CH447407A - Fotowiderstand und Fotoelement mit erhöhter Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet - Google Patents
Fotowiderstand und Fotoelement mit erhöhter Empfindlichkeit im kurzwelligen SpektralgebietInfo
- Publication number
- CH447407A CH447407A CH1424064A CH1424064A CH447407A CH 447407 A CH447407 A CH 447407A CH 1424064 A CH1424064 A CH 1424064A CH 1424064 A CH1424064 A CH 1424064A CH 447407 A CH447407 A CH 447407A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- photo
- layer
- semiconductor material
- phenyl
- cadmium
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title description 29
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 28
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- XPMARKSHYUIJTE-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(2-phenylethenyl)-1,3-dihydropyrazole Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1NC(=CC1)C=CC1=CC=CC=C1 XPMARKSHYUIJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ABBQHOQBGMUPJH-UHFFFAOYSA-M Sodium salicylate Chemical compound [Na+].OC1=CC=CC=C1C([O-])=O ABBQHOQBGMUPJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 3
- ZIUSEGSNTOUIPT-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-cyanoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC#N ZIUSEGSNTOUIPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- OBJNZHVOCNPSCS-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-f]quinazoline Chemical compound C1=NC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=N1 OBJNZHVOCNPSCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960004025 sodium salicylate Drugs 0.000 claims description 3
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QFUZJHWRUZVIOF-UHFFFAOYSA-N 4,5-dichloro-2-methylaniline Chemical compound CC1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1N QFUZJHWRUZVIOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YLNJGHNUXCVDIX-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl) perylene-3,9-dicarboxylate Chemical compound C=12C3=CC=CC2=C(C(=O)OCC(C)C)C=CC=1C1=CC=CC2=C1C3=CC=C2C(=O)OCC(C)C YLNJGHNUXCVDIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N ctk4b5078 Chemical compound [Cd].OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIFUTGPSFHEVLJ-UHFFFAOYSA-N 9-n,10-n-diphenylanthracene-9,10-diamine Chemical compound C=12C=CC=CC2=C(NC=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 VIFUTGPSFHEVLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O Chemical class OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLATXDOZXBEBJX-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-);sulfide Chemical compound [S-2].[Se-2].[Cd+2].[Cd+2] JLATXDOZXBEBJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 208000035475 disorder Diseases 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
Fotowiderstand und Fotoelement mit erhöhter Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet Die Erfindung betrifft einen Fotowiderstand oder ein Fotoelement, bei dem das Fotohalbleitermaterial opti schen Kontakt mit einem Fluoreszenzfarbstoff enthalten den Bindemittel hat. Derartige Fotozellen haben gegen über der charakteristischen Spektral-Empfindlichkeits- verteilung des verwendeten Fotohalbleitermaterials hö here Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet. Es ist bekannt, dass die Spektralempfindlichkeit durch die Absorptionseigenschaften des betreffenden Halblei termaterials festgelegt ist. Eine Erhöhung der Empfind lichkeit im langwelligen Ausläufergebiet der charakteri stischen Spektral-Empfindlichkeitsverteilung ist in vielen Fällen