DE2725174A1 - Silizium-ctd-bildsensoranordnung - Google Patents
Silizium-ctd-bildsensoranordnungInfo
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 53
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 3
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KKAJSJJFBSOMGS-UHFFFAOYSA-N 3,6-diamino-10-methylacridinium chloride Chemical compound [Cl-].C1=C(N)C=C2[N+](C)=C(C=C(N)C=C3)C3=CC2=C1 KKAJSJJFBSOMGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 35
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- -1 2-Benzothiazolyl Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Ο 7 2 5 1 7 A DIpL-Chem. Dr. Brandes
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25. Mai 1977
Unsere Ref.: 125 292/487333 kdk
Eastman Kodak Company, Rochester, Staat New York,
Vereinigte Staaten von Amerika
Vereinigte Staaten von Amerika
Silizium-CTD-Bildsensoranordnung
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Aufträge sind nur nadi sduMfctter
Bestätigung vortsindfidi
272517A
Die Erfindung betrifft eineSiIizium-CTD-Bildsensoranordnung
mit mindestens einer an ihrer bildempfangenden Seite angeordneten
Elektrode aus Polysilizium, die eine Absorption im blauen Bereich des Sichtspektrums besitzt.
Mit dem Aufkommen von Sensoranordnungen vom Ladungs-Ubertragungs-Typ
finden Bildsensoranordnungen der eingangs genannten Art zunehmendes Interesse. Ein Problem, das bei
Verwendung derartiger CTD-Bildsensoranordnungen auftritt,
wenn eine hohe Bildgüte angestrebt wird, ist die geringe Empfindlichkeit für blaues Licht. Die zu geringe Blauempfindlichkeit
ergibt sich dadurch, daß das Bildlicht durch die Elektroden (üblicherweise aus Polysilizium)
der Bildsensoranordnung hindurchtritt, bevor es die Schicht der Sensoranordnung erreicht, in der die für die Bildelemente
kennzeichnenden, elektrischen Ladungen gebildet werden. Polysiliziun
ist zwar für den größten Teil des Lichtspektrums im Sichtbareich durchlässig, schwächt jedoch kurzwelliges
sichtbares Licht in starkem Maße ab. Tatsächlich ist Polysilizium für violettblaues Licht fast undurchlässig.
Aufgrund der unerwünschten Blauabsorption des Polysiliziums wurden beträchtliche Anstrengungen unternommen, um ein als
Elektrodenmaterial für Bildsensoranordnungen besser geeignetes Material aufzufinden. Man ist jedoch bei diesen Forschungsarbeiten
auf beträchtliche Schwierigkeiten gestoßen, und zwar ,aufgrund der hohen Anforderungen, die beispielsweise an die
Durchsichtigkeit, die Kompatibilität mit den Werkstoffen angrenzender Schichten und an die elektrische Leitfähigkeit
zu stellen sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bildsensoranordnung
der in Rede stehenden Art zu schaffen, welche Bildsensoranordnung eine verbesserte Empfindlichkeit im Blau-
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bereich des Sichtspektrums aufweist.
Bei einer Bildsensoranordnung der eingangs genannten Art
ist diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine an der bildempfangenden Seite der Sensoranordnung angeordnete
Schicht vorgesehen ist, die einen Farbstoff aufv/aist, der
Strahlung im blauen Bereich des Sichtbereichs absorbiert und eine größere Wellenlänge aufweisende Strahlung, die nicht
von der Elektrode absorbiert wird, abgibt. Es wird bei der Erfindung also eine "Empfindlichksitssubstitution" durchgeführt,
um die Empfindlichkeit im Bereich kürzerer Wellenlängen (d.h. die Blauempfindlichkeit) der Bildsansoranordnung
zu erhöhen.
Bei Ausführungsbeispielen ist zu diesen Zweck eine dünne, einen lumineszierenden Farbstoff tragende 'Schicht auf eine
CTD-Bildsensoranordnung aufgelegt oder aufbeschichtet (beispielsweise
auf ein CCD-Sensorelement). Die Energie auftreffenden Lichts kürzerer Wellenlängen, beispielsweise
blaues Licht, wird zu Licht größerer Wellenlänge gewandelt, beispielsweise zu gelborangem oder rotorangem Licht. Bei derartiger
Anwendung eines lumineszierenden Farbstoffs wird die höhere Empfindlichkeit,die die Bildsensoranordnung bei größeren
Wellenlängen hat, für die geringere Empfindlichkeit bei kürzeren Wellenlängen substituiert, d.h. für die geringere
Empfindlichkeit, die sich aufgrund der Abschwächung durch das Elektrodenmaterial in oben besprochener Weise ergibt.
