DE2917143A1 - Lumineszierender verbundsonnenkollektor und -konzentrator - Google Patents
Lumineszierender verbundsonnenkollektor und -konzentratorInfo
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 13
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 6
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 241000894007 species Species 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229920002972 Acrylic fiber Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- BHMLFPOTZYRDKA-IRXDYDNUSA-N (2s)-2-[(s)-(2-iodophenoxy)-phenylmethyl]morpholine Chemical compound IC1=CC=CC=C1O[C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@H]1OCCNC1 BHMLFPOTZYRDKA-IRXDYDNUSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000950638 Symphysodon discus Species 0.000 description 1
- 241000219873 Vicia Species 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- SMDHCQAYESWHAE-UHFFFAOYSA-N benfluralin Chemical compound CCCCN(CC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O SMDHCQAYESWHAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYICGPHECJFCBA-UHFFFAOYSA-N dioxouranium(2+) Chemical compound O=[U+2]=O WYICGPHECJFCBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- HOQADATXFBOEGG-UHFFFAOYSA-N isofenphos Chemical compound CCOP(=S)(NC(C)C)OC1=CC=CC=C1C(=O)OC(C)C HOQADATXFBOEGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S23/00—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors
- F24S23/11—Fluorescent material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft die Art der Belichtung von Halbleitern durch Sonnenlicht zur Umwandlung wenigstens eines Teils desselben in elektrische Energie. Derartige Einrichtungen zur Umwandlung von elektromagnetischer Energie in Elektrizität sind
als photovoItaische Zellen oder Photozellen bekannt, und allgemein übliche Beispiele derartiger Photozellen sind gegeben
durch Silizium- oder Galliumarsenid-Halbleiter mit P-N - Verbindungen« Xm allgemeinen ist auf jeder Seite des Halbleiters eine
elektrische Leitung an die P-N -Verbindung gelegt,
Halbleiter-Photozellen sind sehr kostspielig; infolgedessen ist
es allgemein üblich, das eine gegebene Halbleiter-Photozelle erreichende Sonnenlicht zu sammeln und zu konzentrieren, so daß
keine so äußerst weiten Flächen aus Halbleitermaterial verwendet zu werden brauchen, wie ohne eine derartige Sammelanlage
erforderlich wäre· Die üblichen Sammelanlagen waren bisher optische Systeme, in denen Linsensystome das Licht konzentrierten
und es auf eine gegebene Photozelle fokussierten·
Bin solches Linsensystem war und ist jedoch relativ kostspielig
und ist nicht brauchbar bei »erStreutem Licht an einem wolkigen
Tag· Es ist jedoch kürzlich ein anderer Typ eines Kollektors und Eonzentrators für die auf einer Halbleiter-Photozelle auftreffende Strahlung konzipiert worden« Beispielsweise offenbaren Weber und Lambe in "Applied Optics", Band 15» Seiten
2299-23OO, vom Oktober 1976, ein System, durch welches ein
großflächiges Stück Blattmaterial , wie beispielsweise starrer Kunststoff oder ein mit einem luraine·»zierenden Material dotiertes
9098A5/O895
- ίο - 2Π 17143
Glas der Sonnenstrahlung ausgesetzt wird. Das lumineszierende
Medium hat im Idealfall eine starke Absorption gegenüber Sonnenstrahlen, insbesondere in dem sichtbaren Bereich, vo das Sonnenspektrum seine Spitze hat, und sendet eine elektromagnetische
Strahlung von größerer Weilerilänge, die für die Erregung der
Halbleiter-Photozelle geeignet ist« Ein großer Teil des von der lumineszierenden Spezies emittierten Lichtes wird effektiv in
dem Sammler bei im wesentlichen totaler innerer Reflexion eingefangen, bis das Licht den Bereich erreicht, wo eine Photozelle,
vie beispielsweise eine Silizium-Photozelle, optisch mit einem kleinen Bereich, beispielsweise einer Kante des Sammlers, verbunden ist· Auf diese Weise wird das Licht von der Sonne nicht nur
in eine geeignetere Wellenlänge zur Erregung der Photozelle umgewandelt, sondern wird auch konzentriert, da das von dem großen
Bereich des Sammlers empfangene Licht nur in den kleinen Bereich hinein entweicht, wo die Photozelle optisch mit dem Sammler verbunden ist·
Mit dem zuerst erwähnten Artikel sollte ein weiterer Artikel gelesen werden, und zwar von Levitt und Weber, der in Applied Optics,
Band 16, Nr. 10 vom Oktober 1977, Seiten 2684-2689 erscheint.
Zu den weiteren Veröffentlichungen, die zum Verständnis des allgemeinen Rahmens der vorliegenden Erfindung beitragen, gehören
Goetzberger, Applied Physics, 14, 123-139, 1977» Deutsche Patentanmeldung 2620115, bekanntgemacht am 10. November 1977 (gegenüber der vorliegenden Erfindung jedoch nicht vorveröffentlicht)
und Deutsche Patentanmeldung 2554226. bekanntgemacht aic 8, Juli
909845/0895
■ι.
