DE3217227C2 - Farbfeststellungsvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Eine Farbfeststellungsvorrichtung umfaßt vier auf einem Halbleitersubstrat (1) ausgebildete photoelektrische Wandler, auf der Lichtempfängerfläche eines jeden Wandlers ein Interferenzfilter (31 bis 34), auf jedem Interferenzfilter ein Farbfilter (41 bis 44) zur Auswahl eines bestimmten Durchlaßbereiches, und drei Elektroden (21, 23, 24) zur Lieferung von elektrischen Signalen von den Wandlern gesondert, wobei eine der Elektroden für zwei der Wandler gemeinsam vorgesehen ist. Die Größen der Lichtempfängerflächen der einzelnen Wandler sind so festgelegt, daß die Wandler eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung zeigen, die der Spektralwertfunktion des CIE-(Commission Internationale de LΔEclairage-)XYZ-Kolorimetriesystems angepaßt ist.
Description
werden.
Fig. 8 eine geschnittene Teilansicht in vergrößertem Maßstab einer abgewandelten Ausführungsform, bei
der ein Interferenzfilter als Auswahleinrichtung verwendet wird,
Fig. 9 eine Draufsicht einer weiteren Ausführungsform, nach welcher jeder photoelektrische Wandler
mehrere Photodioden in verteilter Anordnung umfaßt,
Fig. 10 ein elektrisches Schaltbild, das die Verschaltung
der Photodioden dieser Ausführungsform zeigt.
Flg. 11 einer Draufsicht eine weiteren Ausführungsform, die photoelektrische Wandler zur Messung der
Intensität des einfallenden Lichts enthält und
Fig. 12 eine Darstellung der elektrischen Schaltung dieser Ausführungsform.
Fig. 1 zeigt die Normspektralwertkurven des farbmeßtechnischen
Normalbeobachters. Der Wert χ der Normspektralwerte weist bei den Wellenlängen 600 nm
und 440 nm ein Maximum auf, y und 2 haben Maxima bei 555 nm bzw. 445 nm. Die Erfindung schafft eine
Farbfeststellungsvorrichtung, die eine spektrale Empfindlichkeitscharakteristik
hat, die mit den Normspektralwerten in Form dieser Kurven identisch ist
Die Fig. 2 und 3 zeigen den Aufbau der Vorrichtung. Auf einem n-Siliziumsubstrat 1 ist eine thermisch aufgewachsene
Dünnschicht 2 aus Siliziumdioxid ausgebildet, wobei vier Abschnitte der Schicht 2 zur Ausbildung von
Fenstern durch Ätzen entfernt sind. Das Substrat 1 ist zur Ausbildung von p-Bereichen 3 mit einem p-Fremdstoff,
beispielsweise Bor, durch thermische Diffusion durch die Fenster hindurch dotiert Auf diese Weise
werden vier pn-Photodioden 11,12,13 und 14 auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet Das Flächenverhältnis
der Lichtempfängerflächen der Photodioden 11 bis 14 beträgt ungefähr 1,0 :0,8 :13 :2,5. Drei Bondflecken 21,
23 und 24, die als positive Elektroden dienen, sind auf der Oberseite des Siliziumsubstrats 1 ausgebildet während
die gemeinsame negative Elektrode 4 über die gesamte Rückseite des Substrats 1 hinweg vorgesehen ist.
Diese Elektroden sind aus Aluminium oder Gold durch Aufdampfen im Vakuum oder Elektrodenzerstäubung
(Sputtern) ausgebildet. Die Elektrode 21, die gemeinsam für die Photodioden 11 und 12 vorgesehen ist, steht mit
deren p-Bereichen 3 in ohmschen Kontakt. Die Elektrode
23 ist mit dem p-Bereich der Photodiode 13, die Elektrode
24 mit dem p-Bereich der Photodiode 14 verbunden.
