DE2254605B2 - Signalspeicherplatte - Google Patents
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Description
mit 0,85 < z< 1 aufweist.
Die Erfindung betrifft eine Signalspeicherplatte mit einer transparenten Elektrode auf einem Substrat, einer
auf der Elektrode aufgebrachten, Zinkselenid als Hauptbestandteil enthaltenden Zwischenschicht und
einer weiteren, auf der Zwischenschicht aufgebrachten fotoleitenden Schicht, die Tellur enthält. 4
Eine bekannte Signalspeicherplatte dieser Art (NL-OS 7105 385), zeigt eine amorphe fotoleitende
Schicht die Arsen, Tellur und Selen enthält. Das Arsen wird zugesetzt um ein Auskristallisieren des Selens zu
verhindern. Der Zusatz von Tellur soll die Empfindlich- r>o
keit im Bereich großer Wellenlängen erhöhen. Die höchste erreichte Empfindlichkeit einer solchen Signalspeicherplatte
beträgt nach den Textangaben das 2,5fache herkömmlicher Sb2S3-Signalspeicherplatten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Empfindlichkeit der Signalspeicherplatte gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 zu erhöhen und zwar über den gesamten Bereich sichtbarer Wellenlängen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die fotoleitende Schicht
65
i _,Te mit 0 < y< 1
enthält.
Somit kann die Signalspeicherplatte eine fotoleitende Schicht der Zusammensetzung ZnjjCdi_yTe aufweisen.
Es handelt sich also um eine polykristalline fotoleitende Schicht aus Zink, Cadmium und Tellur. Um eine gute
Empfindlichkeit über den gesamten Bereich sichtbarer Wellenlängen zu erzielen, ist eine gute und vollständige
Kristallisierung der fotoleitenden Schicht erforderlich. Diese Kristallisierung wird bei der angegebenen
Zusammensetzung der erfindungsgemäßen iotoleitenden Schicht mit ZnyCdi_,Te notwendig eintreten.
Insoweit bestehen also Unterschiede zur bekannten Signalspeicherplatte nicht nur in der Zusammensetzung,
sondern auch in der Struktur. Dabei beträgt die Empfindlichkeit der erhaltenen fotoleitenden Schicht
bis zum 20fachen derjenigen bei herkömmlichen Signalspeicherplatten mit fotoleitenden Schichten aus
SD2S3 und ist somit auch derjenigen der aus der oben
abgehandelten Druckschrift bekannten Signalspeicherplatte bis zu nahezu einer Größenordnung überlegen.
Derartige Signalspeicherplatten sind insbesondere für die Verwendung in Bildaufnahmeröhren ausgezeichnet
geeignet
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung näher erläutert
Es zeigt
F i g. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform der
Signalspeicherplatte,
F i g. 2 eine grafische Darstellung zum Vergleich der Empfindlichkeit einer Signalspeicherplatte mit und ohne
eingefügter ZnSe-Schicht
F i g. 3 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit von
F i g. 4 teilweise als Blockschaltung eine Meßeinrichtung,
Fig.5 und Fig.6 grafische Darstellungen der
Abhängigkeit des Dunkelstroms bzw. des lichtelektrischen Stroms von der Zusammensetzung,
F i g. 7 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit für verschiedene Parameter y in der Zusammensetzung
F i g. 8 eine grafische Darstellung der Empfindlichkeit für verschiedene Parameter Z in der Zusammensetzung
F i g. 1 zeigt ein Substrat 1 aus Glas, auf dem eine transparente Elektrode 2 beispielsweise aus In2O3 oder
SnO2 ausgebildet ist. Auf der anderen Seite dieser transparenten Elektrode 2 ist eine Zwischenschicht 3
und auf dieser wiederum eine fotoleitende Schicht 4 angeordnet. Das verbotene Band ist im Material der
Zwischenschicht 3 breiter als im Material der fotoleitenden Schicht 4.