Es ist daher ersichtlich, daß man bei der Erfindung nicht so vorgeht, daß man das Elektrodenmaterial (Polysilizium)
durch ein anderes Material ersetzt, sondern daß das bei CTD-Bildsensoranordnungen
auftretende Problem der Blaudämpfung in der Weise überwunden wird, daß eine Umwandlung der Lichtenergie
von Blau zu einem Wallenlängenbereich durchgeführt wird,
bei dem keine starke Abschwächung beim Durchtritt durch die Elektroden aus Polysilizium stattfindet.
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Vorzugsweise wird der Farbstoff so ang wie möglich der bildempfangenden
Fläche der Bildelemente (pixels) der Sensoranordnung benachbart angeordnet. Wie nachfolgend noch eingehender
erläutert werden wird, ist es vorzuziehen, wenn der Farbstoff in einem Abstand von einem viertel bis einem zehntel der
Kleinstabmessung der Bildelemente an der bildempfangenden Seite der Sensoranordnung von dieser angeordnet ist. Wenn der Farbstoff
den Bildelementen derart eng benachbart ist, dann entwickelt sich nur ein geringer "Nebensprecheffekt" aufgrund der Tendenz des
umgewandelten Lichts, sich nach allen Richtungen hin auszubreiten. Unter Nebensprecheffekt wird hier die Erscheinung verstanden,
daß durch Umwandlung in der Nähe eines Bildelements erzeugte Lichtenergie sich nach allen Richtungen hin ausbreitet
und auch benachbarte Bildelemente erreicht, wodurch die den einzelnen Bildelementen zugeordneten Bildinformationen
verfälscht werden.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispial ist eine einen fluoreszierenden Farbstoff tragende Schicht sandwichartig
zwischen einem Filtermosaik und einer Sensoranordnung vom Ladungsübertragungs-Typ (CTD) angeordnet. Beim Aufbau der
Schichtstruktur dieses Ausführungsbeispieles hat es sich als wichtig erwiesen, einen Einschluß von Luft zwischen der Farbstoff
schicht und der Sensoranordnung zu vermeiden. Der verhältnismäßig niedrige Brechungsindex für Luft kann nämlich zu
einem Lichtleitungseffekt (innere Totalreflexion) in der Farbstoff
schicht führen. Diese Lichtleitung setzt den Wirkungsgrad herab, da ein großer Teil des umgewandelten Lichts in
der Farbstoffschicht zurückgehalten wird und eventuell an
Randflächen nutzlos austritt. Es ist wünschenswert, die Brechungsindices miteinander zu koordinieren, um derartige
Lichtleitungsprobleme zu vermeiden, und zwar die Brechungsindices der Chipoberfläche der Sensoranordnung, der Farbstoff
schicht und der Filterschicht.
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Bei einem weiteren wichtigen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Farbstoffschicht der oben besprochenen Art aufliegend
auf einer Ssnsoranordnung angeordnet, die zum Erzeugen von Schwarz-Waiß-Bildern vorgesehen ist. Dabei ergibt sich die
Möglichkeit, die Empfindlichkeitscharakteristik nach Wahl einzustellen.
Durch selektive Einstellung des Farbstoffgehalts pro Flächeneinheit (und damit des Ausmaßes, in dem die Empfindlichkeit
für kurze Wellenlängen erhöht wird) ist es möglich, die Mischempfindlichkeiten der Bildsensoranordnung für die
Farben des sichtbaren Spektrums in beträchtlichem Maße zu regulieren. Dieses selektive Mischen der Empfindlichkeiten
zur Erzielung eines gewünschten Gleichgewichts erfolgt zu einem ähnlichen Zweck wie das Mischen der Empfindlichkeiten
bei verschiedenen Arten panchromatischer, photographischer Schwarz-Weiß-Filme, obwohl es sich bei der Mischung der Empfindlichkeiten
hier um einen anderen Mechanismus handelt (siehe "Introduction to Photographic Principles" von Lewis Larmore,
Dover 1965, S. 46 bis 51; wo die Spektralempfindlichkeiten verschiedener
Schwarz-Weiß-Filme besprochen werden).
