DE2254605C3

DE2254605C3 - Signalspeicherplatte

Info

Publication number: DE2254605C3
Application number: DE2254605A
Authority: DE
Inventors: Osamaru Osaka Eguchi; Shinji Toyanaka Fujiwara
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1971-11-09
Filing date: 1972-11-08
Publication date: 1982-04-15
Also published as: DE2254605A1; US3858074A; FR2159364A1; NL159237B; IT984638B; GB1393914A; DE2254605B2; NL7215094A; BE791077A; AU4859272A; AU444944B2; CA976265A; FR2159364B1

Description

Die Erfindung betrifft eine Signalspeicherplatte mit einer transparenten Elektrode auf einem Substrat, einer auf der Elektrode aufgebrachten, Zinkselenid als Hauptbestandteil enthaltenden Zwischenschicht und einer weiteren, auf der Zwischenschicht aufgebrachten fotoleitenden Schicht, die Tellur enthält.

Eine bekannte Signalspeicherplatte dieser Art (NL-OS 7105 385), zeigt eine amorphe fotoleitende Schicht, die Arsen, Tellur und Selen enthält. Das Arsen wird zugesetzt, um ein Auskristallisieren des Selens zu verhindern. Der Zusatz von Tellur soll die Empfindlichkeit im Bereich großer Wellenlängen erhöhen. Die höchste erreichte Empfindlichkeit einer solchen Signalspeicherplatte beträgt nach den Textangaben das 2,5fache herkömmlicher SbiSa-Signalspeicherplatten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Empfindlichkeit der Signalspeicherplatte gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu erhöhen und zwar über den gesamten Bereich sichtbarer Wellenlängen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die fotoleitende Schicht ω

Zn,Cdi -_yTe mit 0 <y< 1

enthält.

Somit kann die Signalspeicherplatte eine fotoleitende Schicht der Zusammensetzung Zn₁Cd, _/Te aufweisen. b5 Es handelt sich also um eine polykristalline fotoleitende Schicht aus Zink, Cadmium und Tellur. Um eine gute Empfindlichkeit über den gesamten Bereich sichtbarer Wellenlängen zu erzielen, ist eine gute und vollständige Kristallisierung der fotoleitenden Schicht erforderlich. Diese Kristallisierung wird bei der angegebenen Zusammensetzung der erfindungsgemäßen fololeitenden Schicht mit Zn,Cdi_j,Te notwendig eintreten. Insoweit bestehen also Unterschiede zur bekannten Signalspeicherplatte nicht nur in der Zusammensetzung, sondern auch in der Struktur. Dabei beträgt die Empfindlichkeit der erhaltenen fotoleitenden Schicht bis zum 20fachen derjenigen bei herkömmlichen Signalspeicherplatten mit fotoleitenden Schichten aus Sb₂Ss und ist somit auch derjenigen der aus der oben abgehandelten Druckschrift bekannten Signalspeicherplatte bis zu nahezu einer Größenordnung überlegen. Derartige Signalspeicherplatten sind insbesondere für die Verwendung in Bildaufnahmeröhren ausgezeichnet geeignet

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Schnittansichi einer Ausführungsform der Signalspeicherplatte,

F i g. 2 eine grafische Darstellung zum Vergleich der Empfindlichkeit einer Signalspeicherplatte mit und ohne eingefügter ZnSe-Schicht,

F i g. 3 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit von

ZnSe ZnjCdi-^Te,

F i g. 4 teilweise als Blockschaltung eine Meßeinrichtung,

Fig.5 und Fig.6 grafische Darstellungen der Abhängigkeit des Dunkelstroms bzw. des lichtelektrischen Stroms von der Zusammensetzung,

F i g. 7 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit für verschiedene Parameter yin der Zusammensetzung

ZnSe -(Zn^Cd, - ,Te)o.95(In₃Te₃)o.o5.

