DE1185738B - Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials

Info

Publication number
DE1185738B
DE1185738B DEN21823A DEN0021823A DE1185738B DE 1185738 B DE1185738 B DE 1185738B DE N21823 A DEN21823 A DE N21823A DE N0021823 A DEN0021823 A DE N0021823A DE 1185738 B DE1185738 B DE 1185738B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
activator
cadmium
halogen
inert
oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN21823A
Other languages
English (en)
Inventor
Siegfried Rotschild
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1185738B publication Critical patent/DE1185738B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G11/00Compounds of cadmium
    • C01G11/02Sulfides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials aus z. B. Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid oder Kadmiumtellurid, in das als Aktivator z. B. Kupfer, Silber oder Gold und als weiterer Aktivator Halogen eingeführt wird.
  • Es sind allgemeine Angaben darüber bekannt, daß Silber, Chlor, Gallium und ähnliche Stoffe als Zusätze für photoleitende Materialien verwendet werden und welche allgemeinen Eigenschaften durch verschiedene Zusätze zustandekommen. Es ist auch bekannt, daß zusätzlich zu einem Aktivator, z. B. Kupfer, Silber oder Gold, der in ein photoleitendes Material, z. B. in Kadmiumsulfid, -selenid oder -tellurid, eingeführt wird, auch ein weiterer Aktivator erforderlich ist, der die elektrische Ladungsstörung ausgleicht, die durch die Substitution des einwertigen Kations der erwähnten Aktivator-Metalle für das zweiwertige Kadmium-Kation hervorgerufen wird. Als Zusatzaktivator sind Stoffe geeignet, die Halogen (ein einwertiges Anion im Gegensatz zu dem zweiwertigen Sulfid-Kation) oder gewisse dreiwertige Metalle, wie Gallium oder Indium, enthalten. Das Verhältnis zwischen dem ersten Aktivator und dem zweiten Aktivator ist bei Abweichungen vom Verhältnis 1 : 1 der Atome nach oben oder unten ziemlich kritisch, da ein überschuß an dem ersten Aktivator gegenüber dem zweiten Aktivator eine nur geringe Photoleitung bewirkt, während ein Mangel an dem ersten Aktivator einen hohen Dunkelstrom mit sich bringt. Mit den Bezeichnungen »ersten Aktivator, zweiten Aktivator usw.« ist in diesem Zusammenhang nicht die zeitliche Reihenfolge der Einführung in das photoleitende Material festgelegt.
  • Bei einem weiteren bekannten Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials wird ein Aktivatormaterial, das einerseits Kupfer oder Silber und andererseits Chlor, Brom oder Jod enthält, z. B. Kupferchlorid, während eines Sintervorganges in einer inerten Atmosphäre in das photoleitende Material eingeführt. Nach diesem Verfahren ist jedoch nicht die Einführung eines dreiwertigen Stoffes, z. B. Indiums oder Galliums, möglich.
  • Wenn Halogen allein als zweiter Aktivator zusammen mit den obengenannten ersten Aktivatoren verwendet wird, ergeben sich Schwierigkeiten; insbesondere ist bei hohen Konzentrationen des Halogens keine ausreichende Koaktivierung möglich, da das Halogen auch zur Verflüchtigung der Ausgangsmasse führen kann. Die Einführung dreiwertiger Koaktivatoren in einer inerten Atmosphäre führt ebenfalls nicht zu dem gewünschten Erfolg, da dreiwertige Elemente nicht in ausreichend kurzer Zeit mit dem Sulfid oder Selenid der Ausgangsmasse reagieren. Daher war es für den Einbau eines dreiwertigen Elementes als zweiten Aktivators in Kadmiumsulfid oder -selenid bisher notwendig, eine Sinterung in einer Wasserstoffsulfid- oder Wasserstoffselenid-oder Wasserstofftellurid-Atmosphäre durchzuführen. Solche Atmosphären lassen sich praktisch schlecht herstellen, sind giftig, und wegen der »Kanalisierung« der Atmosphäre durch das Sulfid ist es notwendig, wiederholte Sinterungen vorzunehmen, so daß Streuverluste an gewissen Elementen entstehen, wodurch die Zusammensetzung verändert oder das dreiwertige Element nicht richtig in das Sulfidkristallgitter eingebaut wird.
  • Die Erfindung geht davon aus, daß bei Verwendung zweier Aktivatoren, nämlich eines Halogens und eines dreiwertigen Metalls, z. B. Indiums oder vorzugsweise Galliums, eine Sinterung in einer Wasserstoffsulfid,- Wasserstoffselenid- oder Wasserstofftellurid-Atmosphäre nicht notwendig ist.
