DE1911334B2 - Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien - Google Patents

Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien

Info

Publication number
DE1911334B2
DE1911334B2 DE19691911334 DE1911334A DE1911334B2 DE 1911334 B2 DE1911334 B2 DE 1911334B2 DE 19691911334 DE19691911334 DE 19691911334 DE 1911334 A DE1911334 A DE 1911334A DE 1911334 B2 DE1911334 B2 DE 1911334B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
powder
layer
photoconductive
core
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691911334
Other languages
English (en)
Other versions
DE1911334C3 (de
DE1911334A1 (de
Inventor
Hiroshi Yokohama Kanagawa; Takahashi Toni Tokio; Hanada (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE1911334A1 publication Critical patent/DE1911334A1/de
Publication of DE1911334B2 publication Critical patent/DE1911334B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1911334C3 publication Critical patent/DE1911334C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142—Inert intermediate layers
    • G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/064—Gp II-VI compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Die Erfindung betriff! ein photoleitfähiges Pulver zur Herstellung elektrophotographischer Aufzeichnung^- materialien, in dem die Pulveneilchen einen photoleitfahigen Kern eines bestimmten Leitfähigweitstyps und eine photoleitfahige Hülle haben.
Aus der US-PS 30 60 134 ist ein photoleitfähiges Pulver bekannt, bei welchem die ein/einen Körner aus einem ZnO-Kern und einer aufliegenden ZnS-Schicht bestehen, wobei Kern und aufliegende Schicht von gleichem Leitfähigkeitstyp sind, nämlich η-leitend. Die ZnS-Schicht dient der Erweiterung des Bereichs der spektralen Empfindlichkeit, und /war durch Ausdehnung des spektralen Empfindlichkeitsbereichs nach längeren Wellenlängen hin, denen gegenüber das Kernmaterial unempfindlich ist. Eine Erhöhung der Empfindlichkeit und damit eine Herabsetzung der erforderlichen Belichtung ergibt sich also nur dann wenn panchromatisches Licht verwendet wird, also Licht mit einer spektralen Bandbreite, die sowohl den fimpfindlichkeitsbereich des Kernmaterials als auch den weit ins Langweilige reichenden Empfindlichkeitsbereich des Materials de» aufliegenden Schicht enthält. Gegenüber monochromatischem Licht läßt sich mit diesem bekannten photoieiifähigen Pulver jedoch keine rmpfindlichkcitssteigerung erzielen.
Ein weiteres bekanntes Aufzeichnungsmaterial (DTPS 10 32 669) besteht aus einer isolierenden, den Ladungsverlust im Dunkeln verhindernden Zwischenschicht zwischen der leitenden Unterlage und der photoleitfähigen Schicht sowie durch eine sehr dünne, bei der gewählten Polarität ebenfalls isolierende Außenschicht, welche die photoleitfahige Schicht überzieht, wobei dieser Überzug aus einem Isolator ider einem Halbleiter vom η-Typ besteht, wenn die jhotolcilfähige Schicht vom p-Typ ist und positiv gegen <Jie Unterlage aufgeladen wird. Da dem Überzug somit eine Polarität zugeführt wjrd, für die er besonders schlecht leitet, ist der Sinn dieser Maßnahme in der Erhöhung des Dunkelwiderstandes zu erblicken In den Beispielen besteht die photoleitfahige Schieb! a.K amorphem Selen, und der Überzug ist sehr dünn. v.as auf die Verwendung des sogenannten Carlson-Prozesses als elektrophotographisches Verfahren hmwe:1.: Amorphes Selen bietet keine gute Voraussetzung i-r eine erhöhte Empfindlichkeit des Auf/eichnungsnaierials. und eine Erhöhung der Empfindlichkeit durch den Überzug wird nicht offenbart.
Ein weiteres elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial (DTPS 10 44 613) besieh! aus e:r-er Aufeinanderfolge ;-an Schichten, nämlich einer Trägerschicht aus Papier, einer haibleitenden Untcrlageschicht aus Zinkoxid und Casein sowie einer photoleitfähigen Decksch/cfit aus Zinkoxid in SiUkonhzr/ Um -Ladung an der Oberflache des Aufzeichnurigsm;:iepüjs zu halten, muß die Oberflächenschicht einer: ziemivhohen Widerstand aufweisen, so ünii ke;ne --..h-j Empfindlichkeit des bekannten Auizen.hnungsrrma-'--,;;', zu erwarten ist.
In der Elektrokonduktographie sine,' bereits Auf/t;·, hnun^srp-aenalien in Schichtenfolge \on abv, echseind·..··]·; Leitfähigkeitstyp bekannt (GBPS 10 16 492). up.ü /v..;r eine InSd-Schicht vom p-T>p. eine ZnO-Schii.ru ·. ::; n-T>p. eine InSd-Schicht vom p-T>p und eine leüe- ;;e Tragerschicht. Dieses Aufzeichnungsmaterial wird cio; troiyusch entwickelt, d. h. ein Metall an den bildmäßig hellen Stellen niedergeschlagen. In der Llekuokor.duK-tographie werden niedrige Widerstandst er ;e m der Größenordnung von höchstens 107 Ohm cm \ erwendet. während in der Elektrophotographie 10:(i bis K>!3 Ohm cm und mehr verwendet werden. Bei einem derartigen Unterschied des Widerstandes der phoioSe;:- fähigen Schicht ist nicht /m erwarten, daß sich cm Aufzeichnungsmaterial in der Elektrokonduktographie auf dem Gebiet der Llektrophotographie verwenden läßt, auch nicht im Naßentwicklungsverfahren, bei dem Partikeln eines flüssigen Entwicklers zu den Stellen des Aufzeichnungsmaterials hingezogen wird, an denen eine elektrostatische Ladung verblieben ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein photoleitfähiges Pulver zur Herstellung elektrographischcr Aufzeichnungsmaterialien verfügbar zu machen, das auch bei Verwendung von Lichtquellen mit geringer Bandbreite eine größere Empfindlichkeil als bekannte Materialien zeigt.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Kern aus CdS und die Hülle aus Cu2S, Ag2S. Cu2O oder Ag2O besteht, oder daß der Kern aus CdSe und die Hülle aus Cu2Se, Ag2Se, Cu2O oder Ag2O besteht.
Das erfindungsgemäße photoleitfahige Pulver weist den Vorteil auf, daß eine Steigerung der Empfindlichkeit des mit diesem Pulver hergestellten Aufzeichnungsmaterial weitgehend unabhängig von der Wellenlänge des zur bildmäßigen Belichtung verwendeten Lichtes eintritt.
Der Leitfähigkeitstyp der Hülle, ist dem des Kern? entgegengesetzt.
Dadurch wird eine Ernöhung des Dunkelwiderstandes erreicht, da sich im Bereich des pn-Übergangs eine Ladungsträgerverarmungszone bildet. Wenn ein solcher »freischwebender« pn-übergang, d. h. ein Übergang, dessen p- und η-Zone nicht beide mittels eigener Elektroden in ihrem Potential beeinflußt werden können, auch eine relativ dünne Verarmungsschicht
aufweist, so macht diese doch bei einem kleinen Pulverkörnchen einen relativ großen Volumenanteil aus. Dies führt zu einem hohen Gesamtdunkelwiderstand des photoleilfähigen Pulvers, ohne dessen Empfindlichkeit nachteilig zu beeinflussen.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung enthalten die Pulverteilchen zwischen dem Kern und der photoleitfähigen Hülle eine eigenldtende Halbleiterschicht
Gemäß der üblichen Halbleiterterminologie ist eine Halbleiterzone dann eigenleitend, wenn sie in ihrer Leitfähigkeit nicht durch Dotierstoffe beeinflußt ist. Eine eigenleitende Schicht weist deshalb einen relativ großen spezifischen Widerstand auf. Deshalb wird durch diese Ausgestaltung eine weitere Erhöhung des Gesamt-Dunkelwiderstandes des photoleitfähigen Pulvers gemäß der Erfindung erzielt.
Bei einer photoleitfähigen Schicht, hergestellt aus pulverisierter photoleitfähiger Substanz mit einem Harz ■ls Binder wird die Eigenschaft der Photoleitfähigkeit hauptsächlich von der Potentialschwelle bestimmt, die jn der Oberfläche der Pulverpartikeln und zwischen den Pulverpartikeln vorhanden ist. Deshalb wird zum Erhalt einer hochempfindlichen photoleitfähigen Schicht ein solches Pulver verwendet, bei dem die Potentialschwelle der Oberfläche der Pulverpartikeln rasch auf das einfallende Licht anspricht.
Bei einem dreischichtigen Aufzeichnungsmaterial oder einer anderen in der Elektrophotorraphie verwendeten Art entsteht die Eigenschaft der Photoleitfähigkeit durch den Einfang der angeregten Ladungsträger infolge des Einfang-Niveaus innerhalb der photoleitfähigen Schicht und wie Versuche ergeben haben, existiert dieses Einfang-Niveau tatsächlich an der Überfläche der pulverisierten Partikeln. Wie später erläutert wird, führt eine geeignete Behandlung der Oberfläche der Partikeln zu einem neuen Einfangvermögen und damit zu erhöhter Empfindlichkeit. Dies soll anhand theoretischer Betrachtungen über den Quantenwirkungsgrad erläutert werden.
An sich ist der Begriff des Quantenwirkungsgrades, wie dieser für die sogenannten PhotozeUen mit einkristallinen oder gesinterten Schichten anwendbar ist, nicht für elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien anwendbar, weil der Quantenwirkungsgrad durch Abnahme des Photostroms für eine äußere Schaltung über an der Photozelle angebrachte Elektroden gemessen wird, während bei einem Aufzeichnungsmaterial für Elektrophotographie eine Elektrode im Sinne eines ohmschen Kontakts nicht verwendet wird.
Deshalb soll der Quantenwirkungsgrad im Innern des Aufzeichnungsmaterials betrachtet werden. Hier sei bemerkt, daß die zur Sensibilisierung einer Photozelle üblicherweise angewandte Methode, die Lebensdauer der angeregten Ladungsträger zu erhöhen, zu einem Quantenwirkungsgrad von höchstens 1 führt. Die Zunahme der Ladungsträger soll mit den Verhältnissen beim npn-Schichten-Phototransistor verglichen werden. Bei diesem handelt es sich um einen npn-Übergang mit einer dünnen p-Schicht zwischen η-Schichten. Wird eine äußere Spannung an diesen Übergang angelegt, so wird beispielsweise der pn-Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt und der np-Übergang in Sperrichtung.
Bei dieser Anordnung dient die zwischenliegende dünne p-Schicht als die sogenannte Potentialspcrre für Elektronen. Wenn Lichtstrahlen innerhalb des Wellenlängenempfindlichkeitsbereiches in der Nachbarschaft der D-Schicht dieser npn-Anordnung auftreffen, insbesondere in Nachbarschaft desjenigen Übergangs, der in Sperrichtung vorgespannt ist, so werden Elektronen-Löcher-Paare erzeugt, wobei die erzeugten positiven Löcher und negativen Elektronen durch das starke fclektrische Feld der Sperrvorspannung voneinander getrennt werden; die Elektronen bewegen sich in Richtung auf die η-Schicht und die positiven Löcher zur p-Schicht. Die zur p-Schicht gelaufenen positiven Löcher werden durch das Valenzhand der p-Schicht gehalten und in diesem Abschnitt aufrechterhalten.
]e größer die Anzahl angeregter positiver Löcher ist, desto mehr Löcher werden in der p-Schicht gespeichert und die Potentialschwelle der p-Schicht wird um so stärker durch die positive Wertigkeit der Löcher erniedrigt. Im Ergebnis können freie Elektronen, die sich in der η-Schicht auf der Durchlaßseite befinden, in die p-Schicht leicht eintreten, sich hierin verteilen und nach ihrem Erreichen der in Sperrichtung vorgespannten Seite unmittelbar in die andere η-Schicht wegen des starken elektrischen Feldes der Sperrvorspannung einfließen.
Aus der vorstehenden Erläuterung ist ersichtlich, daß der Ladungsträgererhöhungsmechanismus einer npn-Schichtenfolge zu einem großen Quantenwirkungsgrad führt, der 1 überschreitet. Der auf der bekannten Theorie der npn-Schichtenfolge beruhende Quantenwirkungsgrad ist die durch die folgende Formel wiedergegeben
V=I + (oc
w).
Hierin bedeutet Y den Quantenwirkungsgrad, oc die Leitfähigkeit der η-Schicht auf der Durchlaßseite, Lpc die Diffusionsweglänge der positiven Löcher innerhalb der Schicht, opdie Leitfähigkeit der mittleren p-Schicht und w die Dicke dieser Schicht. V/enn daher O1. ■ Lpe weit größer als Op · v, ist, dann ist der Quar.tenwirkungsgrad weit größer als 1.
Die Erhöhung der Empfindlichkeit eines Aufzeichnungsmaterials für Elektrophotographie, bestehend insbesondere aus 3 Schichten (einer Trägerschicht, einer photoleitfähigen Schicht und einer isolierenden Deckschicht), beruht auf den vorstehend erwähnten Gesichtspunkten, und zwar wird
1. der Potentialschwelle der Oberfläche der Pulverpartikeln der photoleitfähigen Schicht ein Verhalten erteilt, durch das die Potentialschwelle gegenüber dem einfallenden Licht empfindlich wird,
2. der Einfangwert der Oberfläche der Pulverpartikeln verbessert, und
3. der Quantenwirkungsgrad der Pulverpartikeln erhöht.
Hierzu weisen die Pulverpartikeln zumindest eine pn-Übergangsschicht auf. Tatsächlich kann man mit einem η-leitenden Kern und einer p-leitenden Außenschicht arbeiten, oder mit einem solchen Partikel, das noch mit einer weiteren Außenschicht versehen ist, oder alternativ mit einem p-leitenden Kern und einer η-leitenden Außenschicht, wobei wiederum auch noch eine weitere p-Schicht als äußerste Schicht vorgeseher sein kann.
Des weiteren wird angenommen, daß an der Grenze zwischen der p- und der η-Schicht eine eigenleitende Halbleiterschicht, in der Halbleitertechnik üblicherwei se i-Schicht genannt (von intrinsic), naturgemäC vorhanden ist; diese eingeleitende Halbleiterschich (i-Zwischenschicht) kann auch bewußt erzeugt werden um einen nip-Aufbau zu erhalten.
Nimmt man ein Partikel mit η-leitendem Kern an, se
ist der äußere p-Halbleiter eine Sperre gegen Elektronen, d. h., es wird ein hoher Dunkelwiderstand der photoleitfähigen Schicht erzielt, wobei das Oberflächenpotential beibehalten wird. Der Akzeptor, der die freien Elektronen in der i-Schicht kompensiert, spielt die Rolle des Einfangs von positiven Löchern, um diese bei ihrer Erzeugung durch die einfallenden Lichtstrahlen einzufangen. Da des weiteren die i-Schicht in dichter Berührung mit der Sperre der p-Schicht steht, führt die positive Ladung der eingefangenen positiven Löcher zu einer Erniedrigung der Schwelle der Sperre.
Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben; es zeigt
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Aufzeichnungsmaterials.
F i g. 2 ein photoleitfähiges Partikel und
Fig.3 die Kennlinienkurve des Aufzeichnungsmaterials nach Fig. 1.
F i g. 1 zeigt modellmäßig ein Aufzeichnungsmaterial aus einem hochisolierenden transparenten Film 1 als jo Deckschicht (Polyester, Fluor-Harz usw. mit einem spezifischen Widerstand von 1015 Ohm cm), einer elektrisch leitenden oder isolierenden Trägerschicht 2 und einer photoleitfähigen Schicht 3 zwischen den beiden Schichten 1 und 2. Die Schicht 3 besteht aus einer Mischung aus photoleitfähigen feinen Partikeln oder Pulver 4 und einem Binder, z. B. Epoxyharz oder Vinylacetat.
Mit diesem Aufbau ist es möglich, ein Aufzeichnungsmaterial mit einer 1,5- bis lOmal größeren Empfindlichkeit gegenüber bisher üblichen dreischichtigen Aufzeichnungsmaterialien zu erreichen. Bei einer solch gesteigerten Empfindlichkeit kann mit nur einigen Zehntel Lux-Sekunden Belichtung auf dem Aufzeichnungsmaterial ein Potentialunterschied von 1000 V zwischen hellen und dunklen Bildstellen erhalten werden, was als »Kontrast« bezeichnet wird.
Der Grund für diese gesteigerte Empfindlichkeit wird derzeit noch nicht voll verstanden. Insbesondere ist es praktisch unmöglich, den Einfluß der Harzdispersion der in Rede stehenden feinen Partikeln physikalisch und quantitativ zu beschreiben.
Die eingangs gegebene Erklärung ist lediglich wahrscheinlich, daß es nämlich möglich ist, den Widerstand eines Bereiches des Aufzeichnungsmatcrials drastisch dadurch zu reduzieren, daß die pn-Übergänge dieses Bereiches eine durch Licht beseitigbare Schwelle bilden, während an anderen, dunkel gebliebenen Bereichen der hohe Dunkelwiderstand beibehalten wird. Trotz erhöhter Empfindlichkeit kann also ein guter Kontrast zwischen hellen und dunklen Bildstellen erzielt werden.
Der Grund für diese gesteigerte Empfindlichkeit wird derzeit noch nicht voll verstanden. Insbesondere ist es praktisch unmöglich, den Einfluß der Harzdispersion der in Rede stehenden feinen Partikeln physikalisch und quantitativ zu beschreiben.
Die eingangs jegebene Erklärung ist lediglich wahrscheinlich, daß es nämlich möglich ist, den Widerstand eines Bereiches des Aufzeichnungsmaterials drastisch dadurch zu reduzieren, daß die pn-Übergänge dieses Bereiches eine durch Licht beseitigbare Schwelle bilden, während an anderen, dunkel gebliebenen Bereichen der hohe Dunkeiwiderstand beibehalten wird. Trotz erhöhter Empfindlichkeit kann also ein guter Kontrast zwischen hellen und dunklen Bildstellen erzielt werden.
Bei einem solchen Aufbau entsteht ein Zustand, wie er ähnlich bei einem pnp- oder npn-Übergang durch eir elektrisches Feld entsteht, und es ergibt sich eine Wirkung, wie sie ähnlich bei einer pnp- oder npn-Diode auftritt. Wenn das Aufzeichnungsmaterial dem Lichi ausgesetzt wird, kommt die elektrische Ladung infolge einer gewissen kritischen Spannung plötzlich zum Fließen und die elektrische Ladung fährt fort, sich ar den hellen Bildstellen zu verflüchtigen, auch nachderr der Spannungsabfall aufgetreten ist.
Bei der Herstellung eines Pulvers aus photoleitfähigen Substanzen mit pn- oder np-Übergängen und der vorstehend beschriebenen Eigenschaften wurde beispielsweise nach folgenden Verfahren gearbeitet.
An der Oberfläche von reinem oder Verunreinigungen enthaltendem Cadmiumsulfid- oder Cadmiumselenidpulver wurde Silber oder Kupfer durch eine Reduktionsreaktion niedergeschlagen, worauf diese Metalle in das Innere der Oberfläche eindiffundieri wurden oder das Cadmium im Wege einer Substitutionsreaktion durch Silber oder Kupfer ersetzt wurde.
Des weiteren wurcen zum zwangsweisen Erzeugen einer halbisolierenden, eigenleitenden i-Schicht bei Partikeln mit η-leitendem Kern diese in geeigneter Umgebungsatmosphäre gesintert, um CaJmium-Leerstellen auf der Oberfläche der Partikeln zu erzeugen oder diese Partikeln wurden geeignet oberflächenbehandelt, um Kupfer oder Silber als Akzeptor auf der Oberfläche anzulagern, und anschließend wurden die freien Elektronen der Donatoren an der Oberfläche kompensiert, so daß eine i-Schicht außerhalb der η-Schicht erhalten wurde. Handelt es sich um Partikeln mit p-Kern, so werden diese in geeigneter Umgebungsatmosphäre gesintert, um eine Cadmiumanreichcrung zu erhalten, oder diese Partikeln werden geeignet oberflächenbehandelt, um zur Erzeugung der i-Schicht Halogene, Indium, Gallium usw. auf der Oberfläche anzulagern.
Nachstehend werden einige Beispiele beschrieben.
Beispiel 1
Ein Verfahren zum Erhalt eines photoleitfähigen Pulvers mit einer p-Schicht auf der Oberfläche durch haftendes Aufbringen von Silber auf die Oberfläche von η-leitenden CdS-Pulverpartikeln durch Reduktion wurde wie folgt durchgeführt. Ausgegangen wurde von:
Reinem, handelsüblichen CdS lOg
Cadmiumchlorid ig
Ammoniumchlorid 0,1 g
Cuprichlorid 0,003 g
Reinem Wasser 4 ecm
Diese Bestandteile wurden gemischt und sorgfältig durchgeknetet.
Nach vollständigem Trocknen bei 1000C wurde die getrocknete Masse in bohnengroße Stücke gebrochen, in ein Quarzrohr verbracht und 30 Min. bei 6000C in Stickstoffatmosphäre gesintert
Das gesinterte Produkt wurde mit reinem Wasser mehrmals gewaschen, getrocknet und dann durch ein feines Maschensieb (von 325 mesh) passiert, um ein hellgelbes Pulver zu erhalten.
Das Produkt wurde der sogenannten Silberverspiegelungsreaktion unterworfen. Reaktionslösungen A und B wurden wie folgt hergestellt:
Lösung A: 1 g Silbernitrat wurde in Wasser aufgelöst Ammoniakwasser wurde cieser Lösung sorgfältig zugegeben, bis das anfänglich ausfallende Silberoxid
sich erneut im Ammoniaküberschuß auflöste. Die Lösung wurde gefiltert und das Filtrat auf 100 ecm mit Wasser ergänzt.
Lösung B: 0,2 g Silbernitrat wurde in wenig Wasser aufgelöst.) 00 ecm kochendes Wasser wurde der Lösung zugefügt, gefolgt von einer Zugabe von 0,166 g Rochellsatz. Die Lösung wurde einige Zeit gekocht. Die so erhaltene grautrübe Flüssigkeit wurde heiß abgefiltert, und das Filtrat wurde als Lösung B verwendet.