F i g. 8 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit für verschiedene Parameter Z in der Zusammensetzung

ZnSc-(Zn₀JiCd(MTe)₂(In₂Te₃), __z

F i g. 1 zeigt ein Substrat 1 aus Glas, auf dem eine transparente Elektrode 2 beispielsweise aus In₂O₃ oder SnO₂ ausgebildet ist. Auf der anderen Seite dieser transparenten Elektrode 2 ist eine Zwischenschicht 3 und auf dieser wiederum eine fotoleitende Schicht 4 angeordnet. Das verbotene Band ist im Material der Zwischenschicht 3 breiter als im Material der fotoleitenden Schicht 4.

Bei der Wahl des Materials für die Zwischenschicht 3 ist zu berücksichtigen, daß erstens die Gitterkonstante, die Kristallstruktur und der Wärmeausdehungskoeffizient der Zwischenschicht annähernd mit denen der fotoleitenden Schicht 4 übereinstimmen müssen, und zweiten die Energiebänder der Zwischenschicht 3 und der fotoleitenden Schicht 4 bei Verbinden dieser Schichten glatt ineinander übergehen müssen. Diese Bedingungen müssen eingehalten werden, um die lichtelektrische Wandlerleistung zu erhöhen.

Licht mit einer kürzeren Wellenlänge, als dies dem verbotenen Band des Materials der fotoleitenden Schicht 4 entspricht, wird von dieser Schicht nahe der Oberfläche absorbiert. Hat dieser Bereich nur eine geringe Kristallgüte und sind in diesem Bereich zahlreiche Rekombinationszentren vorhanden, so wird die lichtelektrische Wandlerleistung herabgesetzt. Es ist deshalb wichtig, daß die Kristallgüte der Oberfläche der

fotoleitenden Schicht 4 auf der Seite des Lichteintritts entsprechend hoch ist und Gitterfehler im Oberflächenbereich nicht auftreten.

Praktische Versuche mit Signalspeicherplatten haben ergeben, daß die Energiebandabstände ,ier Zwischenschicht 3 und der fotoleitenden Schicht 4 die untere und die obere Grenzwellenlänge für die Empfindlichkeit bestimmen.

Fig.2 zeigt das Ergebnis solcher Versuche. Die fotoleitende Schicht 4 hat dabei die Zusammensetzung

Die gegebenenfalls vorhandene Zwischenschicht 3 bestand aus ZnSe. Kurve I gibt den Fall, bei dem keine derartige ZnSe-Zwischenschicht 3 vorhanden war, i-> Kurve II den Fall bei Vorliegen einer derartigen ZnSe-Zwischenschicht 3. Aus der Figur kann abgelesen werden, daß die Verwendung der ZnSe-Zwischen-Echicht 3 zusammen mit der entsprechend zusammengesetzten fotoleitenden Schicht 4 einen er!"eblich besser ji> über den gesamten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes verteilten Verlauf der Empfindlichkeit ergibt. Es wurde ergänzend festgestellt, daß auch der Dunkelstrom durch die Verwendung der ZnSe-Zwischenschicht 3 verringert wird. :ϊ

Im folgenden soll zunächst die Herstellung der Signalspeicherplatte und die Ermittlung ihrer Kenndaten erläutert und anschließend auf Ausführungsformen eingegangen werden.

Zunächst werden mehrere Heizkörper in ein Auf- 3» dampfgerät eingebracht. Auf die Heizkörper wird Aufdampfmaterial wie ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, In2Te3 oder feste Lösungen dieser Stoffe aufgebracht. Durch entsprechende Regelung der Heizkörpertemperatur wird eine feste Lösung der verwendeten Stoffe in der gewünschten Zusammensetzung hergestellt. Die Verwendung mehrerer Heizkörper ermöglicht auch den Aufbau zusammengesetzter Schichten, ohne daß hierzu der Vakuumzustand verändert werden muß.

Ein Substrat 1 aus Glas mit darauf befindlicher -to transparenter Elektrode 2 wird auf 100 bis 400° C erhitzt, wodurch sich die feste Lösung der gewünschten Zusammensetzung abscheidet. Die so erhaltene Anordnung wird zur Fertigstellung der Signalspeicherplatte für eine Zeit von einigen Minuten bis zu einigen Stunden auf 300 bis 700° C gehalten.

An der fertigen Signalspeicherplatte werden Messungen des Dunkelstroms, des lichtelektrischen Stroms, des Lichtansprechvc-rmögens und der Empfindlichkeit über den Bereich des sichtbaren Lichtes wie folgt durchge- 3u führt:

Die Empfindlichkeit wurde bei der Messung des lichtelektrischen Stroms in Intervallen von 20 nm mit einem Interferenzfilter und einer Halogenlampe von 3400° K bestimmt. Die durch das Filter auf den Probekörper auftreffende Lichtmenge wurde mittels einer Thermosäule gemessen. Zur Bestimmung des Dunkelstroms und des lichtelektrischen Stroms wurde ein handelsübliches Elektrometer verwendet. Das Lichtansprechvermögen einer Bildaufnahmeröhre un- &o terscheidet sich grundsätzlich vom fotoleitenden Verhalten der zugehörigen Signalspeicherplatte. Es wurde deshalb bei seiner Ausmessung eine Ersatzschaltung aufgebaut, für die ein Elektronenstrahl nicht erforderlich ist und die einem Bildelement der in der Bildaufnahmeröhre von einem Elektronenstrahl abgetasteten Signalspeicherplatte entspricht.

F i g. 4 zeigt die Vorgangsweise. Eine Fotozelle 5 wird durch einen Lichtimpjlsgeber mit einer Impulsdauer von 2 μ5 mit 60 Hz an- und ausgeschaltet. Das entspricht der Abtastung eines Bildelements mit einem Elektronenstrahl von 60 Hz. Aus einer Lichtquelle bestehend aus einer Halogenlampe von 3400° K wurde das Element mit 0,4 Ix bestrahlt und das, Lichtansprechver ■ mö^en unter Zuhilfenahme eines herkömmlichen fotografischen Verschlusses gemessen. Die Ergebnisse solcher Messungen stimmen recht gut mit Messungen überein, die mit einer unter Verwendung der Signalspeicherpiatte aufgebauten Bildaufnahmeröhre durchgeführt werden. Bei den Messungen wurde das prozentuale Ansteigen bzw. Abfallen zu einem Zeitpunkt ermittelt, der 50 ms nach dem An- bzw. Abschalten des Lichtes lag.

Nach Ermittlung der Kenndaten der Signalspeicherphttte selbst durch die oben beschriebenen Messungen wurden die Kenndaten der Bildaufnahmeröhre wie folgt bestimmt: Für die Bestimmung des Dunkelstroms und des lichtelektrischen Stroms wurde während der Abtastung mit einem Elektronenstrahl eine positive Spannung an dis transparente Elektrode 2 angelegt und der aus ihr gezogene Signalstrom gemessen. Bezeichnet man weiter als »Verzugsbild« den Betrag des Signalstroms 50 ms nach Abschalten des Lichtes, so kann dieser beispielsweise als Prozentwert angegeben werden, der den Signalstromabfall kennzeichnet. Als »Nachbild« ist die Tatsache zu bezeichnen, daß auf einem Bildmonitor das Bild eines Objektes auf einem einheitlichen weißen Hintergrund auch noch eine gewisse Zeit nach dem Abschalten beobachtet werden kann. Das Nachbild wird nach Aufnahme des Objektes unter Standardaufnahmebedingungen ermittelt. Es wird ebenfalls als Prozentzahl nach 50 ms festgestellt.

Ausführungsbeispiel 1

Eine Signalspeicherplatte wurde mit einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe und einer fotoleitenden Schicht 4 aus ZnyCdi. ,Te erstellt. Es wurden Versuche durchgeführt, bei denen der Wert für y variiert wurde. Hierfür wurde ein Substrat 1 aus Glas mit darauf aufgebrachter elektrisch leitfähiger und transparenter Elektrode 2 auf einer Temperatur von 150 bis 400°C gehalten und im Verlauf einer Zeitspanne von 5 bis 30 Minuten auf die transparente Elektrode 2 ZnSe in einer Stärke von 0,02 bis 2 μΐη als Zwischenschicht 3 aufgedampft. Während das Substrat nun für eine Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten auf einer Temperatur von 150 bis 300° C gehalten wurde, wurde auf dieser ZnSe-Zwischenschicht 3 durch Aufdampfen aus zwei Tiegeln, die ZnTe bzw. CdTe enthielten, eine feste Lösung in Form einer Schicht mit einer Stärke von 1 bis 20 μΐη ausgebildet. Der Wert y konnte dabei durch entsprechende Temperaturführung der Tiegel derart verändert werden, daß sich auch die formelmäßige Zusammensetzung der festen Lösung entsprechend verändert hat. Zur Fertigstellung der Signalspeicherplatte wurde die so erhaltene fotoleitende Schicht 4 auf eine Temperatur von 300 bis 700° C erhitzt.

F i g. 3 zeigt die erzielte Empfindlichkeit, wobei den drei Kurven I, II bzw. III Parameter y mit dem Wert 1, 0,8 und 0 entsprechen. Zusätzlich ist eine strichlierte Kurve eingetragen, die die Empfindlichkeit einer Sb₂S3-Schicht wiedergibt. Diese ist demnach auf einen Teilbereich des sichtbaren Lichtes beschränkt. Bezüglich der ausgezogenen Kurven I, II bzw. III ist zu erkennen, daß, die Empfindlichkeit umso weiter gegen den langwelligen Bereich ausgedehnt wird, je höher der

Cadniiumanteil relativ zum Zinkanteil ist. Der Grund dafür ist der, daß das verbotene Band umso schmäler wird, je höher der Cadmiumanteil ist. Durch eine geeignete Wahl des Wertes für den Parameter y ist es daher möglich, eine Signalspeicherplatte mit Empfindlichkeit im gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes

Tabelle 1

herzustellen.

Mit einer derartigen Signalspeicherplatte ausgestattete einzöllige Bildaufnahmeröhren sind in der unten stehenden Tabelle 1 mit ihren Kenndaten einem herkömmlichen Vidikon gegenübergestellt, das eine Sb2S3-Signalspeicherplatte aufweist.

Hmpllndlichkcit (νΛ/lm)
Dunkclslrorn (ηΛ)
Nachleuchtbild

Bildaulnahmcrohre mil crlindungsgemußcr	y = 0.8	ν - 0	Herkömmliches
Signalspeiclierplattc	380	660	Vidikon
i' - 1.0	IS	25
I 250	29	19	200
8		20
30	30

Aus dieser Tabelle ist zu entnehmen, daß die jo Empfindlichkeit mit steigendem Cadmiumanteil zunimmt. Das gilt jedoch auch für den Dunkelstrom. Andererseits ist das Bildnachleuchten umso weniger ausgeprägt, je höher der Cadmiumanteil ist. All dies zen. weist darauf hin, daß eine Bildaufnahmeröhre mit einer r> Signalspeicherplatte der oben erläuterten Zusammensetzung eine höhere Empfindlichkeit und einen breiteren Bereich der hohen Empfindlichkeit über der Wellenlänge aufweist, als das herkömmliche Sb2S3-Vidikon. Weiter wurde festgestellt, daß nicht nur die jo Empfindlichkeit im Bereich kurzer Wellenlängen verbessert wird, sondern auch der Bereich ausreichender Empfindlichkeit insgesamt verbreitert und die Empfindlichkeit selbst verbessert wird, wenn die Zwischenschicht 3 statt aus ZnSe aus einer festen Lösung von ZnS und ZnSe besteht

Ausführungsbeispiel 2

Hier wird mit einer Signalspeicherplatte eines mit dem Aufbau nach dem Ausführungsbeispiel 1 überein- Aa stimmenden Aufbaus gearbeitet jedoch ist die fotoleitende Schicht 4 der Zusammensetzung Zn,Cdi - _vTe mit Indium dotiert Bei y=0,8 und einer Änderung des Indiumdotierungsgrades zwischen lxlO'Vcm³ und 2xl0^2l/cm³ im ZnojCdoiTe wurden bei Verwendung einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe die in Tabelle 2 aufgeführten Dunkelstromwerte gemessen.