  • Dazu wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials aus z. B. Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid oder Kadmiumtellurid, in das als Aktivator z. B. Kupfer, Silber oder Gold und als weiterer Aktivator Halogen eingeführt wird, gemäß der Erfindung danach, vorzugsweise während eines Sintervorganges, als dritter Aktivator Gallium oder Indium durch Diffusion in einer inerten Sauerstoffatmosphäre eingeführt. Das dreiwertige Metall wird also nicht lediglich mit dem Ausgangs-Sulfidmaterial vermischt, sondern nach dem ersten und zweiten Aktivator richtig in das Kristallgitter des Sulfides eingebaut.
  • Der Vollständigkeit halber wird erwähnt, daß vorgeschlagen worden ist, eine ohmsche Elektrode auf einem n-leitenden Chalkogenid eines zweiwertigen Metalles aufzubringen, die im wesentlichen aus Gold oder Silber besteht, welche mit einem oder mehreren der Elemente Indium, Gallium oder Aluminium aktiviert ist. Durch die Zugabe von Gold oder Silber, wahrscheinlich durch Bindung in der Legierung, wird die Auswanderung der Elemente Indium, Gallium und Aluminium in der Elektrodenumgebung längs der Oberfläche verhindert. Bei dieser bekannten Anordnung handelt es sich nicht um ein Verfahren zur Aktivierung eines photoleitenden Materials.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung, bei dem ein Gemisch von Ausgangsmaterial, das Kadmiumsuifid, Kadmiumselenid oder Kadmiumtellurid und eine Verbindung enthält, die einen geeigneten Gehalt an Kupfer, Silber oder Gold als Aktivator liefert, einer ersten Sinterung in einer inerten sauerstofffreien Atmosphäre in Anwesenheit von Elementar-Halogen oder einer gasartigen oder ganz flüchtigen Halogenverbindung unterworfen wird, wodurch zugleich Halogen als weiterer Aktivator eingeführt wird, wird das gesinterte Produkt mit einer Lösung einer geeigneten Menge Galliums als dritten Aktivators benetzt und wieder in einer inerten sauerstofffreien Atmosphäre gesintert. Der zweite Aktivator kann mittels eines Ammoniumhalogenids, z. B. Ammoniumbromids, in einem Gemisch mit den Ausgangsmaterialien oder mittels Elementarhalogens oder Gashalogenverbindungen in einer Mischung mit der Atmosphäre erhalten werden.
  • Die Mengen der verschiedenen Hilfsstoffe bei diesem Verfahren können sich entsprechend der Temperaturbedingungen, der Größe der herzustellenden Menge und anderem Veränderlichen ändern. Die optimalen Zusätze lassen sich jedoch leicht durch Experimente feststellen und das Verfahren liefert reproduzierbare Ergebnisse. Es ist insbesondere möglich zu sichern, daß das Verhältnis zwischen den verschiedenen Aktivatoren innerhalb des vorerwähnten kritischen Gebietes liegt.
  • Die Erfindung wird an Hand nachfolgenden Beispiels näher erläutert. Beispiel 0,5 Grammoleküle reinen Kadmiumsulfids wird mit einer Lösung von Kupfersulfat mit 1 - 10-4 Grammatome Kupfer und 0,025 Grammoleküle Ammoniumbromid in destilliertem Wasser gemischt.. Das entstandene Gemisch wird getrocknet und darauf in trocknem, sauerstofffreien Stickstoff bei einer Temperatur von 800° C während einer Stunde gesintert. Das Produkt wird abgekühlt, mit einer Lösung von Galliumsulfat mit 0,95 -10-4 Grammoleküle Gallium benetzt und darauf getrocknet und in trocknem, sauerstofffreiem Stickstoff während einer Stunde auf 850° C gesintert.
  • Das Produkt kann vorteilhaft mit Kadmiumoxyd überzogen werden, das durch Erhitzung einer niedergeschlagenen, nicht löslichen Kadmiumverbindung aus einer Lösung auf den Teilchen erhalten werden kann. Zu diesem Zweck wurde das auf vorstehend beschriebene Weise erhaltene, gesinterte Produkt in eine Lösung von 1 g Kadmiumacetat in 75 ml destilliertem Wasser eingeführt, worauf der entstandenen Suspension eine Lösung von 3 g Ammoniumcarbonat in 75 ml destilliertem Wasser unter Rühren zugesetzt wurde. Der feste Stoff wurde abfiltriert, durch Waschen von löslichen Salzen befreit, getrocknet und während einer Stunde in Stickstoff auf 550-- C erhitzt und darauf schnell abgekühlt.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials aus z. B. Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid oder Kadmiumtellurid, in das als Aktivator z. B. Kupfer, Silber oder Gold und als weiterer Aktivator Halogen eingeführt wird, da -durch gekennzeichnet, daß danach, vorzugsweise während eines Sintervorganges, als dritter Aktivator Gallium oder Indium durch Diffusion in einer inerten Sauerstoffatmosphäre eingeführt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Gemisch von Ausgangsmaterial, das Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid oder Kadmiumtellurid und eine Verbindung enthält, die einen geeigneten Gehalt an Kupfer, Silber oder Gold als Aktivator liefert, einer ersten Sinterung in einer inerten sauerstofffreien Atmosphäre in Anwesenheit von Elementar-Halogen oder einer gasartigen oder ganz flüchtigen Halogenverbindung unterworfen wird, wodurch zugleich Halogen als weiterer Aktivator eingeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das gesinterte Produkt mit einer Lösung einer geeigneten Menge Galliums als dritten Aktivator benetzt und wieder in einer inerten sauerstofffreien Atmosphäre gesintert wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Aktivator als Ammoniumbromid erhalten wird, das mit dem der ersten Sinterung unterworfenen Ausgangsmaterial vermischt wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die inerte sauerstofffreie Atmosphäre, in der die Sinterung durchgeführt wird, im wesentlichen aus Stickstoff besteht. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1030 938; Zeitschrift für physikalische Chemie, Bd. 203 (1954), S. 1 bis 72.
DEN21823A 1961-07-13 1962-07-11 Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials Pending DE1185738B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB25414/61A GB1001443A (en) 1961-07-13 1961-07-13 Improvements in or relating to photoconductors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1185738B true DE1185738B (de) 1965-01-21

Family

ID=10227292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN21823A Pending DE1185738B (de) 1961-07-13 1962-07-11 Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS3824836B1 (de)
DE (1) DE1185738B (de)
FR (1) FR1328735A (de)
GB (1) GB1001443A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909445A1 (de) * 1978-03-16 1979-09-20 Chevron Res Polykristallines duennschicht-photoelement und verfahren zu seiner herstellung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3754985A (en) * 1971-04-05 1973-08-28 Photophysics Process for making a sintered photoconductive body
NL7602597A (nl) * 1976-03-12 1976-05-31 Oce Van Der Grinten Nv Werkwijze voor het doteren van fotogeleidende cadmiumverbindingen.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1030938B (de) * 1954-12-03 1958-05-29 Rca Corp Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1030938B (de) * 1954-12-03 1958-05-29 Rca Corp Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909445A1 (de) * 1978-03-16 1979-09-20 Chevron Res Polykristallines duennschicht-photoelement und verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
FR1328735A (fr) 1963-05-31
JPS3824836B1 (de) 1963-11-21
GB1001443A (en) 1965-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2363744B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lumineszierenden Sulfids
DE727015C (de) Sperrschichtgleichrichter
DE1185738B (de) Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Materials
DE1170381B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitendem kubischem Bornitrid
DE960373C (de) Halbleitendes Material
DE1275221B (de) Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes
DE2925740C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines SnO↓2↓:Eu-Pulverleuchtstoffes
DE1764082C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines fotoleitfahigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand
DE1173373B (de) Verfahren zur Herstellung von Initial-sprengstoffen mit definierter elektrischer Leitfaehigkeit
DE2923065A1 (de) Elektrolumineszente und/oder lichterkennende dioden sowie verfahren zur herstellung dieser dioden
DE1614753A1 (de) Fotoelektrische Leiter
DE1194996B (de) Halbleitervorrichtung, besonders photo-empfindliche Vorrichtung
AT223677B (de) Halbleitervorrichtung, besonders photoempfindliche Vorrichtung
DE739904C (de) Verfahren zur Herstellung der Sperrschicht eines Selengleichrichters
DE976468C (de) Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter
DE1046193B (de) Verfahren zum Herstellen halbleitender, insbesondere photoempfindlicher Vorrichtungen durch Niederschlagen von Bleisulfid
DE1268116B (de) Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Halbleiterkoerpers aus mindestens teilweise mit Kupfer aktiviertem Galliumphosphid
DE1030938B (de) Verfahren zur Herstellung einer photoleitfaehigen Schicht
DE2156045C3 (de) In ihrer Lichtdurchlässigkeit veränderbare Vorrichtung mit einer phototropen Schicht
DE1272452B (de) Halbleiterstrahlungsquelle aus zinkdotiertem Galliumphosphid und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1539969C (de) Diode mit veränderlicher Kapazität
DE1015964B (de) Verfahren zur Herstellung eines elektroluminescierenden Pulvers
DE1065960B (de) Herstellung elektro - lumineszierender Zinksulfid- oder Zinkcadmiumsulfid-Leuchtstoffe
DE1564689C3 (de) Bildwandler
DE1289035C2 (de) Verfahren zum Eindiffundieren eines die Leitfaehigkeit beeinflussenden Stoerstoffs in einen Verbindungshalbleiterkoerper