1977» auf die in dex> vorgenannten Patentanmeldung Bezug genommen
wird, und di· am Rande von gewissem Interesse ist·
Es behandeln außerdem zahlreiche Patente die Umwandlung von
Sonnenenergie in unterschiedliche Wellenlängen durch lumineszierende oder fluoreszierende Schichten und auf eine Photozelle
auftreffendes emittiertes Licht; Beispiele sind US-Patente
3.426.212 und 3,h8k.6o6t welche Jedoch nicht die Idee der Konzentration des Lichtes von einem weiten Bereich und Sammlung
desselben über einen sehr viel kleineren Bereich mittels optischer Verbindung mit einer Halbleiter-Photozelle von relativ
kleinem Bereich beinhalten.
In der neueren Konstruktion nach dem Stand der Technik wie in
der obenerwähnten Veröffentlichung von Weber und Larabe offenbart, in welcher ein sogenannter "lumineszierender Treibhauskollektor1' beschrieben wird, muß da» lumineszierende Medium oder
die Schicht aus praktischen Gründen selbsttragend sein. Die lumineszierende Schicht muß daher offenbar wenigstens einen halben
Millimeter dick sein, wenn sie nur eine Größe von zehn Zentimeter je Seite hat, oder sie muß erheblich dicker sein, wenn sie eine
Größe von beispielsweise Einern Meter je Seite hat.
Sie Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung
einer lumineszierenden Kollektor-Konzentratorvorrichtung für
Sonnenenergie von erhöhter Leistungsfähigkeit.
90984B/0835
» 12 -
konzentratorvorrichtung geschaffen werden, die an einem kleinen
Bruchteil ihrer Oberfläche optisca mit einer Halbleiter-Photozelle
verbunden ist.
Weitere Merkmale, sowie Vorzüge und Gesichtspunkte der Erfindung
gehen aus der vorliegenden Beschreibung, den Zeichnungen und Ansprüchen hervor.
Gemäß der Erfindung vird eine sehr dünne, oder wenigstens eine
relativ sehr dünne lumineszierende Schicht in gutem optischen
Kontakt auf einer strahlungsleitendcn Unterstutzungeschicht
gelagert ("in optischen Kontakt" bedeutet,daß an der Grenzfläche der Unterstützungsschicht unter der lumineszierenden
Schicht eine Mindestreflexion vorhanden ist), vo die Unterstützungsschicht für ihren Bereich dick genug ist, selbsttragend
ra sein« Somit ist die Unters tut zunge schicht im allgemeinen wenigstens einen halben Millimeter dick, üblicherweise dicker, und
weist gegenüber der dünnen lumineszierenden Schicht ein Dickenverhältnis von mehr als 4s1, üblicherweise sehr viel höher, auf.
Es ist allgemein zu bevorzugen, daß der Brechungsindex der lumineszierenden Schicht im wesentlichen der gleiche oder etwas geringer ist als der Brechungsindex der Unterstutzungsschicht, um
die Reflexion an der Grenzfläche auf ein Minimum herabzusetzen, obwohl aus Gründen, die im folgenden noch zu erörtern sind, in
bestimmten Fällen die umgekehrte Situation toleriert werden kann.
Zum besseren Verständnis der fundamentalen Grundsätze der Erfindung
wird nunmehr auf die Figuren von 1 b·» s k Bezug genommen. Figur 1
9 0S ;j', β / η a 9 κ
ORDINAL INSPECTED
2917H3
zeigt eine hypothetische Darstellung der Absorptions- und
Emissionsbänder einer gegebenen lumineszierenden Spezies
Ton einer gegebenen Konzentration in der lumines zierenden ¥irtschicht. Figur 2 zeigt schematisch eine Seitenansicht
•iner einzelnen dicken ScMcIit, welche über ihren gesammten
Bereich eine lumineszierende Spezies enthält· Figur 3 zeigt
eine dünnere Schicht, die über ihren ganzen Bereich die gleiche lumineszierende Spezies bei einer höheren Konzentration
enthält, während Figur k eine Verbundschicht gemäß der Erfindung
zeigt, in welcher die lumineszierende Spezies in der unteren
Schicht dieselbe Konzentration hat wie in Figur 3 und die
obere Schicht die Stützschicht ist·
Die Grundsätze der Erfindung werden deutlicher ersichtlich bei einer Betrachtung dieser Zeichnungen· Zahlreiche lumineszierende Materialien wie fluoreszierende organische Farben
weisen zwischen ihrem Absorptions- und Emissionsband eine gewisse Überlappung auf, wie in Figur 1 gezeigt· Bei der Art
der Kollektor- oder Konzentratorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung würde ein großer Teil der in dem Bereich
der Überlappung emittierten Energie wieder absorbiert werden und verloren gehen, was Fachleuten auf diesem Gebiet verstehen
we^vlen. Diese Wirkung wird schwerwiegender bei zunehmender
Konzentration der Farbe* Erstens würde der Wellenlängenbereich der Überlappung in dem Absorptions- und Emissionsspektrum nach
Figur 1 erheblich größer sein. Ferner würde, da die Farbkonzentration in dem dünneren Film zur Erhaltung derselben Absorption
erhöht wird, ein Verlust durch erneute Absorption aus diesem
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3 und 4 mit 1 ein dickes selbsttragendes lumineszierendes
Material von einer Dicke t bezeichnet, bestehend aus einem festen Wirt, der eine lumineszierende Spezies in einer Konzentration C1 enthält, 2 be^eitshnet ein riel dünneres lumineszierendes Material mit einer Dicke t_, bestehend aus demselben
Virt, welcher die gleiche lumineszierende Spezies in der Konzentration c2 enthält. In Fig· 4 befindet sich das lumineszierende
Material 5» das identisch zu dem Material 2 nach Fig. 3 ist, in
optischer Berührung mit einem dickeren, selbsttragenden Material
4 Ton hoher optischer Qualität, vetches in diesem Fall keine
lumines zierende Spezies enthält, und wird von diesem Material
gestützt. Das Bezugszeichen 6 zeigt in Jeder Figur einen einzelnen Strahl, der in jeder Figur innen über eine Strecke d^
oder d_ bei einem gegebenen Winkel oC total reflektiert wird.
Damit die oberen Platten dieselbe Absorptionsleistung für das einfallende Sonnenlicht haben, mu/3 die Gleichung C1 t.. = c„ t„
erfüllt sein, wo C1 und C2 die Farbkonzentrationen in den Platten
1,2 und 5 sind. Es ist außerdem leicht ersichtlich, daß, da t./t- = di/dp *s*» in der gesamten innen reflektierten Lumineszenz
bei Durchgang durch die Entfernungen I1 I2 und 1 quer über die
Platten der Figuren 2, 3 bzw. 4 der gleiche Verlust durch erneute Absorption auftritt. Aus dem Obigen ist hiermit ersichtlich, daß
die gleiche niedrige Resorption erreicht werden kann aus einer sehr dünnen Schicht des Virtmaterials, dotiert bei hoher Konzentration, welches auf einer dicken klaren Platte gelagert ist,
vas mit der dicken Platte bei niedrigerer Konzentration erreicht werden kann. Natürlich zeigt Fig. 4 die idealisierte Situation,
• ··/* 5
ORIGINAL
in welcher der Brechungsindex von h derselbe ist wie der von 5.
Venn der Index in den beide/i Materialien etwas unterschiedlich
ist, dann tritt selbstverständlich in dem Winkel ein gewisser
Wechsel auf, wenn der Strahl in Fig. k in h oder ggf· 5 eintritt,
und somit weicht die Entfernung 1 in Fig. k etwas von 1 in
Fig. 2 ab, jedoch sind das Prinzip und die Vorteile der Erfindungsstruktur
dennoch zutreffend· Darüber hinaus sollte im Idealfall der Brechungsindex η der dünnen Schicht gleich dem Wert η der dicken
Schicht oder kleiner als dieser sein, jedoch ist auch das umgekehrte
Verhältnis möglich, wenn eine bestimmte Kombination der Unterlagenschicht
und dünnen Schicht mit ihrer rumineszierenden Spezies
hinsichtlich der Mengenleistung der Lichtumwandlung besonders
vorteilhaft ist und daher ein gewisser Lichtverlust aufgrund der nachteiligen Beziehung der Indices in Kauf genommen werden
kann«
Fig« 5 zeigt einen lumineεzierenden Sonnenkollektor gemäß der
Erfindung. Fig. 6 zeigt einen lumineszierenden Sonnenkollektor
mit einer Siliziumhalbleiter-Sonnenfotozelle, die eine Kante desselben bedeckt. An die Siliziumzelle sind elektrische Leitungen
angeschlossen, die jedoch nicht gezeigt sind. Gleiche Teile
tragen in den Figuren 5 und 6 gleiche Bezugszeichen·
In Fig. 5 enthält der Sonnenkollektor 10 eine dicke selbsttragende
Schicht 12 aus einem Material, das in der Lage ist, eine elektromagnetische
Strahlung zu leiten, und eine dünne Schicht 14 aus
Kunststoff, Glas, einem Gel oder anderem geeigneten Wirtmaterial, welches wenigstens eine lumineszierende Spezies enthält, die in
/Io
der Lage ist, das einfallende Sonnenlicht zu absorbieren und
eine elektromagnetische Strcihlun* in einer anderen Wellenlänge,
allgemein von einer längeren Wellenlänge , zu emittieren. Es sind drei Kanten des Kollektors versilbert oder anderweitig
überzogen, um das Licht za reflektieren, während die Kante
nicht überzogen ist. Xm Betrieb vird das von der Sonne auf die eine oder andere Seite des ausgedehnten Bereichs auftreffende
Licht in der Schicht 14 absorbiert und erregt die lumineszierende
Spezies, welche eine Strahlung bei gewünschten Wellenlängen emittiert, wie bereits im vorhergehenden in bezug auf Fig. h
beschrieben.
Bin großer Teil der emittierten Strahlung wird durch den Prozeß
der inneren totalen Reflexion und die Reflexion von den vorspiegelten Kanten vor und zurück reflektiert, bis das konzentrierte Licht das Fenster der Kante 16 erreicht, wo es entweicht
und seiner Verwendung, beispielsweise in Fig. 6, zugeführt wird.
Fig· 6 ist identisch mit Fig. 51 abgesehen davon, daß die Kante
(die in Fig. 5 mit 16 bezeichnet ist) eine Halbleiterfotozelle
18 aufweist, wie beispielsweise eine Siliciumzelle mit einer P-N-Verbindung, die optisch mit ihr gekoppelt ist. Dies kann
durchgeführt werden beispielsweise durch Anordnung eines Antireflexionsüberzugs auf der Vorderseite der Siliciumzelle und
Zwischenschaltung eines Ölfüns mit einem mittleren Brechungsindex (im allgemeinen 1,5) zwischen der Siliciumzelle und der
Kante des lumineszierenden Sonnenkollektors oder Konzentrators·
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2917U3
Während in Verbindung mit der Beschreibung der Figuren 5 und 6
•rläutert wurde, daß drei Kanten einen reflektierenden Überzug
haben, brauchen doch im weitester. Bereich der Erfindung die
Kanten nicht mit einem reflektierenden Überzug überzogen zu werden· Der Konzentrator arbeitet in perfekter Weise ohne einen
derartigen Überzug, natürlich vird das konzentrierte Licht jedoch durch alle unverspiegelten Kanten emittiert. Wie aus dem folgenden
ersichtlich, ist es möglich und in einigen Fällen definitiv in Betracht gezogen, daß die unterstützende Schicht gemäß der
Erfindung nach den Figuren ht 5 und 6 eine lumineszierende
Spezies enthält» jedoch geht aus der Erläuterung des grundsätzlichen Vorteils der erfindungsgemäßen Konstruktion, wie in Verbindung mit den Figuren 1-4 erläutert hervor, daß (i) die dicke
Stützschicht 1 hauptsächlich eine strahlungsleitende Schicht ist, insbesondere für die von der lumineszierenden Spezies in der
dünnen lumineszierenden Schicht emittierte Strahlungsenergie und (2) in ihrer allgemein bevorzugten Ausführungsform gegenüber
der Strahlungsenergie weniger absorbierend ist als die dünne Schicht, jedoch nicht immer. Beispielsweise kann die dicke
Schicht 12 nach den Figuren 5 und 6 eine lumineszierende Spezies
A enthalten, welche die von der lumineszierenden Spezies B in der dünnen Schicht i4 emittierten Wellenlängen absorbiert und
von ihnen erregt wird, wobei die Spezies A dann noch längere Wellenlängen emittiert.
Bei einem Studium der vorliegenden Erfindung treten mehrere Vorteile der erfindungsgemäßen Struktur in Erscheinung. Einige
von ihnen sind wie folgt:
9098£5/0895
.../18
2917U3
· Aus praktischen Gründen war vor Bekanntwerden der vorliegenden Erfindung eine bestimmte Torrn von Acrylharz oder Kunststoff,
wie beispielsweise Polymethylmethacrylat, der einzig wirtschaftlich
verwendbare Wirt für organische lumineszieren.de Materialien· Es war das einzige Material, das wetter- und
UV-lichtbeständig war, die richtigen Übertragungseigenschaften
hatte und mit den üblichen fluoreszierenden Materialien verträglich und zu einem genügend niedrigen Preis erhältlich
war, um unter wirtschaftlichen Gesichtspunkten praktisch verwendbar zu sein·
Zn der vorliegenden Erfindung hat die dünne lumineszierende Schicht vorzugsweise eine Dicke von nicht mehr als 0,25 mm,
ungeachtet dessen, ob sie mehr als eine lumineszierende Spezies enthält oder nicht, und die Schicht 14 kann daher
aus den exotischen (kostspieligen) Materialien ausgewählt werden, um sie den lumineszierenden Materialien am besten
anzupassen. Bs ist somit hinreichend bekannt, daß das Wirtmaterial
die Eigenschaften des lumineszierenden Materials,
beispielsweise einer darin enthaltenen Farbe, synergistisch begünstigt oder verschiebt. Beispielsweise wird die Trennung
der Spitzen der Absorptions- und Emissionsspektren durch die Eigenschaften des Lösungsmittels, beispielsweise die
statische Dielektrizitätskonstante, beeinflußt.
2. Während die dicke oder unterstützende Schicht 12 noch ziemlich
wenig kostspieliges Acrylharz hoher Qualität sein kann, ist es doch ein bedeutender Vorteil, daß die Unterstützungsschicht Glas mit seiner hohen optischen Qualität, seinen
9 0 S 8 4 5 / 0 8 9 *
.../19
2917U3-
äußerst niedrigen Kosten und niedrigen Absorptionscharakteristika
sein kann. Docl· können in dem Kollektor noch, wärmeempfindliche organische lumineszierende Materialien
verwendet werden, aber in der dünnen Schicht, bestehend aus
einem organischen Medium wie einem Kunststoff»
3. Die Möglichkeit der Verwendung von Glas als dicke Stützschicht gestattet ggf· eine Dotierung desselben mit einem
Ion wie dem Uranylion oder Mn , welche in niedrigen Wellenlängen
absorbieren und in den sichtbaren Wellenlängen, die von einer geeigneten Farbe oder einem Chelat wirksam absor-.
biert werden, welches in der grundlegenden Plastikschicht die lumineszierende Spezies darstellt, emittieren. Oder es
kann Ce in das Glas eingearbeitet werden, da es in dem UV-Bereich absorbiert und somit den Kunststoff und das
organische lumineszierende Material in der Kunststoffschicht gegenüber einer Verschlechterung durch UV-Strahlung schützt.
Darüber hinaus ist das Ce lumineszierend und emittiert in dem sichtbaren Spektrum und wird somit in Licht umgewandelt,
welches zur Erregung der organischen lumineszierenden Farbe
oder irgendeiner anderen lumineszierenden Spezies in der dünnen Kunststoffschicht benutzt werden kann.
k. Ein bemerkenswerter Vorteil besteht darin, daß bei Verwendung
von zwei oder mehr lumineszierenden Spezies in der dünnen Kunststoffschicht in der in dem Papier von Swartz et al. in
Optics Letters, Band 1, Nr. 2, August 1977 auf Seite 73-75
.../20
9 0 9 -1U 5 / 0 8 9 R
2917U3
offenbarten Velse diese bei einer ausreichend hohen Konzentration
benutzt werden können, so daß eine strahlungslose (intermolekulare) Übertragung von Energie von der einen
lumineszierenden Spezies zur nächsten entsteht* Eine derartige
strahlungslose Übertragung ist in sehr viel höherem Maße energiewirksam. Siehe Th. Forster, Discus. Faraday Soc.
27, 7 (1959).
Be ist somit in einer besonders vorteilhaften Ausführungsform
der Erfindung die dicke Stützschicht Glas und die dünne Schicht ein Kunststoff, welcher ein lumineszierendes Material
enthält. In einer anderen verwandten Ausführungsform enthält die Glasschicht ein UY absorbierendes lumineszierendes
Material, welches in dem sichtbaren Spektrum emittiert.
Als bei der vorliegenden Erfindung brauchbare lümineszierende Materialien seien beispielsweise fluoreszierende Chelate,
fluoreszierende Farben, anorganische Jone und selbst fein verteilte feste Phosphorarten erwähnt, alle in einem geeigneten
Wirt dispergiert, wie im vorhergehenden beschrieben.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform enthält
die dünne Schicht des Strahlungssammelmediums ein warmhärtendes
Polysiloxan aus einem trifunktionellen Silan, welches die lümineszierende Spezies darin dispergiert enthält.
Derartige Polysiloxanharze können abgeleitet werden beispielsweise
durch Hydrolyse und Kondensation von Silanen
909 J 4 8 / 'J B δ Β
.../21
der Formel:
OR
R1-Si — OR
1 \
OR
vo R ein niederes Alkylradikal mit 1-4 Kohlenstoffatomen,
allgemein Methyl oder Ethyl ist und R1 ein Alkylradikal mit
1-6 Kohlenstoffatomen, ein Alkenylradikal mit 2-6 Kohlenstoffatomen oder ein Arylradikal beispielsweise Phenyl ist«
Gemischte Kondensationsprodukte von Silanen der obigen
Formel bilden ebenfalls geeignete Polysiloxane· Weitere Einzelheiten hinsichtlich dor Polysiloxane sind aus den
US-Patenten 3 395 117, 3 388 114 und 3 389 121 ersichtlich.
Die varmhärtenden Polysiloxane können, obwohl sie relativ
kostspielig sind, als dünner Filaiwirt oder dünne Filmwirte
in der obigen Struktur wirtschaftlich verwendet werden, da nur eine geringe Menge dieser Harze erforderlich ist. Es
gibt für derartige Polysiloxane verschiedene Vorteile.
1· Sie sind verträglich mit den meisten Farben und metallorganischen
Chelaten, sowie fein zerteilten anorganischen festen Phosphorarten·
2. Es ist festgestellt worden, daß sie äußerst gut mit dem
Glas und den meisten Kunststoffen, die als dicker Film
brauchbar sind, leicht verschmelzen, wie beispielsweise
9 0 9 8 4 5/0BPB
•../22
2917U3
tr
Polymethylmethacrylat, und daß sie darüber hinaus mit der Halbleiterfotozelle, beispielsweise einer Siliciurazelle
verschmelzen«
3· Der Wert des Brechungsindex derartiger Harze ist von etwa:
1,45 bis etwa 1,55t was für die optische Verbindung mit
den meisten Gläsern und Acryl-Kunststoffen, die für den
dicken Film benutzt werden,und für die üblichen von der
Silizium-Photozelle getragenen Antireflexionsüberzüge ideal ist. Γ
k. Sie haben ausgezeichnete Wettercharakteristika, d. h. sie
unterliegen keiner Verwitterung, widerstehen chemischen Angriffen aus der Atmosphäre einschließlich Wasser und
der üblichen Luftverunreiniger.
5· Sie sind äußerst abriebfest.
6« Sie sind gegenüber einer Verschlechterung durch ultraviolettes
Sonnenlicht sehr widerstandsfähig·
7. Ein sehr wichtiger Punkt besteht darin, daß sie bei einer
ausreichend niedrigen Temperatur in den War infest zustand
abgebunden werden können, um eine Beschädigung selbst der am höchsten hitzeempfindlichen organischen lumineszierenden
Spezies zu vermeiden, wie beispielsweise der Farben und Chelate.
90S uw^qς ··' /23
Die Bezeichnung warmhärtendes Polysiloxan eines trifunktionellen
Silane schließt natürlich die Polymerisate ein, welche
von den trifunktionellen bAlanen abgeleitet werden, welche
einige difunktioneile oder selbst monofunktionelle Silane
enthalten, solange derartige Polymerisate in genügendem Maße
vernetzt sind, um warmgehärtet zu werden. Sehr geeignete warmhärtende Silikonharze sind in dem US-Patent 3.395.117
beschrieben, dessen Offenbarung durch Bezugnahme in diese Anmeldung aufgenommen wird.