Bei der Wahl des Materials für die Zwischenschicht 3
ist zu berücksichtigen, daß erstens die Gitterkonstante, die Kristallstruktur und der Wärmeausdehungskoeffizient
der Zwischenschicht annähernd mit denen der fotoleitenden Schicht 4 übereinstimmen müssen, und
zweiten die Energiebänder der Zwischenschicht 3 und der fotoleitenden Schicht 4 bei Verbinden dieser
Schichten glatt ineinander übergehen müssen. Diese Bedingungen müssen eingehalten werden, um die
lichtelektrische Wandlerleistung zu erhöhen.
Licht mit einer kürzeren Wellenlänge, als dies dem verbotenen Band des Materials der fotoleitenden
Schicht 4 entspricht, wird von dieser Schicht nahe der Oberfläche absorbiert. Hat dieser Bereich nur eine
geringe Kristallgüte und sind in diesem Bereich zahlreiche Rekombinationszentren vorhanden, so wird
die lichtelektrische Wandlerleistung herabgesetzt. Es ist deshalb wichtig, daß die Kristallgüte der Oberfläche der
fotoleitenden Schicht 4 auf der Seite des Lichteintritts
entsprechend hoch ist und Gitterfehler im Oberflächenbereich nicht auftreten.
Praktische Versuche mit Signalspeicherplatten haben ergeben, daß die Energiebandabstände d-;r Zwischenschicht
3 und der fotoleitenden Schicht 4 die untere und die obere Grenzwellenlänge für die Empfindlichkeit
bestimmen.
Fig.2 zeigt das Ergebnis solcher Versuche. Die
fotoleitende Schicht 4 hat dabei die Zusammensetzung ι ο
Die gegebenenfalls vorhandene Zwischenschicht 3 bestand aus ZnSe. Kurve I gibt den Fall, bei dem keine
derartige ZnSe-Zwischenschicht 3 vorhanden war, Kurve II den Fall bei Vorliegen einer derartigen
ZnSe-Zwischenschicht 3. Aus der Figur kann abgelesen werden, 'daß die Verwendung der ZnSe-Zwischenschicht
3 zusammen mit der entsprechend zusammengesetzten fotoleitenden Schicht 4 einen erheblich besser
über den gesamten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes verteilten Verlauf der Empfindlichkeit ergibt Es
wurde ergänzend festgestellt, daß auch der Dunkelstrom durch die Verwendung der ZnSe-ZwIschenschicht
3 verringert wird.
Im folgenden soll zunächst die Herstellung der Signalspeicherplatte und die Ermittlung ihrer Kenndaten
erläutert und anschließend auf Ausführung formen eingegangen werden.
Zunächst werden mehrere Heizkörper in ein Aufdampfgerät eingebracht Auf die Heizkörper wird
Aufdampfmaterial wie ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, In2Te3
oder feste Lösungen dieser Stoffe aufgebracht Durch entsprechende Regelung der Heizkörpertemperatur
wird eine feste Lösung der verwendeten Stoffe in der gewünschten Zusammensetzung hergestellt Die Verwendung
mehrerer Heizkörper ermöglicht auch den Aufbau zusammengesetzter Schichten, ohne daß hierzu
der Vakuumzustand verändert werden muß.
Ein Substrat 1 aus Glas mit darauf befindlicher transparenter Elektrode 2 wird auf 100 bis 4000C
erhitzt, wodurch sich die feste Lösung der gewünschten Zusammensetzung abscheidet Die so erhaltene Anordnung
wird zur Fertigstellung der Signalspeicherplatte für eine Zeit von einigen Minuten bis zu einigen Stunden
auf 300 bis 700° C gehalten.