Die vorliegende Erfindung wird unter Bezugnahme auf die bevorzugte
Verwendung von Farbstoffen zur Umwandlung der Lichtwellenlängen beschrieben. Es können jedoch auch andere Stoffe,
beispielsweise Europiumkomplexe, verv/endet werden, um die erfindungsgemäße Empfindlichkeitssubstitution zu erreichen.
Unter dem Ausdruck "Farbstoff" soll daher in weitestem Sinne jader gefärbte organische Stoff verstanden werden, der einen
hohen Absorptionskoaffiziehten für eine bestimmte Farbe besitzt.
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Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung im einzelnen erläutert.
Es zeigen:
Fig. IA eine graphische Darstellung der Spaktralerapfindlichkeit
eines Bildsensors;
Fig. IB aine graphische Darstellung von Eigenschaften
eines Farbstoffs für die Verwendung beim erfindungsgemäßen Bildsensor;
Fig. IC eine graphische Darstellung der Empfindlichkeitszunahme
in Abhängigkeit von dar Wellenlänge;
Fig. 2 einen abgabrochen und vergrößert gezeichneten
Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Bildsensors;
Fig. 3 eine schematisiert gezeichnete Darstellung des "Nebensprecheffekts" und des Effekts
der inneren Lichtleitung;
Fig. 4 und5 der Fig. 2 ähnliche Querschnitte abgewandelter
Ausführungsbeispiele und
Fig. 6 eine schematisiert gezeichnete Darstellung zur Erläuterung einer verfeinerten Ausführungsform
des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 5.
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Fig. IA zeigt eine Empfindlichkeitskurva, die für eine Vielzahl
von Silizium-Ladungsübertragungs-Bildsansoren üblich ist. Die gezeigte Kurve wurde an einem Fairchild CCD Nr. 201
gemessen und zeigt einen wesentlichen Empfindlichkeitsabfall bei kürzeren Wellenlängen des Sichtbereichs. Wie oben erwähnt,
wird bei erfindungsgemäßen Bildsensoren eine Farbträgerschicht benutzt, um die für größere Wellenlängen gegebene
höhere Empfindlichkeit für die schlechtere Empfindlichkeit "zu substituieren", wie sie für kürzere Wellenlängen bei Festkörper-Bildsensoren
gegeben ist. Fig. IB zeigt die Eigenschaften eines für diese Substitution geeigneten Farbstoffs.
Durch Wahl eines Farbstoffs oder eines anderen Stoffs, der als Wellenlängenwandler wirkt (nähere diesbezügliche Erläuterung
folgt), wird eine Verschiebung bewirkt, deren Allgemeinauswirkung darin besteht, die Empfindlichkeit des Bildsensors
für kurzwelliges Licht in der in Fig. IC gezeigten VJeise zu erhöhen (es sei bemerkt, daß die angegebenen Beziehungen
lediglich zur Erläuterung des zugrundeliegenden Funktionsprinzips der Erfindung dienen, d.h, daß die speziellen Betriebsbedingungen
von Bildsensor zu Bildsensor und abhängig von den als Wellenlängenwandler dienenden Stoffen jeweils variieren).
Nach der allgemeinen Beschreibung des Mechanismus, mittels dessen die Erfindung die Empfindlichkeit im kurzwelligen Bereich
verbessert, erfolgt nun eine mehr ins Einzelne gehende Beschreibung anhand von Ausführungsbeispielen. Fig. 2 zeigt
ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Farb-Bildsensors,
der eine Farbträgerschicht 10 aufweist, die sandwichartig zwischen einem Filtermosaik 12 und einer CCD-Sensoranordnung
14 eingefügt ist, die Elektroden 15 aus Polysilizium besitzt. Einzelne Filter des Filtermosaiks 12 dienen dazu, um den
Spektralgehalt des auf die einzelnen zugeordneten Bildelemente der Sensoranordnung 14 fallenden Lichts in bekannter
VJeise selektiv zu begrenzen. Durch Hinzunahme der oberhalb der Elektroden 15 an der bildempfangendön Seite des Bildsensors
14 liegenden Farbträgerschicht 10 wird jedoch blaues
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Licht:, das (beispielsweisa im Bereich B durch das blaudurchlässige
Filter) hindurchtritt, in Licht größerer Wellenlänge umgewandelt, das von den verschiedenen Farbpartikeln abgegeben
wird und die Sensoranordnung 14 bestrahlt.