leicht möglich, z.B. durch Dotierung, Abweichun gen von der Stöchiometrie bei Verbindungshalbleitern, Eigenfehlordnung, Sensibilisierung. Abgesehen von eini gen Sensibilisierungen geht diese Empfindlichkeitserhö hung im langwelligen Gebiet immer auf Kosten der Emp findlichkeit an der Grundgitter-Absorptionskante. In al len Fällen wird dabei die Empfindlichkeit bei noch kür zeren Wellen erheblich verringert. In vielen Fällen interessiert jedoch die Erweiterung des Bereiches der spektralen Empfindlichkeit eines vor gegebenen Halbleitermaterials nach kürzeren Wellenlän gen hin. Mehrere hinsichtlich ihrer Gesamtempfindlichkeit gute Fotohalbleiter, die im sichtbaren Spektralgebiet ein gesetzt werden, zeigen im blauen Bereich des Spektrums eine geringe Empfindlichkeit. Bei vielen Aufgaben in der Praxis, bei denen man das sichtbare Tageslicht oder das künstliche Raumlicht in elektrische Signale oder Energie umformen will, ist eine hohe Gesamtempfindlichkeit des Fotohalbleiters entscheidend, jedoch muss der Fotohalb leiter so beschaffen sein, dass er auch auf blaues Licht gut anspricht bzw. dieses möglichst gut ausnutzt. Diese Forderung ist z.B. von grosser Bedeutung für den Ein satz des Cadmiumsulfid-Fotowiderstandes als optoelek- tronisches Steuerorgan in den Kinokameras und für den Einsatz des Cadmiumsulfid-Fotoelementes als optoelek- tronisches Regelorgan in den automatischen Kameras oder als Sonnenbatterie zur Erzeugung elektrischer Energie aus Lichtenergie. Das gleiche trifft in besonde rem Masse zu für die Verwendung von Cadmiumselenid als Fotowiderstand und Silicium als Fotoelement oder Sonnenbatterie im sichtbaren Spektralbereich. Auch bei Cadmiumtellurid und Selen und anderen Fotohalbleitern ist eine erhöhte Blauempfindlichkeit bei praktisch un veränderter Empfindlichkeit im übrigen Spektralbereich sehr erwünscht. Es ist seit langem bekannt, dass man durch fluores zierende Stoffe eine Wellenlängentransformation von kürzeren zu längeren Wellen vornehmen kann. Weiter ist bekannt, dass man Fotowiderstände aus Cadmiumsulfid für unsichtbare, ultraviolette Steuer strahlung empfindlich machen kann, obwohl die Grund gitterabsorptionskante des Cadmiumsulfids im grünen Spektralgebiet liegt, und die Empfindlichkeit im UV-Ge- biet verschwindend klein ist. Dies wird erreicht, indem feinkristallines Cadmiumsulfidpulver mit einem Leucht- stoff, vorwiegend Zinksilikatpulver, vermischt wird. Der Leuchtstoff absorbiert das ultraviolette Licht und emit tiert ein längerwelliges Fluoreszenzlicht, das vom Cad- miumsulfid-Fotowiderstand im Gebiet hoher Spektral empfindlichkeit aufgenommen wird. Hierbei wird meist mit einem Filter gearbeitet, das die sichtbare Strahlung absorbiert und nur die unsichtbare, ultraviolette Steuer strahlung durchlässt. Die Spektralempfindlichkeit des Cadmiumsulfids wird jedoch durch die Vermischung mit einem pulverförmigen Leuchtstoff im längerwelligen Gebiet geringer, da der Leuchtstoff Lichtstreuung und damit auch Streuverluste verursacht. Das Fluoreszenzlicht erleidet ebenfalls Streuverluste; ausserdem wird es teil weise in den Leuchtstoffkörnern infolge Konzentrations- bzw. Eigenlöschung absorbiert. Es wurde auch vorgeschlagen, lumineszierende Lö sungen bzw. Emulsionen zu verwenden, die den Foto halbleiter entweder flüssig oder in einem festen Binde- mittel verteilt umgeben. Mit den bisher bekannten Mitteln lässt sich jedoch die Empfindlichkeit von Fotowider ständen und Fotoelementen im kurzwelligen Spektral gebiet nicht unter Erhaltung der Empfindlichkeit im üb rigen Spektralgebiet erhöhen, so