Je 0,3 ecm der Lösungen A und B wurden getrennt mit 10 ecm Wasser verdünnt, und beide verdünnten Lösungen wurden gleichzeitig mit dem erhaltenen gelben Pulver gemischt. Die Mischung dieser drei Materialien wurde etwa 60 Min. lang gerührt. Sodann wurde die Mischung sorgfältig mit Wasser gewaschen und getrocknet. Auf diese Weise erhielt man Partikeln, auf deren Oberfläche sich Silber haftend niedergeschlagen hatte.
Das so erhaltene getrocknete Pulver wurde in ein Quarzrohr verbracht und 60 Min. bei 600"C unter Stickstoff gesintert. Das an der Oberfläche haftende Silber diffundierte dabei in das Innere der Partikeln, und es entstand eine p-Schicht auf der Oberfläche des η-leitenden CdS-Pulvers. Auf diese Weise erhielt man eine pulverisierte photolcitfähige Substanz.
Beispiel 2
Ein photoleitfähiges Pulver mit einer p-Schicht auf der Oberfläche durch haftendes Aufbringen von Kupfer auf der Oberfläche von η-leitendem CdS-Pulver wurde wie folgt hergestellt.
10 g rekristallisieries reines Cadmiumchlorid und 4 ecm 35%ige Chlorwasserstoffsäure wurden mit 200 ecm Wasser gemischt und hierin aufgelöst. Reiner Schwefelwasserstoff wurde ausreichend lang durch die Lösung geleitet, um einen Cadmiumsulfid-Niederschlag zu erhalten.
Der Niederschlag wurde in Wasser sorgfältig gewaschen und in einem Vakuum-Desikkator bei 6O0C vollständig getrocknet. Nach der Trocknung wurde der Niederschlag in einer Kugelmühle etwa 5 Stunden lang vermählen.
0,1 g Schwefel wurden dem zuvor erhaltenen Pulver zugefügt. Die Mischung wurde in ein Quarzrohr verbracht und etwa 20 Min. lang bei 500°C unter Stickstoff gesintert, gefolgt von einem 10 Min. langen Sintern, während der Schwefeldampf abgezogen wurde.
Das so erhaltene Pulver wurde einer Fehlingschen Reaktion unterzogen. 2 mg Kupfersulfat, 20 mg Natri umhydroxid und 15 mg Formaldehyd als Reduzierungsmittel wurden jeweils in 10 ecm Wasser getrennt gelöst.
Diese Lösungen und das Pulver wurden gleichzeitig gemischt, und die Mischung wurde etwa 30 Min. lang gerührt. Der Niederschlag wurde dann mit Wasser sorgfältig gewaschen und getrocknet Hiernach hatten die Partikeln einen Kupferniederschlag auf ihrer Oberfläche.
Das so erhaltene Pulver wurde in ein Quarzrohr verbracht und 60 Min. lang bei 600"C unter Stickstoff gesintert. Auf diese Weise erhielt man die pulverisierte Photoleitsubstanz.
Beispiel 3
Photoleitfähiges Pulver mit einer p-Schicht auf der Oberfläche erhielt man durch Substituieren des Cadmiums an der Oberfläche von η-leitenden Cadmiumsulfid-Pulverpartikeln durch Kupfer im Wege einer Substitutionsreaktion auf die folgende Weise.
Dem nach Beispiel 1 erhaltenen hellgelben Pulver wurde eine Lösung aus 0,1 ecm konzentrierter Schwefelsäure und 0,002 g Kupfersulfat in 200 ecm reinem Wasser zugegeben. Die Mischung wurde 10 Stunden lang kräftig gerührt, sorgfältig mit reinem Wasser gewaschen und bei etwa 100° C getrocknet. Das getrocknete Pulver wurde in ein Quarzrohr verbracht und 60 Min. lang bei 600°C unter Stickstoff gesintert. Auf diese Weise erhielt man ein photoleitfähiges Pulver.
Beispiel 4
Ein photoleitfähiges Pulver mit einer p-Schichl auf der Oberfläche durch Substitution des Cadmiums auf der Oberfläche von η-leitenden Cadmiumsulfid-Pulverpartikeln durch Silber mit Hilfe einer Substitutionsreaktion erhielt man auf folgende Weise.
Dem nach dem Beispiel 2 als Zwischenprodukt erhaltenen gesinterten Pulver wurde (ohne angelagertes Kupfer) eine Lösung aus 0,003 g Silbernitrat und 0,1 ecm konzentrierter Salpetersäure in 20 ecm reinem Wasser zugegeben. Die Mischung wurde etwa 10 Stunden lang kräftig gerührt, sorgfältig gewaschen und dann bei etwa 100= C getrocknet. Der getrocknete Niederschlag wurde 1 Stunde lang bei 600"C Stickstoff gesinl?rt, um photoleitfähiges Pulver zu erhalten.
Beispiel 5
Hier handelt es sich um ein Verfahren zum Herstellen von photoleitfähigem CdS- oder DdSe-Pulver mit npn-Zonenfolge.
Das Pulver mit einer p-Schicht auf der Oberfläche, das nach den Verfahren entsprechend den Beispielen 1 bis 4 erhalten worden ist, wurde mit reinem Wasser gemischt. Die Mischung wurde dann abgefiltert. Eine kleine Menge der wäßrigen Lösung eines Schmelzmittels (beispielsweise eine 0,1 molare wäßrige Lösung von Cadmiumchlorid und eine l.Omolare wäßrige Lösung von Ammoniumchlorid) wurden auf den Niederschlag zu dessen Befeuchtung gegeben. Die überschüssige Lösung wurde am Filter abgesaugt. Das Pulver wurde getrocknet und dann 60 Min. lang bei 600"C unter Stickstoff gesintert, und man erhielt ein npn-photoleitfähiges Pulver.
Beispiel 6
Hier handelt es sich um ein Verfahren zum Hersteilen eines photoleitfähigen Cadmiumsulfidpulvers mit pn-Schichlfolge.
η-leitendem reinem Cadmiumsulfidpulver wurden mehrere Gewichtsprozent Kupfersulfid zugefügt. Die Mischung wurde in einer Kugelmühle vollständig vermählen und dann 2 Stunden lang bei etwa 700—900cC in Stickstoff gesintert, um ein p-leitendes Pulver zu erhalten.
Das gesinterte Produkt wurde zuerst in einem Mörser in Stücke gebrochen und dann 24 Stunden lang in einei Kugelmühle vermählen, klassifizierend gesiebt, wobei sowohl der grobe als auch der extrem feine Anteil de« Pulvers entfernt wurden und Partikeln der Größe von 1 bis 20 μπι beibehalten wurden. Diese Partikeln wurder 30 Min. lang unter Vakuum bei 600—8000C gesintert. Ei entstand eine η-Schicht auf der Oberfläche dei p-leitenden Partikeln, und zwar infolge der entstände nen Schwefel-Leerstellen an der Oberfläche.
Das Pulver wurde mit reinem Wass.er gemischt um gefiltert, sodann mit einer kleinen Menge eine wäßrigen Lösung angefeuchtet, die nur ein Halogenid Schmelzmittel oder Salze von Indium. Tallium usw
enthielt. Sodann wurde die Mischung erneut gefiltert und vollständig getrocknet, gefolgt von einer etwa 2stündigen Sinterung bei einer höheren Temperatur als der Schmelzpunkt in inerter Atmosphäre. Hier entstand eine festere n-Schicht.
Beispiel 7
Hier handelt es sich um ein Verfahren zum Herstellen eines photoleitfähigen Pulvers mit pnp-Schichtfolge. Dieses Pulver erhielt man durch Niederschlagen von Kupfer oder Silber auf der Oberfläche des nach Beispiel 6 erhaltenen pn-Pulvers mit Hilfe des nach Beispiel 1 —4 beschriebenen Verfahrens, und durch Unterziehen des Pulvers einer Wärmediffusion oder Substitution mit Cd.
Beispiel 8
Hier handelt es sich um ein Verfahren zum Herstellen eines photoleitfähigen Pulvers mit nip-Schic:htfolge. Es wurde wie nach Beispiel 1 und 2 gearbeitet,
ausgenommen daß die Silber- und Kupfermengen auf 20 erzielen.
• ι- ■/.. _„j..,;„w „,„„lon 7ii 1Ocr Ηρς F i S.
entgegengesetzten Vorzeichen ausgeführt, oder es wurde zur Entfernung der elektrischen Ladung an den hellen Bildstellen eine Wechselstromkoronaentladung ausgeführt, wonach dann die Totalbelichtung des Aufzeichnungsmaterials erfolgte.
Unter Verwendung dieses Verfahrens wurde die Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials anhand des minimalen Belichtungsbetrages bestimmt, der zum Erhalt eines elektrostatischen, latenten Bildes mil ausreichend gutem Kontakt erforderlich ist. Das erhaltene Resultat war 1 Luxsekunde für das Aufzeichnungsmaterial nach der Erfindung, während für das übliche Aufzeichnungsmaterial der fünffache Betrag, also 5 Luxsekunden, benötigt wurden. Die Erfindung ist i$ daher sehr vorteilhaft für die Erhöhung der Arbeitsgeschwindigkeit einer clektrophotographischen Kopiereinrichtung, ferner wird ein kompakter Aufbau einer solchen Einrichtung wegen der einfacheren Lichtquelle ermöglicht, und es lassen sich Kosteneinsparungen
IO
etwas weniger als '/io reduziert wurden. Zu 10 g des erhaltenen Pulvers wurde dann eine Lösung aus 30 mg Kupferzyanid, 45 mg Natriumzyanid in 20 ecm reinem Wasser zugegeben. Das Ganze wurde 20 Minuten lang in einem Bad bei 700C gerührt. Nach Abfiltern wurde das Pulver getrocknet, um eine CuaS-Sehicht eines p-leitenden Halbleiters auf der Oberfläche der Partikeln zu erhalten.
Beispiel 9
Hier handelt es sich um ein Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Pulver mit nip-Schichtfolge.
Statt der Lösung mit Kupferzyanid und Natnuinzyanid in Beispiel 8 wurde eine Lösung von 30 mg Silbernitrat und 0.1 ecm konzentrierter Salpetersäure verwendet, mit deren Hilfe eine p-leitende Schicht von Ag2S auf der Oberfläche der Partikeln erzeugt wurde, um ein nip-Pulver zu erhalten.
Fin dreischichtiges Aufzeichnungsmaterial unter
Pl Fig. 3 zeigt die Meßergebnissc des thermischen Anregungsstroms der photoleitfähigen Pulversubstanz der Erfindung (entsprechend Beispiel 8) im Vergleich zu üblichem Pulver (hergestellt durch Hinzufügen von 0,003 g Cuproxid zu 10 g CdS durch Sintern unter Verwendung eines Flußmittels und durch Behandeln des gesinterten Produktes in Schwefeldampf).
Die vorstehend erwähnten beiden photoleitfähigen T'ulverarten wurden in einem Gewichtsverhältnis 100:14 gemischt, und die Mischung wurde mit Epoxyharz, das eine geeignete Härtermenge enthält, vermischt. Diese Mischung wurde auf die Metallelektrode aufgebracht, die auf eine Glasplatte in einem Abstand von 0,5 mm und einer Breite von 5 mm aufgedampft waren, 3 Stunden lang bei 70cC getrocknet und dann zum Erhalt einer photoleitfähigen Schicht gehärtet.
Die photoleitfähige Schicht erhielt zunächst ausreichend Licht von der Glasplattenseite her durch den Spalt zwischen den Elektroden. Die Belichtung wurde
Fin dreischichtiges Aufzeichnungsmaterial unter ~K-.. --■■ ;~.~"T> " u 1
Verwendung des photoleitfähigen Pulvers nach den 40 dann abgebrochen und d,e Probe im dunklen gehalten. SJ Ibis 9 wird wie folgt hergestellt: Eine Spannung von 100 V wurde an d.e Elektroden
Pl i d berwähn angelegt und die Temperatur al mahhch von der
45
BeSJ Ibis 9 wird wie folgt herge
Z0photoHtfähigem Pulver mit der obenerwähnteif D Schicht wurde 1 5 g Epoxy-Harz. in welches etwa 2 Gewürzen» e.rfesAmm-Härters eingemischt war zugefügt und das Ganze gut durchgemischt.
Die Mischung wurde auf eine glatte Aluminiumfolie. Hie änf einer eaenen Platte lag aufgetragen und schnell iff e ne D,cke von etwa 80 um eingeebnet. Zur
Einebnüngdr Mischung wurde ein etwa I5 μπ, starker gebildetes Einfangniveau im Vergleich zu der beka
pölyäthyllntherephthalat-lsolierfilm auf die Mischung 5o Substanz (Kurve b). D.eses w.rd als e.ne der Ursache aufgelegt, wobei ein dünner Metallrahmen als Abstands- der ausgeze.chneten W.rkung der beschriebener d d d Sdnn wurde das Ganze mit
angelegt und die Temperatur al mahhch von Temperatur des flüss.gen Stickstoffs mit konstanter Geschwindigkeit erhöh. Der Strom, der durch die Probe floß, wurde be. jeder Temperatur gemessen. Die Extremwerte der Kurven zeigen jeweils Einfangn.veaus der photole.tfah.gen Substanz. D.e photole.tfah.ge Substanz nach der Erfindung (Kurve a) besitzt ein neu gebildetes Einfangniveau im Vergleich zu der bekannten Sbstanz (Kurve b) D.eses w.rd als e.ne der Ursache
glied verwendet wurde. Sodann wurde das Ganze mit einer Rakel auf die gewünschte Dicke abgequetscht.
Die Anordnung wurde dann 3 Stunden lang bei 700C gehalten, um das Harz auszuhärten. Sodann wurde die Empfindlichkeit dieses dreischichtigen Aufzeichnungsmaterials mit dv.T eines Aufzeichnungsmaterials der gleichen Zusammensetzung verglichen, welche aber unter Verwendung von üblichen photoleitfähigem Cadmiumsulfid nach dem gleichen Verfahren hergestellt
war.
Das Aufzeichnungsmaterial wurde auf ein Oberflächenpotential von +1500V positiv aufgeladen; dies erfolgte durch eine Koronaentladung im Hellen oder Dunklen entsprechend dem eintrantrs erwähnten vorgeschlagenen
aber mit photoleitfähigen Substanz angesehen, wenn diese füi ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmateria verwendet wird.
Bei der Erfindung wird bewußt die Erscheinung de pn-Sperrschicht ausgenutzt, die früher möglicherweisi zufällig im Laufe der Herstellung der elektrophotogra phischen Photoleitersubstanz aufgetreten ist, nun abe beabsichtigt angesteuert wird.
Zahlreiche Abwandlungen sind möglich; so ist di Erfindung auch dort anwendbar, wo keine isolierend Schicht auf der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterial vorgesehen ist. Bei einem derartigen Aufzeichnungsnu terial ohne isolierende Deckschicht waren nach d« Primäraufladung etwa 10—20 Luxsekunden als bildmi ßige Belichtung ausreichend zum Erhalt eines Kontrs stes von 500 V zwischen hellen und dunklen Bildstelle Dieser Wert beträgt nur einige Zehntel desjenigen ein,
üblichen ZnO-Aufzeichnungsmaterials und, obgleich der Ladungsausgleich rascher als bei üblichem ZnO verläuft, ging dieser noch ausreichend langsam vor sich, um in einer kontinuierlich arbeitenden Maschine verwendet werden zu können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

19 ! ί
Patentansprüche:
I. PhotoJenfahiges Pulver zur Herstellung eiektrophotographi'icher Aufzeichnungsmaterialien, in dem die Pulverteijchen einen photoleitfähigen Kern eines bestimmten Leitfähigkeitstyps und eine photoieitfähige Huiie haben, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern aus CdS und die Hülle aus Cu2S, Ag2S, CuzO oder Ag2O besteht. «o
Z PhotoJeiifähiges Pulver zur Herstellung eJektrophotographischer Aufzeichnungsmaterialien, in dem die Pulverteilchen einen photoieiifähigen Kern eines bestimmten Lekfähigkeiistyps und eine photoleitfähige Hüile haben, dadurch gekennzeichnet, daß der 'S Kern aus CdSe und die Hülle aus Cu2Se, Ag2Se. Cu/J ooer Ag2O besteht.
3. Pulver nach Anspruch ? oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Pulverteilchen zwischen dem Kern und der photoieiifähigen Hülle eine eigenieitende Halbieiterschicht enthalten.
4. Pulver nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Pulvern, ilchen auf der Hülle eine photoleiifahige Scnicht \om Leitfähigkeitsiyp des Kerns enthalten.
5 Pulver nach Anspruch t oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Pul·.erieilchen zwischen dem Kern und der photoleitfähigen Hülle eine elektrisch leitende Schicht enthalten.