An der fertigen Signalspeicherplatte werden Messungen des Dunkelstroms, des lichtelektrischen Stroms, des
Lichtansprechvermögens und der Empfindlichkeit über den Bereich des sichtbaren Lichtes wie folgt durchge- so
führt:
Die Empfindlichkeit wurde bei der Messung des lichtelektrischen Stroms in Intervallen von 20 nm mit
einem Interferenzfilter und einer Halogenlampe von 3400° K bestimmt Die durch das Filter auf den
Probekörper auftreffende Lichtmenge wurde mittels einer Thermosäule gemessen. Zur Bestimmung des
Dunkelstroms und des lichtelektrischen Stroms wurde ein handelsübliches Elektrometer verwendet Das
Lichtansprechvermögen einer Bildaufnahmeröhre un- w terscheidet sich grundsätzlich vom fotoleitenden Verhalten
der zugehörigen Signalspeicherplatte. Es wurde deshalb bei seiner Ausmessung eine Ersatzschaltung
aufgebaut, für die ein Elektronenstrahl nicht erforderlich ist und die einem Bildelement der in der *>5
Bildaufnahmeröhre von einem Elektronenstrahl abgetasteten Signalspeicherplatte entspricht
durch einen Lichtimpulsgeber mk einer Impulsdauer von 2 us mit 60 Hz an- und ausgeschaltet Das entspricht
der Abtastung eines Bildelements mit einem Elektronenstrahl von 60 Hz. Aus einer Lichtquelle bestehend
aus einer Halogenlampe von 3400° K wurde das Element mit 0,4 Ix bestrahlt und das Lichtansprechvermögen
unter Zuhilfenahme eines herkömmlichen fotografischen Verschlusses gemessen. Die Ergebnisse
solcher Messungen stimmen recht gut .nit Messungen überein, die mit einer unter Verwendung der Signalspeicherplatte
aufgebauten Bildaufnahmeröhre durchgeführt werden. Bei den Messungen wurde das
prozentuale Ansteigen bzw. Abfallen zu einem Zeitpunkt ermittelt, der 50 ms nach dem An- bzw.
Abschalten des Lichtes lag.
Nach Ermittlung der Kenndaten der Signalspeicherplatte selbst durch die oben beschriebenen Messungen
wurden die Kenndaten der Bildaufnahmeröhre wie folgt bestimmt: Für die Bestimmung des Dunkelstroms und
des lichtelektrischen Stroms wurde während der Abtastung mit einem Elektronenstrahl eine positive
Spannung an die transparente Elektrode 2 angelegt und der aus ihr gezogene Signalstrom gemessen. Bezeichnet
man weiter als »Verzugsbild« den Betrag des Signalstroms 50 ms nach Abschalten des Lichtes, so kann
dieser beispielsweise als Prozentwert angegeben werden, der den Signalstromabfall kennzeichnet Als
»Nachbild« ist die Tatsache zu bezeichnen, daß auf einem Bildmonitor das Bild eines Objektes auf einem
einheitlichen weiSen Hintergrund auch noch eine gewisse Zeit nach dem Abschalten beobachtet werden
kann. Das Nachbild wird nach Aufnahme des Objektes unter Standardaufnahmebedingungen ermittelt Es wird
ebenfalls als Prozentzahl nach 50 ms festgestellt
Eine Signaispeicherplatte wurde mit einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe und einer fotoleitenden Schicht 4 aus
ZnyCdi -^Te erstellt Es wurden Versuche durchgeführt,
bei denen der Wert für y variiert wurde. Hierfür wurde ein Substrat 1 aus Glas mit darauf aufgebrachter
elektrisch leitfähiger und transparenter Elektrode 2 auf einer Temperatur von 150 bis 400°C gehalten und im
Verlauf einer Zeitspanne von 5 bis 30 Minuten auf die transparente Elektrode 2 ZnSe in einer Stärke von 0,02
bis 2 μιη als Zwischenschicht 3 aufgedampft Während das Substrat nun für eine Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten
auf einer Temperatur von 150 bis 300° C gehalten wurde,