dass leistungsstarke Fo towiderstände und Fotoelemente, die in einem weiteren Spektralgebiet hoch empfindlich sind und den heutigen technischen Anforderungen genügen, bisher nicht herstell- bar waren. Ein Fotowiderstand respektive Fotoelement mit er höhter Empfindlichkeit auf der kurzwelligen Seite, bei denen das Fotohalbleitermaterial optischen Kontakt mit einem Fluoreszenzfarbstoff enthaltenden Bindemittel hat, ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass das Fotohalbleitermaterial mindestens eine Schicht aus einem oder mehreren durchsichtigen Bindemitteln trägt, die in homogener Verteilung mindestens einen der Fluoreszenz farbstoffe Natriumsalicylat, 1-p-Sulfonamido-Phenyl-3- p-Cl-phenylpyrazolin, 3-[2"-C1-4"-Diäthylamino-triazi- nyl-(6")-aminophenyl]-cumarin, 3-Phenyl-7-[2'-C1-4'-di- äthylamino-triazinyl-(6')]-cumarin, Kondensationsprodukt aus 1 Mol Terephthalaldehyd + 2 Mol Cyanessigsäure- äthylester, 4-Amino-1,8-napthalsäure-p-xenylimid, 1-Phe- nyl-3-styrylpyrazolin, 2,2'-Dihydroxy-a-naphthaldazin, 2,2'-Dioxybenzaldazin, Äthylester von Metamonoäthyl- a m i n ophenolphthaleinhydrochlorid, Anthrapyrimidin, Kondensationsprodukt aus 1 Mol Perylentetracarbon- säure + 2 Mol 4,5-Dichlor-o-toluidin und/oder Meta- diäthylaminophenolphthaleinhydrochlorid in Konzentra tionen zwischen 0,01 und 2 Gewichtsprozenten, bezogen auf das jeweilige Bindemittel, enthält. Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass man für einen vorgegebenen Fotohalbleiter durch Wahl eines der obengenannten Fluoreszenzfarbstoffe bzw. durch eine geeignete Kombination mehrerer solcher Fluoreszenzfarbstoffe eine optimale Erhöhung der Blau empfindlichkeit des betreffenden Fotohalbleiters erzielen kann, ohne dass im übrigen Spektralgebiet die Empfind lichkeit praktisch beeinträchtigt wird. Ausser den obengenannten Fluoreszenzfarbstoffen sind auch andere fluoreszierenden Stoffe geeignet, soweit sie Licht im wesentlichen auf der kurzwelligen Seite der Grundgitterabsorptionskante der verwendeten Fotohalb leitermaterialien absorbieren und im Bereich der maxi malen spektralen Empfindlichkeit dieser Materialien emittieren. Bei einigen Fotohalbleitern lassen sich z.B. mit gutem Erfolg die fluoreszierenden Derivate des Viol- anthrens anwenden. Es wurde hier gefunden, dass eine möglichst dünne, transparente Bindemittelschicht, die unmittelbar auf dem Fotohalbleitermaterial sitzt, und in der der Fluoreszenz farbstoff homogen - am besten molekular-dispers-ver- teilt ist, eine besonders gute Ausnutzung des Fluoreszenz lichtes gewährleistet. Obwohl bei Verwendung eines Fluoreszenzfarbstoffes aus der oben angeführten Liste, der für ein vorgegebenes Fotohalbleitermaterial besonders geeignet ist, bereits eine beträchtliche Erhöhung der Blauempfindlichkeit des Foto halbleiters eintritt, zeigt es sich, dass in vielen Fällen eine zusätzliche Erhöhung der Blauempfindlichkeit durch den Einbau eines zweiten oder mehrerer der obengenann ten Fluoreszenzfarbstoffe mit etwas gegenüber dem er sten Fluoreszenzfarbstoff unterschiedlichen Absorptions eigenschaften erzielt werden kann. So können z.B. zwei oder drei Fluoreszenzfarbstoffe in einem Bindemittel ho mogen verteilt auf den Fotowerkstoff gebracht werden. In einigen Fällen, bei denen mit mehreren Fluores- zenzfarbstoffen gearbeitet wurde, konnte überraschender weise festgestellt werden, dass bei gleicher Gesamtschicht dicke und gleicher Gesamtmenge der Fluoreszenzfarb- stoffe eine Anordnung, die aus mehreren dünneren Binde mittelschichten besteht, von denen jede einen einzigen Fluoreszenzfarbstoff