DE2141233A1

DE2141233A1 - Photoleiter

Info

Publication number: DE2141233A1
Application number: DE19712141233
Authority: DE
Inventors: Kazuo; Yoshida Okio; Yokohama; Terakawa Kazuo Yokosuka; Aihara Satoshi Yokohama; Shimizu (Japan)
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1970-08-17
Filing date: 1971-08-17
Publication date: 1972-02-24
Also published as: GB1311404A; NL161613B; US3816787A; DE2141233B2; CA922421A; JPS4830193B1; NL7111347A; FR2112921A1; NL161613C

Description

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Dr. F. Zumsteln sen. - Dr. E. Assmann Dr. R. Koenigsberger - Dlpl.-Phys. R. Holzbauer - Dr. F. Zumsteln Jun.

PATENTANWÄLTE

TELEFON: SAMMEL-NR. 22 S3 41

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8 MÜNCHEN 2,

BRÄUHAUSSTRASSE 4/III

5/M 46P3O3-3

TOKTO SHIBAURA. ELECTRIC CO.,1TD.,Kawasaki,Japan

Photoleiter.

Die Erfindung "betrifft einen Photoleiter, ins "be sonder en einen Photoleiter, der Cadmiumselenid enthält.

Es ist "bekannt, daß Photoleiter, die unter Verwendung von Cadmiumselenid hergestellt sind, eine außerordentlich hohe !lichtempfindlichkeit aufweisen, wenn sie als photoelektrische Kathode einer Bildaufnahmeröhre verwendet werden. Der Dunkelstrom nimmt jedoch während des Betriebes eines derartigen Photoleiters, der unter Verwendung von Cadmiumselenid hergestellt worden ist, relativ schnell mit der Zeit zu. Diese Zunahme des Dunkelstromes verringert die Qualität des Bildes, das aus dem Videosignal reproduziert v/ird, das durch eine Bildaufnahmeröhre gewonnen worden ist, die unter Verwendung einer derartigen photoelektrischen Kathode hergestellt worden ist. Darin liegt ein beträchtlicher Nachteil.

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Es ist daher ein Ziel der Erfindung, einen verbesserten piezoelektrischen Leiter zu schaffen, der einen geringen Dunkelstrom aufweist, der sich nicht in nennenswertem Maße im Laufe der Zeit ändert.

Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung eines derartigen photoelektrischen Leiters mit geringem Dunkelstrom, der insbesondere zur Verwendung als photoelektrische Kathode einer Bildaufnahmeröhre geeignet ist.

Der erfindungsgemäße Photoleiter ist gekennzeichnet durch eine erste Schicht aus einer photoleitenden Substanz, die Cadmiumselenid enthält, eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht ausgebildet und aus einer Substanz hergestellt ist, die Cadmiumsalz einer Oxysäure enthält, und eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht ausgebildet ist und aus einer Hochwiderstandsverbindung (außer Cadmiumselenid) besteht, wobei die Hochwiderstandsverbindung einen spezifischen Widerstand von mehr als 10 Xl -cm aufweist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines photoelektrischen Leiters ist dadurch gekennzeichnet,daß man eine Schicht aus Cadmiumselenid auf einen transparenten, elektroleitenden PiIm, der auf einer Grundplatte bzw. einem Schirm-

—5 träger ausgebildet ist, unter einem Druck von 1 bis 2x10 mm Hg aufdampft, daß man die Schicht aus Cadmiumselenid in einer Inertgasatmosphäre eine vorbestimmte Zeit lang wärmebehandelt, und daß man sodann die Schicht aus Cadmiumselenid in Selendampf eine vorbestimmte Zeit lang wärmebehandelt, daß man anschließend die Schicht aus Cadmiumselenid einer Wärmebehandlung bei vorbestimmter Temperatur und sodann einer Abschreckbehandlung in einer Inertgasatmosphäre, die Sauerstoff und Selendampf enthält, unterwirft, wodurch eine Schicht von Cadmiumsalz der selenigen Säure entsteht, und daß man schließ-