wurde auf dieser ZnSe-Zwischenschicht 3 durch Aufdampfen aus zwei Tiegeln, die ZnTe bzw. CdTe
enthielten, eine feste Lösung in Form einer Schicht mit einer Stärke von 1 bis 20 μιη ausgebildet Der Wert y
konnte dabei durch entsprechende Temperaturführung der Tiegel derart verändert werden, daß sich auch die
formelmäßige Zusammensetzung der festen Lösung entsprechend verändert hat Zur Fertigstellung der
Signalspeicherplatte wurde die so erhaltene fotoleitende Schicht 4 auf eine Temperatur von 300 bis 7000C
erhitzt
F i g. 3 zeigt die erzielte Empfindlichkeit wobei den drei Kurven I, II bzw. III Parameter y mit dem Wert 1,
0,8 und 0 entsprechen. Zusätzlich ist eine strichlierte Kurve eingetragen, die die Empfindlichkeit einer
Sb2S3-Schicht wiedergibt Diese ist demnach auf einen
Teiijereich des sichtbaren Lichtes beschränkt Bezüglich der ausgezogenen Kurven I, II bzw. HI ist zu
erkennen, daß die Empfindlichkeit umso weiter gegen den langwelligen Bereich ausgedehnt wird, je höher der
Cadmiumanteil relativ zum Zinkanteil ist. Der Grund dafür ist der, daß das verbotene Band umso schmäler
wird, je höher der Cadmiumanteil ist. Durch eine geeignete Wahl des Wertes für den Parameter y ist es
daher möglich, eine Signalspeicherplatte mit Empfindlichkeit im gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes
herzustellen.
Mit einer derartigen Signalspeicherplatte ausgestattete einzöllige Bildaufnahmeröhren sind in der unten
stehenden Tabelle 1 mit ihren Kenndaten einem herkömmlichen Vidikon gegenübergestellt, das eine
Sb2S3-Signalspeicherplatte aufweist.
Bildaufnahmeröhre mit erfindungsgemäßer Signalspeichcrplatlc
y = 1,0 y = 0,8 y = 0
Herkömmliches
Vidikon
Vidikon
Empfindlichkeit (μΑ/lm) 250
Dunkelstrorr! (r.A) 8
Dunkelstrorr! (r.A) 8
660
25
19
25
19
200
20
30
20
30
Aus dieser Tabelle ist zu entnehmen, daß die Empfindlichkeit mit steigendem Cadmiumanteil zunimmt
Das gilt jedoch auch für den Dunkelstrom. Andererseits ist das Bildnachleuchten umso weniger
ausgeprägt, je höher der Cadmiumanteil ist AU dies
weist darauf hin, daß eine Bildaufnahmeröhre mit einer Signalspeicherplatte der oben erläuterten Zusammensetzung
eine höhere Empfindlichkeit und einen breiteren Bereich der hohen Empfindlichkeit über der
Wellenlänge aufweist, als das herkömmliche Sb2S3-Vidikon.
Weiter wurde festgestellt, daß nicht nur die Empfindlichkeit im Bereich kurzer Wellenlängen
verbessert wird, sondern auch der Bereich ausreichender Empfindlichkeit insgesamt verbreitert und die
Empfindlichkeit selbst verbessert wird, wenn die Zwischenschicht 3 statt aus ZnSe aus einer festen
Lösung von ZnS und ZnSe besteht
Hier wird mit einer Signalspeicherplatte eines mit dem Aufbau nach dem Ausführungsbeispiel 1 übereinstimmenden
Aufbaus gearbeitet jedoch ist die fotoleitende Schicht 4 der Zusammensetzung Zo-Cd. /Te mit
indium dotiert Bei y=0fi und einer Änderung des
indiumdotierungsgrades zwischen 1 χ 1017/cm3 und
2 χ W/cm3 im ZnaeCdmTe wurden bei Verwendung
einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe die in Tabelle 2 aufgeführten Dunkelstromwerte gemessen.
Tabelle 2 | Dunkclstrom (A/mm) |
Indiumdotierung | bei IO V |
etwa 10 * | |
undotiert | etwa 10 '' |
2XlO1VCm' | etwa 10 " |
2 X lO'Vcm' | etwa 10 " bis 10 '" |
2 X lO^/cm' | etwa 10 "' |
9 χ 10"/Cm' | |
langwelligen Bereich des sichtbaren Lichtes hin ausdehnt, wenn der Indiumdosierungsgrad den Wert
von 1020ZCm3 überschreitet Der Wert der Empfindlichkeit
erhöhte sich hier stark bei weiteren Indiumzusätzen.