Interferenzfilter 31,32,33 und 34 sind über den Lichtempfängerflächen
der Photodioden 11, 12, 13 bzw. 14 vorgesehen. Jedes der Interferenzfilter umfaßt eine
transparente dielektrische Schicht 35 und lichtdurchlässige Metallfilme 36 und 37, die die Schicht 35 zwischen
sich nehmend oberhalb und unterhalb derselben liegen. Beispiele für brauchbare dielektrische Materialien sind
Magnesiumfluorid (MgF2), Zinksulfid (ZnS) usw. Für die Metallfilme wird Silber oder Aluminium verwendet. Die
Schichten und Filme werden durch Aufdampfen in Vakuum ausgebildet. Die Interferenzfilter 31 bis 34 unterscheiden
sich in der Dicke der dielektrischen Schicht 35. Die Dicke wird durch eine lift-off-Technik oder dergleichen
gesteuert. Scharf begrenzende Hochpaß-Farbfilter 41 bis 44 sind ferner über den Interferenzfiltern 31 bis 34
ausgebildet. Die Filter 41 bis 44 unterscheiden sich in der Grenzwellenlänge. Die Farbfilter können beispielsweise
durch Rasterdruckung eines mit einem organischen Pigment gefärbten Gelatinefilms, durch Belichtung
eines lichtempfindlichen Films mit Licht der gewünschten Farbe oder durch eine Übertragungstechnik
hergestellt sein.
Das Interferenzfilter hat mehrere Durchlaßbereiche. Die wichtigen Merkmale eines Durchlaßbereichs sind
Mittelwellenlänge (Scheitelwellenlänge) An, Halbwertsbreite
Wund Scheiteldurchlaßgrad r, die näherungsweise durch die folgenden Gleichungen gegeben sind
Amm = 21 ■ cos ι
W =
l-R
XmVR
V \-r)
wobei m die Ordnung des Durchlaßbereiches, gegeben
durch eine positive ganze Zahl, t die den Effekt der Phasenänderung bei der inneren Reflexion beinhaltende
optische Dicke der dielektrischen Schicht, φ der Winkel
zwischen dem eine wiederholte innere Reflexion innerhalb der dielektrischen Schicht durchmachenden Licht
und einer Normalen auf die Oberfläche der dielektrischen Schicht R das Reflexionsvermögen des Metallfilms
und A der Bruchteil des durch den Metallfilm absorbierten Lichts ist Gleichung (1) zeigt daß die Scheitelwellenlänge
An, von der Dicke der dielektrischen
Schicht 35 abhängt. Die Halbwertsbreite W hängt von der Scheitelwellenlänge An, und dem Reflexionsvermögen
R der Metallfilme 36 und 37 ab; je größer das Reflexionsvermögen, desto kleiner ist die Halb wertsbreite.
Das Reflexionsvermögen des Metallfilms hängt von seiner Dicke ab.
Fig. 4 zeigt, wie einer der Durchlaßbereiche des Interferenzfilters durch das Farbfilter ausgewählt wird. Kurve A, die den spektralen Durchlaßgrad des Interferenzfilters 31 wiedergibt hat ein Maximum bei einer Wellenlänge von 600 nm (im Durchlaßbereich mit m = 1) und ist stetig mit einem weiteren Maximum bei kürzeren Wellenlängen. Kurve B zeigt den spektralen Durchlaßgrad des Farbfilters 41. Das Filter 41 hat die Eigenschaft nur Licht von Wellenlängen im primären (m = 1) Durchlaßbereich des Interferenzfilters 31 und längere Wellenlängen durchzulassen, aber Licht kürzerer Wellenlängen abzublocken. Bei C ist die spektrale Durchiaßgradkurve angegeben, die durch die Kombination aus dem Interferenzfilter 31 und dem Farbfilter 41 geliefert wird. Es ist ersichtlich, daß der gewünschte aus der Anzahl der Durchlaßbereiche des Interferenzfilters
Fig. 4 zeigt, wie einer der Durchlaßbereiche des Interferenzfilters durch das Farbfilter ausgewählt wird. Kurve A, die den spektralen Durchlaßgrad des Interferenzfilters 31 wiedergibt hat ein Maximum bei einer Wellenlänge von 600 nm (im Durchlaßbereich mit m = 1) und ist stetig mit einem weiteren Maximum bei kürzeren Wellenlängen. Kurve B zeigt den spektralen Durchlaßgrad des Farbfilters 41. Das Filter 41 hat die Eigenschaft nur Licht von Wellenlängen im primären (m = 1) Durchlaßbereich des Interferenzfilters 31 und längere Wellenlängen durchzulassen, aber Licht kürzerer Wellenlängen abzublocken. Bei C ist die spektrale Durchiaßgradkurve angegeben, die durch die Kombination aus dem Interferenzfilter 31 und dem Farbfilter 41 geliefert wird. Es ist ersichtlich, daß der gewünschte aus der Anzahl der Durchlaßbereiche des Interferenzfilters
so 31 durch das Farbfilter 41 ausgewählt wird. Ähnlich wählen die Farbfilter 42 bis 44 jeweils genau den gewünschten
Durchlaßbereich der Interferenzfilter 32 bis 34 aus.