Für die Herstellung einer solchen Farbträgerschicht ist es wichtig, daß ein Farbstoff gewählt wird, der erstens wirksam
ist, d.h. ein großes Verhältnis an lumineszenter Lichtenergie zu absorbierter Lichtenergie erbringt; und dar zweitens
Lumineszenzlicht mit einer Wellenlänge erzeugt, für die die Sensoranordnung 14 wesentlich empfindlicher ist als für blaues
Licht. Beispiele für allgemein geeignete Farbstoffe mit hohem Umwandlungswirkungsgrad sind:
a) 2- (4-Xthoxyphenyl)-4- (4-amyloxyphenyl) -6-phenylpyryliumperchlorat
b) 3-(2-Benzothiazolyl)-7-diäthylaminocounarin
c) Trypaflavin
Es ist zu bemerken, daß ein Farbstoff Verwendung finden kann,
der Licht abgibt, das auf der langwelligen Seite außerhalb des Sichtbereichs liegt, falls nur die Umwandlung mit ausreichendem
Wirkungsgrad im Hinblick auf die substituierte Empfindlichkeit (die Empfindlichkeit bei der längeren Wellenlänge)
erfolgt, um insgesamt eine Verbesserung der effektiven
Blauempfindlichkeit zu erhalten. Zwar sind fluoreszierende
Farbstoffe aufgrund ihrer im allgemeinen kürzeren Abklingzeit: vorzuziehen, es können jedoch auch phosphoreszierende
Farbstoffe in den bei der Erfindung vorgesehenen Schichten angewendet werden. Anstelle von Farbstoffen können auch
andere Stoffe, beispielsweise Europiumkomplexe, verwendet werden.
Bezüglich der Beleuchtung der Sensoranordnung 14 durch Licht
von den Partikeln in der Farbträgerschicht IO ist zu bemerken, daß das umgewandelte Licht nach allen Richtungen strahlt
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und daher auch ein nichtbenachbartes Bildelement beleuchten kann. Dieses Problem ist in Fig. 3 schematisiert dargestellt,
in der Licht (durch Pfeile dargestellt) das von einem Teilchen
20 ausgeht, nicht nur ein benachbartes Element 26, sondern auch nicht-benachbarte Elenente 22 und 24 beleuchtet
Um die Wirkung dieser "Nebensprech-Beleuchtung" zu begrenzen, sollte eine dünne Farbträgerschicht 10 verwendet werden,
deren Stärke vorzugsweise im Bereich von einem zehntel bis einem drittel der Kleinstabmessung eines Bildelements liegt
(in Fig. 3 liegt, wenn es sich angenommenerweise um ein quadratisches Bildelement handelt, das Verhältnis t/x innerhalb
dieses bevorzugten Bereichs). Dieser 3ereich erbringt
einen guten Kompromiß zwischen der Forderung nach Ausschaltung eines "Uebensprecheffekts" einerseits und den mechanischen
Problemen, die mit der Herstellung dünner, gleichförmiger Farbstoffschichten andererseits verbunden sind.
Eine weitere Wirkung, die sich durch die Neigung des Lichts ergibt, sich von einem Farbstoffteilchen nach allen Richtungen
hin auszubreiten, besteht darin, daß ein Teil des umgewandelten Lichts verloren geht (das zugehörige Element nicht
beleuchtet), so daß der Wirkungsgrad des Prozesses verringert wird. Trotz dieses Lichtverlustes wird der erstrebte Erapfindlichkeitszuwachs
erreicht. Außerdem läßt sich bei einer verfeinerten Ausführungsform der Erfindung ein Teil des verlöre.- ·
nen Lichts zurückgewinnen, indem man eine dünne durchsichtige Abstandhalterschicht 28, die einen verhältnismäßig niedrigen
Brechungsindex besitzt, zwischen das Filtermosaik, das in Fig. 3 mit 16 bezeichnet ist, und die Farbträgerschicht 10
einfügt. Licht, das von einem Farbstoffteilchen ausgehend die Grenzfläche zwischen der Farbträgerschicht 10 und der
Abstandhalterschicht 28 unter einem Winkel erreicht, wird nunmehr durch Totalreflexion im Inneren der Abstandhalterschicht
28 wieder auf das zugeordnete Element 26 geworfen. Es sei jedoch bemerkt, daß dieser Vorteil nur auf Kosten der
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Anbringung einer zusätzlichen Schicht und daher einer Vergrößerung des Abstands zv/ischen dem Filtermosaik 16 und
der Sensoranordnung 14 erkauft werden kann.
Eine weitere Betrachtung bezieht sich auf die einzelnen Brechungsindizes
des "Sandwich" und zielt im Rahmen eines anderen Aspekts auf die Lichtleiterv/irkung oder den Effekt der inneren
Totalreflexion ab. Aus Gründen des Wirkungsgrades ist es unerwünscht, daß umgewandeltes Licht an der Grenzfläche
zwischen Färbträgerschicht und Sensoransordnung reflektiert
wird. Das Licht sollte vielmehr durch diese Grenzfläche hindurchtreten
und das zugeordnete Element beeinflussen/ um eine
bildentsprechande elektrische Ladung hervorzurufen. Um die unerwünschte Reflexion auf ein Mindestmaß herabzusetzen,
sollte die Farbträgerschicht 10 einen Brechungsindax besitzen, der gleich oder kleiner ist als der Brechungsindex
der benachbarten Fläche des Sensoralements (üblicherweise Siliziumdioxyd mit einem Brechungsindex von 1,45). Als ein
mögliches Medium für den Farbstoff bietet sich Poly(trifluoräthylmethacrylat)(Brechungsindex
1,44) an. Lichtleitung findet, wie oben erwähnt, wann Luft (Brechungsindex 1,0) sich
zwischen der Fläche des Halbleitermaterials und der Farbträgerschicht befindet, an der Grenzfläche der Farbträgerschicht
mit Luft statt. Da derart reflektiertes Licht wahrscheinlich verloren geht, ist es vorzuziehen, die Farbträgerschicht
so aufzubringen, daß keine Leerstellen oder Lufträume zwischen der Farbträgerschicht und der Kalbleiter-Sensoransordnung
gebildet werden können. Dies kann erreicht werden, indem man die Farbträgerschicht als
flüssige Beschichtung mit einer Viskosität aufträgt, die so gering ist, daß die Bildung von Luffctaschen ausgeschlossen
ist.
Fig. 4 zeigt ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel, bei dem ein fluoreszierender Farbstoff verwendet wird, der in einer
Farbträgerschicht 10' enthalten ist. Zwischen der
^A-
und der Sensoranordnung 14 befindet sich eine Klebstoffschicht
18, die eine Luftabdichtung an der Grenzfläche bildet und außerdem dazu dient, den Brechungsindex der Farbträgerschicht
an denjenigen der Sensoranordnung anzupassen, d.h., der Brechungsindex der Klebstoffschicht muß größer als oder gleich
groß sein wie der Brechungsindex der Farbträgerschicht und der Brechungsindex der Sensoranordnung. Dadurch, daß auf diese Weise jedwede
Lufttaschen zwischen den Schichten vermieden sind, und Werkstoffe mit passenden Brechungsindex verwendet werden,
werden die Auswirkungen innerer Lichtleitungen im wesentlichen ausgeschlossen. Bezüglich des Verhältnisses der Schichtstärke
zur Kleinstabmassung an einem Halbleiter-Bildeleirient gilt
weiterhin, und zwar aus den besprochenen Gründen, das bei der Erläuterung des Beispiels gemäß Fig. 3 Gesagte. Jedoch
sollte dabei die Stärke der Klebstoffschicht als Teil der
Stärke der Farbstoffschicht (Farbträgerschicht) in Rechnung gezogen werden.
Fig. 5 zeigt ein weiteres abgewandeltes Ausführungsbeispiel mit einer Sensoranordnung 14, die mit einer darüberliegend angeordneten
Farbträgerschicht 10 versehen ist (eine Klebstoffschicht 18 ist ebenso vorhanden und aus einem Werkstoff mit
passendem Brechungsindex gebildet wie bei dem Ausführungsbeispial
gemäß Fig. 4). Dieses Ausführungsbeispiel ist für Schwarz-Waiß-Bilder geeignet und ermöglicht eine selektive
Einstellung der relativen Empfindlichkeit für blaues Licht. Diese Einstellung ergibt sich durch die Wahl der Farbstoffdichte in der Färbträgerschicht IO, wodurch das Ausmaß bestimmt
wird, in dem die Blauempfindlichkeit verbessert wird. Diese Steuerung der relativen Blauempfindlichkeit kann durch
Abschwächfilter 3O für Grün und/oder Rot ergänzt werden
(siehe Fig. 6), um eine Einstellung der panchromatischen Gesamtempfindlichkeitswerte der zusammengesetzten Sensoranordnung
zu ermöglichen.