2r, Die Kenndaten einer einzölligen Bildaufnahmeröhre
mit einer derartigen Signalspeicherplatte sind in Tabelle 3 angegeben.
Man erkennt daß der Dunkelstrom mit steigender Indhimdotiening abnimmt Weiter wurde festgestellt
daß bei unveränderter Zusammensetzung der festen Lösung mit ZnngCdo^Te auch der Wert der spektralen
Empfindlichkeit nahezu gleich bleibt während sich der zur Verfügung stehende Empfindlichkeitsbereich zum
Tabelle 3 | Empfindlich | Dunkelstrom | Nachbild |
keit | |||
(y-A/lm) | (ηΛ bei 10 V) | (%> | |
380 | 18 | 29 | |
undotiert | 550 | 17 | 35 |
2 XlO1 Van' | 1340 | 12 | 25 |
2XIO2"/cm' | 3000 | 8 | 29 |
2 XlO2 7cm' | |||
Wie aus der Tabelle hervorgeht steigt die Empfindlichkeit bei zunehmender Indiumdotierung beträchtlich
an, während sich gleichzeitig der Dunkelstrom verringert
so daß sich das Signalpegel-Störpegel-Verhältnis bei einem Dotierungsgrad von 2 χ W/cm3 um eine
volle Größenordnung verbessert Das Bildnachleuchten bleibt hierbei praktisch unverändert
Wie beim Ausführungsbeispiel 1 kann auch hier die Empfindlichkeit für die kurzen Wellenlängen verbessert
werden, wenn die Zwischenschicht 3 statt aus ZnSe eine feste Lösung der Zusammensetzung ZnS,Sei _»darstellt.
Die Ausdehnung der praktisch auswertbaren Empfindlichkeit auf der langwelligen Seite des Spektrums läßt
sich durch Änderung der Mengenverhältnisse von Zn und Cd in der fotoleitenden Schicht 4 erreichen.
Bei dem oben beschriebenen Versuch wurde die fotoleitende Schicht 4 in der im Ausführungsbeispiel 1
beschriebenen Art hergestellt Es wurde jedoch zusätzlich Indium durch thermische Diffusion in das
Material eingebracht Der Mengenanteil des Indiums kann durch die in die Verdampfungsvorratsquelle
eingebrachte Menge ausgedrückt werden. Das Ergebnis einer Massenanalyse zeigt jedoch, daß die fotoleitende
Schicht 4 3^% Indium enthält falls als Verdampfungsvorratsquefle
eine feste Lösung der Zusammensetzung mit einem Indiumgehalt von 2 χ 1O2VCm3
verwendet wird Wird hingegen eine feste Lösung mit einem Gehalt von 2 χ 1019/cm3 Indium benutzt, so
enthält die aufgebrachte Schicht 0,02 Atomprozent Indium.
Für den Aufbau der Zwischenschicht 3 und der fotoleitenden Schicht 4 wurden Materialien
verwendet und Versuche durchgeführt, bei denen die Parameter x, y und ζ jeweils gesondert variiert wurden.
Herstellungsverfahren und Aufbau der Signalspeicherplatte entsprechen im übrigen den oben erläuterten
Einzelheiten. Es soll nun auf die Vorteile der einzelnen
Ausführungsformen näher eingegangen werden.
(y()
Zunächst sei auf Signalspeicherplatten mit einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe und mit fotoleitenden Schichten mit wechselnden Anteilsverhältnissen an Zn und Cd eingegangen. Bei Zugabe jeweils von 5 Prozent In2Te3 wurden Versuche mit sechs Weiten für y durchgeführt, nämlich mit den Werten 0,9,03, 0,75,0,7,0,5 und 03. Die Resultate sind nachstehend aufgeführt.
Zunächst sei auf Signalspeicherplatten mit einer Zwischenschicht 3 aus ZnSe und mit fotoleitenden Schichten mit wechselnden Anteilsverhältnissen an Zn und Cd eingegangen. Bei Zugabe jeweils von 5 Prozent In2Te3 wurden Versuche mit sechs Weiten für y durchgeführt, nämlich mit den Werten 0,9,03, 0,75,0,7,0,5 und 03. Die Resultate sind nachstehend aufgeführt.
(a) Dunkelstrom. In F i g. 5 ist die Abhängigkeit des
Dunkelstroms vom Wert von /veranschaulicht Der Darstellung ist zu entnehmen, daß der
Dunkelstrom am geringsten ist, wenn y einen Wert von 0,7 bis 03 hat, und daß er bei
/-Werten unter 0,7 oder 0,8 steil ansteigt
(b) Empfindlichkeit Der /-Wert wirkt sich auf die
Empfindlichkeit in der in Fig.6 gezeigten Weise aus. Wenngleich einzuräumen ist, daß die
Empfindlichkeit je nach der Herstellungsmethode der Signalspeicherplatte unterschiedlich
ausfällt, so ist andererseits doch klar, daß sich die Empfindlichkeit mit abnehmenden ^-Werten
erhöht
(c) Spektralempfindlichkeit Die Spektralempfindlichkeit relativ zur Wellenlänge ist in Fig.7
dargestellt Aus dieser Figur geht hervor, daß eine Verringerung des y-Werts eine erhöhte
Spektralempfindlichkeit im langwelligen Gebiet nach sich zieht, während die Spektralempfindlichkeitskurve
über den gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes fast flach verläuft
(d) Ansprechvermögen. Die Ergebnisse von Messungen des Ansprechvermögens bei unterschiedlichen
Fotokathodenspannungen und bei Belichtung mit Licht von 0,4 ex sind in Tabelle 4
aufgeführt.
Beispiele für das Ansprechvermögen: Anstieg (%)/
Fall (%) bei 0,4 Lux nach 50 ms
10
15
20
25
30
10 Volt 2OVoIt
30 Volt
40VoIl
y = 0,9 | 89/25 | 67/26 | 78/22 | 80/16 |
y = 0,8 | 78/18 | 80/17 | 82/15 | |
y = 0,7 | 86/17 | 81/13 | 85/11 | |
.F = 0,5 | 100/13 | 89/11 | 92/10 | |
y = 0,3 | 89/12 | |||
Diese Zahlen lassen ein relativ rasches Ansprechen erkennen. Außerdem geht daraus hervor, daß sich das
Ansprechvermögen mit steigender Fotokathodenspannung und mit abnehmenden /-Werten verbessert
Durch Abwandlung der Zusammensetzung durch Abänderung des y-Wertes ist es somit möglich, eine
Bildaufnahmeröhre mit den gewünschten Eigenschaften herzustellen. In der nachstehenden Tabelle 5 sind die
Kenndaten von zwei typischen Bildaufnahmeröhren zusammengefaßt, bei denen durch Einhaltung des
Bereichs 0£<y<0,8 eine Ausgeglichenheit hinsichtlich
aller in Betracht kommenden Faktoren einschließlich der Empfindlichkeit, des Dunkelstroms und des
Bildnachleuchtens erzielt ist
, = 0,6 | ν = 0,7 | |
Empfindlichkeit (μ,Α/lrn) | 4000 | 3840 |
Dunkelstrom (nA) | 5 | 4 |
Verzugsbild (%) | 12 | 14 |
Restbild | ohne | ohne |
Nachbild | ohne | ohne |
Auflösung | 780 | 780 |
40
(2) ZnSe-(ZnwCdo.4Te)2(In2Te3)1-2.
Es wurden Versuche durchgeführt, bei denen der Mengenanteil des In2Te3 abgeändert wurde. Es
wurden Verdampfungsvorratsquellen hergerichtet, die für ζ die Werte 035, 033, 035, 0,7 bzw. 0,5
so lieferten und es wurde jeweils eine Signalspeicherplatte mit den oben beschriebenen Aufbau
hergestellt Die Versuchsergebnisse sind in Tabelle 6 zusammengefaßt
ζ = 0,95
ζ = 0,93
ζ = 0,85
Empfindlichkeit (0,36 Ix), A/mm2*
Dunkelstrom (A/mm2) bei 30 V
Ansprechvermögen bei 20 V*)
Ansprechvermögen bei 30 V*)
Ansprechvennögen bei 40 V*)
Dunkelstrom (A/mm2) bei 30 V
Ansprechvermögen bei 20 V*)
Ansprechvermögen bei 30 V*)
Ansprechvennögen bei 40 V*)
2,1XlO"9 | 2^XlO"9 | 2^X10 |
2X10"10 | 2X10"10 | 5 XlO"10 |
83/14 | 79/15 | 87/13 |
87/11 | 81/13 | 89/10 |
88/10 | 86/13 | _ |
= 0,7
*) Ansprechvermögen: Anstieg (%)/FaIl (%) nach 50ms.
Ist ζ kleiner als 0,85, so besteht eine Tendenz zur
Zunahme des Dunkelstroms, wohingegen dieser nahezu gleich bleibt, wenn der Wert für ζ zwischen 1 und 035
liegt. Die Empfindlichkeit bleibt, wenn der Wert für ζ zwischen 1 und 0,85 liegt Die Empfindlichkeit bleibt bei
Werten von ζ zwischen 1 und 035 fast unverändert Das
Ansprechvermögen ist bei allen z-Werten rasch und nimmt mit der angelegten Spannung zu. Bei z-Werten
unter 0,7 wurde in der fotoleitenden Schicht 4 durch Röntgenanalyse eine Phase von In2Te3 festgestellt Beim
Vorhandensein dieser Phase tritt ein starker Dunkelstrom auf, wodurch das Element als Signalspeicherplatte
einer Bildaufnahmeröhre ungeeignet wird. Die Empfindlichkeit bleibt nahezu unverändert, wenn ζ bei
Werten zwischen 1 und 035 liegt, wie dies in Fig.8
ίο
gezeigt ist
Aus den obigen Darlegungen geht hervor, daß die beschriebenen Bildaufnahmeröhren eine hohe Empfindlichkeit
haben und die Spektralempfindlichkeitskurve einen nahezu flachen Verlauf im gesamten Spektralbereich
des sichtbaren Lichtes hat, wodurch die Anwendung auf eine Einröhren-Farbbildaufnahmekamera
ermöglicht wird. Daneben ist die Signalspeicherplatte auch als lichteleketrischer Wandler für ein elektronischfotografisches Fotometer und für einen Beleuchtungsmesser geeignet Die hohe Lichtempfindlichkeit und
gute Gleichmäßigkeit der Empfindlichkeit über den gesamten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes ist mit
der Vermeidung von Verzugsbildern, Restbildem und unerwünschten Nachbildern verknüpft
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Signalspeicherplatte mit einer transparenten Elektrode auf einem Substrat, einer auf der Elektrode aufgebrachten, Zinkselenid als Hauptbestandteil enthaltenden Zwischenschicht und einer weiteren, auf der Zwischenschicht aufgebrachten fotoleitenden Schicht, die Tellur enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende SchichtZnjCdi -,Te mit 0 < y< 1enthältZ Signalspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gilt 0,5 <y< 0,8.3. Signalspeicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zwischenschicht das Selen teilweise durch Schwefel ersetzt ist4. Signalspeicherplatte nach einem der Ansprüche1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht zusätzlich mit Indium dotiert ist5. Signalspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt des Indium in der fotoleitenden Schicht 0,02 bis 3,2 Atomprozent beträgt6. Signalspeicherplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitende Schicht bis zu 30 Molprozent einer Verbindung von Indium und Tellur enthält7. Signalspeicherplatte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet daß die fotoleitende Schicht die Zusammensetzung
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