DE2011791C3 - Verwendung einer Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierung als im infra roten Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Verwendung einer Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierung als im infra roten Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff und Verfahren zu deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE2011791C3 DE2011791C3 DE2011791A DE2011791A DE2011791C3 DE 2011791 C3 DE2011791 C3 DE 2011791C3 DE 2011791 A DE2011791 A DE 2011791A DE 2011791 A DE2011791 A DE 2011791A DE 2011791 C3 DE2011791 C3 DE 2011791C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alloy
- mercury
- cadmium
- photoconductive
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/02—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/903—Semiconductive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Verwendung einer Cadmium-Selen-Legierung als im infraroten
Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werk
stoff.
Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierungen sind
bekannt. Das System CdSe-HgSe wurde allgemein von E. C r u c e a η u u. a. untersucht (siehe C. P. Acad.
Sc. Paris [1965] 935 ff.), wobei beim Zusammenschmelzen der Elemente eine weitgehende Löslichkeit
von Cadmiumselenid in Quecksilberselenid festgestellt wurde.
In den USA.-Patentschriften 3 224 912 und
ίο 3261726 wird die Bildung von einkristallinen Epitaxialschichten
aus II-VI-Verbindungen auf einem Halbleitersubstrat aus der Dampfphase beschrieben,
die gegebenenfalls durch Dotierung mit Fremdstoffen aus der I. oder III. Gruppe des Periodensystems (d. h.
durch Kupfer, Silber, Gold u. ä. bzw. Bor, Aluminium, Gallium oder Indium) in ihrem Leitungstyp verändert
werden sollen. Als flüchtige Verbindungen dienen dabei meist Halogenide, so daß eine geringfügige Verunreinigung
der Legierungsschicht durch Halogen
ao nicht ausgeschlossen werden kann, dessen bewußter Einbau jedoch nicht in Erwägung gezogen wird. Als
Beispiel wird u.a. die Bildung von Epitaxialschichten von CdxHg0_x)Se in Gegenwart von Gallium- oder
Indiuintnchlorid beschrieben. Allgemein sollen die
»5 Produkte bei den bekannten Verfahren als Halbleiterkomponenten
in elektrischen Geräten und u. a. als Photoleiter dienen.
Photoleitende Materialien besitzen allgemein jeweils
eine charakteristische spektrale Empfindlichkeit, wobei nur vergleichsweise wenige Materialien
brauchbare Eigenschaften für die Verwendung im IR-Bereich des Spektrums zeigen.
Es wurde erfindungsgemäß gefunden, daß kristalline Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierungen
der Formel CdxHg0^1Se, in der χ kleiner als 1 und
größer als Null ist, eine ausgeprägte Photoleitfähigkeit insbesondere bei Bestrahlung mit IR-Strahlung zeigen,
wenn sie mit zwei Arten von Fremdstoffen, die zum einen der I. Gruppe und zum anderen der VII.
Gruppe des Periodensystems angehören, dotiert sind. Das Element der I. Gruppe (z. B. Kupfer oder Silber)
wirkt dabei als sogenannter Aktivator und das Element der VII. Gruppe (z. B. Chlor, Brom oder Jod)
als sogenannter Koaktivator. Beide, Aktivator und Koaktivator, müssen zur Erzielung der erwähnten
Photoleitfähigkeit zugegen sein, wobei jedoch als Koaktivator auch ein Element der III. Gruppe (z. B. Aluminium,
Gallium oder Indium) an Stelle des Elements der VII. Gruppe in Frage kommt.
Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung einer Legierung, bestehend aus Cadmium, Quecksilber
und Selen, die entsprechend der Formel
CdxHg0 _x)Se
zusammengesetzt ist, worin der Wert für χ im Bereich von 0
< x< 1 liegt, und die gleichzeitig mit einem Element der Gruppe Kupfer oder Silber und einem Element
der Gruppe Chlor, Brom, Jod, Aluminium, Gallium oder Indium dotiert worden ist, als im infraroten
Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff.
In der Formet CdtHg(1_x)Se der erfindungsgemäß
verwendeten photoleitenden Legierung kann χ irgendeinen Wert annehmen, sofern er im Bereich
von 0 bis 1 liegt. Für χ = 0 geht die Legierung in eine
übliche Verbindung HgSe ohne Photoleitfähigkeit und für jc = 1 in ein übliches photoleitendes Material
CdSe über. Versuche haben eezeiet. daß sich die
2 Oil 791
spektrale Empfindlichkeit der Legierung, wenn χ gegen
O geht, im IR-Bereich zu größeren Wellenlängen hin verschiebt.