30
DE19691911334 1968-03-08 1969-03-06 Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien Granted DE1911334B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP43015287A JPS4910709B1 (de) 1968-03-08 1968-03-08
JP1528768 1968-03-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1911334A1 DE1911334A1 (de) 1969-10-02
DE1911334B2 true DE1911334B2 (de) 1977-02-24
DE1911334C3 DE1911334C3 (de) 1977-10-13

Family

ID=11884619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691911334 Granted DE1911334B2 (de) 1968-03-08 1969-03-06 Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3904409A (de)
JP (1) JPS4910709B1 (de)
DE (1) DE1911334B2 (de)
NL (1) NL6903538A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3035298A1 (de) * 1979-09-19 1981-04-02 Canon K.K., Tokyo Photoleitfaehiges material und lichtempfindliches element fuer elektrophotographische zwecke

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4043813A (en) * 1973-06-06 1977-08-23 Bell & Howell Company Photoconductive particles of zinc oxide
DE2448338C3 (de) * 1974-10-10 1978-10-26 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Stabilisierte Chalkogenide auf der Basis von Cadmium
US4098609A (en) * 1975-07-07 1978-07-04 Bell & Howell Company Method of making improved photoconductive particles
US5128064A (en) * 1989-04-18 1992-07-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Cadmium sulfide membranes

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USB287620I5 (de) * 1954-12-01
US2844640A (en) * 1956-05-11 1958-07-22 Donald C Reynolds Cadmium sulfide barrier layer cell
US2908588A (en) * 1957-03-15 1959-10-13 Rca Corp Zinc sulfide-coated phosphor particles, phosphor screen, and method of making screen
US3041166A (en) * 1958-02-12 1962-06-26 Xerox Corp Xerographic plate and method
US3060134A (en) * 1959-03-03 1962-10-23 New Jersey Zinc Co Photoconductive zinc oxide pigment
NL280609A (de) * 1961-07-13
US3162526A (en) * 1961-10-26 1964-12-22 Grace W R & Co Method of doping semiconductor materials
CH451338A (de) * 1962-10-13 1968-05-15 Bayer Ag Fotoleitendes Bauelement aus Cadmiumsulfid und/oder -selenid enthaltendem Material und Verfahren zu dessen Herstellung
NL290120A (de) * 1963-03-12
US3379527A (en) * 1963-09-18 1968-04-23 Xerox Corp Photoconductive insulators comprising activated sulfides, selenides, and sulfoselenides of cadmium
US3374108A (en) * 1964-06-18 1968-03-19 Kewanee Oil Co Formation of barrier layers in cadmium sulfide solar cells
US3312547A (en) * 1964-07-02 1967-04-04 Xerox Corp Xerographic plate and processes of making and using same
US3568306A (en) * 1965-09-25 1971-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of making photovoltaic device by electroplating
GB1128417A (en) * 1965-09-29 1968-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd Photoconductive insulating materials
US3449148A (en) * 1966-06-30 1969-06-10 Texas Instruments Inc Formation of electron barriers on phosphor particles
US3560398A (en) * 1966-12-02 1971-02-02 Texas Instruments Inc Phosphors for color display systems
US3519480A (en) * 1967-01-13 1970-07-07 Eastman Kodak Co Process for treating photoconductive cadmium sulfide layers
GB1179649A (en) * 1967-08-22 1970-01-28 Katsuragawa Denki Kk Method of Preparing Electrophotosensitive Materials and Photosensitive Elements Utilizing the Same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3035298A1 (de) * 1979-09-19 1981-04-02 Canon K.K., Tokyo Photoleitfaehiges material und lichtempfindliches element fuer elektrophotographische zwecke

Also Published As

Publication number Publication date
NL6903538A (de) 1969-09-10
JPS4910709B1 (de) 1974-03-12
DE1911334A1 (de) 1969-10-02
US3904409A (en) 1975-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2401219C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2922282A1 (de) Photoelektrische zelle
DE2926376A1 (de) Photoelement
DE2935481C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2806880A1 (de) Fluessigkeit/halbleiter-photozelle
DE3224582C2 (de)
DE1522567B2 (de) Elektrophotographisches Ver fahren zum Erzeugen eines Ladungs bildes auf einer isolierenden Schicht und Gerat zur Durchfuhrung des Verfahrens
DE2251312A1 (de) Elektrophotographische lichtempfindliche platte und verfahren
DE2055269B2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE1911334C3 (de)
DE1911334B2 (de) Photoleitfaehiges pulver zur herstellung elektrophotographischer aufzeichnungsmaterialien
DE3418596A1 (de) Elektrophotographischer photorezeptor
DE2813176A1 (de) Verfahren zum herstellen und behandeln einer photovoltaischen halbleiterdiode aus elementen der gruppe iv und vi des periodischen systems
DE2942784C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE69220756T2 (de) Photoempfindliche Vorrichtung mit Zusammensetzungs- gradienten und zurückgesetzten Kontakten zum Fixieren der Minoritätsladungsträger und Verfahren zu ihrer erstellung
DE2200061C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Photoleiters
DE2128584C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE1622378C3 (de) Elektrofraktophotographisches oder elektrofraktographisches Verfahren
DE2555014A1 (de) Halbleiteranordnungen
DE2040163C3 (de) Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
DE2028641C3 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsbildes und Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung des Verfahrens
DE2207311A1 (de) Kalium-Tantalat-Detektor für ultraviolette Strahlung
DE3237070A1 (de) Elektro-fotografisches verfahren unter verwendung von wasserstoffhaltigem amorphen silicium als lichtempfindliches element
DE2054118A1 (en) Bipolar charge-/discharge-able coating - for xerography with zinc oxide and photoconductive organic pigment in resin
DE3117333A1 (de) Roehre fuer eine fernsehkamera mit einer aus amorphem silicium gebildeten, lichtempfindlichen schicht

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977