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lieh eine Schicht vorbestimmter Dicke aus einer Hochwiderstands verbindung (außer Cadmiumselenid) auf dem Cadniiumsalz der selenigen Säure ablagert, wobei die Hochwiderstandsverbindung e
aufweist.

bindung einen spezifischen Widerstand von mehr als 10 Sl -cm

Im folgenden werden beispielsweise, bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

Pig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen, photoelektrischen Kathode zur Verwendung in einer Bildaufnahmeröhre;

Pig. 2 zeigt eine Aufzeichnung eines Röntgenstrahl-Beugungsbildes der in Fig. 1 gezeigten photoelelctrischen Kathode;

Pig. 3 ist ein Diagramm zum Vergleich der Spannungs- und Stromeigenschaften der photoelelctrischen Kathode und einer bekannten Kathode;

Pig. 4 ist ein Diagramm zum Vergleich der Kathodenspannungs- bzw. Dunkelstromeigenschaften der in Pig. 1 gezeigten Photokathode und der bekannten Kathode;

Pig. 5 ist eine Darstellung zum Vergleich der Zeit- bzw. Dunkelstromeigenschaften der in Pig. 1 gezeigten Photokathode und einer bekannten Kathode;

Pig. 6 und 7 zeigen abgewandelte Photokathoden zur Verwendung in einer Pestkörper-Abtast-Bildaufnahmeröhre.

Wie Pig. 1 zeigt, wird eine transparente, elektroleitende Signalelektrode, beispielsweise ein IiES A -Üb er zug 2 auf die innere Oberfläche eines transparenten Glas-Schirmträgers 1, d.h. auf die lichtaufnehmende Oberfläche einer evakuierten Phot öle itex^-Bildauf nahmer öhre, beispielsweise ein Vidikon, aufgebracht. Eine erste Photoleiterschicht 3 aus Cadi=iiutri-»e.lenid wird auf den IiES A- Über zug 2 bis zu einer Dicke von etwa 2 μ aufgetragen. Das Gadmiumselenid kann durch· eine feste Lösung

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ersetzt werden, die Cadmiumselenid und Cadmiumsulfid in einem Gewichtsverhältnis von 2:1 enthält, oder durch Cadmiumsulfoselenid. Eine zweite oder Zwischenschicht 4 aus Cadmiumsalz einer Oxysäure, "beispielsweise aus Cadmiumsalz der selenigen Säure, wird auf die erste Photoleiterschicht 3 aufgebracht. Die Zwischenschicht 4 wird mit einer dritten Schicht 5 einer Hochwiderstandsverbindung (außer Cadmiumselenid) überzogen, die einen-·spezifischen Widerstand von mehr als etv/a 10 -Ω- -cm aufweist. Beispielsweise kann Zinksulfid verwendet werden. Dadurch wird die Photokathode 6 fertiggestellt. Die Zwischenschicht 4 kann aus einer Mischung aus Cadmiumsalz der selenigen Säure und Cadmiumoxyd anstelle von reinem Cadmiumsalz der εelenigen Säure hergestellt werden. Weiterhin kann das Zinksulfid, das die dritte Schicht 5 bildet, durch eine Hochwiderstandsverbindung mit einem spezifischen Widerstand

von mehr als etwa 10 JfL-cm ersetzt werden, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Germaniumsulfid, Arsendisulfid, Arsentrisulfid, Arsentriselenid, Germaniumselenid, Thalliumsulfid, Thalliumselenid, Wismuthtrisulfid, Wismuthtriselenid, Zinkselenid, Cadmiumtellurid, Antimontrisulfid und Antimontriselenid besteht.

Obwohl in der vorangegangenen Beschreibung die dritte Schicht 5 als eine Schicht beschrieben wurde, die aus einer einzigen Hochwiderstandsverbindung besteht, kann sie aus einer Mischung aus zwei oder mehreren Hochwiderstandsverbindungen der angegebenen Art hergestellt sein oder einen Vielschichtenaufbau aus einer einzigen oder aus einer Mischung dieser Verbindungen aufweisen.

Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung der Photokathode 6 ist folgendes:

Zunächst wird der Schirmträger 1 mit einem transparenten, elektroleitenden Film, beispielsweise einem liESA-übersug 2,

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durch "bekannte Vakuumablagerung überzogen. Der überzogene

—5 Schirmträger wird sodann in ein Vakuum von 1 bis 2 χ 10 mm Hg gebracht, und eine Schicht 3 aus Cadmiumselenid wird auf dem EESA-Überzug bis zu einer Dicke von beispielsweise etwa

2 mm aufgebracht. Vor der Ablagerung kann das Cadmiumselenid mit einem oder mehreren der folgenden Stoffe versetzt werden: Kupfer, Gold, Silber, Indium , Gallium, Aluminium, Halogene, Tellurium, Antinon, Wismuth, Blei, Zinn, Alkalimetalle und Erdalkalimetalle außer Thallium. Außerdem kann hochreines Cadmiumselenid von beispielsweise 99,999% Reinheit abgelagert werden. Sodann wird der Schirmträger 1, der auf diese Art mit der Schicht 3 versehen ist, etwa 15 Minuten lang bei einer Temperatur von 600⁰C in einem Inertgas, beispielsweise in Stickstoffatmosphäre, wärmebehandelt. Der Schirmträger wird sodann 30 Minuten lang bei einer Temperatur von 500⁰G beispielsweise in Selendampf, wärmebehandelt. Der Zweck der Wärmebehandlung der Cadmiumselenidschicht 3 in Selendampf beruht darauf, daß eine Anzahl von Selenlücken in dem Cadmium-ε elenid gefüllt werden. Auf diese Art entsteht eine hochlichtempfindliche Photoleiterschicht 3 aus Cadmiumselenid.

Der so hergestellte Schirmträger 1 mit der Photoleiterschicht

3 wird sodann in einer Inertgasatmosphäre, beispielsweise in einer Stickstoffatmosphäre, die Sauerstoff enthält und unter ITormaldruck gehalten wird, wärmebehandelt, wobei das Inertgas Selendampf in einer Menge enthält, daß ein Partialdruck von 1 mm Hg bis beispielsweise zu dem Partialdruck des gesättigten Dampfes bei vorbestimmter Temperatur entsteht. Der wärmebehandelte Schirmträger wird sodann schnell abgekühlt. Sodann wird eine zweite Schicht 4 aus Cadmiumsal^; der selenigen Säure auf der ersten Schicht 3 ausgebildet. Sodann wird eine dritte Schicht 5 aus Zinksulfid auf der zweiten Schicht 4 bis zu einer Dicke von beispielsweise 0,1 μ unter

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einem" Vakuum von 10 mm Hg vakuumabgelagert. Dadurch wird

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eine zusammengesetzte Kathode 6 fertiggestellt.

Obwohl entsprechend der vorangegangenen Beschreibung die Wärmebehandlungen für die ersten und die zweite Schicht getrennt durchgeführt wurden, können diese Wärmebehandlungen zu einem einzigen Schritt zusammengefaßt sein. Beispielsweise kann die Cadmiumselenidschicht 3 auf dem transparenten, leitenden Überzug 2, der auf dem Schirmträger 1 ausgebildet ist, bis zu einer Dicke von etwa 2μ ineiner Inertgasatmosphäre, beispielsweise in Stickstoffatmosphäre, hergestellt werden. Zugleich wird der Schirmträger 1 bei einer Temperatur von etwa 150⁰C gehalten. Die entstehende erste Schicht 3 wird sodann 10 bis 50 Minuten lang bei einer Temperatur von 500°C in Stickstoff atmosphäre unter ITomaldruck mit einem Gehalt von 0,1 bis 10$ Sauerstoff wärmebehandelt. Die Stickstoffatmosphäre ist mit Selendampf in einer solchen Menge versetzt, daß ein Partialdruck von 1 mm Hg bis hin zudem Partialdruck des gesättigten Dampfes der Atmosphäre bei vorbestimmter Temperatur ausgeübt wird. Der Sauerstoff in dem Selendampf bev/irkt eine Verringerung der Korngröße der Verteilung der feinen Teilchen des CadmiumselenidaJiider Schicht 3, so daß eine Cadmiumselenidschicht 3 entsteht, die eine im wesentlichen gleichförmige Korngröße aufweist. Die Zusammensetzung der Atmosphäre wird während des Abkühlschrittes der Kathode, der der Wärmebehandlung folgt, so geregelt, daß die Menge an Sauerstoff und der Partialdruck des Selendampfes in dex* Behandlungsatmosphäre nach einer geeigneten Zeit auf "Hull zurückgeführt v/erden. Auf diese Art wird die zweite Schicht 4 aus Cadmiumsalz der selenigen Säure auf der ersten Schicht 3 ausgebildet. Alternativ kann die zweite Schicht 4 dadurch hergestellt werden, daß die Cadmiumselenidschicht 3 bei einer Temperatur von beispielsweise 300⁰C zusammen mit Selendioxyd erwärmt wird.