In den folgenden Beispielen wurde die Farbe oder das Chelat gleichmäßig mit einer Lösung von 50 Vol. Prozent eines teilweise
abgebundenen, jedoch weiter abbindefähigen Polysiloxanharzes,
hergestellt gemäß der Beschreibung in Beispiel 1 des US-Patents 3·395·117 (durch Bezugnahme in diese Anmeldung
aufgenommen) in Butylalkohol vermischt. Die Überzüge auf dem Substrat, in jedem Falle Viereckformen von 1/8 Zoll Dicke
und vier Zoll an jeder Seite aus einem klaren Polymethyl-Methacrylat
wurden hergestellt, um eine endgültige abgebundene Sicke des dotierten Polysiloxanfilms von etwa 0,5 mil und mit
einer Konzentration entsprechend der Angabe in den betreffenden Beispielen zu erzielen. Die Lösungen wurden auf eine Fläche
der sauberen Polymethylmethacrylat-Platten aufgebracht und zum Ablaufen stehengelassen. Dieendgültige Abbindung wurde
in einem Trockenofen durchgeführt, der für zwei Tage bei 60
Grad Celsius gehalten wurde.
Tabelle 1 zeigt die drei Testplatten, die verwendete lumineszierende
Spezies und ihre Konzentration in dem dünnen Poly-
siloxanf ilm-überzug. ^O 9 8 4 5 / Π 8 9 S
2917U3
- 2k -
TABELLE 1 | |
Beispiel | Ltunine s zierende Spezies |
1 (Eontrolle) 2 3 |
keine Rhodamin B Coumarin 1 |
Konzentrat io: Gevichtsproz
0,15 0,4
In den obigen Testbeispielen der solaren Konzentrationsmittel
plus Kontrolle wurde eine Silizium-Halbleiterzelle mit einer P-N -Verbindung benutzt« Die Platten wurden auf nur einer Kante
poliert, die anderen Kanten hatten keinen reflektierenden Überzug·
Eine flache Oberfläche der Siliziumzelle wurde optisch mit einem Teil der polierten Kante verbunden. Diese Oberfläche der
Zelle trug den üblichen Antireflektionsoxid-Überzug, und es wurd zwischen der Zelle und der Kante des lumineszierenden Sonnenkonzentrationsmittels
ein Index-Öl von n_ von 1,^57 eingeschaltet.
Die Siliziumzelle bedeckte in jedem Fall nur 8,5 cm der Länge der lumineszierenden solaren Konzentrationsplatte. Es wurde
in jedem Beispiel dieselbe Zelle benutzt, so daß die Resultate vergleichbar sind. Die Zelle wurde über elektrische Leitungen
mit Testinstrumenten verbunden, durch welche der Kurzschlußetrom
gemessen wurde, wobei Sonnenlicht an einem hellen Tag auf die Acryl-Oberfläche des Konzentrators fiel. Die Sonnenzell«
wurden gegenüber den direkten Strahlen der Sonne abgeschirmt. Die Ergebnisse in Milliampere sind in Tabelle 2 gezeigt, zusammen
mit der Helligkeit des Sc;;nenlic°btes gemessen durch eine
90984 57 0895
... /25
TABELLE 2 |
Kurzschlußstrom
ίMilliampere) |
Beleuchtung
(BTü/hr/ft2) |
17,7
51,9 23,1 |
300
250 300 |
|
Beispiel
1
2
3
3
Für Fachleute auf diesem Gebiet liegt auf der Hand, daß verschiedene Abwandlungen der Erfindung in Kenntnis der obigen
Offenbarung und Diskussion vorgenommen oder von ihr abgeleitet werden können, ohne vom Gedanken und Bereich der Offenbarung
oder vom Bereich der Ansprüche abzuweichen·
909845/0895
Claims (1)
- Lumineszierender Verbundsonnenzellenkollektor und -Konzentrator »it einem Strahlungssammelmedium zur Aufnahme einfallender Sonnen· strahlung, welches venigstens eine lumineszierende Spezies enthält, die in der Lage ist, bei Erregung durch einfallende Sonnenstrahlung eine lumineszierende Strahlung zu emittieren, wobei dies Medium im Inneren gegenüber einem Hauptteil der emittierten lumineszierenden Strahlung total reflektierend ist, wahrend ein verhältnismäßig kleiner Oberflachenbereich dea Mediums optisch mit einer photovoltaischen Sonnenzelle gekoppelt ist, die auf die emittierte lumines zierende Strahlung einspricht, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungs-Sammelmedium eine Yerbund-90984 5/0895ZUaELASSKNE VERTRETER HEIM EUROrXlSCHEN PATENTAMT ADMITTED KKPKESENTATIVBS HEl-OIlK TIIE KUROPEAN PATENT OFFICECOPYΊΓ4©it W2917U3struktur mit einer wenigstens eine lumineszierend« Spezies enthaltenden dünnen Schicht ist, welche optisch mit eil er dicken Strahlungs-Leitschicht von wenigstens 0,5 mm Dicke verbunden ist, die (i) gegenüber einem Hauptte:'! der emittierten lvmineszierenden Strahlung im Inneren total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht hat, (3) gegenüber der emittierten lumineszierenden Stzählung weniger absorbierend ist als die genannte dünne Schicht und (4) ein Dickenverhältnis von mehr als 4:1 gegenüber der dünnen lumineszierenden Schicht aufweist«2« Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ebenfalls eine lumineszierende Spezies enthält.3« Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht wenigstens zwei !«mineszierende Spezies enthält, von denen die erste ein Emissions-Spektrum hat, welches das Absorptions-Spektrum der anderen überlappt, und die beiden lumineszierenden Spezies eine ausreichend hohe Konzentration haben, so daß die größte Erregung der anderen Spezies durch die erste Spezies strahlungslos ist·4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ein Glas und die dünne Schicht ein Kunststoff ist, welcher wenigstens eine lumineszierende Spezies enthält.