Gegenstand der Erfindung ist ferner die Herstellung der genannten Legierung.
Für diese Herstellung können zwar einige bekannte Methoden zur Erzeugung von photoleitenden Materialien
angewendet weiden, jedoch treten im vorliegenden Falle Schwierigkeiten auf, da der Dampfdruck
des Quecksilbers außerordentlich hoch ist. Zum Beispiel verdampft Quecksilber leicht bei erhöhten Temperaturen
von etwa 1000° C, selbst wenn es unter einen hohen Druck von z. B. 100 Atmosphären gesetzt
wird. Diese Verdampfung kann nach den bekannten Verfahren nicht verhindert werden, bei denen die Bildung
des kristallinen Grundmaterials und der Einbau der Fremdstoffe in den Grundkristall gleichzeitig vorgenommen
wird. Dabei verdampft das Quecksilber in die umgebende Atmosphäre und die Legierung mit
der gewünschten Menge an eingesetztem Quecksilber kann nach derartigen bekannten Methoden nicht hergestellt
werden.
Nachstehend wird die Erfindung an Hand einer Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die eine Photoleiteinrichtung
gemäß der Erfindung darstellt, und
Fig. 2 eine Reihe von Charakteristik-Kurven, welche
die spektrale Sensitivität einiger typischer photoleitender Legierungen gemäß der Erfindung zeigen.
Um Quecksilber oder eine der Grundsubstanzen währenddes Erhitzungsvorganges am Verdampfen zu
hindern, wird das Verfahren gemäß der Erfindung zur Herstellung der photoleitenden Legierung mil einigen
Ausführungsformen vorgeschlagen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung wird das Grundmaterial
mit einem Gehalt an Cadmium, Selen und Quecksilber in Form einer einfachen Substanz zweimal bei zwei
verschiedenen Temperaturen erhitzt. Insbesondere enthält die Ausgangs- oder Grundmischung vorbestimmte
Mengen von reinem Cadmium, Selen und Quecksilber. Diese Ausgangsmischung wird bei
700° C bis 800° C unter einem Druck von 70 bis 100 Atmosphären in einer inerten Gasatmosphäre erhitzt,
bis eine homogene Legierung erhalten wird. Das nach der ersten Erhitzung erhaltene Produkt wird erneut
bei 1100° C bis 1200° C unter einem Druck von 70 bis 100 Atmosphären in einer inerten Gasatmosphäre
erhitzt, bis die Kristallisation des Ausgangsmaterials vollständig ist. In diesem Fall kann die Einverleibung
der Dotierungsstoffe auf zwei verschiedene Weisen durchgeführt werden. Zum Beispiel können die zuzugebenden
Verunreinigungen zuvor mit dem Ausgangsmaterial vermischt und demzufolge die folgende
Erhitzung und die erneute Erhitzung in Gegenwart der einzuverleibenden Dotierungsstoffe durchgeführt
werden. Infolgedessen wird das Ausgangsmaterial während der beiden Erhitzungsvorgänge mit den Verunreinigungen
versehen. Die auf diese Weise erhaltene photoleitende Legierung liegt in Form eines Polykristalls
vor. Bei der anderen Weise werden die Dotierungsstoffe jedoch in die kristallisierte Legierung
durch eine thermische Diffusionsmethode nach Abschluß der Erhitzungsvorgänge einverleibt.
Das Grundmaterial wird mindestens zweimal bei verschiedenen Temperaturen erhitzt, wobei diese Arbeitsweise
eine Verdampfung des Quecksilbers in die umgebende Atmosphäre verhindern kann, bevor es
in die fertige ternäre Legierung eingeführt wird. Dies beruht darauf, daß das einmal in die ternäre Legierung
eingeführte Quecksilber nicht austritt und in die Atmosphäre verdampft.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform gemäß der Erfindung wird Quscksilber in Form seiner
Verbindungen zum Ausgangsmateiial mit einem Gehalt an Cadmium und Selen, z. B. in Form von Cadmiumselenid,
gegeben. Als Merkmal diesel Ausfüh-
rungsform ist hervorzuheben, daß ferner ein Lösungsflußmittel zum Ausgangsmaterial zur Herabsetzung
des Schmelzpunktes des Materials zugegeben wird und um das Kristallwachstum des Materials bei herabgesetzter
Temperatur zu erzielen. Bei dieser Arbeits-
weise wird die Aktivatordotierung zum Ausgangsmaterial zugegeben und mit diesem gemischt, während
die Koaktivatordotierung vom Lösungsflußmittel eingebracht wird. In diesem besonderen Fall kann die
Quecksilberverbindung als Lösungsflußmittel und als
ao Quelle für die Koaktivatordotierung wirken.
Gemäß dieser Ausführungsform entspricht die Menge des Quecksilbers, das in Form seiner Verbindungen
zum Ausgangsmaterial vor dem Erhitzungsvorgang zugegeben wurde, nichi genau der Quecksii-
bermenge, die in der fertigen photoleitenden Legierung enthalten ist. Dies beruht auf der Tatsache, daß
eine vorbestimmte Menge zugegebenes Quecksilber nicht an einer Verdampfung in die umgebende Atmosphäre
während des Erhitzungsvorgangs gehindert
werden kann. Demgemäß wird diese Ausführungsform vorteilhaft zur Herstellung der photoleitenden
Legierung mit herabgesetztem Quecksilbergehalt angewendet, und zwar bei einer Photosensitivität im
IR-Spektralbereich in relativer Nähe zum sichtbaren Licht.
In Fi g. I ist eine Photoleiteinrichtung aus einer erfindungsgemäß
zu verwendenden Legierung dargestellt. Die Photoleiteinrichtung, die allgemein mit 10
bezeichnet wird, besteht aus der photoleitenden, ternären Legierung 11 der Formel CdxHg0-J1Se, einem
Paar Elektroden 12, die auf der Legierung befestigt sind und voneinander getrennt sind, und einem Paar
Bleidrähten 13, die jeweils an den Elektroden 12 befestigt sind. Die Elektroden 12 sind in diesem Fall
auf die Oberfläche der photoleitenden Legierung 11 aufgedampft. Beim Betrieb wird eine geeignete Spannung
(entweder Gleich- oder Wechselspannung) zwischen den beiden Elektroden 12 zur Erzeugung eines
Photostroms bei Bestrahlung mit IR-Strahlen angelegt.
Dieser Photostrom wird zur Untersuchung der spektralen Photosensitivität der Einrichtung 10 gemessen.
F i g. 2 zeigt eine Reihe von Charakteristik-Kurven einiger typischer photoleitender Legierungen, die in
J5 der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung verwendet
werden können, wobei die Abszisse die Wellenlänge der IR-Strahlung darstellt, die auf die Photoleiteinrichtung
fällt, während die Ordinate den normalisierten Photostrom der jeweils in der Einrichtung ver-
wendeten Legierung darstellt. Nachstehend wird die Erfindung durch Beispiele an Hund von F i g. 2 näher
erläutert.
Das Ausgangsmaterial enthielt lüg Cadmiumselenid-
und Quecksilberselenidpulver einer Reiheit von 99,999%, 20 ml Kupfersalz (0,001MoI) und 0,5 g
Cadmiumhalogenid. Als Kupfeisalze lassen sich ge-
maß diesem Beispiel Kupferchlorid, -bromid, -jodid
oder -sulfat verwenden, während das Cadmiumhalogenid Cadmiumchlorid, -bromid oder -jodid sein
kann. Bei der zur Herstellung der photoleitenden kristallinen ternären Legierung angewendeten Arbeitsweise
wurden in Stufen die Ausgangsmaterialbestandteile miteinander bei einer Temperatur von
90° C bis 100° C unter ausreichendem Rühren homogen gemischt, die erhaltene Mischung bei etwa 120° Γ
etwa 17 Stundenlang in einer Luftumlaufatmosphäre getrocknet, die getrocknete Mischung, die in ein
Quarzschiffchen gegeben wurde, bei etwa 550° C etwa 4 Stunden lang in einer Luftumlaufatmosphare
erhitzt und die erhitzte Mischung zur Entfernung von Klumpen durch ein Sieb gegeben.
In diesem Beispiel war die Aktivatordotierung Kupfer aus dem Kupfersalz und die Koaktivatordotierung
Halogen aus dem Cadmiumhalogenid, das als Lösungsflußmittel wirkte. Die Menge des Quecksilbers,
das zum Ausgangsmaterial zugegeben wurde, entsprach nicht genau der Quecksilbermenge, die in
der fertigen photoleitenden Legierung enthalten war. Insbesondere war die Quecksilbermenge in der fertigen
Legierung geringer als die zur Mischstufe zugegebene Menge. Gemäß der in diesem Beispiel beschriebenen
Arbeitsweise wies daher die fertige Legierung eine Photosensitivität im nahen IR-Bereich auf. Dies
kann Fig. 2 entnommen werden.
In Fig. 2 gilt die Kurve 14 für den normalisierten Photostrom des bekannten photoleitenden Materials
vom Cadmiumselenidtyp, das der Formel Cd1Hg11^Se für x= 1 entspricht. Es wurde festgestellt,
uaß der maximale Wert des Photostroms bei einer Wellenlänge von 0,9 Micron im IR-Bereich liegt.
Im Gegensatz dazu besitzen die Kurven 15 und 16 ihre maximalen Werte bei einer Wellenlänge von 1,0
bzw. 1,05 Micron. Die Kurven 15 und 16 werden mit photoleitenden Legierungen gemäß der Erfindung erhalten,
die 25 bzw. 50 Gewichtsprozent Quecksilberselenid im Ausgangsmaterial enthalten.
Ein Vergleich der Kurven 14,15 und 16 miteinander zeigt leicht, daß die photoleitenden Legierungen
gemäß der Erfindung eine vorteilhafte Photosensitivität im nahen IR-Bereich aufweisen. Ferner ist zu entnehmen,
daß ihre spektrale Sensitivität relativ weitgehend gewählt werden kann, wenn der Quecksilberse-Henidgehalt
des Ausgangsmaterials verändert wird.
Das Ausgangsmateria! enthielt lOgCadmiumselenidpulver
einer Reinheit von 99,999%, 100 ml Kupfersalz (0,001 Mol) und 4 g Quecksilberbromid. Gemäß
diesem Beispiel können als Kupfersalz Kupferchlorid, -bromid, -jodid oder -sulfat angewendet
werden, wobei das Quecksilberbromid, das als Lösungsflußmittel wirkt, entweder durch Quecksilberchlorid
oder Quecksilberjodid ersetzt werden kann. Bei der zur Herstellung der photoleitenden, kristallinen,
ternären Legierung angewendeten Arbeitsweise wurden in Stufen die Ausgangsmaterialbestandtcile
miteinander bei erhöhter Temperatur unter ausreichendem Rühren homogen gemischt, die resultierende
Mischung bei etwa 120° C 17 Stunden lang in
einer Luftzirkulationsatmosphäre getrocknet, die getrockente Mischung bei etwa 500° C etwa 5 Stunden
lang in einer Luftzirkulationsatmosphäre erhitzt, die erhitzte Mischung zur Entfernung von Klumpen durch
ίο ein Sieb gegeben, die gesiebte Mischung bei etwa
480° C etwa 10 Minuten lang in einer Selendampfatmosphäre erneut erhitzt und die Mischung ferner bei
etwa 480° Γ etwa 15 Minuten lang unter Vakuum zur
Entfernung des restlichen Selens durch Verdampfung
erneut erhitzt.
In diesem Beispiel war die Aktivatordotierung Kupfer aus dem Kupfersalz und die Koaktivatordotierung
Brom aus dem Quecksilberbromid. Die Selendampfatmosphäre der zweiten Erhitzungsstufe kann
»o durch eine Schwefeldampfatmosphäre mit gleichen
Ergebnissen ersetzt werden. Die Menge an zum Ausgangsmaterial zugegebenem Quecksilber entspricht
nicht der Quecksilbermenge, die in der vervollständigten photoleitenden Legierung enthalten ist. Gemäß
»5 der Arbeitsweise dieses Beispiels besitzt die erhaltene
Legierung eine maximale Photosensitivität im nahen IR-Bereich, und zwar bei einer Wellenlänge von
1,15 Micron, wie aus Kurve 17 in Fig. 2 hervorgeht.
Die photoleitende, ternäre Legierung gemäß der Erfindung kann für Photoleiteinrichtungen und -elemente
zum Nachweis einfallender IR-Strahlung benutzt werden. Diese Einrichtungen sind für Meßinstrumente,
Relais, Bildwandler, Aufnahmeeinrichtungen, Schalter u.dgl. nützlich. Die Einrichtungen
bestehen im allgemeinen aus der photoleitenden Legierung gemäß der Erfindung und einem Paar Elektroden,
die an der Oberfläche der Legierung befestigt sind. Wenn die Legierungen in Form von Polykristallen
vorliegen, können geeignete Harze zur Verbindung der Polykristalle miteinander verwendet werden.