Die dritte Schicht 5 aus beispielsweise Arsentrisulfid wird

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auf der zweiten Schicht 4 "bis zu einer Dicke von 0,4μ unter einem reduzierten Druck von 10 mm Hg abgelagert. Dadurch \ die zusammengesetzte Kathode 6 fertiggestellt.

An der Stelle der Herstellung der ersten Schicht 3 durch Dampfablagerung von Cadmiumselenid kann eine dünne Schicht aus monokristallinem Cadmiumselenid mit einem geeigneten elektrischen Widerstand und geeigneter Lichtempfindlichkeit auf den UESA~ überzug 2 aufgebracht werden.

Anstatt aus dem Cadmiumsalz der selenigen Säure kann die Zwischenschicht 4 auch aus einer Mischung aus diesem Cadmiumsalz und Cadmiumoxyd oder einer Mischung aus dem Cadmiumsalz der selenigen Säure und einer Verbindung aus Caesiumselen und Sauerstoff, wie sie beispielsweise durch die Molekularformel Cd₅Se^O₁₁(3CdSeO₅-SeO₂) wiedergegeben ist, hergestellt werden. Wenn Cadmiumoxyd zusammen mit Cadmiumsalz der selenigen Säure, dessen spezifischer Widerstand gering ist, verwendet wird, sollte der Anteil an Cadmiumoxyd nicht zu hoch sein. Weiterhin führt eine zu dicke Schicht aus Cadmiumsalz der selenigen Säure zu einem positiven Nachbild auf dem Fernsehschirm, so daß das Bild nach der Unterbrechung des Lichteintrittes weiterbesteht.

Aus diesem G-runde ist eine Dicke von /weniger als etwa 2000 A vorzuziehen.

Das Vorhandensein der Schicht 4 aus Cadmiumsalz der selenigen Säure oder einer Mischung dieses Salzes mit Cadmiumoxyd auf der Cadmiumselenidschicht kann mit Hilfe des Ergebnisses des Röntgenstrahl-Beugungstestes mit ASTH-Karten nachgewiesen werden. Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines Abschnittes eines ;; eic hen RöntgenstrahlBeugungsbildes der Photokathode, das unter Verwendung relstiv harter Röntgenstrahlen (CuKa), d.h. Röntgenstrahlen, bei denen weite Beugungsspitzen die Anwesenheit des hexagonalen Systems des Cadmiumselenids in der ersten Schicht anzeigen, gewonnen wurden.