• ' 909845/0 8.9 52917U35· Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Glas eine lumineszierende Spezies enthält, welche ultraviolettes Licht absorbiert und Licht mit einer längeren Wellenlänge emittiert.6« Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungs-Sammelmedium eine Verbundstruktur mit einer wenigstens eine lumineszierende Spezies enthaltenden Schicht ist, welche optisch mit einer dicken Strahlungsleitschicht von wenigstens 0,5 mm Dicke verbunden ist, die (i) gegenüber einem Ήααρ^βϋ der emittierten lumineszierenden Strahlung innen total reflektiv ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht hat, (3) gegenüber der emittierten lumineszierenden Strahlung weniger absorbierend ist als die dünne Schicht und (4) ein Dickenverhältnis von mehr als 4x1 gegenüber der dünnen lumines zierenden Schicht hat·7« Vorrichtung nach Anspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ebenso eine lumineszierende Spezies enthält.8« Vorrichtung nach Anspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht wenigstens zwei lumineszierende Spezies enthält, von denen die erste ein Emissions-Spektrum hat, welches das Absorptions-Spektrum der anderen überlappt, und die beiden lumineszierenden Spezies eine ausreichend hohe Konzentration haben, so daß die Haupterregung der anderen Spezies durch die erste Spezies strahlungslos ist.$000^/0395 BADORIGiNAL ... Λ-4- 2917U39· Vorrichtung nach. Ansprach 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ein Glo>s und die dünne Schicht ein Kunst» stoff mit wenigstens einer lumineszierenden Spezies ist.10· Vorrichtung nach AnsprucL·. 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Glas eine lumines zierende Spezies enthält, velche ultraviolettes Licht absorbiert und Licht mit einer größeren Wellenlänge emittiert·11« Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungssammelmedium eine Verbundstruktur mit einer dünnen, wenigstens eine lumineszierende Spezies enthaltenden Schicht ist, die optisch mit einer dicken strahlungsleitenden Schicht von wenigstens 0,5 ■>■ Dicke verbunden ist, welche (1) gegenüber einem Hauptteil der emittierten lumineszierenden Strahlung im Innern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht bat, und (3) ein Dickenverhältnis von mehr als 4:1 gegenüber der lumineszierenden Schicht aufweist·12. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungssammelmfdium eine Verbundstruktur mit einer dünnen Schicht ist, welche wenigstens eine lumineszierende Spezies enthält und qpfcisch mit einer dicken strah.lun.gsleitenden Schicht von wenigstens 0,5 "1^n Dicke verbunden ist, die (1) gegenüber einem Hauptteil der genannten emittierten lumineszierenden Strahlung im Innern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe90934 5/0895• cdesjenigen der dünnen Schicht aufweist und (3) ein Dickenverhältnis von mehr als 4:1 gegenüber der dünnen lumineszierenden Schicht hat.13· Vorrichtung nach Anspruch. tr dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungssammelmedium eine Verbundstruktur mit einer dünnen Schicht aus einem warmhärtenden Polysiloxan aus einem trifunktionellen Silan mit wenigstens einer darin enthaltenen dispergierten lumineszierenden Spezies ist, und daß diese Schicht optisch mit einer dicken strahlungsleitenden Schicht Ton wenigstens 0,5 mm Dicke verbunden ist, welche (1) gegenüber einem Hauptteil der genannten emittierten lumineszierenden Strahlung im Timern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht hat, (3) gegenüber der emittierten lumineszierenden Strahlung weniger absorbierend ist als die dünne Schicht und (4) ein Dickenverhältnis von mehr als 4:1 gegenüber der dünnen Schicht hat·14. Vorrichtung nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ebenso eine lumineszierende Spezies enthält.15. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht wenigstens zwei lumineszierende Spezies enthält, von denen die erste ein Emissionsspektrum hat, welches das Absorptionsspektrum der anderen überlappt, und die beiden lumineszierenden Spezies eine ausreichend hohe Konzentration haben, so daß die Haupterregung der anderen Spezies durch die erste Spezies strahlungslos ist.■80984 57 089$2917U3O- /16. Vorrichtung nach Ansprach I3, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ein Glas ist.17· Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Glas eine lumineszierende Spezies enthält, welche ultraviolette Licht absorbiert und Licht -ven längerer Wellenlänge emittiert«18. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungs-Sammelmedium eine Verbundstruktur mit einer dünnen Schicht aus einem varmhärtenden Polysiloxan eines trifunktionellen Siloxane mit wenigstens einer darin dispergiert enthaltenen lumineszierenden Spezies ist, welche optisch mit einer dicken strahlungleitenden Schicht von wenigstens 0,5 mm Dicke verbunden ist, welche (i) gegenüber einem Hauptteil der emittierten lumineszierenden Strahlung im Innern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht hat, (3) gegenüber der emittierten lumineszierenden Strahlung weniger absorbierend ist als die dünne Schicht und (4) gegenüber der dünnen Schicht ein Dickenverhältnis von ■ehr als ^t1 hat.19· Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ebenfalls eine lumineszierende Spezies enthält.20· Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht wenigstens zvsr.i lumix*aszierende Spezies enthält, von denen die erste ein Emissionsspektrum hat,S0984R/nR95welches das Absorptionsspektrum der anderen überlappt« wad die zwei lumineszierendem Spezies eine.ausreichend hohe Konzentration aufweisen, so daß die Haupterregung der anderen Spezies durch die erste Spezies strahlungslo· ist.21» Torrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die dicke Schicht ein Glas ist und die dünne Schicht ein Kunststoff mit wenigstens einer lumineszierenden Spezies22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Glas eine lumineszierende Spezies enthält, welche ultraviolettes Licht absorbiert und Licht einer größeren Wellenlänge emittiert.23« Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungs-Sammelmedium eine Verbundstruktur mit einer dünnen Schicht eines warmhärtenden Polysiloxans eines trifunktionellen Silane mit wenigstens einer darin dispergiert enthaltenen lumineszierenden Spezies ist, welche optisch mit einer dicken strnhlungleitenden Schicht von wenigstens 0,5 mm Dicke verbunden ist, die (i) gegenüber einem Hauptteil der emittierten lumineszierenden Strahlung im Innern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Nähe desjenigen der dünnen Schicht hat und (3) ein Dickenverhältnis von mehr als kt1 mit Bezug auf die dünne Schicht aufweist.9GSUUS/0R95 '-β- 2917H324ο Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungs-Samaelmeuium eine Verbundstruktür nit einer dünnen Schicht eines varmhärvünden Polysiloxans eines trifunktionellen Silane ait wenigstens einer dispergiert darin enthaltenen luminesziarcnden Spezies ist, welche optisch mit einer dickeren strahlungsleitenden Schicht von wenigstens 0,5 um Dicke verbunden ist, die (i) gegenüber einem Hauptteil der emittierten lumineszierenden Strahlung im Innern total reflektierend ist, (2) einen Brechungsindex in der Hähe desjenigen der dünnen Schicht hat und (3) ein Dickenrerhältnis von mehr als 4t1 gegenüber der dünnen Schicht hat.9 0 9 B Λ η / 0 B 9 S
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/902,520 US4173495A (en) | 1978-05-03 | 1978-05-03 | Solar collector structures containing thin film polysiloxane, and solar cells |
US06/902,521 US4329535A (en) | 1978-05-03 | 1978-05-03 | Solar cells and collector structures |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2917143A1 true DE2917143A1 (de) | 1979-11-08 |
Family
ID=27129329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792917143 Withdrawn DE2917143A1 (de) | 1978-05-03 | 1979-04-27 | Lumineszierender verbundsonnenkollektor und -konzentrator |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54146647A (de) |
AU (1) | AU509852B2 (de) |
BR (1) | BR7902698A (de) |
DE (1) | DE2917143A1 (de) |
ES (1) | ES480135A1 (de) |
FR (1) | FR2425152A1 (de) |
GB (1) | GB2023633B (de) |
GR (1) | GR72466B (de) |
IL (1) | IL57022A (de) |
IN (1) | IN151418B (de) |
IT (1) | IT1116575B (de) |
MX (1) | MX147853A (de) |
PT (1) | PT69555A (de) |
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JPS61150282A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Shimizu Constr Co Ltd | 太陽光発電装置 |
JPS61136559U (de) * | 1985-02-13 | 1986-08-25 | ||
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- 1979-04-27 DE DE19792917143 patent/DE2917143A1/de not_active Withdrawn
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- 1979-05-02 MX MX177517A patent/MX147853A/es unknown
- 1979-05-03 IT IT48925/79A patent/IT1116575B/it active
- 1979-05-03 IN IN540/CAL/79A patent/IN151418B/en unknown
- 1979-05-03 BR BR7902698A patent/BR7902698A/pt unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
PT69555A (en) | 1979-05-01 |
IL57022A0 (en) | 1979-07-25 |
BR7902698A (pt) | 1979-11-27 |
GR72466B (de) | 1983-11-10 |
IN151418B (de) | 1983-04-16 |
IT7948925A0 (it) | 1979-05-03 |
FR2425152B1 (de) | 1983-05-20 |
MX147853A (es) | 1983-01-24 |
ES480135A1 (es) | 1980-07-16 |
AU509852B2 (en) | 1980-05-29 |
IL57022A (en) | 1983-07-31 |
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GB2023633B (en) | 1982-07-28 |
AU4652679A (en) | 1979-11-08 |
JPS54146647A (en) | 1979-11-16 |
IT1116575B (it) | 1986-02-10 |
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