enthält, eine weitere deutliche Er höhung der Blauempfindlichkeit mit sich brachte. Hier bei befand sich der Fluoreszenzfarbstoff mit dem kurz welligsten Absorptionsmaximum in der obersten Schicht, während der Fluoreszenzfarbstoff mit dem langwellig sten Absorptionsmaximum in der unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche sitzenden Schicht enthalten war. Bei der mehrschichtigen Anordnung können auch mehrere verschiedene organische und/oder anorganische Binde mittel verwendet werden. Diese Möglichkeit ist besonders dann von Vorteil, wenn sich ein bestimmtes Bindemittel zwar mit dem Fluoreszenzfarbstoff gut verträgt, aber die Halbleiteroberfläche angreift oder umgekehrt ein be stimmtes Bindemittel sich vollkommen neutral gegen über der Halbleiteroberfläche verhält, aber den Fluores- zenzfarbstoff chemisch angreift. Lediglich die unterste, d.h. direkt auf dem Halbleiter sitzende Schicht muss mit der Halbleiteroberfläche und einem Fluoreszenzfarbstoff verträglich sein. Als organische Bindemittel eignen sich besonders farblose Epoxidharze, Polyesterharze, Siliconharze, Al- kydharze, Harze aus Polyisocyanaten und Polyhydroxyl- verbindungen, Celluloseacetate, Celluloseacetobutyrate und Celluloseester. Aber auch eine Reihe anderer Har ze, auch die sogenannten Kunstharze oder Locke, kön nen verwendet werden. Bei den anorganischen Bindemitteln sind besonders die farblosen, niedrig schmelzenden Gläser und Email sorten geeignet. Wenn ein Mehrschichten-System aus verschiedenen Bindemitteln auf den Fotohalbleiter aufgebracht werden soll, ist es vorteilhaft, die Bindemittel so auszusuchen, dass ihre Brechungszahlen von oben nach unten, d.h. in Richtung Halbleiteroberfläche zunehmen, da hierdurch geringere Streuverluste des in das Schichtsystem eindrin genden Lichtes bzw. des in ihm entstehenden Fluores- zenzlichtes auftreten. Eine gute Dispergierung der Fluoreszenzfarbstoffe im Bindemittel kann z.B. in einer Kugelmühle erreicht wer den. Hierbei muss auf saubere Arbeitsbedingungen Wert gelegt werden, z.B. kann man Kugeln und Mahlgefässe aus Achat oder einem anderen Werkstoff mit verschwin dend kleinem Abrieb verwenden. Der Aufbau des Mehrschichtensystems erfolgt entwe der so, dass jede Schicht nach Aushärten der vorher gehenden Schicht frisch auf den Halbleiter aufgebracht wird oder so, dass einzelne Schichten separat, z.B. als Folie, hergestellt und dann mit der betreffenden vorher hergestellten Schicht vereinigt werden, etwa so, dass das Bindemittel der vorhergehenden Schicht gleichzeitig als Kleber für die separate Schicht wirkt. Auf die beschriebene Weise lässt sich vorteilhaft die spektrale Empfindlichkeit des Selens und Siliciums und der Chalkogenide des Zinks und Cadmiums verbessern. Von den Chalkogeniden werden bevorzugt die Sulfide, Selenide und Sulfoselenide verwendet. In den folgenden Beispielen sollen nun Herstellung und Eigenschaften der neuen Fotowiderstände und Foto elemente näher erläutert werden. <I>Beispiel 1</I> Cadmiumsulfid-Fotowiderstände - mit 2 % Zink sulfid-Gehalt und mit 2,4 - 10-4 % Kupfer und Chlor do tiert - in Form von gesinterten und gepressten kreisför migen Tabletten mit aufgedampften Kammelektroden auf der Oberseite werden auf ihrer Oberseite mit einer 2,5 p dicken Schicht eines farblosen Epoxidharzes versehen, in dem - bezogen auf das Harzgewicht - homogen ver teilt eingemischt werden: 0,20 % 1-p-Sulfonamido-phenyl-3-p-Cl-phenylpyrazolin, 0,10 %0 2,2'-Dihydroxy-a-naphthaldazin, 0,10 % 3,9-Perylendicarbonsäurediisobutylester. In Abb. 1 ist der relative spektrale Fotostrom