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Pig. 3 ist eine Darstellung zum Vergleichder Spannungs- bzw. Signalstromeigenschaften der Photokathode 6 mit bekannten Photokathoden, wobei die durchgezogen dargestellte Kurve die Eigenschaften der erfindungsgemäßen und die gestrichelt gezeichnete Kurve die Eigenschaften der bekannten Photokathode zeigt. In jedem Falle handelte es sich bei- dem auf die Photokathode fallenden Licht um weißes Licht bei 2950° K, und die Beleuchtungstärke auf der lichtaufnehmenden Oberfläche der Photokathode betrug 0,5 Lux. Wie klar aus Pig. 3 hervorgeht, sind die Eigenschaften beider Kathoden im allgemeinen ähnlich, außer daß die erfindungsgemäße Photokathode einer Kathodenspannung von einigen Volt mehr arbeitet, und daß der f-Wert der Lichtübertragungseigenschaften erfindungsgemäß bei etwa 0,9, d.h. etwas höher als 0,85 bei herkömmlichen Einrichtungen, liegt. Bei einer geeigneten Arbeitsspannung kann die erfindungsgemäße Photokathode, wie eine herkömmliche Photokathode, einen Signalstrom von mehr als 200 nA bei einer Beleuchtungsstärke von 0,5 Lux erzeugen. Das zeigt, daß die Lichtempfindlichkeit der Photoleitereinrichtung ebenfalls ausgezeichnet ist.

In Pig. 4 werden die Photokathodenspannungs- bzw. -dunkelstromeigenschaften der Photokathode 6 und bekannter Photokathoden ' mtieinander verglichen. Die durchgezogene Linie zeigt die erfindungsgemäßen Eigenschaften und die gestrichelte Linie den Stand der Technik. Wie aus Fig. 4 hervorgeht, ist es bei einer _t $f;vorzugten Photokathodenspannung, beispielsweise bei 40 V, erfind ungcgeniäß möglich, den Dunkelstrom auf weniger als 1 nA zu senken, und die Erhöhung des Dunkelstroaaes wirksamer zu unterdrücken, als es bisher möglich war, wenn die Photokathodenspannung erhöht wurde.

Fig. 5 zeigt einen Vergleich der Dunkelstromeigenscbaften über die Zeit bei erfindungsgemäßen und bekannten Kathoden, Obwohl der Dunkelstrom bei bekannten Kathoden schnell mit der Zeit

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zunimmt, wie durch gestrichelte Linien angegeben ist, ändert er sich erfindungsgemäß über die Zeit nicht in nennenswertem Maße, wie die durchgezogene Linie zeigt.

Die Photoleitvorrichtung der vorliegenden Erfindung hat also einen geringen Dunkelstrom, der annähernd über einen weiten GebrauchsZeitraum konstant bleibt, so daß bei Verwendung als Photoleitkathode einer Bildaufnahmeröhre eine erhebliche "Verbesserung des Rauschabstandes der Fernsehkamera ermöglicht und so deren Betriebsstabilität verbessert wird.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform wird die Schicht 5 durch einen Elektronenstrahl abgetastet, der von einer nicht gezeigten Elektronenschleuder abgegeben wird. Dadurch wird von der Signalelektrode 2 ein Videosignal hergestellt, das dem einfallenden Licht entspricht.

Pig. 6 zeigt eine Festkörper-Photoleitkathode 6 mit einer Anzahl von im Abstand voneinander parallel zueinander angeordneten Elektrodenstreifen 7 auf der anderen Oberfläche der dritten Schicht 5. Bei dieser Ausführungsform wird anstelle der Abtastung mit einem Elektronenstrahl ein Potential nach und nach auf die Elektrodenstreifen 7 zur Herstellung des Videosignals in der Signalelektrode 2 aufgebracht.

Bei einer weiteren Ausführungsform, die in Fig. 7 dargestellt ist, ist die Signalelektrode in einer Anzahl von getrennten Signalelektrodenstreifen 2a unterteilt. Diese Ausführungsform gewährleistet eine bessere Auflösung als diejenige der Fig.

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Claims

Patentansprüche

Photoleiter mit Vielschichtenaufbau und zumindest einer Schicht aus Cadmiumselenid, dadurch gekennzeichnet, daß der Vielschichtenaufbau eine erste Schicht eines photoelektrischen Leiters, die Cadmiumselenid enthält, eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht ausgebildet ist und aus einer Substanz besteht, die Cadmiumsalz einer Oxysäure enthält, und eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht ausgebildet ist und aus einer Hochwiderstandssubst.-tnz mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 10 Cl -cm besteht, umfaßt, wobei die Hochwiäerstandssubstanz aus einer Gruppe aus Verbindungen - außer Cadmiumselenid - ausgewählt ist.
2. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus Gadmiumsulfoselenid besteht.
3. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus einer festen Lösung hergestellt ist, die Cadmiumselenid und Cadmiumsulfid in einem Gewichtsverhältnis von 2:1 enthält.
4. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht eine Schicht aus Cadmiumsalz der selenigen Säure mit einer Dicke von weniger als 2000 A umfaßt.
5. Photoleiter nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht zusätzlich Cadmiumoxyd enthält.
6. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schicht aus einer ρhotoelektrisch leitenden Substanz besteht.

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7. Photoleiter nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schicht aus einem Stoff hergestellt ist, der aus der Gruppe Zinksulfid, Germaniumsulf id, Arsendisulf id, Arsentriselenid, Arsentriselenid, Germaniumselenid, Thallimsulfid, Thalliumselenid, Wismuthtrisulfid, Wismuthtriselenid, Zinkselenid, Cadmiumtellurid, Antimontrisulfid, Antimontriselenid und Mischung aus diesen Stoffen ausgewählt ist, und daß die dritte Schicht eine Dicke von etwa 2μ aufweist.
8. Photoleiter nach Anspruch 4_S dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl von schmalen Streifenelektroden auf der dritten Schicht vorgesehen sind.
9. Photoleiter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl von schmalen Streifenelektroden auf der-ersten und der dritten Schicht vorgesehen sind.
10. Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus Cadmiumselenid auf _βeinem transparenten, elektroleitenden Film, der auf einem Schirmträger vorgesehen ist, unter einem Druck von 1 "bis 2 χ 10~"^ mm Hg Dampf abgelagert wird, daß die Schicht aus Cadmiumselenid in einer Inortgasatmosphäre eine vorbestimmte Zeit lang wärraebehandelt und daß sodann die Schicht aus Cadmiumselenid in Selendampf eine vorbestimmte Zeit lang wärmebehandelt wird, daß ferner die Schicht aus Cadmiumselenid bei vorbestimmter Temperatur wärmebehandelt und dann in einer Inertgasatmosphäre abgeschreckt wird, die Sauerstoff und Selendampf enthält, wodurch--eine. Schicht aus Cadmiumsalζ der selenigen Säure entsteht, und daß schließlich eine Schicht vorbestimmter Dicke aus einer HochwiöerStandsverbindung' (auße^^:i;iGadmiumselenid) auf Schicht aus Cadmiumsalz der setenlgen Säure abgelageoii?

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wird, wobei der spezifische Widerstand der Hochwiderstandsverbindung über 10 Λ-cm liegt.
11. Verfahren zur Herstellung eines Photoleiters, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus öadmiumselenid bis zu einer Dicke von etwa 2μ auf einer transparenten, elektroleitenden Schicht, die auf dem Schirmträger ausgebildet ist, in einer Inertgasatmosphäre, die auf einer Temperatur von 150⁰G gehalten wird, Dampf-abgelagert wird, daß diese Schicht aus Cadmiumselenid 10 bis 50 Minuten lang bei einer Temperatur von 500⁰C in einer Inertgasatmosphäre, die bei ITormalderuck gehalten wird, und Selendampf sowie 0,1 bis 10$ Sauerstoff enthält, wärmebehandelt wird, daß eine Schicht aus Cadmiumsalz der selenigen Säure auf d ir ersten Schicht ausgebildet wird, während die Zusammensetzung der Inertgasatmosphäre so gesteuert wird, daß der Gehalt des Sauerstoffs und des Selendampfes nach einer vorbestimmten Zeit während des Zeitraumes zwischen der Beendigung der Wärmebehandlung und dem Ende der Abschreckung auf Null reduziert v/ird, und daß auf dieser Schicht aus Cadmiumsalz der selenigen Säure eine Schicht einer Hochwiderstandssubstanz bis zu einer Dicke von 0,4μ unter einem Druck von 10 mm Hg aufgedampft wird, wobei die Hochwiderstandssubstanz aus einer Gruppe von Verbindungen (außer Cadmiumselenid) ausgewählt wird.

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