DE3237070A1 - Elektro-fotografisches verfahren unter verwendung von wasserstoffhaltigem amorphen silicium als lichtempfindliches element - Google Patents

Description

F-4-P-9/1867 München, den 6.Oktober 1982

PF 13466/67/DT Dr. M/sk

Fuji Electric Co. Ltd. in Kawasaki/japan und Fuji Electric Corporate Research and Development, Ltd.

in Yokosuka/japan

Elektro-fotografisches Verfahren unter Verwendung von wasserstoffhaltigem amorphen Silicium als lichtempfindliches Element.

Die Erfindung betrifft elektrofotografische Verfahren, besonders solche, die ein System auf der Basis wasserstoffhaltiges amorphes Silicium (a-SiiH) als lichtempfindliches Element benutzen.Derartige Verfahren umfassen Ladungs-und Belichtungsstufen zur Erzeugung latenter Bilder auf einem lichtempfindlichen Element, Entwicklungs- und Übertragungs-(Transfer) stufen zur Erzeugung von Zeichen und Bildern auf dem lichtempfindlichen Element, sowie Entladungs- und Reinigungsstufen.

Die Erfindung bezweckt die Verbesserung der Abbil-

dungsqualität bei wiederholter Verwendung des lichtempfindlichen Elements durch Verbesserung seines Ladungsverhaltens. Im allgemeinen wird das lichtempfindliche Element in einem solchen elektrofotografischen Verfahren wiederholt benutzt, um eine Mehrzahl von Zeichen und Bildern zu erhalten. Um jedoch kontinuierlich gute Zeichen- oder Bildqualität zu erhalten, ist es erwünscht, daß eine elektro-fotografisehe Vorrichtung eine auf das benutzte lichtempfindliche Element abgestimmte genügende Anpassungsfähigkeit aufweist, um wirksame Ladung, Belichtung,Entladung und weitere Stufen durchzuführen, und daß ein Leistungs-(Qualitäts)Abfall, der auf

einer Ermüdung des lichtempfindlichen Elements im Verlauf seiner wiederholten Benutzung beruht, so weit wie möglich verringert wird.

Zinkoxid (ZnO), Cadmium-Sulfid (CdS), organische Halbleiter (OPC) wie PVK, und amorphes Selen (a-Se) als System-Grundlage sind als lichtempfindliche Materialien für Elektro-Fotografie bekannt. Das ZnO-System weist jedoch den Nachteil mangelnder Dauerhaftigkeit auf, da die Lichtempfindlichkeit gering und der Lichtermüdungseffekt hoch ist. Lichtempfindliche Filme auf der Grundlage von CdS werden hergestellt, indem man CdS in einem Bindemittel dispergiert. Es ist dabei schwierig, die Eigenschaften zu regeln, und die Ausbeute ist herabgesetzt. Außerdem weist das CdS-System den Nachteil mangelnder Dauerhaftigkeit auf, da die Oberfläche porös gemacht wird, was die Feuchtigkeitsbeständigkeit herabsetzt. Aus der Gruppe der verschiedenen Systeme wurden auf OPC-Systeme große Erwartungen gesetzt. Es zeigten sich jedoch Nachteile, nämlich mangelnde Beständigkeit gegen das von Corona-Entladung erzeugte Ozon, mangelnde Abriebfestigkeit und mangelnde Beständigkeit gegen äußere Faktoren wie Hitze, Licht und der gleichen. Im Vergleich mit diesen lichtempfindlichen Materialien weisen die gegenwärtig in großem Umfang verwendeten Materialien auf der Grundlage des a-Se-Systems den Vorteil hoher Empfindlichkeit, niedriger Ermüdung und langer Lebensdauer auf. Sie haben jedoch den Nachteil, daß die Glasübergangs feuchtigkeit (Tg) und die Kristallisationstemperatur (Tc) recht niedrig sind/ außer im Fall einer lichtempfindlichen Schicht aus ASpSe₃-Materialien, wobei aber in diesem letztgenannten Fall der Lichtermüdungseffekt unerwünscht hoch ist.

Neuerdings wurden a-Si:H-Systeme als Materialien für lichtempfindliche Filme ohne die erwähnten Nachteile der bekannten lichtempfindlichen Materialien entwikkelt (u.a. Japanische Patentveröffentlichung Nr. 54-78135). Diese lichtempfindlichen Materialien weisen ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich Empfindlichkeit, Wärmebeständigkeit und Abriebfestigkeit auf.

Obgleich man die oben angegebenen guten Eigenschäften von Materialien des a-Si:H-fiystems kennt,reichen die

Kenntnisse bezüglich der Anwendungs- und Verfahrensmaßnahmen noch nicht in jedem Fall aus, um voll befriedigende Ergebnisse von elektro-fotografischen Verfahren unter Benutzung dieser Materialien sicherzustellen. Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung haben gefunden, daß das Ladungsverhalten von lichtempfindlichen Filmen des a-Si;H-Systems stark von dem zur Bestrahlung verwendeten Licht abhängt.Das heißt, es treten Nachteile auf, weil die Lichtermüdung durch das Bestrahlungslicht hoch ist, und die Ladungsaufnahme nimmt ab bei wiederholter Verwendung des lichtempfindlichen Films, so daß die Zeichen- oder Bildqualität verschlechtert wird.

Aufgabe der Erfindung isj: es daher, ein elektrofotografisches Verfahren, welches ein System auf der Basis wasserstoffhaltiges, amorphes Silicium (a-Si:H) als lichtempfendliches Element benutzt,vorzuschlagen, welches von den erwähnten Nachteilen der Lichtermüdung und des Ladungsabfalls bei wiederholter Verwendung frei ist.

Ein solches Verfahren weist erfindungsgemäß die in den Patentansprüchen angegebenen Merkmale auf.

Das erfindungsgemäße elektrofotografische Verfahren ist anwendbar in Kopiergeräten, berührungsfreien Drukkern (non-impact-printers) (CET-Druckern, Laser-Druckern usw.), Laser-facsimile-Vorrichtungen und der gleichen.

Die Erfindung wird erläutert durch die folgende . Beschreibung, welche auf die Zeichnung Bezug nimmt.Eine kurze Figurenbeschreibung und Aufstellung der Bezugszeichen findet! sich am Ende der Beschreibung.

Fig. 1 zeigt ein Merkmal eines lichtempfindlichen a-Si:H-Films für Elektro-Fotografie. Wie in der Zeichnung dargestellt wurde gefunden, daß im Fall üblicher Kopierverfahren unter Verwendung von weißem Licht in der Belichtungs-und Entladungsstufe der anfängliche Ladungsabfall hoch ist, jedoch in oft wiederholten Zyklen (über lange Zeit) ein stabiles Verhalten beobachtet wird. Demgemäß wird die Aufgabe der Erfindung gelöst, indem man das Ladungsverhalten stabilisiert, indem man zu Beginn des elektro-fotografischen Verfahrens vor einem eigentlichen produktiven Betriebszyklus 1 bis 3 Leerlaufoder Vorlaufzyklen durchführt.

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Fig. 2 zeigt schematisch ein elektronisches Kopiergerät, das zur Durchführung des erfindungsgemäßen elektro-fotografischen Verfahrens dient. '

Die Figur zeigt ein lichtempfindliches Element 1, das durch Abscheidung einer lichtempfindlichena-Si:H-Schicht auf der Oberfläche einer Trägertrommel hergestellt ist, eine Ladungseinheit 2, das Belichtungslicht 3, eine Entwicklungseinheit 4, eine Übertragungs-(Transfer)-Einheit 5, eine Entladungslichtquelle 6 zum Entladen oder Neutralisieren von Restladungen auf dem lichtempfindlichen Element, und ein Abstreifmesser 7 zum Reinigen der Oberfläche des lichtempfindlichen Elements.

Wie oben angegeben wird zur Vermeidung des anfänglichen Ladungsabfalls eines lichtempfindlichen a-Si:H-Elements beim üblichen produktiven Kopierverfahren erfindungsgemäß zu Beginn des Verfahrens die Entladungsbelichtung unter Verwendung der Lichtquelle 6 im Stabilisierungszyklus durchgeführt und anschließend der eigentliche produktive Kopiervorgang begonnen. Auf diese Weise erfolgt der anfängliche Ladungsabfall, wie in Fig. 1 gezeigt, während des Stabilisierungszyklus, und es wird in jedem BetriebsZyklus das gleiche Oberflächenpotential erreicht. Wie Fig. 1 zeigt, ist es nicht erforderlich, die Stabilisierungsstufe über mehr als 3 Zyklen auszudehnen, da dadurch keine weitere Verbesserung der Konstanz des erreichbaren Oberflächenpotentials,.sondern .nur eine erhebliche Verlängerung der Zeit bis zum Erhalt einer ersten Kopie erreicht wird. Dem^gemäß wird das vorgeschaltete anfängliche Stabilisierungsverfahren vorzugsweise auf 1 bis 3 Zyklen begrenzt. In der oben beschriebenen Ausführungsform wurde nur die Entladungs-Lichtbestrahlung für die Ladungsstabilisierungszyklen benutzt. Es kann jedoch auch die Ladungseinheit oder die Entwicklungseinheit betrieben werden. Außerdem kann das lichtempfindliche Element nur mit dem Belichtungslicht belichtet werden.

Weiterhin dient der Lösung der gestellten Aufgabe die erfindungsgemäße Verwendung von Licht, das hauptsächlich aus kurzwelligem Licht unter 600 nm besteht, als Belichtungs-und/oder Entladungs licht im elektrofotografischen Verfahren.

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Es wurde nämlich gefunden, daß der Grad der Ermüdung (des Ladungsabfalls) des lichtempfindlichen Elements im Verlauf . des elektrofotografischen Verfahrens von dem Welleniängenbereich des Bestrahlungslichts hinsichtlich des Beleuchtungslichts oder Entladungslichts abhängt„welche man auf das lichtempfindliche a-Si:H-Element einwirken läßt, nämlich daß die Ermüdung mit steigender Wellenlänge des Lichts zunimmt und gering ist bei Lichtkürzerer Wellenlänge, besonders bei einem Bestrahlungslicht unter 600 nm.

Fig. 3 zeigt den Ermüdungsgrad in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Bestrahlungslichts. Die Messungen wurden durchgeführt unter Verwendung eines-Geräts wie in Fig. 4 gezeigt, wobei gleiche Bezugszahlen gleiche Teile wie in Fig. 2 bezeichnen, nämlich ein fotoempfindliches Element 1 mit einer lichtempfindlichen Schicht auf der Grundlage eines a-Si:H-Systems, eine Ladungseinheit 2 zum Aufladen, ein Belichtungslicht 3, eine Entladungslichtquelle 6 und außerdem einen Meßfühler 8 zum Messen eines Oberflächenladungspotentials.

Unter Verwendung des Geräts der Fig. 4 wurden die aufeinander folgenden Ladungs-, Belichtungs- und Entladungsstufen in 100 Zyklen wiederholt, und die Größe des Ladungsabfalls wurde bestimmt als Differenz zwischen dem anfänglichen • Ladungspotential und dem Ladungspotential nach 100 Zyklen. Bei der Messung wurden Belichtungslicht und Entladungslicht von gleicher Wellenlänge benutzt, und es wurde die Wellenlänge und Menge des Entladungslichts variiert. Als Belichtungslicht diente die zur Halbentladung führende Belichtung. Das anfängliche Ladungspotential betrug 450 V.

Man erkennt aus Fig. 3, daß zwar die Größe des Ladungsabfalls sich mit der eingestrahlten Lichtmenge verändert, jedoch mit abnehmender Wellenlänge abnimmt, so daß der Ladungsabfall bei Wellenlängen von 600 nm und darunter, und besonders 550 nm und darunter stark verringert ist. Es wird angenommen, daß dieses folgenden Grund hat.

Ein Teil des auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Elements gestrahlten Lichts wird reflektiert, ein anderer Teil des Lichts dringt in das Innere ein. Die Ein-

dringtiefe ist je nach dem jeweiligen Absorptionskoeffi- _/ zienten verschieden. Bei Untersuchungen der Erfinder wurden für a-Si:H die folgenden Ergebnisse erhalten: '

4 —1

Absorptions - . bei 550 nm : 3 - 5 x 10 cm

Koeffizient 4 _Λ

bei 600 nm : 1-1,5x1 07cm""

bei 650 nm : 3,5 - 4,5 x 1O³CnT¹ bei 700 nm : 1,3 - 2,5 x 10" cm""¹

Licht mit einer kürzeren Wellenlänge als 600 nm kann also in der Oberflächenschicht innerhalb 1 pm. absorbiert werden, und die erzeugten Elektron-Loch-Paare können sofort positive Ladungen der Oberfläche löschen. Licht mit einer Wellenlänge von beispielsweise 700 nm kann jedoch tiefer als 10 im eindringen. Daher wird ein Teil der im Inneren erzeugten Ladungsträger von den Einfangzentren festgehalten und im Ladungsvorgang unter Bildung einer Raumladung wieder freigesetzt, wodurch die Ermüdung hervorgerufen wird, sowohl durch Herabsetzung der Ladungsspannung als auch durch Steigerung des Dunkel abf alls. In Folge dessen kann die Ermüdung wesentlich herabgesetzt werden durch Verwendung von kurzwelligem Licht mit einer Wellenlänge unter 600 nm, dessen Absorp-

4 —1
tionskoeffizient über 1 χ 10 cm beträgt.

Der Ermüdungsgrad kann auch von der Bestrahlungslichtmenge abhängen. Wie Fig. 3 zeigt, wird die verbleibende Ladungsmenge mit steigender Wellenlänge der Lichtquelle und steigender Entladungslichtmenge herabgesetzt. Wenn man dagegen Licht mit einer Wellenlänge von 600 nm oder kurzer als Entladungslicht verwendet, ist keine merkliche Ermüdung festzustellen, selbst wenn die Entladungslichtmenge etwa das Fünf— fache der zur Halbentladung führenden Belichtung (E ^, ₂) beträgt, Weiterhin, .wenn das lichtempfindliche Element mit kurzwelligem Licht von beispielsweise der Wellenlänge 500 nm bestrahlt wird, ist keine wesentliche Verringerung der Ladungsmenge erkennbar, selbst wenn die Entladungslichtmenge etwa das Zwan-

zigfache der Halbzerfallsbelichtungslichtmenge beträgt (nicht gezeigt), statt nur das Zehnfache demselben,wie gezeigt. Das bedeutet, daß bei Verwendung von Licht mit einer Wellenlänge unter 600 nm genügende Lichtmengen an (BiId)-Belichtungs-und/oder Entladungslicht eingesetzt werden können, ohne Ermüdung des lichtempfindlichen Elements zu erzeugen.

Unter Verwendung des in Fig. 2 gezeigten Kopiergeräts wurden weitere Untersuchungen der Leistungen bei kontinuierlichen elektrostatischen Kopierverfahren (reihenweise Herstellung von Kopien ohne Unterbrechung)mit folgenden Ergebnissen durchgeführt. Die Fi-lmdicke der lichtempfindlichen Schicht des a-Si:H des lichtempfindlichen Elements 1 betrug 15 um

In fortlaufender Folge,, wurden jeweils 100 Blatt Kopien hergestellt, wobei die Wellenlänge des Entladungslichtes für jeden Durchgang verändert wurde. Die Lichtmenge des Entladungslichtes betrug jeweils das Fünffache von E₁ /₂» und als Belichtungslicht wurde weißes Licht verwendet. Es wurde die Bildqualität der erhaltenen fertigen Kopien bewertet.

Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben. Zum Vergleich zeigt Tabelle 1 auch das Ergebnis bei Verwendung von Entladungslicht mit einer Wellenlänge außerhalb des erfindungsgemäßen Bereichs.

Tabelle 1 - /

Wellenlänge 500 550 600 650 · .Weißes des Entladungs- Licht

lichts (nm)

Bildqualität gut gut brauch- schlecht schlecht

bar

Zur Untersuchung der Auswirkungen der Verwendung von Mischlicht mit langwelligem und kurzwelligem Anteil wurden Kopierversuche mit dem Gerät der Fig. 2 durchgeführt, in dem jeweils kontinuierlich (fortlaufend hintereinander) 100 Blatt Kopien hergestellt wurden. Dabei wurde das Belichtungslicht

mit einer Wellenlänge von 550 nm und als Entladungslicht das Mischlicht verwendet, welches aus Licht mit 550 nm Wellenlänge und längerwelligem Licht von 650 nm bestand, wobei das Mischungsverhältnis so gewählt wurde, daß die Energie des längerwelligen Lichtes 0 bis 40% der gesamten Lichternergie betrug. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 angegeben und lassen erkennen, daß gute Bilder erhalten werden, wenn der Anteil der langwelligen Komponente weniger als 30%, insbesondere weniger als 20% der Gesamtenergie beträgt.

Tabelle 2

Mischungsverhältnis:

Energieanteil des ₀ 10-' 20 30 40 langwelligen Lichts

Bildqualität gut gut gut brauch- schlecht

bar

Die Untersuchungsergebnisse zeigen, daß es nicht notwendig ist, nur das kurzwellige Licht als Belichtungslicht und/oder Entladungslicht zu verwenden, sondern daß es genügt, wenn der Anteil des Lichts mit längerer Wellenlänge in diesem

20- Licht so ist, daß sein Energieanteil un-terhalb /einer bestimmten Grenze liegt, im vorliegenden Fall unter 30%, -vorzugsweise un-' ter 20% der Gesamtenergie des Lichts. Außerdem kann man die Lichtmenge des EntladungsIichts und/oder des Belichtungslichts um so mehr steigern, je kürzer die Wellenlänge des Lichts ist.

Bei Verwendung von Licht mit der Wellenlänge 500 nm zeigt das lichtempfindliche a-Si:H-Element fast keine Ermüdung, selbst wenn die Lichtmenge das Zwanzigfache von E₁ /₂ beträgt.

Unter Berücksichtigung der Eigenschaft, daß die oben beschriebene Lichtermüdung vom Wellenlängenbereich des eingestrahlten Lichts abhängt, kann das erfindungsgemäße Verfahren auch in folgender weiterer Ausführungsform durchgeführt werden.

3237 Ö70"

Fig. 5 zeigt schematisch ein Kopiergerät zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, worin eine besondere Lichtquelle 9 vorgesehen ist, die nur für den Stabilisierungszyklus verwendet wird. Da die Stabilisierungslicht-.. quelle 9 nicht für das normale Kopierverfahren verwendet wird, kann man eine Lichtquelle verwenden, die hauptsächlich längerwelliges Licht (über 600 nm) aussendet, um die Ladungsermüdung zu steigern, oder eine Lichtquelle kombiniert mit Filtern, welche hauptsächlich längerwellige Komponente durchlassen, wodurch die Zahl der Stabilisierungszyklen verringert werden kann. Man kann die Stabilisierungslichtquelle 9 an jeder gewünschten Stelle anordnen, beispielsweise in einem Abschnitt zwischen der Belichtungseinheit oder der Ladungseinheit und der Reinigungseinheit, also nicht nur in der in Fig.

5 gezeigten Stellung.

Es kann auch eine Stabilisierungslichtquelle 9 verwendet werden, welche weißes Licht aussendet. Außerdem ist es ein besonders vorteilhaftes Verfahren, die Stabilisierungszyklen unter Verwendung von Licht von hauptsächlich längerer Wellenlänge, das von der Stabilisierungslichtquelle 9 ausgesandt wird, dagegen das elektrofotografische Verfahren unter Verwendung von hauptsächlich aus Licht kürzerer Wellenlänge als Belichtungslieht und/oder Entladungslicht durchzuführen.

Nach dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfah-. 25 ren kann man Bilder (Kopien) guter Qualität ohne Ermüdung des lichtempfindlichen Elements erhalten,indem man vor dem eigentlichen elektrofotografischen Verfahren zusätzliche Ladungsstabilisierungszyklen durchführt, oder indem man Belichtungslicht und/oder Entladungslicht mit der angegebenen Wellenlänge oder Wellenlängenverteilung verwendet, wodurch die praktische Verwendbarkeit eines lichtempfindlichen Elements auf der Grundlage eines a-Si:H-Systems stark verbessert wird. Das erfindungsgemäße elektrofotografische Verfahren ist verwendbar für Kopiergeräte,berührungsfreie Drucker (z.B. CRT Drucker, Laser-Drucker) und Laser-Facsimile Geräte, nicht nur für die in den Ausführungsformen beschriebenen Kopiergeräte.

Figurenbeschreibung:

Fig. 1 ist die grafische Darstellung der Veränderung des Oberflächenpotentials des lichtempfindlichen a-Si:H-Elements bei Wiederholung des Kopierverfahrens; Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines elektrofotografischen Kopiergerätes zur Durchführung einer Ausfuhrungsform der Erfindung;

Fig. 3 ist eine grafische Darstellung, welche die Abhängigkeit der Ermüdung eines lichtempfindlichen a-Si:H-Elements von der Wellenlänge und Menge des Bestrahlungslichts · zeigt;

Fig. 4 ist eine schematische Darstellung der Vorrichtung zur Messung der Ladungseigenschaften eines lichtempfindlichen a-Si:H-Elements;

5 Fig. 5 ist eine schematische Darstellung eines elek-

tro-fotografischen Kopierers zur Durchführung einer anderen Ausführungsform der Erfindung.

Bezugszeichenaufstellung:
1: lichtempfindliches Element
2: Ladungseinheit

3: (BiId)-Belichtungslicht

4: Entwicklungseinheit

5: Übertragungs-(Transfer)-Einheit

6: Entladungslichtquelle

7: Abstreifmesser /

8: Oberflächenpotential-Meßfühler ^J

S: Stabilisierungslichtquelle

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Claims (9)

DR. HANS ULRICH MAY D 8 MÜNCHEN 22, THIERSCHSTRASSE 27 TELESRAMME: MAYPATENT MÜNCHEN TELEX 52 4487 PATOP TELEFON CO89) 22 SO 31 F-4-P-.9/1 867 München, den 6.Oktober 1982 PF 13466/67/DT Dr.M/sk Fuji Electric Co. Ltd. in Kawasaki/japan und Fuji Electric Corporate Research and Development, Ltd«· in Yokosuka/japan Elektro-fotografisches Verfahren unter Verwendung von Wasserstoffhaltigem amorphen Silicium als lichtempfindliches Element. Patentansprüche

1. Elektro-fotografisches Verfahren unter Verwendung von wasserstoffhaltigem amorphen Silicium als lichtempfindliches Element, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ladungsstabilisierung zu Beginn des Verfahrens vor dem eigentlichen produktiven Betriebszyklus eine Oberfläche des lichtempfindlichen Elements belichtet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß zur Ladungsstabilisierungsbelichtung eine Entladungslichtquelle (6) und/oder eine BeIichtungslichtquelle (3) benutzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-" zeichnet daß zur Ladungsstabilisierungsbelichtung eine Zusatzlichtquelle (9) benutzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß eine Zusatzlichtquelle (9) benutzt wird, welche hauptsächlich Licht mit über 600 nm Wellenlänge aussendet.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß die Ladungsstabilisierungsbelichtung während 1 bis 3 Zyklen- ' durchgeführt wird.

6. Elektro-fotografisches Verfahren -unter Verwendung von wasserstoffhaltigem amorphen Silicium als lichtempfindliches Element, besonders nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß als Belichtungslicht und/oder Entladungslicht solches verwendet wird, das hauptsächlich aus Licht mit kurzer Wellenlänge unter 600 nm besteht.

7« Verfahren nach Anspruch 6 dadurch gekennzeichnet daß das Belichtungslicht und/oder Entladungslicht nur aus Licht mit kurzer Wellenlänge unter 600 nm besteht.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet daß das Beiichtungslicht und/oder Entladungslicht langwelliges Licht enthält, dessen Energieanteil unter 30% der Gesamtlichtenergie liegt.

9. verfahren nach den Ansprüchen 1 und 6, oder 1 und 8, dadurch gekennzeichnet daß die Oberfläche des lichtempfindlichen Elements zur Ladungsstabilisierung zu Beginn des Verfahrens vor dem eigentlichen produktiven Betriebszyklus mit Licht, das hauptsächlich lang-

²^ welliges Licht über 600 nm enthält, belichtet wird.