DE2359096C3 - Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung - Google Patents

Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung

Info

Publication number
DE2359096C3
DE2359096C3 DE19732359096 DE2359096A DE2359096C3 DE 2359096 C3 DE2359096 C3 DE 2359096C3 DE 19732359096 DE19732359096 DE 19732359096 DE 2359096 A DE2359096 A DE 2359096A DE 2359096 C3 DE2359096 C3 DE 2359096C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sawing
deflection
saw
diamond
semiconductor wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19732359096
Other languages
English (en)
Other versions
DE2359096A1 (de
DE2359096B2 (de
Inventor
Richard 8052 Moosburg Mittermeier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19732359096 priority Critical patent/DE2359096C3/de
Priority to CH879674A priority patent/CH582954A5/xx
Priority to GB2979674A priority patent/GB1465717A/en
Publication of DE2359096A1 publication Critical patent/DE2359096A1/de
Publication of DE2359096B2 publication Critical patent/DE2359096B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2359096C3 publication Critical patent/DE2359096C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D59/00—Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
    • B23D59/001—Measuring or control devices, e.g. for automatic control of work feed pressure on band saw blade
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung von einem Halbleiterstab mit Hilfe einer Diamantsäge, insbesondere einer sogenannten Diamant-Innenlochsäge, bei der entlang des Randes eines kreisförmigen Lochs in einer Metallscheibe Diamantkörner angebracht sind.
Das Schiieidverfahren mit einer Diamant-Innenlochsäge ist beispielsweise in der DE-OS 20 52 896 beschrieben. Sollen Halbleiterscheiben — z. B. Siliciumscheiben — auf Diamant-Innenlochsägen zugeschnitten werden, um ohne weitere Bearbeitung wie z. B. Läppen weiter verarbeitet werden zu können, so muß neben anderen Werten auch die Durchbiegung der geschnittenen Scheiben innerhalb vorgegebener Toleranzen liegen. Meßergebnisse haben gezeigt, daß nach einer Serie von Schnitten die Durchbiegung zunächst gering ist, jedoch dann innerhalb weniger Schnitte unzulässig groß wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem diese Durchbiegung innerhalb vorgegebener Toleranzen bleibt
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren
ίο der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß bei Überschreiten einer Durchbiegungstoleranz mit der Säge kurzzeitig in ein hartes Material gesägt wird, das exponiert liegende Diamantkörner herausschlägt
Mit Hilfe eines solchen erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem Diamantkörner, die unter einem schlechten Winkel zur Vorschubrichtung und/oder an der falschen Stelle schneiden, entfernt werden, erhält man nach dem Sägen in das harte Material wieder Halbleiterscheiben mit ausreichend geringer Durchbiegung.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß ein geschlossener Regelkreis gebildet wird, bei dem an den abgesägten Scheiben laufend Durchbiegungsmessungen vorgenommen werden, bei Überschreiten der Toleranz der Sägeprozeß an dem Halbleiterstab kurzzeitig unterbrochen wird und während der Unterbrechung das Sägen in das harte Material erfolgt.
so Die Auswertung der Durchbiegungsmessungen erfolgt dabei vorteilhaft elektronisch, gegebenenfalls über einen Prozeßrechner. Das zwischenzeitliche Sägen in das harte Material erfolgt dabei so kurzzeitig, daß eine Verschlechterung der die Qualität eines Sägeschnitts bestimmenden Parameter wie z. B. die Rauhtiefe, die Welligkeit und die Planparallelität vermieden wird. Falls ein einmaliges zwischenzeitiges Sägen den gewünschten Erfolg nicht bringt, so erfolgt eine Wiederholung dieses Vorgangs.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung von einem Halbleiterstab mit Hilfe einer Diamantsäge, insbesondere einer sogenannten Diamant-Innenlochsäge, bei der entlang des Randes eines kreisförmigen Lochs in einer Metallscheibe Diamantkörner angebracht sind, d a durch gekennzeichnet, daß bei Oberschreiten einer Durchbiegungstoleranz mit der Säge kurzzeitig in ein hartes Material gesägt wird, das exponiert liegende Diamantkörner herausschlägt
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß ein geschlossener Regelkreis gebildet wird, bei dem an den abgesägten Scheiben laufend Durchbiegungsmessungen vorgenommen werden, bei Überschreiten der Toleranz der Sägeprozeß an dem Halbleiterstab kurzzeitig unterbrochen wird und während der Unterbrechung das Sägen in das harte Material erfolgt.
DE19732359096 1973-11-27 1973-11-27 Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung Expired DE2359096C3 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732359096 DE2359096C3 (de) 1973-11-27 1973-11-27 Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung
CH879674A CH582954A5 (de) 1973-11-27 1974-06-26
GB2979674A GB1465717A (en) 1973-11-27 1974-07-04 Sawing of semiconductor wafers from a rod

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732359096 DE2359096C3 (de) 1973-11-27 1973-11-27 Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2359096A1 DE2359096A1 (de) 1975-06-05
DE2359096B2 DE2359096B2 (de) 1981-05-27
DE2359096C3 true DE2359096C3 (de) 1982-01-28

Family

ID=5899222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732359096 Expired DE2359096C3 (de) 1973-11-27 1973-11-27 Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH582954A5 (de)
DE (1) DE2359096C3 (de)
GB (1) GB1465717A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4667650A (en) * 1985-11-21 1987-05-26 Pq Corporation Mounting beam for preparing wafers
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
DE3640645A1 (de) * 1986-11-28 1988-06-09 Wacker Chemitronic Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben
DE3718947A1 (de) * 1987-06-05 1988-12-15 Wacker Chemitronic Verfahren zum schaerfen von trennwerkzeugen fuer das abtrennen von scheiben von stab- oder blockfoermigen werkstuecken und trennverfahren
DE19818484A1 (de) * 1998-04-24 1999-10-28 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Abtrennen einer Halbleiterscheibe

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1319768A (en) * 1969-10-29 1973-06-06 Caplin Eng Co Ltd Machine tool for cutting a workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
DE2359096A1 (de) 1975-06-05
CH582954A5 (de) 1976-12-15
DE2359096B2 (de) 1981-05-27
GB1465717A (en) 1977-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3026272A1 (de) Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung
DE69907336T2 (de) Schneiderad
DE69734790T2 (de) Drahtsäge und Verfahren zum Zerschneiden eines zylindrischen Werkstücks
DE3640645A1 (de) Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben
DE1165163B (de) Schneidvorrichtung fuer Germanium-Halbleitereinkristalle in Barrenform zum Herstellen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente
CH633744A5 (de) Verfahren zum herstellen von scheiben aus einem harten einkristall-rohling mittels einer innenlochsaege.
EP1332247B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum trennen von einkristallen, sowie eine justiervorrichtung und ein testverfahren zum ermitteln einer kristallorientierung
DE3613132A1 (de) Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
DE2359096C3 (de) Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben geringer Durchbiegung
DE4141483A1 (de) Probenhalter fuer ein roentgendiffraktometer
EP0293941B1 (de) Verfahren zum Schärfen von Trennwerkzeugen für das Abtrennen von Scheiben von stab- oder blockförmigen Werkstücken und Trennverfahren
DE19526711A1 (de) Verfahren zur Bearbeitung von Siliciumwafern
DE102010007459A1 (de) Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial
EP4059660B1 (de) Verfahren zum schleifen von sägezähnen eines sägeblatts
DE2808538C3 (de) Vorrichtung zum Reinigen von Magnetbändern
DE2849215A1 (de) Vorrichtung zum abflachen von balken oder staemmen
DE3300860C2 (de) Innenlochsäge
DE102010018570B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls
DE831485C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennschneiden von Rohren
DE19825050C2 (de) Verfahren zum Anordnen und Orientieren von Einkristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Drahtsäge
DE861020C (de) Spanbegrenzungsvorrichtung fuer Kehlmesserkopf mit Rundmessern
DE3915916A1 (de) Schleifschneidwerkzeug mit schneidabschnitt am inneren umfang
DE2934006A1 (de) Verfahren zur herstellung von duennen holztafeln mit optimaler dekorativer wirkung
SU1486886A1 (ru) Способ выбора рациональной марки инструментального материала
DE901617C (de) Werkzeug zur spanabhebenden Bearbeitung

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee