DE2419385A1 - Glasartiges, photoleitendes material - Google Patents
Glasartiges, photoleitendes materialInfo
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Description
Minolta Camera Xabushiki Kaisha,
Osaka Xokiisai Building, 30, 2-chome,
Azuchi-Kachi, Higashi-ku, Osaka (Japan)
Glasartiges, photole.itendes Material
Die Erfindung betrifft glasartiges, photoleitendes Material, insbesondere ein solches, das die Zusammensetzung
GeS2 - G-eS - MS hat, worin M ein Metall aus
der Gruppe IVa des periodischen Systems der Elemente ist, welches nicht Germanium ist. Photoleitendes Material,
das zur Zeit benutzt wird, kann man in zwei große Gruppen einteilen. Eine Gruppe ist gebundener
Art, und enthält eine Dispersion von feinen Kristallen' aus Bestandteilen wie ZnO, CdS, CdSe in einem Binder,
der aus einer glasartigen Substanz besteht oder aus einen hochpolymeren Substanz mit dielektrischen Eigenschaften,
und die andere Gruppe ist von tafelartiger Art und enthält eine glasartige Selenbasis, die einen
aufgedampften Film von photosenativem organischem Halbleitermaterial,
oder von glasartigem Halbleitermaterial trägt, welches in geeigneter Weise auf Hitzebeständigkeit
und Lichtempfindlichkeit präpariert ist. Beide Typen des"herkömmlichen photoleitenden Materials haben ,
guten Dunkelheitswiederstand, die Fähigkeit Ladungen zu halten, und ausreichende PhotdLeiteigenschaften zu
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haben, wenn sie dem Licht ausgesetzt werden, in elektrophotographisehen
Verfahren zieht man im allgemeinen niclr:-
kristallines Material vor, weil es hohe IsolierwiderstLL".:^
und überlegene elektrische Eigenschaften hat, und weil es nicht unnötigerweise empfindlich auf kleine Beimengungen
von Unreinigkeiten ist, aber auch weil es im breiteren Maßstab spektralempfindlich ist, als kristalline Substanzen,
weil es leichter zu verarbeiten ist,, und weil es praktisch unempfindlich auf Umweltbedingungen, wie Feuchtigkeit
ist. Werden aufgedampfte Filme verwendet, dann haben diese keine körnige Struktur, und es ist möglich
zu besser aufgelösten Bildern zu kommen. Es ist eine große Vielzahl von glasartigen photoleitenden Materialien
bekannt, die beispielsweise rein aus Selen bestehen oder die Mischungen mit Tellur, Arsen, Zinn, oder aus Arsen
zusammen mit einem Halogen sind. Unter diesen verschiedenen Mischungen betrachtet man Se-As-Mischungen allgemein
als überlegener, wegen ihrer größeren Stabilität bei höheren Temperaturen.
Da aber Arsen und seine Mischungen sehr giftig sind, mußman
besondere Maßnahmen bei der Herstellung von photoleitendem
Material mit Arsen treffen, um Personen zu schützen. Auch bestehen Probleme hinsichtlich der Unschädlichmachung
von Abfall..
Der Erfindung liegt-die Aufagabe zugrunde, glasartiges
photoleitendes Material zu erzeugen, das kein Arsen enthält, das aber gute Wärmefestigkeit hat, wie durch Versuch
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festzustellen ist. Solche Versuche wurden im Eahmen der
Erfindung aufgrund der Kenntnis durchgeführt, 'daß eine metallische chalcogeie Mischung zusammen mit Germaimimchalcogenem
Glas von geeigneter Zusammensetzung ein extrem stabiles Glas darstellen kann, und daß, wenn der
metallischen, chalcogenen Mischung, die verwendet wird, photoleitende Eigenschaften anhaften, auch das erzeugte
Glas photoleitende Eigenschaften erhält.