Vorstehend sind neue photoleitende ternäre Legierungen mit einem Gehalt an Cadmium, Selen und
Quecksilber mit einverleibtem Aktivator und Koakti-
♦5 vator beschrieben worden. Die Legierungen weisen
maximale Photosensitivitäten im nahen IR-Bereich auf. Ferner sind ein neues Verfahren zur Herstellung
der photoleitenden Legierung gemäß der Erfindung und Photoleiteinrichtungen mit den photoleitenden
Legierungen beschrieben worden. Dieses Verfahren wurde gewählt, um eine Verdampfung des zu den
photoleitenden Legierungen zuzugebenden Quecksilbers in die umgebende Atmosphäre während der Erhitzungsstufe
zu verhindern. Ferner kann nach dem Verfahren die maximale Photosensitivität in einem
relativ weiten Bereich verschoben werden, indem der Quecksilbergehalt der erfindungsgemäß zu verwendenden
photosensitiven Legierungen geändert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verwendung einer Legierung, bestehend aus Cadmium, Quecksilber und Selen, die entsprechend
der Formel
CdxHg0^Se
zusammengesetzt ist, worin der Wert für jc im Bereich
von 0<jc< 1 liegt, und die gleichzeitig mit einem Element der Gruppe Kupfer oder Silber
und einem Element der Gruppe Chlor, Brom, Jod, Aluminium, Gallium oder Indium dotiert worden
ist, als im infraroten Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff.
2. Verfahren zur Herstellung der photoleitenden, kristallinen, gemäß Anspruch 1 zu verwendenden
Legierung, dadurch gekennzeichnet, daß man Cadmium, Quecksilber und Selen als Grundmaterial
mit Kupfer oder Silber als Aktivator und Chlor, Brom, Jod, Aluminium, Gallium oder Indium
als Koaktivator mischt, die Mischung bei 7ΩΩ bis 800° C unter einem Druck von 70 bis 100 Atmosphären
in einer inerten Gasatmosphäre bis zur Entstehung einer homogenen Legierung erhitzt
und die resultierende Legierung bei 1100 bis 1200° C unter einem Druck von 70 bis 100 Atmosphären
in einer inerten Gasatmosphäre bis zur Vervollständigung ihrer Kristallisation erneut erhitzt.
3. Verfahren zur Herstellung der photoleitenden, kristallinen, gemäß Anspruch 1 zu verwendenden
Legierung, dadurch gekennzeichnet, daß man zunächst nur die Grundmaterialbestandteile
Cadmium, Quecksilber und Selen miteinander vermischt, die Mischung bei 700 bis 800° C unter
einem Druck von 70 bis 100 Atmosphären in einer inerten Gasatmosphäre bis zur Entstehung der
entsprechenden Legierung erhitzt, die resultierende Legierung bei 1100 bis 1200° C unter einem
Druck von 70 bis 100 Atmosphären in einer inerten Gasatmosphäre bis zur Kristallisation erneut
erhitzt und die erhaltene kristalline Legierung mit dem Aktivator und Koaktivator dotiert, vorzugsweise
durch thermische Diffusion.
4. Verfahren zur Herstellung der photoleitenden, kristallinen, gemäß Anspruch 1 zu verwendenden
Legierung, dadurch gekennzeichnet, daß man Grundmaterial und Aktivator sowie Koaktivator
in Form der Verbindungen Cadmiumselenid, Qucksilberselenid bzw. Cadmiumhalogenid
oder Quecksilberhalogenid mit einem Kupfersalz mischt und die Kristallisation bei reduzierter
Temperatur in Luftatrr.osphäre herbeiführt, wobei als Cadmiumhalogenid Cadmiumchlorid, -bromid
oder -jodid und als Kupfersalz Kupferchlorid, -bromid, -jodid oder -sulfat verwendet wird und
das Cadmiumhalogenid bzw. das Quecksilberhalogenid gleichzeitig als Lösungsflußmittel zur
Herabsetzung des Schmelzpunktes der Legierungsbestandteile dient.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44021073A JPS501518B1 (de) | 1969-03-14 | 1969-03-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2011791A1 DE2011791A1 (de) | 1970-09-24 |
DE2011791B2 DE2011791B2 (de) | 1974-01-17 |
DE2011791C3 true DE2011791C3 (de) | 1974-08-08 |
Family
ID=12044696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2011791A Expired DE2011791C3 (de) | 1969-03-14 | 1970-03-12 | Verwendung einer Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierung als im infra roten Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3666450A (de) |
JP (1) | JPS501518B1 (de) |
CA (1) | CA939593A (de) |
DE (1) | DE2011791C3 (de) |
FR (1) | FR2038931A5 (de) |
GB (1) | GB1307605A (de) |
NL (1) | NL152124B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086106A (en) * | 1977-01-06 | 1978-04-25 | Honeywell Inc. | Halogen-doped Hg,Cd,Te |
DE3782351T2 (de) | 1986-03-25 | 1993-05-27 | Konishiroku Photo Ind | Lichtempfindliches photographisches silberhalogenidmaterial, das fuer schnelle entwicklung verwendbar ist. |
JP5490703B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2014-05-14 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | ナノ結晶の形成方法 |
-
1969
- 1969-03-14 JP JP44021073A patent/JPS501518B1/ja active Pending
-
1970
- 1970-03-10 GB GB1134770A patent/GB1307605A/en not_active Expired
- 1970-03-10 US US18248A patent/US3666450A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-03-12 DE DE2011791A patent/DE2011791C3/de not_active Expired
- 1970-03-13 CA CA077,420A patent/CA939593A/en not_active Expired
- 1970-03-13 NL NL707003608A patent/NL152124B/xx unknown
- 1970-03-13 FR FR7009159A patent/FR2038931A5/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS501518B1 (de) | 1975-01-18 |
FR2038931A5 (de) | 1971-01-08 |
GB1307605A (en) | 1973-02-21 |
US3666450A (en) | 1972-05-30 |
NL152124B (nl) | 1977-01-17 |
DE2011791B2 (de) | 1974-01-17 |
DE2011791A1 (de) | 1970-09-24 |
CA939593A (en) | 1974-01-08 |
NL7003608A (de) | 1970-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69801387T3 (de) | Calciumfluorid-Kristall, optischer Gegenstand und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2013576B2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen | |
DE3134671A1 (de) | Platin-komplexverbindung | |
DE2011791C3 (de) | Verwendung einer Cadmium-Quecksilber-Selen-Legierung als im infra roten Spektralbereich einsetzbarer photoleitender Werkstoff und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2156304B1 (de) | Glasiges oder kristallines material fuer phototrope duenne schichten | |
DE2522489C3 (de) | ||
DE2419385A1 (de) | Glasartiges, photoleitendes material | |
DE1105066B (de) | Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise hochohmigen Kadmiumtelluridkoerper und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2201108C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von kathodochromem Sodalith für Bildschirme von Dunkelspur-Kathodenstrahlröhren | |
DE1764082C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines fotoleitfahigen Pulvers mit großem Dunkelwiderstand | |
DE3236139A1 (de) | Xeroradiografisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2646485A1 (de) | Fluessigkristallzusammensetzung | |
DE2948997A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines durch elektronenstrahlung anregbaren leuchtstoffes auf zinksulfidbasis | |
DE3107635A1 (de) | Kristallischer koerper aus quecksilber (ii)-iodid fuer einen strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung eines solchen koerpers | |
DE2060748C3 (de) | Phototropes Glas oder phototropes glasig-kristallines Material, das frei ist von Halogenen, Seltenen Erden, Wolfram und Molybdän | |
DE1614351B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS-Photowiderständen | |
DE2126892C3 (de) | Verfahren zur Wiedergewinnung eines Leuchtstoffs der seltenen Erden | |
DE2330812C3 (de) | Kathodochromer Sodalith, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung | |
DE2254605B2 (de) | Signalspeicherplatte | |
DE2141212C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Verbindungen der Gruppen II bis VI | |
DE2126889A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines lumines zierenden mit einer Sperrschicht versehenen Chalkogenide | |
DE1592860C (de) | Verfahren zur Behandlung von Leuchtstoffen auf Basis der Oxyde oder oxysäuren Salze der seltenen Erdmetalle | |
DE2141212A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Films mit enger Korngrößeverteilung | |
DE2341534A1 (de) | Verfahren zur herstellung dotierter metallhalogenide | |
DE2156045C3 (de) | In ihrer Lichtdurchlässigkeit veränderbare Vorrichtung mit einer phototropen Schicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EF | Willingness to grant licences |