * 1995-12-05 1999-07-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for polishing peripheral portion of wafer
JP3620679B2 (ja) * 1996-08-27 2005-02-16 信越半導体株式会社 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法
JP3537020B2 (ja) * 1996-10-02 2004-06-14 日本碍子株式会社 セラミック製部品素材のエッジ部チッピングレス加工方法
US5827111A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
US5827112A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
JP3925580B2 (ja) * 1998-03-05 2007-06-06 スピードファム株式会社 ウェーハ加工装置および加工方法
EP1089851B1 (de) * 1998-06-25 2002-10-16 Unova U.K. Limited Verfahren und vorrichtung zum abfasen von halbleiterscheiben
JP3303294B2 (ja) * 1999-06-11 2002-07-15 株式会社東京精密 半導体保護テープの切断方法
US6267649B1 (en) * 1999-08-23 2001-07-31 Industrial Technology Research Institute Edge and bevel CMP of copper wafer
US6328641B1 (en) * 2000-02-01 2001-12-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for polishing an outer edge ring on a semiconductor wafer
JP5663295B2 (ja) * 2010-01-15 2015-02-04 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
CN102275110A (zh) * 2011-09-15 2011-12-14 上海晋飞复合材料科技有限公司 板材边缘打磨方法及装置
CN105216130B (zh) 2014-06-24 2019-04-19 恩智浦美国有限公司 用于半导体切单锯的清洁装置
GB201418175D0 (en) * 2014-10-14 2014-11-26 Pilkington Group Ltd An apparatus and a process for grinding an edge and a glazing having a ground edge
KR20180036846A (ko) * 2016-09-30 2018-04-10 엘지디스플레이 주식회사 기판 가공 장치 및 이를 이용한 표시장치
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP7258489B2 (ja) * 2018-08-21 2023-04-17 株式会社岡本工作機械製作所 半導体装置の製造方法及び製造装置
CN110539226B (zh) * 2019-08-20 2021-06-22 扬州创群网络科技有限公司 一种光学零件研发用倒棱刀具
CN110605629B (zh) * 2019-09-19 2022-11-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种研磨装置
JP2022139255A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 株式会社岡本工作機械製作所 半導体装置の製造方法及び製造装置
CN115847194A (zh) * 2022-11-25 2023-03-28 青岛高测科技股份有限公司 用于硬脆材质棒体的磨削方法及硬脆材质棒体磨削机

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2693063A (en) * 1949-08-13 1954-11-02 American Optical Corp Bevel edging machine and method
DE1764326A1 (de) * 1968-05-17 1971-07-01 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur Anbringung einer Hohlkehle an einem Halbleiterbauelement
US4084354A (en) * 1977-06-03 1978-04-18 International Business Machines Corporation Process for slicing boules of single crystal material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: "Feinwerktechnik", S.85-89, H.3, 1962 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0062318A1 (de) * 1981-04-08 1982-10-13 Löhr & Herrmann Ingenieurgesellschaft mbH Vorrichtung zum Kantenschleifen von plattenförmigem Gut
DE3326356A1 (de) * 1982-07-30 1984-02-09 Hitachi, Ltd., Tokyo Wafer und verfahren zu seiner herstellung
DE3326356C3 (de) * 1982-07-30 1998-06-10 Hitachi Ltd Scheibenförmiger Wafer und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0222521A2 (de) * 1985-11-04 1987-05-20 Silicon Technology Corporation Automatische Kantenschleifmaschine
EP0222521A3 (en) * 1985-11-04 1989-03-01 Silicon Technology Corporation An automatic edge grinder
EP0226772A3 (en) * 1985-12-27 1988-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor substrates
US5087307A (en) * 1985-12-27 1992-02-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor substrate
EP0226772A2 (de) * 1985-12-27 1987-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Herstellen von Halbleitersubstraten
EP0264679A1 (de) * 1986-10-13 1988-04-27 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Anbringen einer abgeschrägten Randkontur an einer Halbleiterscheibe
CH671116A5 (de) * 1986-10-13 1989-07-31 Bbc Brown Boveri & Cie
EP0264700A1 (de) * 1986-10-22 1988-04-27 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Anbringen einer umlaufenden Hohlkehle am Rand einer Halbleiterscheibe eines Leistungshalbleiter-Bauelements
EP0549143A1 (de) * 1991-11-27 1993-06-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited Vorrichtung zum Polieren der Schrägkanten eines Wafers
EP0544256A1 (de) * 1991-11-28 1993-06-02 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Verfahren zum Abkanten einer Halbleiterscheibe
DE102006060195A1 (de) * 2006-12-18 2008-06-26 Jacobs University Bremen Ggmbh Kantenverrundung von Wafern

Also Published As

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US4344260A (en) 1982-08-17

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