Die Versuche haben zu der Erfindung geführt, die darin besteht, daß das glasartige photoleitende Material eine
Zusammensetzung hat, die der allgemeinen Formel xGeSp yGeS - zMS entspricht, wobei M ein Metall aus Gruppe IVa
des periodischen Systems der Elemente ist, welches nicht Germanium ist, wobei χ,ν,ζ die Mol-Prozentsätze darstellen
und χ + y + ζ gleich 100 sind. Ist M Blei, dann ist 15Z:<
-'50, 5<y<.70, Ο·-.z/55, und wenn M Zinn ist, dann ist
20 < x. 50, 15<y<70, 0/z- 55. Die Verteilung der Materialzusammensetzung
nach der Erfindung wird durch die Bereiche unter den gestrichelten Linien in Fig. 1a und
Fig. 1b der Zeichnung angedeutet. Es hat sich herausgestellt, daß Mischungen, die außerhalb der Bereiche
unter den gestrichelten Linien von Fig. 1a und Fig. 1b liegen, Feststoffe ergeben, die vollständig oder teilweise
kristallin sind und deshalb nicht die Kennzeichen der Erfindung haben.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben. Es sind
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Fig. 1a ein ZustandsMld GeS? - GeS - PbS, worin der Zusammensetzungsbereich
angezeigt ist, in dem laan glasartiges Material nach der Erfindung erhält,
Fig. 1b ein Zustandsbild GeS2 - GeS - SnS mit dem Zusammensetzungsbereich,
innerhalb dessen man glasartiges Material nach der Erfindung erhält ;
.Fig. 2-4 Versuchsresultate von Beispielen des Ka:jials
nach der Erfindung, insbesondere
Fig. 2a die Darstellung eines Photostromes über der angewendeten Spannung bei konstanter Belichtung mit
80 lux,
Fig. 2b die Darstellung des Dunkelstroms über der angewendeten Spannung,
Fig. 3 die Darstellung des Photostromes über der Helligkeit bei Anwendung einer konstanten Spannung von
50 V und
Fig. 4 die Darstellung des Spektralansprechens, worin der maximale Photostrom jedes Musters als 1 angesetzt
ist und die Ordinatenwerte sich auf diesen Maximal wert beziehen.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen beschrieben.
Beispiele 1-29.
Als Grundstoffe wurden verwendet Germanium, Schwefel und
Blei, die in verschiedenen Mengen abgewogen wurden, und aus denen Mischungen von Mustern hergestellt wurden, die
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in Tafel 1 am Schluß mit PbS1 - Pbs29 bezeichnet sind. Die
Muster verschiedener Zusammensetzung wurden dann wie folgt vorbereitet. Jede Mustermischung wurde in eine Mika-Ampulle
eingesetzt, die zuvor sorgfältig gewaschen und getrocknet wurde, und aus deren Inneren Gas evakuiert wurde, so daß
-3
die Ampulle einen Innendruck von 10 Torr hat. Die Ampulle
wurde versiegelt und enthielt damit das vakuumversiegelte Muster. Alsdann wurden Ampulle mit Muster in einen Röhrenofen
eingesetzt und dort zur Reaktion,erhitzt, wobei die Ampulle sägezackehförmig oszilliert wurde, mit einer Frequenz
von fünf Schwingungen pro Minute.
Die Zeit, über die verschiedene Muster in dem Röhrenofen . gehalten wurden, lag zwischen fünf und zehn -Stunden und
die Ofentemperaturen waren im Bereich zwischen 800 und 1.000 ° C. liach dieser Behandlung wurden die Ampullen mit
den geschmolzenen Mustern aus dem Ofen herausgenommen und auf Raumtemperatur langsam abgekühlt, oder sie wurden in
Wasser geschwenkt. Hiernach wurden die befestigten Muster aus den Ampullen entnommen und untersucht, und zwar makroskopisch
und unter einem polarisierenden Mikroskop, um zu erkennen, ob die entstandenen Substanz kristallin oder nicht
kristallin sei; In der Tafel 1 am Schluß dieser Beschreibung wurden die entstandenen glasartigen Festkörper mit einem ·
Stern bezeichnet, etwa :PbS1*, 2*- usw. Diese Mischungen liegen innerhalb des Bereichs unterhalb der' gestrichelten
.Linie von Fig. 1a, worin die Muster mit den gleichen Zahlen bezeichnet sind, wie in der Tafel 1.
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Beispiele 30 - 50.
Für diese Versuche wurden die Muster in gleicher V/eise vorbereitet
behandelt und geprüft, wie die Muster nach den Beispielen
1-29, doch waren die C-rundstoffe in diesen Fall Germanium, Schwefel und Zinn. Die Muster nach den Beispielen
30 - 50.wurden mit SnS1 - SnS21 in Tafel 2 am Schluß dieser Beschreibung, worin die Verhältnisse der verschiedenen Stoffe
bei den unterschiedlichen Mustern zu sehen sind. In Tafel 2 sind die Mischungen, die einen glasartigen Körper ergaben,
mit einem Stern bezeichnet: SnS1*.
Diese Mischungen, mit den gleichen Kümmern bezeichnet, liegen
in dem Bereich unterhalb der gestrichelten Linie von Fig. Ib. -
In der Folge wurden nun eine Reihe von Versuchen 1 - 9 an den Mustern durchgeführt, die- glasartige Festkörper varen.
Dies sind die Muter PbS1* - PbS12* und die Muster SnS1* SnS9*.
Die Versuche 1 - 4 dienten der Feststellung der allgemeinen elektrischen Eigenschaften von Material"nach der Erfindung.
Die Versuche 5-9 dienten der Feststellung der Eignung des Materials zum Gebrauch in elektrophotographischen Verfahren.
Die anfängliche Vorbereitung für die Versuche 1-4 war wie folgt.
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Teile der glasartigen Muster wurden mit den gleichen Mitteln und in der gleichen Weise wie optisches Glas poliert
und erhielten spiegelnde Flächen, auf welche Aluminiuiaelektroden
in Bogenform aufgedampft wurden. Der Abstand zwischen
Elektroden auf ein und dem gleichen Muster betrugΌ.2 mm,
und der Iientenrofangende Bereich jedes Musters betrug annähernd
0.1 cm . An den Aluminiumelektroden wurden Leitungen so angebracht, daß jedes einzelne Muster zu einer Photozelle
wurde, mit der man die Photoleitfähigkeit messen konnte, und die nun für die folgenden Versuche verwendet wurden.
Versuch 1.
Dieser Versuch wurde unternommen, um den Zusammenhang, zwischen einem Dunkelstrom und einem Photostrom in der Versuchsfläche
unter Spannung festzustellen (Versuchsfläche = lichtempfindliche Fläche). Verschiedene Spannungen wurden
auf jede Meßzelle mit Hilfe eines Erzeugers fester Spannung (DC-Supply Unit hp-6515A, Hersteller Yokogawa-Hewlett-Packard
Co., Japan), und der Strom wurde mit einem Aperemeter (Picoammeter TR-8641-von Takeda Research Co., Japan), welches in
Serie mit der Meßzelle geschaltet ist. Ein Messen, des Photoströmes
wurde jedes Muster mittels einer Weißlicht-Wolfrum-Lampe
bestrahlt, wobei der Wert der Helligkeit mit 80 lux bemessen war.
Die ResuHate für die verschiedenen Muster nach Versuch 1 wurden
zusammen mit charakteristischen Kurven für herkömmliches glasförmiges Selen in Fig. 2a und Fig. 2b aufgezeichnet. Die
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Figuren sind Darstellungen des Photostromes und des Dunkelstroffi.es,
jeweils über der Spannung der lichtempfindlichen Fläche. Aus diesen Resulataten ergibt sich, daß manche
Muster aus der Mischung GeSp - GeS-PbS nach der Erfindung, beispielsweise das Muster Nr. PbS5* eine Empfindlichkeit
für weisses Licht haben, die der von Selen sehr nahe liegt.
Versuch 2.
Bei diesem Versuch wurde die Spannung .über der lichtempfindlichen
Fläche in jeder Zelle auf 50 V gemessen, und es wurden Abweichungen des Stromes bei verschiedenen Beleuchtungswerten bestimmt, wobei die Beleuchtung mit Hilfe von ED Filtern
variiert wurde. Die Ergebnisse sind in der Zeichnung von Fig. 3 niedergelegt.
Versuch 3.
Mit diesem Versuch wurde das spektrale Ansprechen jedes'
Musters bestimmt. Die Lichtquelle war eine Wolframlampe, die monochroisfcisches weisses Licht abgab, das durch einen
Interferenzfilter gegeben wurde.
Die Resultate von Versuch 3 sind in Fig. 4 dargestellt.
Man sieht, daß GeS? - GeS - PbS - Mischungen gegenüber Strahlungen über den gesamten Wellenlängenbereich des
sichtbaren Lichtes empfindlich sind, und daß die Spitzenempfindlichkeit im Bereich von 600nm - 700 mn liegt.
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Versuch 4.
Jedes Beispiel wurde für fünf Stunden in einer thermostatischen Kammer auf 10O0C gehalten und dann auf Raumtemperatur
abgekühlt, wonach der Versuch 1 nochmals wiederholt wurde. Es ergaben sich keine kennzeichnenden Änderungen der Werte
für Dunkelstrom oder Photostrom. Die Versuche 1-4 z.eigten, daß glasartiges Material mit einer Zusammensetzung nach der
Erfindung die Vorteile hat, daß sein Dunkelwiderstand gleich ist oder größer als der von glasartigem Selen, wie es in herkömmlicher
Weise Verwendet wird, und daß die phoideitenden Charakteristika der des Selens naheliegen, sowie daß ein
dielektrischer Zusammenbruch nach Aufgabe von hohen Spannungen auf das Material nicht zu befürchten ist.
Für den Versuch Nr. 5 wurden folgende Vorbereitungen getroffen.
Jedes Muster wurde zur Herstellung einer photosensitiven Platte benutzt, wie man sie normalerweise zum Elektrophotographieren
verwendet, wobei der Vorgang in jedem Fall so war, daß das Muster gesprüht wurde und ein Film von 50/t
Dicke auf eine Aluminiumunterläge geschaffen wurde,und zwar
in einer Verdampfungskammer in der der Druck 10 Torr betrug. Diese Platten wurden dann wie folgt untersucht.
Versuch 5.
jede photosensitive Platte wurde in einem normalen elektrophotographisehen
Verfahren benutzt, bei dem die Oberfläche
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'der Platte mit -500 V mittels einer Koronaladeeinheit aufgeladen
und dann unter einer Belichtung von 10 lux/sec, mit Hilfe einer Weißlichtwolfranlampe einem Bild ausgesetzt.
Dann wurde die Plattenoberfläche mit trockenen, positive, aufgeladenen Tonerpartikeln mit Hilfe einer magnetischen
Brüste in bekannter Weise bestäubt.
In allen Fällen hatten die Bilder eine gute Auflösung und eine große Dichtigkeit.
In den Versuchen 6-9 wurde zunächst das Muster auf folgende
Weise bereitet.
Ein Teil des Musters wurde zu Partikeln von weniger als 400 Maschensiebgröße geschliffen und alsdann in Gewichtsverhältnis 5:1 in einem Epoxy Bindemittel (z.B. Dibond
2100E, japanische Handelsmarke) gemischt.
Die Mischung ließ man reagieren und zu einer Paste erstarren, die mit Messerschneidentechnik auf eine -Aluminiumunterlage
als 40μ dicker Film aufgetragen wurde. Dann wurde der Film
gehärtet und auf diese Weise kam die photosensitive Platte zustande. Für jedes Muster wurde die photosensitive Platte
in vier Teile zerteilt, von denen jeweils ein Teil die Versuche 6- - 9 durchlaufen hat.
Versuch 6.
Von jedem Muster wurde die abgeteilte Platte mittels einer Korona-aufladeeinheit mit +400 V aufgeladen und dann einem
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Bild unter Beleuchtung mit 15 lux/sec. aus einer Weißlichtwolframlampe
belichtet, wonach auf die belichtete Fläche zur Entwicklung des Bildes trockene negativ geladene Tonerpartikel aufgestäubt wurden.
Versuch 7«
Der Versuchsablauf war der gleiche wie bei Versuch 6, mit der Ausnahme, daß photosensitive Plattenbereiche auf -400 V
aufgeladen wurden und positiv geladene Tonerpartikel für die Entwicklung· des Bildes verwendet wurden.
Versuch 8.