Tabelle 2

IndiumdotierunH

Dunkelstrom (A/mm')
be; 10 V

undotiert
2X10^ls/cm^;
2X10^|l7cm^:
2 X 10^:"/cm^:

etwa 10 ^s

etwa 10 ^q

etwa 10"'

etwa 10 "bis 10 ^ln

etwa 10 ^ln

Man erkennt, daß der Dunkelstrom mit steigender Indiumdotierung abnimmt Weiter wurde festgestellt, daß bei unveränderter Zusammensetzung der festen Lösung mit Zn0.sCd0.2Te auch der Wert der spektralen Empfindlichkeit nahezu gleich bleibt, während sich der zur Verfugung stehende Empfmdfichkeitsbereich zum

langwelligen Bereich des sichtbaren Lichtes hin ausdehnt, wenn der Indiumdosierungsgrad den Wert von 10²⁰/cm³ überschreitet. Der Wert der Empfindlichkeit erhöhte sich hier stark bei weiteren Indiumzusät

Die Kenndaten einer einzölligen Bildaufnahmeröhre mit einer derartigen Signalspeicherplatte sind in Tabelle 3 angegeben.

Tabelle 3	Empfindlich keil (y-A/lm)	Dunkelstrom (nA bei 10 V)	Nachbild (%)	S I ί
	380 550 1340 3000	18 17 12 8	29 35 25 29	I ι ι
undotiert 2X10^1!7cm' 2X10²7cm' 2X10^;7cm-			I 5 ί

Wie aus der Tabelle hervorgeht, steigt die Empfindlichkeit bei zunehmender Indiumdotierung beträchtlich an, während sich gleichzeitig der Dunkelstrom verringert, so daß sich das Signalpegel-Störpegel-Verhältnis bei einem Dotierungsgrad von 2 χ 10²Vcm³ um eine volle Größenordnung verbessert Das Bildnachleuchten bleibt hierbei praktisch unverändert

Wie beim Ausführungsbeispiel 1 kann auch hier die Empfindlichkeit für die kurzen Wellenlängen verbessert werden, wenn die Zwischenschicht 3 statt aus ZnSe eine feste Lösung der Zusammensetzung ZnS_xSe] -_x darstellt Die Ausdehnung der praktisch auswertbaren Empfindlichkeit auf der langwelligen Seite des Spektrums läßt sich durch Änderung der Mengenverhältnisse von Zn und Cd in der fotoleitenden Schicht 4 erreichen.

Bei dem oben beschriebenen Versuch wurde die fotoleitende Schicht 4 in der im Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Art hergestellt Es wurde jedoch zusätzlich Indium durch thermische Diffusion in das Material eingebracht Der Mengenanteil des Indiums kann durch die in die Verdampfungsvorratsquelle eingebrachte Menge ausgedrückt werden. Das Ergebnis einer Massenanalyse zeigt jedoch, daß die fotoleitende Schicht 4 3,2% Indium enthält, falls als Verdampfungsvorratsquelle eine feste Lösung der Zusammensetzung Zno.8Cdo.2Te mit einem Indiumgehalt von 2 χ KPVcm³

verwendet wird. Wird hingegen eine feste Lösung mit einem Gehalt von 2xlO^l9/cm³ Indium benutzt, so enthält die aufgebrachte Schicht 0,02 Atomprozent Indium.

Ausführungsbeispiel 3

Für den Aufbau der Zwischenschicht 3 und der fotoleitenden Schicht 4 wurden Materialien

(1) ZnSe-(Zn₁Cd₁ _ Je

Zunächst sei auf Signalspeicherplatten mit einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe und mit fotoleitenden Schichten mit wechselnden Anteilsverhältnissen an Zn und Cd eingegangen. Bei Zugabe jeweils von 5 Prozent In₂Te₃ wurden Versuche mit sechs Werten für / durchgeführt, nämlich mit den Werten 0,9, 0,8, 0,75,0,7, 0,5 und 0,3. Die Resultate sind nachstehend aufgeführt.

Tabelle 4

Beispiele für das Ansprechvermögen: Anstieg (%)/ Fall (%) bei 0,4 Lux nach 50 ms

verwendet und Versuche durchgeführt, bei denen die Parameter x, /und ζ jeweils gesondert variiert wurden. Herstellungsverfahren und Aufbau der Signalspeicherplatte entsprechen im übrigen den oben erläuterten Einzelheiten. Es soll nun auf die Vorteile der einzelnen Ausführungsformen näher eingegangen werden.

20

25

(a) Dunkelstrom. In F i g. 5 ist die Abhängigkeit des Dunkelstroms vom Wert von/veranschaulicht. Der Darstellung ist zu entnehmen, daß der Dunkelstrom am geringsten ist, wenn y einen Wert von 0,7 bis 0,8 hat, und daß er bei /-Werten unter 0,7 oder 0,8 steil ansteigt.

(b) Empfindlichkeit. Der /-Wert wirkt sich auf die Empfindlichkeit in der in Fig.6 gezeigten Weise aus. Wenngleich einzuräumen ist, daß die Empfindlichkeit je nach der Herstellungsmethode der Signalspeicherplatte unterschiedlich ausfällt, so ist andererseits doch klar, daß sich die Empfindlichkeit mit abnehmenden /-Werten erhöht.

(c) Spektralempfindlichkeit. Die Spektralempfindlichkeit relativ zur Wellenlänge ist in F i g. 7 dargestellt. Aus dieser Figur geht hervor, daß eine Verringerung des /-Werts eine erhöhte Spektralempfindlichkeit im langwelligen Gebiet nach sich zieht, während die Spektralempfindlichkeitskurve über den gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes fast flach verläuft

(d) Ansprechvermögen. Die Ergebnisse von Messungen des Ansprechvermögens bei unterschiedlichen Fotokathodenspannungen und bei Belichtung mit Licht von 0,4 ex sind in Tabelle 4 aufgeführt.

	10 Voll	20 Voll	30 Voll	40 Volt
y = 0,9		67/26	78/22	80/16
1· = 0,8	89/25	78/18	SO/17	82/15
)' = 0,7		86/17	81/13	85/11
r = 0,5		89/11	92/10
ν = 0,3	100/13	89/12

Diese Zahlen lassen ein relativ rasches Ansprechen erkennen. Außerdem geht daraus hervor, daß sich das Ansprechvermögen mit steigender Fotokathodenspannung und mit abnehmenden /-Werten verbessert.

Durch Abwandlung der Zusammensetzung durch Abänderung des /-Wertes ist es somit möglich, eine Bildaufnahmeröhre mit den gewünschten Eigenschaften herzustellen. In der nachstehenden Tabelle 5 sind die Kenndaten von zwei typischen Bildaufnahmeröhren zusammengefaßt, bei denen durch Einhaltung des Bereichs 0,5</<0,8 eine Ausgeglichenheit hinsichtlich aller in Betracht kommenden Faktoren einschließlich der Empfindlichkeit, des Dunkelstroms und des Bildnachleuchtens erzielt ist.

Tabelle 5

0,6

0,7

Empfindlichkeit (y.A/lm) 4000

Dunkelstrom (nA) 5

Verzugsbild (%) 12

Restbild ohne

Nachbild ohne

Auflösung 780

3840

14

ohne

780

(2) ZnSe-(ZnCeCd₀ZTe)₂(In₂Te₃)I -_z.

Es wurden Versuche durchgeführt, bei denen der Mengenanteil des In₂TeJ abgeändert wurde. Es wurden Verdampfungsvorratsquellen hergerichtet, die für ζ die Werte 0,95, 0,93, 0,85, 0,7 bzw. 0,5 lieferten und es wurde jeweils eine Signalspeicherplatte mit den oben beschriebenen Aufbau hergestellt Die Versuchsergebnisse sind in Tabelle 6 zusammengefaßt

Tabelle 6

ζ = 0,95

ζ = 0,93 ζ = 0,85

ζ = 0,7

Empfindlichkeit (0,36 Ix), A/mnr
Dunkelstrom (A/mm²) bei 30 V
Ansprechvermögen bei 20 V*)
Ansprechvermögen bei 30 V*)
A ns prech vermögen bei 40 V*)

2,1XlO"⁹	2,2XlO"⁹	2,5XlO"⁹
2X10"¹⁰	2X10"¹⁰	5X10"¹⁰
83/14	79/15	87/13
87/11	81/13	89/10
88/10	86/13	_

*) Ansprechvermogen: Anstieg (%)/Fall (%) nach 50 ms.

Ist ζ kleiner als 0,85, so besteht eine Tendenz zur Zunahme des Dunkelstroms, wohingegen dieser nahezu gleich bleibt, wenn der Wert für ζ zwischen 1 und 0,85 liegt. Die Empfindlichkeit bleibt, wenn der Wert für ζ zwischen 1 und 0,85 liegt. Die Empfindlichkeit bleibt bei ■> Werten von ζ zwischen 1 und 0,85 fast unverändert. Das Ansprechvermögen ist bei allen z-Wcrten rasch und nimmt mit der angelegten Spannung zu. Bei z-Werten unter 0,7 wurde in der fotoleitenden Schicht 4 durch Röntgenanalyse eine Phase von InjTe3 festgestellt. Beim ι ο Vorhandensein dieser Phase tritt ein starker Dunkelstrom auf, wodurch das Element als Signalspeicherplatte einer Bildaufnahmeröhre ungeeignet wird. Die Empfindlichkeit bleibt nahezu unverändert, wenn ζ bei Werten zwischen 1 und 0,85 liegt, wie dies in Fig.8 ι-3 gezeigt ist.

Aus den obigen Darlegungen geht hervor, daß die beschriebenen Bildaufnahmeröhren eine hohe Empfindlichkeit haben und die Spektralempfindlichkeitskurve einen nahezu flachen Verlauf im gesamten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes hat, wodurch die Anwendung auf eine Einröhren-Farbbildaufnahmekamera ermöglicht wird. Daneben ist die Signalspeicherplatte auch als lichteleketrischer Wandler für ein elektronischfotografisches Fotometer und für einen Beleuchtungsmesser geeignet. Die hohe Lichtempfindlichkeit und gute Gleichmäßigkeit der Empfindlichkeit über den gesamten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes ist mit der Vermeidung von Verzugsbildern, Restbildern und unerwünschten Nachbildern verknüpft.

Mierzu 4 BUiU Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Signalspeicherplatte mit einer transparenten Elektrode auf einem Substrat, einer auf der Elektrode aufgebrachten, Zinkselenid als Hauptbestandteil enthaltenden Zwischenschicht und einer weiteren, auf der Zwischenschicht aufgebrachten fotoleitenden Schicht, die Tellur enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht

Zn₁Cd, -^Te mit 0<y< 1

enthält

2. Signalspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gilt 0,5 < y< 0,8.

3. Signalspeicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zwischenschicht das Selen teilweise durch Schwefel ersetzt ist.

4. Signalspeicherplatte nach einem der Ansprüche

1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht zusätzlich mit Indium dotiert ist.

5. Signalspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt des Indium in der fotoleitenden Schicht 0,02 bis 3,2 Atomprozent beträgt.

6. Signalspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht bis zu 30 Moiprozent einer Verbindung von Indium und Tellur enthält

7. Signalspeicherplatte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht die Zusammensetzung

(Zn_o.₆Cdo.4Te),(In₂Te3)i-,
mit 0,85 < z< 1 aufweist.