dieser Cadmiumsulfid-Fotowiderstände zu sehen: Kurve 1 ohne, Kurve 2 mit Fluoreszenzfarbstoffschicht. <I>Beispiel 2</I> Cadmiumsulfoselenid-Fotowiderstände - bestehend aus 65 % Cadmiumsulfid und 35 % Cadmiumselenid, dotiert mit 1,9 - 10-'% Kupfer und Chlor - in Form von gesinterten und gepressten kreisförmigen Tabletten mit auf gedampften Kammelektroden auf der Oberseite werden auf ihrer Oberseite mit einer 100 #t dicken Schicht eines transparenten Siliconharzes niedriger Einbrenntem- peratur versehen, in dem - bezogen auf das Harzge wicht - homogen verteilt eingemischt werden: 0,20 % 3-Phenyl-7-[2'-C1-4'-diäthylamino-triazinyl-(6')]- cumarin 0,07 % 1-Phenyl-3-styrylpyrazolin 0,01 % Anthrapyrimidin. In Abb. 2 ist der relative spektrale Fotostrom der Cadmiumsulfoselenid-Fotowiderstände zu sehen: Kurve 1 ohne, Kurve 2 mit Fluoreszenzfarbstoffschicht. <I>Beispiel 3</I> Cadmiumselenid-Fotowiderstände - mit 1,2 - 10-4 <B>%</B> Kupfer und Chlor dotiert - in Form von gesinterten und gepressten kreisförmigen Tabletten mit aufgedampften Kammelektroden auf der Oberseite werden auf ihrer Oberseite mit einem Drei-Schichten-System versehen, das folgendermassen aufgebaut ist: 1. Unmittelbar auf der Elektrodenseite der Cadmium- selenid-Sinterscheibe wird eine 10 #t dicke Schicht aus einem farblosen ungesättigten Polyesterharz aufge bracht, in dem sich - bezogen auf das Harzgewicht - 0,40 %0 3-[2"-C1-4"-Diäthylamino-triazinyl-(6")- aminophenyl]-cumarin in molekulardisperser Vertei lung befinden. 2. Die zweite Schicht des Drei-Schichten-Systems wird separat als 15 #t dicke Folie aus einem höherverester- ten Celluloseacetat gegossen, das in molekular-disper- ser Verteilung - bezogen auf das Harzgewicht 0,20 % Kondensationsprodukt aus 1 Mol Terephthal- aldehyd -I- 2 Mol Cyanessigsäureäthylester und 0,20 %0 2, 2'-Dioxybenzaldazin enthält. Diese Folie wird auf der noch frischen ersten Polyesterharzschicht mit dem Polyesterharz als Kleber befestigt. 3. Auf der Folie wird eine 20 #t dicke Schicht eines farb losen Lackes aus einem Polyisocyanat und einer Poly- hydroxylverbindung aufgebracht, die in molekular disperser Verteilung - bezogen auf das Lackgewicht - 0,05 % Kondensationsprodukt aus 1 Mol Perylen- tetracarbonsäure -h 2 Mol 4,5-Dichlor-otoluidin ent hält. In Abb. 3 ist der relative spektrale Fotostrom der Cadmiumselenid-Fotowiderstände zu sehen: Kurve 1 ohne, Kurve 2 mit drei Fluoreszenzfarbstoffschich- ten. <I>Beispiel 4</I> Auf die lichtempfindliche Schicht kommerzieller, nach dem Hochvakuum-Aufdampfverfahren hergestellter Selen- Fotoelemente wird ein 30 #x dicker Film eines farblosen Alkydharzes aufgetragen, in dem ein Aufheller gleich- mässig dispergiert ist. Bezogen auf das Harzgewicht ent hält der Film 0,15 % 1-p'-Sulfon-amido-phenyl-3-p-C1- phenylpyrazolin. In Abb. 4 ist der relative spektrale Fotokurzschluss- Strom der Selen-Fotoelemente zu sehen: Kurve 1 ohne, Kurve 2 mit Fluoreszenzfarbstoffschicht. <I>Beispiel 5</I> Auf der lichtempfindlichen Schicht kommerzieller Si- licium-Einkristall-Fotoelemente wird ein ca. 30 [, dicker Überzug aus einem farblosen Email mit besonders nied rigem Erweichungspunkt nach dem Eintauchverfahren aufgeschmolzen. In der Schmelze sind homogen gelöst - bezogen auf das Gewicht des Emails: 1,30 % Natriumsalicylat und 0,08 %0 4-Amino-1,8-naphthalsäure-p-xenylimid. Abb. 5 zeigt den relativen spektralen Fotokurzschluss- Strom der Silicium-Fotoelemente: Kurve 1 ohne, Kurve 2 mit fluoreszierendem Glasüberzug. <I>Beispiel 6</I> Kubische, n-leitende Cadmiumtellurid-Einkristalle hergestellt durch Zusammenschmelzen stöchiometrischer Mengen von reinem Tellur und reinem Cadmium und 1,0.10-40/ Indium in einer evakuierten Quarzampulle - werden in Scheiben geschnitten, die poliert und geätzt werden. Diese Einkristallscheiben werden mit einer etwa halbdurchlässigen Goldschicht im Hochvakuum bedampft und einer unmittelbar anschliessenden Temperung un terworfen, wodurch ein p-n-Übergang in der Oberfläche entsteht. Die p-leitende Oberfläche wird dann mit einer 20 #t dicken Schicht eines Epoxidharzes überzogen, die in homogener Mischung - bezogen auf das Harzgewicht - enthält: 0,05 % Äthylester von Metamonoäthylaminophenol- phthaleinhydrochlorid 0,02 % Metadiäthylaminophenolphthaleinhydrochlorid. Auf die frische, klebende Epoxydharz-Schicht wird ein etwa 100 #t dickes Fenster aus einem niedrigschmel- zenden Glas aufgebracht, in dem sich - bezogen auf das Glasgewicht - 0,04 % 9,10-Dianilinoanthracen befin den.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Fotowiderstand oder Fotoelement, bei dem das Foto halbleitermaterial optischen Kontakt mit einem Fluores- zenzfarbstoff enthaltenden Bindemittel hat, dadurch ge kennzeichnet, dass das Fotohalbleitermaterial mindestens eine Schicht aus einem oder mehreren durchsichtigen Bindemitteln trägt, die in homogener Verteilung minde stens einen der Fluoreszenzfarbstoffe Natriumsalicylat, 1-p-Sulfonamido-phenyl-3-p-Cl-phenylpyrazolin, 3- [2"- C-4"-Diäthylamino-triazinyl-(6")-aminophenyl]-cumarin, 3-Phenyl-7-[2'-C1-4'-diäthylaminotriazinyl-(6')]-cumarin,Kondensationsprodukt aus 1 Mol Terephthalaldehyd -h 2 Mol Cyanessigsäureäthylester, 4-Amino-1,8-naph- thalsäure-p-xenylimid, 1-Phenyl-3-styrylpyrazolin, 2,2'- Dihydroxy-a-naphthaldazin, 2,2'-Dioxybenzaldazin, Ae- thylester von Metamonoäthylaminophenolphthaleinhydro- clorid, Anthrapyrimidin,Kondensationsprodukt aus 1 Mol Perylentetracarbonsäure -i- 2 Mol 4,5-Dichlor-o- toluidin und / oder Metadiäthylaminophenolphthalein- hydrochlorid in Konzentrationen zwischen 0,01 und 2 Gewichtsprozenten, bezogen auf das jeweilige Bindemit tel, enthält. UNTERANSPRÜCHE 1. Fotowiderstand oder Fotoelement nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Fotohalbleiter material aus Silicium, Selen oder den Chalkogeniden der Elemente Zink oder Cadmium besteht. 2.Fotowiderstand oder Fotoelement nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Fotohalbleiter material mehrere Schichten eines durchsichtigen Binde mittels trägt, wobei in jeder Schicht mindestens ein Fluoreszenzfarbstoff verteilt ist und die Schichten ent sprechend ihren Absorptionsmaxima angeordnet werden, wobei die Schicht mit dem langwelligsten Absorptions maximum unmittelbar auf dem Fotohalbleitermaterial sitzt. 3.Fotowiderstand nach Patentanspruch aus Cad- miumsulfid und Cadmiumsulfoselenid, dadurch gekenn zeichnet, dass er eine Epoxidharzschicht trägt, in der die Fluoreszenzfarbstoffe 1-p-Sulfonamido-phenyl-3-p-C1- phenylpyrazolin, 2,2'-Dihydroxy-cc-naphthaldazin und 3,9-Perylendicarbonsäurediisobutylester homogen verteilt sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEF41334A DE1190118B (de) | 1963-11-22 | 1963-11-22 | Fotowiderstaende und Fotoelemente mit erhoehter Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH447407A true CH447407A (de) | 1967-11-30 |
Family
ID=7098626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1424064A CH447407A (de) | 1963-11-22 | 1964-11-04 | Fotowiderstand und Fotoelement mit erhöhter Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4219852B1 (de) |
AT (1) | AT248512B (de) |
BE (1) | BE656105A (de) |
CH (1) | CH447407A (de) |
DE (1) | DE1190118B (de) |
GB (1) | GB1055698A (de) |
NL (1) | NL6413526A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2742899C3 (de) * | 1977-09-23 | 1980-06-12 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Anordnung zur optischen Übertragung von Nachrichten |
US4379934A (en) * | 1980-01-19 | 1983-04-12 | Basf Aktiengesellschaft | Process for two-dimensionally concentrating light, and novel perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides |
WO2009133502A2 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Photo-detector |
CN115011338A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-09-06 | 苏州大学 | 一种基于苝四羧酸的氮掺杂碳量子点及其制备方法 |
-
1963
- 1963-11-22 DE DEF41334A patent/DE1190118B/de active Pending
-
1964
- 1964-11-04 CH CH1424064A patent/CH447407A/de unknown
- 1964-11-06 AT AT941364A patent/AT248512B/de active
- 1964-11-17 GB GB46783/64A patent/GB1055698A/en not_active Expired
- 1964-11-20 NL NL6413526A patent/NL6413526A/xx unknown
- 1964-11-23 BE BE656105D patent/BE656105A/xx unknown
- 1964-11-24 JP JP6588264A patent/JPS4219852B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT248512B (de) | 1966-08-10 |
GB1055698A (en) | 1967-01-18 |
NL6413526A (de) | 1965-05-24 |
JPS4219852B1 (de) | 1967-10-05 |
BE656105A (de) | 1965-05-24 |
DE1190118B (de) | 1965-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2457572C2 (de) | ||
DE1596825A1 (de) | Antiwaermeverglasung mit modifizierten optischen Eigenschaften | |
DE1421903B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoempfindlichen halb leiterschicht auf einem waermebestaendigen nicht leitenden traeger | |
DE2922282A1 (de) | Photoelektrische zelle | |
DE102007043648A1 (de) | Organischer Photodetektor zur Detektion infraroter Strahlung, Verfahren zur Herstellung dazu und Verwendung | |
DE2725174A1 (de) | Silizium-ctd-bildsensoranordnung | |
DE2654429A1 (de) | Halbleitervorrichtung, insbesondere photovoltaische sonde, mit einem substrat auf der basis einer legierung cd tief x hg tief 1-x te, und verfahren fuer ihre herstellung | |
DE69720401T2 (de) | Organisches Substrat mit lichtabsorbierender Antireflektionsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4337694A1 (de) | Solarmodul mit verbesserter Lichtausnutzung | |
DE4108121C2 (de) | Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit hohem Kontrastverhältnis | |
DE2917143A1 (de) | Lumineszierender verbundsonnenkollektor und -konzentrator | |
CH447407A (de) | Fotowiderstand und Fotoelement mit erhöhter Empfindlichkeit im kurzwelligen Spektralgebiet | |
DE3023134C2 (de) | Aufzeichnungselement | |
DE19961673A1 (de) | Flacher Röntgendetektor mit Alkalihalogenid-Scintillator | |
DE2116794B2 (de) | Lichtelektrische Speicherelek trode fur Fernseh Aufnahmerohren | |
DE1141392B (de) | Photoelektrische Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1299311B (de) | Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren | |
DE2254605C3 (de) | Signalspeicherplatte | |
DE112014002703B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
US3309226A (en) | Photoresistors and photoelements hav- ing increased sensitivity in the short- wave region of the spectrum | |
DE1764082C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines fotoleitfahigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand | |
DE1614351B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS-Photowiderständen | |
DE1911334B2 (de) | Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien | |
DE1180859B (de) | Fotowiderstand oder Fotoelement | |
DE2141233A1 (de) | Photoleiter |