Ein Stück der photosenstiven Platte, die für jedes Muster hergestellt worden ist, wurde bei 100 C für fünf Stunden
in" einer thermostatischen Kammer gehalten und dann auf Saumtemperatur abgekühlt, wonach der Versuch 6 wiederholt wurde."
Versuch 9.
Das restliche Stück jeder photosensitiven Platte wurde bei 100 C für fünf Stunden erwärmt gehalten und dann auf Raumtemperatur
abgekühlt, wonach der Versuch Nr.- 7 wiederholt wurde. ·
In jedem der Versuche 6-9 brachten die photosensitiven Platten sämtlich Bilder mit guter Auflösung und von guter
Dichte hervor.
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Aus der vorangegangenen Beschreibung ergibt sich, daß nach der Erfindung glasartiges pnotoleitendes Material hergestellt
werden kann, daß man in der gleichen Weise, wie Selen in Verdampfungstechnik verwenden kann, und welches
hohen Dunkelwiderstand,Ansprechen über einen breiten Spek-•tralbereich
und eine Wärmestabilität hat, die mit der von Selen vergleichbar ist und welches teilweise keinerlei Veränderungen
der Charakteristika entwickelt, wenn es in der
Form eines Pulvers verwendet wird. Hierdurch kann das Material nach der Erfindung auf leichte Weise und wirksam
in der gleichen Weise verwendet werden, wie herkömmliches glasartiges photosensitives Halbleitermaterial, z.B. in
photοsensitiven Platten, wie sie bei der Elektrophotographie
verwendet werden, oder in lichtempfindlichen Elementen, von Kameratubussen. Das Material nach der Erfindung
hat des besonderen Vorteil, daß, während es die obengenannten Eigenschaften besitzt-, es keine Probleme und Risikos aufweist,
die bei herkömmlichem Material vorhanden sind. Anders als andere Materialien, beispielsweise Se-As- Mischungen
ist das neue Material nicht hoch giftig, und wenn M Zinn ist, dann ist praktisch überhaupt kein Risiko mit dem Material nach
der Erfindung verbunden. Auch ist zu bemerken, daß die Mischunge die außerhalb des Bereiches unter den gestrickelten Linien von
Fig. 1a und Fig.' 1b liegen, Festkörper ergeben, die vollständig oder teilweise kristallin sind und so nicht den Gegenstand
der vorliegenden Anmeldung darstellen.
Patentanspruch:
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Tafel 1
Muster Gewichtsanteil
No·
Ge S pb
PbSl* 13.066 8.336 .4.144
2* ' 11.614 8.336 8.288
3* 8.432 7.294. 12."69O'
4* 7.622 7.294 14.503
5* 5.444 6.252 15.539 '
6* 13.066 8.977 4.144
7* 8.892 7.574 . 12.690
8* 8.892 0.733 10.877
9* 7.622 6.733 14.503
10* 7.622 7.855 14.503
11* 4.537 *5.611 12.949
12* 11.614 7.694 8.288
13 8.892 7.855 10.877
14 13.066. 9.297 4.4Γ4
15 11.614" 8.977 8.288
16 7.252 6.452 .15.410
17 5.444 6.011 15.539 13 7.894 6.973 8.547
19- 7.622 7.214 9.324
20 · 6.533 7.214 12.431
21 5.444 ' 7.214 15.539 '
22 4.355 6.733 18.647
23 4.355 6.252 18.647
24 4.355 5.771 18.647
25 5.444 5.530 15.539 26- 5.989 5.290 13.985 27 6.533 .5.290 12.431
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GeS2 30 '
30 30 30 30 40" 35 20 20 40 40 20 40· 45 40 15. 25 45
. 50 ' 50 " 50 40 30 20 / 15
10 10
GeS2 - GeS - PbS GeS Pb 60
50
35
30
.20
50
35
50
50
35
30
.20
50
35
50
■40
20
10
60
30
20
10
60
30
' 45
40
40
10 20 35 40 50 10 30 30 4.0 40
50 20 30 10 20
42.5 42.5 25 50
27.5 27.5 20 30 10 40 10 40 0 60 10 60 20 '· 40 '
35 50 45 . 45 · 50 ■ 40
Tafel 1 (Fortsetzung)
Muster Gewichtsanteil MoI^ GeS2 - GeS - PbS
28 7.622 5.290 9.324 10 60 30. . '
29 13.066 -7.594 4.144 ! 10 70 20
Muster Nr. 1* - 9* wurden luftgekühlt und ergaben glasartige Körper.
Muster Nr. 10* - 12* wurden in V/asser abgeschreckt und ergaben glaartigen Körper.
Muster 13-17 wurden in Wasser abgeschreckt und ergaben glasartige Körper, jedoch mit Kristallabscheidungen.
Muster 18-29 waren kristalline Feststoffe.
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Tafel 2
Küster | Gewichtsanteil | S | - | Sn | Mol# GeS, | P - GeS | - Sns |
No. - | Ge | 8.492 | 2.374 | GeS2 | "GeS . | Sn | |
SnSl* | 9.466 | 8.492 | 4.748 | 30 | 60 | 10 | |
2* | 8.414 | ' 8.492 | 7.121 | 30 | 50 | 20 | |
3* | 7.226 | 8.492 | 9.495 | 30 | 40 | 30 | |
4* | 6.311 | 9.145 | '2.374 | 30 | 30 | 40 | |
5*· | 9.486 | 8.818 | . 7.121 | 40 | 50 | 10 | |
6* | 7.363 | 8.165 | 5.935 | 35 | 35 ' | 30 | |
7* | 7.889 | 9.145 | 9.495 | 25 | 50 | 25 | |
..8* . | 6.311 | 8.492 | 11.869 | 40 | . 20 | 40 | |
-.9* | 5.259 | ■ 9.145 | 4.748 | ■ 30 | 20 | 50 | |
10 | 8.414 | 9.145 | 7.121 | 40 | 40 | 20 | |
11 | 7.363 | . 9.798 | '7.121 | 40 ' | 30 | 30 | |
12 | 7.363 | 9.798 | 9.495 | 50 | 20 | 30.· | |
13 ' | . 6.311 | 9.145 | 11.869 | .' 50 | 10 | 40 ". | |
14 | 5.259 | 8.492 | 13.055 | 40 | 10* | 50 | |
15 | 4.733 | 8.165 | 11.869 | 30 | 15 | . 55 | |
16 | 5.259 | ' 7.838 | 11.869 | 25 | 25 | 50 | |
17 | 5.259 | "7.838 | 9.495 | 20 | 30 | 50 ' | |
18 . ■ | 6.311 | '7.838 | 7.121 | 20 | 40 | 40 | |
19 | .7.363 | 7.838 | . 4.748 | 20 | 50 | . 30 | |
20 · | : 8.414 | .7.838 | 2.374 | 20 | 60 | 20 | |
21 . " | "- 9.466 | 20 | .70 | 10 |
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Zu Tafel 2
Muster 1* - 7* wurden luftgekühlt und ergaben glasartige Substanzen.
Muster 8*, 9* wurden in Wasser abgeschreckt und ergaben glasartige
Substanzen.
Muster 10 wurde in Wasser abgeschreckt und ergab einen glasartigen
Körper, jedoch mit Kristallabscheidungen.
Muster 11-21 ergaben kristalline Festkörper.
40984570857
Claims (1)
- "17" 24193BSPatentanspruch:/ 1. G-lasartiges, photieitendes Material, gekennzeichnet durch seine Zusammensetzung nach der allgemeinen Formel XGeS2 - yGeS - zMS, worin "M" ein Metall aus .Gruppe IVa des periodischen Systems der Elemente ist, das nicht Germanium ist, x, y und ζ den Prozentsatz der Mole darstellen und x+y+z=100 sind, sowie x, y und ζ nummerisehe Werte im Bereich von 15<x<50, 5 ,"y<70, 0-CZ-C55 sind, wenn "M" Blei ist und 2(X x< 50, 15<y<70, 0<z<>50 ist, wenn 11M" Zinn ist.AÖ9845/0857Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4700573A JPS533624B2 (de) | 1973-04-24 | 1973-04-24 |
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---|---|
DE2419385A1 true DE2419385A1 (de) | 1974-11-07 |
Family
ID=12763045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2419385A Pending DE2419385A1 (de) | 1973-04-24 | 1974-04-23 | Glasartiges, photoleitendes material |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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