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Die Erfindung wurde vorstehend im einzelnen erläutert. Es versteht
sich jedoch, daß Abwandlungen und Weiterbildungen vorgenommen warden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
Es kann beispielsweise eine Vielzahl verschiedener Farbstoffe dazu verwendet v/erden, um die erfindungsgamäße
Substitution bezüglich der Empfindlichkeit zu bewirken. Es
kann sich um fluoreszierende oder um phosphoreszierende Farbstoffe
handeln. Anstelle von Farbstoffen kommen auch andere Stoffe in Frage, die eine Wellenlängenkonversion bewirken.
Für die Empfindlichkeitssubstitution kommen beispielsweise Europiumkomplexe in Frage. Es können auch noch verschiedene
weitere Schichtwerkstoffe verwendet werden, um die Brechungsindices
der einzelnen lichtdurchlässigen Schichten der erfindungsgemäßen Sansoranordnung aneinander anzupassen.
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Claims (7)
1.) Silizium-CTD-Bildsensoranordnung mit mindestens einer an
-■' ihrer bildempfangenden Seite angeordneten Elektrode aus Polysilizium, die eine Absorption im blauen Bereich des
Sichtspektrums besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß eine an der bildempfangenden Seite der Sensoranordnung (14)
angeordnete Schicht (10, 10') vorgesehen ist, die einen Farbstoff aufweist, der Strahlung im blauen Bereich des
Sichtspektrums absorbiert und eine größere Wellenlänge aufweisende Strahlung, die nicht von der Elektrode (15)
absorbiert wird, abgibt.
2. Sensoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke (t) der den Farbstoff tragenden Schicht
(10, ΙΟ1) ein zehntel bis ein viertel der Kleinstabmessung
(x) der Bildelenente an der bildempfangenden Seite der
Sensoranordnung (14) beträgt.
3. Sensoranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die den Farbstoff tragende Schicht (10, 10') aus 3-(2-Banzothiazoyl)-7-diäthylaminocoumarin in einem Medium
aus Celluloseacetat gebildet ist.
4. Sensoranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die den Farbstoff tragende Schicht (10, 101) aus
Trypaflavin in einem Medium aus Poly(trifluoräthylmethacrylat)
gebildet ist.
5. Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die den Farbstoff tragende Schicht
(10, 101) einen Brechungsindex besitzt, der gleich oder
kleiner ist als der Brechungsindex der bildempfangenden Seite der Sensoranordnung (14) .
709850/1121
ORIGINAL INSPECTED
6. Sensoranordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Klebstoffschicht (18) zwischen der den Farbstoff tragenden
Schicht (10, 10') unddsr Sensoranordnung (14), welche
Klebstoffschicht (18) einen Brechungsindex besitzt, der gleich oder größer ist als der Brechungsindex der den
Farbstoff tragenden Schicht (10, 1O')·
7. Sansoranordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der den Farbstoff tragenden Schicht (10, 10') und einem darüberliegend angeordneten Farbfilter
(12, 16) eine transparente Abstandhalterschicht (28) angeordnet ist, die einen wesentlich niedrigeren Brechungsindex
besitzt als die den Farbstoff tragende Schicht (1O, 10')
709850/1 121
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/693,233 US4051374A (en) | 1976-06-04 | 1976-06-04 | Imaging device having improved blue response |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2725174A1 true DE2725174A1 (de) | 1977-12-15 |
Family
ID=24783859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772725174 Withdrawn DE2725174A1 (de) | 1976-06-04 | 1977-06-03 | Silizium-ctd-bildsensoranordnung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4051374A (de) |
JP (1) | JPS6041321B2 (de) |
DE (1) | DE2725174A1 (de) |
FR (1) | FR2353950A1 (de) |
GB (1) | GB1578574A (de) |
NL (1) | NL7705809A (de) |
Families Citing this family (27)
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- 1976-06-04 US US05/693,233 patent/US4051374A/en not_active Expired - Lifetime
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1977
- 1977-05-26 NL NL7705809A patent/NL7705809A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-06-03 DE DE19772725174 patent/DE2725174A1/de not_active Withdrawn
- 1977-06-03 FR FR7716993A patent/FR2353950A1/fr active Granted
- 1977-06-04 JP JP52066218A patent/JPS6041321B2/ja not_active Expired
- 1977-06-08 GB GB23992/77A patent/GB1578574A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52150046A (en) | 1977-12-13 |
FR2353950B1 (de) | 1979-03-09 |
FR2353950A1 (fr) | 1977-12-30 |
GB1578574A (en) | 1980-11-05 |
JPS6041321B2 (ja) | 1985-09-17 |
US4051374A (en) | 1977-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BRANDES, J., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8 |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |