DE1764082C3 - Verfahren zum Herstellen eines fotoleitfahigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines fotoleitfahigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand

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Description

35
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines photoleitfähigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand, bei dem Cadmiumselenidpulver mit einer Kupfer- oder Silberverbindung sowie mit einem Bromid oder Jodid bei höherer Temperatur aktiviert und hierauf in schwefelhaltiger Atmosphäre gebrannt wird.
In der deutschen Patentschrift 1 181 833 und der britischen Patentschrift 974 451 ist ein Verfahren zum Herstellen von gesintertem photoleitfähigem Material beschrieben. Die Erfindung betrifft dagegen ein Verfahren zum Herstellen eines photoleitenden Pulvers. 5"
Das wesentliche Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens gegenüber den bekannten Verfahren beruht auf dem Einführen von Brom oder Jod in das photoleitfähige Pulver.
Es ist bekannt, daß das Maximum der Spektralempfindlichkeit von photoleitendem CdS oder CdSe zu längeren Wellenlängen verschoben wird, wenn man Brom oder Jod als Koaktivierungsmittel an Stelle von Chlor einführt. Gleichzeitig tritt jedoch eine beträchtliche Verringerung des Dunkeiwiderstands des Photoleiters im Vergleich zur Anwendung von Chlor als Aktivierungsmittel ein. Aus diesem Grunde wurde mit Brom oder Jod aktiviertes CdS oder CdSe bisher nicht allgemein als Photoleiter für das nahe Infrarot verwendet.
Dieses Problem wurde durch das erfindungsgemäße Verfahren gelöst, durch welches es gelang, ein photoleitfähiges Pulver mit großer Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich und großem Dunkclwiderstand herzustellen.
Bei dem bekannten Verfahren zum Herstellen von photoleitfähigem Pulver wird zuerst ein Element der Gruppe I7, und ein als Lösungsmittel dienendes Flußmittel, wie CdCL, CdBr2, oder CdJ. gleichzeitig zu einem photoleitfähigen Material, wie CdS, CdSe oder einem Gemisch aus CdS und CdSe zugegeben und anschließend einer Wärmebehandlung unterzogen, wobei die Verunreinigung an Ι,,-Element und Cl, Br oder J in das photoleitfähige Material eingeführt werden. Das so aktivierte Material wird pulverisiert, und dann werden erneut CdCl.,, CdBr2 oder CdJ2 zu dem Pulver des bereits aktivierten Materials zugegeben und das Material erneut einer Wärmebehandlung unterworfen. Zum Schluß wird das Pulver in einer schwefelhaltigen Atmosphäre erhitzt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird dagegen nur das Salz eines !,,-Elements zu dem photoleitfähigen Materials in der ersten Stufe des Verfahrens zugegeben; dieses Material wird anschließend wärmebehandelt und dann pulverisiert. Dann wer den CdBr., oder CdJ.,, welche ein als Lösungsmittel dienendes "Flußmittel und eine das Aktivierungsmittel Br oder J enthaltende Substanz darstellen, zu dem nur m'.t dem !,,-Element aktivierten photoleitfähigen Pulver zugegeben, und anschließend wird erneut erhitzt. Zum Schluß wird das Pulver in schwefelhaltiger Atmosphäre erhitzt.
Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Einführung eines Überschusses an Koaktivierungsmittel Br oder J vermieden wird, weist das erhaltene photoleitfähige Pulver sehr brauchbare Eigenschaften auf, wie eine große Empfindlichkeit im nahen Infrarotgebiet und einen großen Dunkelwiderstand (vgl. beispielsweise USA.-Patentschrift 2 876 202, »Photoleitende Pulver und Verfahren zu ihrer Herstellung«). ' Der technische Fortschritt der Erfindung beruht auf der Tatsache, daß das Koaktivierungsmittel, wie CdBr2 oder CdJ2, nur ein einziges Mal, und zwar nach der ersten Wärmebehandlung angewandt wird Bei dem bekannten Verfahren wird dagegen sowohl vor als auch nach der ersten Wärmebehandlung Koaktivierungsmittel zugegeben. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also die Menge an zuzugebendem Koaktivierungsmittel wesentlich verringert.
Durch einen Überschuß an Koaktivierungsmittel werden dagegen der Dunkelwiderstand des Materials und damit der Gebrauchswert des photoleitenden Materials herabgesetzt.
Die Wärmebehandlung ohne Zugabe von Koaktivierungsmittel weist jedoch den einzigen Nachteil auf, daß das gesinterte Pulver aus harten Konglomeraten besteht. Aus diesem Grund ist u?i dem erfindungsgemäßen Verfahren nach de» ersten Wärmebehandlung eine Pulverisierung erforderlich.
Ein Photoleiter aus Cadmiumselenid- oder Cadmiumsulfoselenidpulver (im folgenden einfach als CdSe bzw. CdS-Se bezeichnet) ist auch empfindlich gegenüber Lichtstrahlen mit größerer Wellenlänge als den photoempfindlichen Wellenlängen, entsprechend der verbotenen Bandbreite. Derartige Photoleiter finden bei verschiedenen photoelektrischen Vorrichtungen, photoelektrischen Relais u. dgl. Anwendung. Bei herkömmlichen CdSe- oder CdS-Se-Photoleitern, die mit Kupfer oder Chlor als Verunreinigungen aktiviert sind, tritt das Maximum der Empfindlichkeit bei 0,9 Mikron auf, und die Wellen-
länge, bei der die Empfindlichkeit auf Vio fällt, beträgt selbst bei einem CdS-Photoleiter, dessen Empfindlichkeit sich auf die Seite der größten Wellenlänge hin erstreckt, 1,05 bis höchsten 1,1 Mikron.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einen Verfahrens zum Herstellen ran Photoleitern mit erhöhter Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich, wobei das Verunreinigungsmaximum durch Einführen von Brom oder Jod in das CdSe oder CdS-Se auf längere Wellenlängen hin verschoben wird. Die Besonderheit dieses Verfahrens besteht darin, daß das Cadmiumselenidpulver zuerst mit einer Kupfer- oder Silberverbindung bei höherer Temperatur gesintert wird und daö das erhaltene Pulver, mit einer Bromid- oder Jodidlösung oder deren Gemisch versetzt, getrocknet und in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre gebrannt sowie anschließend in einer schwefelhaltigen Atmosphäre erhitu wird.
Bisher wurde allgemein angenommen, daß man Kupfer oder Siiber als Aktivierungsmittel und Chlorid als Koaktivierungsmittel bei CdSe- und CdS-Se-Phoioieitern anwenden müßte, um sowohl den Widerstand im Dunkeln als auch die Empfindlichkeit zu verbessern.
Es wurde nun gefunden, daß man gute Ergebnisse durch Zugeben von Bromid oder Jodid als Koaktivierungsmittel bei der Empfindlichkeit gegenüber Infrarotstrahlen erzielen kann.
Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden Beispiele und der Zeichnungen weiter erläutert.
In den Zeichnungen bedeutet
F i g. 1 einen Querschnitt durch eine photoleitfähige Zelle zur Messung der Eigenschaften der erfindungsgemäßen Photoleiter,
F i g. 2 die Spektralernpfindlichkeitseigenschaften von CdSe-Photoleitern mit einem Gehalt an Chlorid, Jodid oder Bromid als Koaktivierungsmittel und
F i g. 3 die Beziehungen zwischen der Intensität der einfallenden Infrarotstrahlen und dem Photostrom in den Chlorid oder Bromid als Koaktivierungsmittel enthaltenden Photoleitern.
Die Erfindung wird nun an Hand einiger praktischer Ausführungen erläutert.
Beispiel 1
100 g CdSe wurden in 200 ml destilliertem Wasser dispergiert, und dann wurden 2,5 ml (etwa 5 · 104 Mol/ Mol) Kupfersalz in Form einer 0,lmolaren Lösung zugegeben und gründlich vermischt. Anschließend wurde das Gemisch getrocknet und zu feinen Körnern vermählen, die wiederum in atmosphärischer Luft oder in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre 40 Minuten bei 600° C gebrannt wurden. Hierbei wurde das Material verhältnismäßig hart gesintert. Das gesinterte Material wurde dann abgekühlt und, nach Zugabe von etwas Wasser, in einer Reibschale od. dgl. vermählen. Dann wurde das so vermahlene Material gewaschen, in eine Lösungsmischung von 0,5 Mol Cadmiumbromid und 1 Mol Ammoniumbromid eingetaucht, filtriert, getrocknet und dann gesiebt. Anschließend wurde das Material auf ähnliche Weise wie oben gebrannt. Das so gebrannte Material wurde gesiebt und 1 g Schwefel zugegeben. Dann wurde das Gemisch in einer Inertgasatmosphäre, wie Argon od. dgl., 15 Minuten bei 480° C und dann 5 Minuten im Vakuum gebrannt.
Das als Endprodukt erhaltene gebrannte Material wurde abgekühlt und anschließend gesiebt.
Die in der ersten Verfahrensstufe zuzugebende
Kupferlösung kann weitgehend beliebig ausgewählt
werden. Man kann nicht nur eine Lösung von Kupferbromid anwenden, sondern allgemein Kupferhalogenid, Kupfernitrat, Kupfersulfat usw.
Vorzugsweise beträgt die zuzugebende Kupfermenge 2·10"4 bis 10-:i Atome pro Atom in dem Grundkörper CdSe. An Ste'Ie von Kupfer kann auch ein einwertiges Metall, wie Silber, angewandt wer-
den. Die Brenntemperatur in der ersten Stufe muß nicht unbedingt 600° C betragen; bei niedrigeren Temperaturen ist es jedoch nicht möglich, ein ausi eichendes Diffundieren des Aktivierungsmittels in in den Grundkörper zu bewirken. Andererseits wird
das Vermählen bei höheren Temperaturen infolge des allzu starken Sinterns schwierig. Aus diesem Grund liegt der zweckmäßige Temperaturbereich zwischen 500 und 700° C. Dieses Sinterverfahren dient zum Einbringen des Aktivierungsmittels; das erhaltene
so Pulver weist jedoch keine ausreichende photoleitende Empfindlichkeit auf. Das Brennen in der zweiten Stufe dient daher zum Züchten der Kristalle in dom Grundkörper und Einbringen des Broms. Beim Brennen in der dritten Stufe wird ein Teil des übe^schüs-
s5 sigen Koaktivierungsmittels durch Schwefel ersetzt und die während des Brennens in der vorherigen Stufe aufgetretenen' Selenfehlstellen aufgefüllt sowie die Berührung zwischen den Pulverkörnern verändert; hierdurch wird der Dunkelwiderstand erhöht.
Die Brenntemperatur kann zwischen 400 und 500 ' C liegen. Das schließlich erhaltene Pulver besteht aus einem CdSe-Photoleiter mit ausgezeichneter Empfindlichkeit gegenüber den nahen Infrarotstrahlen, weist eine gute photoleitende Empfindlichkeit und gute Eigenschaften im Dunkeln auf.
Beispiel 2
Ein CdSe-Photoleiter wurde auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß
Cadmiumjodid an Stelle von Cadmiumbromid und Ammoniumjodid an Stelle von Ammoniumbromid nach dem Brennen in der ersten Stufe gemäß Beispiel 1 verwendet wurden. Auch bei diesem Beispiel wurden ebenso gute Eigenschaften wie in dem vorhergehenden Beispiel erzielt.
Beispiel 3
Ein CdSe-Photoleiter wurde auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß
5" ein Teil des nach dem Brennen in der ersten Stufe gemäß Beispiel 1 zugegebenen Cadmiumbromids durch Cadmiumjodid und/oder ein Teil des Ammoniumbromids durch Ammoniumjodid ersetzt wurden. Dabei wurden, ebenso wie in den Beispielen 1 und 2, hervorragende Eigenschaften erzielt.
Beispiel 4
Ein CdSe-Photoleiter wurde auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß ein Teil des nach dem Brennen in der ersten Stufe gemäß Beispiel 1 zugegebenen Cadmiumbromids durch Cadmiumchlorid und/oder ein Teil des Ammoniumbromids durch Ammoniumchlorid ersetzt wurden. Auf diese Weise kann man durch geeignete Auswahl des Verhältnisses von Bromiden zu Chloriden einen Photoleiter herstellen, dessen Empfindlichkeitsbereich im nahen Infrarot zwischen demjenigen eines herkömmlichen CdSe-Photoleiters mit
Chlorid als Koaktivierungsmittel und derjenigen des Photoleiters gemäß Beispiel 1 Hegt. Bei diesem Beispiel können derartige Eigenschaften auch erzielt werden, wenn ein Teil des Cadmiumjodids gemäß Beispiel 2 durch Cadmiumchlorid und/oder ein Teil des Ammoniumjodids durch Ammoniumchlorid ersetzt werden.
Beispiel 5
Bei den Beispielen 1 bis 4 wurde CdSe als Grundkörper angewandt. Man kann aber auch CdS-Se mit einem wahlweisen Zusammensetzungsverhältnis anwenden. Je größer in diesem Fall der Anteil an CdS ist, desto geringer ist die Verbesserung der Empfindlichkeit im nahen Infrarot, andererseits werden aber hierbei eine gute Photoleitfähigkeit und gute Eigenschaften im Dunkeln erzielt.
Wie sich aus den vorangegangenen Beispielen ergibt, wurde zwar ein Koaktivierungsmittel, wie Bromid oder Jodid zugegeben, wodurch sich, wie allgemein bekannt, die Eigenschaften im Dunkeln ver schlechtem; es wurde aber gleichzeitig ein Verfahren angewandt, um das Eindringen dieses Koaktivierungsmittels möglichst zu hemmen. Bei diesem Verfahren wird insbesondere keinerlei Flußmittel zugegeben, wie es bei dem bekannten Verfahren zum Zwecke des Kristallwachstums verwendet wird; außerdem wird kein Halogenid (normalerweise ζ. Β. NH4Cl od. dgl.), wie bei dem bekannten Verfahren, als Mittel zur Verhinderung der Oxydation zugegeben. Das Material wird nach dem Brennen in der ersten Stufe hart gesintert. Es ist bemerkenswert, daß das Vermählen des gesinterten Materials einen sehr wichtigen Bestandteil des erfindungsgemäßen Verfahrens darstellt. Bei den obigen Beispielen wurde das Bromid oder Jodid in Form von Cadmiumbromid oder Cadmiumjodid zugegeben; man kann aber auch andere Bromide oder Jodide anwenden.
Obwohl gemäß den obigen Beispielen ein pulverförmiger Photoleiter beschrieoen ist, kann man Im Rahmen der Erfindung vielerlei Photoleiter, wie einen gesinterten Film, eine gesinterte Zelle od. dgl., herstellen, die im nahen Infrarot empfindlich sind.
Im folgenden werden die Eigenschaften der gemäß den vorhergehenden Beispielen hergestellten, im nahen Infrarot empfindlichen Photoleiter näher erläutert. Als Untersuchungsproben für die Messung wurde ein Photoleiter verwendet, der mit Äthylcellulose an Elektroden von 7 ■ 0,7 mm, wie in F i g. 1 dargestellt, befestigt war. In F i g. 2 sind die Spektraleigenschaften (Kurve I) eines herkömmlichen CdSe-PhotoIeiiers unter Verwendung von Chlorid als Koaktivierungsmittel dargestellt. In Kurve II sind die Eigenschaften eines erfindungsgemäß unter Verwendung von Jodid als Koaktivierungsmittel hergestellten CdSe-Photoleiters dargestellt. In Kurve III sind die Eigenschaften eines erfindungsgemäß unter Verwendung von Bromid hergestellten CdSe-Photoleiters dargestellt. In der graphischen Darstellung sind in der Horizontalachse die Wellenlängen τ der einfallenden Lichtstrahlen in Mikron und auf der senkrechten Achse die Photoströme aufgetragen. Aus F i g. 2 ergibt sich, daß die Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen Photoleiter im nahen Infrarot wesentlich besser als bei den herkömmlichen Photoleitern ist. Das Maximum der Empfindlichkeit bei den herkömmlichen Photoleitern liegt bei einer Wellenlänge, von 0,9 Mikron. Im Gegensatz hierzu liegt das Maximum bei dem erfindungsgemäß hergestellten CdSe-Photoleiter mit Jodid als Koaktivierungsmittel bei einer Wellenlänge von 0,94 Mikron; das Maximum eines CdSe-Photoleiters mit einem Gehalt von Bromid als Koaktivierungsmittel liegt bei einer Wellenlänge von 0,96 Mikron. Falls man die Wellenlänge, bei welcher die Empfindlichkeit auf 1Ao des Maximums gesunken ist, als. Grenze für den längeren Wellenbereich annimmt, so liegt diese Grenze bei der Kurve I
ίο bei 1,09 Mikron, bei der Kurve II bei 1,12 Mikron und bei der Kurve III bei 1,17 Mikron. Hieraus ergeben sich die überlegenen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Stoffe. In F i g. 3 ist die Beziehung zwischen dem Photostrom und der Intensität der einfallenden Infrarotstrahlen des CdSe-Photoleiters mit einem Gehalt an Bromid als Koaktivierungsmittel (Kurve IV) gemäß den vorhergehenden Beispielen und eines herkömmlichen CdSu-Photoleiters mit einem Gehalt an Chlorid als Koaktivierungsmittel (Kurve V) beschrieben. Die für die Messung verwendeten Proben entsprechen der Darstellung gemäß Fig. 2; zur Messung wurde eine Gleichspannung von 400 V angewandt. Die einfallenden Infrarotstrahlen mit einer Wellenlänge entsprechend dem langwelligen Maximum der Spektralempfindlichkeit jeder Probe wurden mit Hilfe eines zwischen einer Glühlampe und der Probe geschalteten Interferenzfilters erhalten. Im einzelnen wurde bei der Kurve IV ein Interferenzfilter mit einer maximalen Durchlässigkeit bei 0,96 Mikron und im Fall der Kurve V ein Interferenzfilter mit einer maximalen Durchlässigkeit bei 0,9 Mikron angewandt. Die Intensitäten wurden mit Hilfe eines Vakuum-Thermoelements gemessen. In Fig. 3 ist der Photostrom /„ in Mikroampere auf der senkrechten Achse und die Intensität LIR der Infrarotstrahlen in Mikrowatt pro qcm auf der waagerechten Achse aufgetragen. Aus F i g. 3 ergibt sich, daß das erfindungsgemäße Material dem vergleichbaren herkömmlichen Material im Hinblick auf die Photoempfindlichkeit überlegen ist.
Aus Tabelle 1 ergeben sich die Werte für die Maxima im längeren Wellenbereich für die Spektralempfindlichkeit von CdSe-Photoleitern mit einem Gehalt an Bromid und Chlorid als Koaktivierungsmittel gemäß Beispiel 1; ferner sind in der Tabelle die Grenze im langwelligen Bereich sowie das Verhältnis von Bromid zur Gesamtmenge von Chlorid und Bromid angegeben; hierbei wird die Menge in Mol gemessen und das Mengenverhätlnis 0 bedeutet.
daß das Material nur Chlorid als Koaktivierungsmittel enthält und somit dem herkömmlichen CdSe-Photoleiter entrpricht; das Mengenverhältnis 1 bedeutet, daß das CdSe nur Bromid als Koaktivierungsmittel enthält.
55 Verhältnis der Menge Tabelle 1 Eigenschaften Grenze im
an Bromid zur Maximum der langwelligen
6o Gesamtmenge an Empfindlichkeit Bereich
Bromid und Chlorid im nahen ((O
Infrarot 1,09
0 (μ) 1,07
65 0,1 0,90 1,09
0,2 0,91 1,11
0,3 0,92 1,17
1,0 0,94
0,96
3633
Aus Tabelle 1 ergibt sich, daß die erfindungsgemäßen Substanzen eine erhöhte Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich aufweisen. Ein typisches Beispiel für die Anwendung eines Photoleiters im nahen Infrarot ist eine Festkörper-lnfrarotbildum-Wandlungsvorrichtung, die aus wenigstens einer Elektrolümineszenzschicht und einer darauf angeordneten photoleitfähigen Schicht sowie wenigstens zwei Elektroden besteht. Durch Anlegen einer Spannung zwischen den beiden Elektroden kann ein durch Strahlen. wie Infrarotstrahlen od. dgl. auf die photoleitende Schicht projiziertes Bild in ein sichtbares Bild auf der Elektrolumineszenzschicht umgewandelt werden. In den meisten Fällen hängt die Empfindlichkeit einer derartigen Vorrichtung von der Empfindlichkeit des angewandten Photoleiters ab. Die Empfindlichkeit einer derartigen Vorrichtung ergibt sich also durch die Differenz zwischen der Intensität der herauskommenden Strahlen und der konstanten Intensität der einfallenden Infrarotstrahlen. Selbstverständlich soll die Empfindlichkeit so groß sein, daß ein großer Unterschied zwischen den herauskommenden Lichtstrahlen und den einfallenden Strahlen geringer Intensität besteht.
In der Tabelle 2 sind die Eigenschaften eines derartigen Festkörper-lnfrarotbildumwandlers mit einer photoleitenden Schicht aus einem herkömmlichen CdSe-Photoleiter mit Chlorid als Koaktivierungsmittel und einer analogen Vorrichtung unter Verwendung von bromidhaltigem CdSe als Koaktivierungsmittel gemäß der Erfindung gegenübergestellt. Als Strahlenquelle für Infrarotstrahlen wurde eine mit einem aus einer Siliciumplatte von 2 mm Stärke versehene Wolframlichtquelle angewendet, welche für Lichtstrahlen mit einer größeren Wellenlänge als 1,1 Mikron durchlässig ist. Die Strahlungsintensität wurde mit einem Thermoelement-Kalorienmeßgerät in [»W/cm2 gemessen. Es wurde das Verhältnis der herauskommenden Lichtstrahlen bei der Bestrahlung mit den Infrarotstrahlen im Vergleich zur Lumineszenz im Dunkeln bestimmt.
Tabelle 2
Verhältnis der Veränderung der Lichtstrahlen bei Vorrichtung unter
herauskommenden einer Festkörper-Infrarotbild- Verwendung von
Inti*n*!ilüt tlf*r umwandiungsvorrichtung CdSe mit Bromid
Illlwllullo-L UC I
einfallenden 		Vorrichtung unter als
Lichtstrahlen, Verwendung von Koaktivierungsmittel
fiW/cm« CdSe mit Chlorid 1,0
als 1,9
Koaklivierungsmitlel 3,5
1,0 10,0
0 1,2
102 2,0
3-10* 5,5
103
Aus Tabelle 2 ergibt sich ebenfalls, daß die erfindungsgemäßen Substanzen hervorragende Photoleitfähigkeitseigenschaften im nahen Infrarot aufweisen.
Das Verfahren zum Herstellen der erfindungsgemäßen photoleitfähigen Substanzen läßt sich wie folgt zusammenfassen:
Eine Lösung eines /Ö-Elements, wie Kupfer od. dgl., wird zu CdSe, oder einem Gemisch oder einer festen Lösung von CdS und CdSe zugegeben, und das erhaltene Gemisch wird anschließend getrocknet und dann in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre zu einem gesinterten Block gebrannt. Der so gebrannte gesinterte Block wird zu einem Pulver vermählen, zu dem Bromid, Jodid oder deren Gemisch zugegeben wird; anschließend wird erneut in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre gebrannt.
Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß dor erfindungsgemäße Infrarotphotoleiter, bei dem der empfindliche Welleniängenbereich stark gegen die langwellige Seite hin verschoben werden kann, mit Vorteil als Festkörper-Infrarotbildumwandler und infrarotstrahlenempfindliches Material für verschiedene photoelektrische Infrarotumwandler, photo elektrische Relais, photoelektrische Schalter u. dgl., verwendet werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 309648/238

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines photoleiifähigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand, bei dem Cadmiumselenidpulver mit einer Kupferoder Silberverbindung sowie mit einem Bromid oder Jodid bei höherer Temperatur aktiviert und hierauf in schwefelhaltiger Atmosphäre gebrannt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Cadmiumselenidpulver zuerst mit einer Kupferoder Silberverbindung mit höherer Temperatur gesintert wird, daß das gesinterte Produkt vermalilen und gewaschen wird und daß das erhaltene Pulver mit einer Bromid- oder Jodidlösung oder deren Gemisch versetzt, getrocknet und in cinei sauerstoffhaltig* τ- Atmosphäre gebrannt sowie anschließend in einer schwefelhaltigen Atmosphäre erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gemisch oder eine feste Lösung von Cadmiumsulfid und Cadmiurrrselenid aktiviert werden.
3. Verfahren nach Anspruch!, dadurch gekennzeichnet, daß als Koaktivator Cadmiumbromid oder Cadmiumjodid oder deren Gemische zugegeben werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß Ammoniumbromid oder Ammoniumjodid und wenigstens eine Verbindung in Form von Cadmiumbromid oder Cadmiumjodid zugegeben werden.
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