Fig. 5 zeigt die Kurven D1 bis D 4 relativen spektralen Durchlaßgrades der so für die Interferenzfilter 31 bis 34 ausgewählten Durchlaßbereiche. Der Einfachheit halber ist dabei angenommen, daß die Scheiteldurchlaßgrade aller Durchlaßbereiche gleich sind. Die Scheitelwellenlängen und Halbwertsbreiten dieser Durchlaßbereiche sind durch die Gleichungen (1) und (2) gegeben. Durch geeignete Einstellung der Dicken der dielektrischen Schichten und der Dicken der Metallfilme für die Interferenzfilter 31 bis 34 werden die Scheitelwellenlängen und die Halbwertsbreiten der Durchlaßkurven D1 bis D 4 folgendermaßen bestimmt.
Fig. 5 zeigt die Kurven D1 bis D 4 relativen spektralen Durchlaßgrades der so für die Interferenzfilter 31 bis 34 ausgewählten Durchlaßbereiche. Der Einfachheit halber ist dabei angenommen, daß die Scheiteldurchlaßgrade aller Durchlaßbereiche gleich sind. Die Scheitelwellenlängen und Halbwertsbreiten dieser Durchlaßbereiche sind durch die Gleichungen (1) und (2) gegeben. Durch geeignete Einstellung der Dicken der dielektrischen Schichten und der Dicken der Metallfilme für die Interferenzfilter 31 bis 34 werden die Scheitelwellenlängen und die Halbwertsbreiten der Durchlaßkurven D1 bis D 4 folgendermaßen bestimmt.
Durchlaßbereich Scheitelwellenlänge (nm)
Halbwertsbreite
(nm)
(nm)
Dl
Dl
D3
DA
Dl
D3
DA
600
440
555
445
440
555
445
80
50
100
55
Im Vakuum aufgedampfte Aluminiumfilme haften besser am Substrat und unterliegen geringeren zeitlichen
Änderungen des Reflexionsgrades als Silberfilm. Der Reflexionsgrad von Aluminiumfilmen nimmt bei
kürzeren Wellenlängen zu. Die Haibwertsbreite des Durchlaßbereiches des Interferenzfilters nimmt mit einer
Zunahme des Reflexionsgrades des Metallfilms ab. Wie in obiger Tabelle aufgeführt, sind die Durchlaßbereiche
D 2 und D 4 bei kürzeren Wellenlängen hinsichtlich ihrer Halbwertsbreite kleiner als die Durchlaßbereiche
D1 und D 3 an längeren Wellenlängen. Diese Tendenz ist nahezu in Übereinstimmung mit der spektralen
Charakteristik des Reflexionsgrades von Aluminiumfilmen. Es ist daher vorteilhafter, Aluminiumfilme und
nicht Silberfilme zu verwenden.
Da sich, wie oben ausgeführt, die Photodioden 11 bis
14 hinsichtlich der Größe ihrer Lichtempfängerflächen unterscheiden, unterscheidet sich auch die durch die
Photodioden 11 bis 14 nachgewiesene Menge einfallenden
Lichts von Diode zu Diode. Fig. 6 zeigt die Durchlaßgrade Dl bis DA der Fig. 5 multipliziert mit den
Lichtempfängerflächen der Photodioden 11 bis 14, d. h. Kurven EX bis EA relativer spektraler Empfindlichkeit.
Dabei ist angenommen, daß die Empfindlichkeiten der Photodioden auf der Wellenlängenachse konstant sind.
Die spektralen Empfindlichkeiten von Photodioden sind jedoch im allgemeinen nicht konstant Wie durch
die Kurve G in Fig. 7 dargestellt, nimmt die Empfindlichkeit mit abnehmender Wellenlänge ab. Fig. 7 zeigt
Kurven Fl bis FA, weiche die Kurven E\ bis EA jeweils
multipliziert mit der spektralen Empfindlichkeit G der Photodiode darstellen. Die so gewonnenen spektralen
Empfindlichkeiten Fl bis F4 sind wahre kombinierte spektrale Empfindlichkeiten proportional zu der in
Fig. 1 gezeigten Normspektralwertkurve.
Es ist einsichtig, daß die Scheitelempfindlichkeiten der spektralen Empfindlichkeiten Fl bis F4 durch die
Größen der Lichtempfängerflächen der Photodioden 11 bis 14 bestimmt werden. In der vorstehenden Beschreibung
wurden die Scheitelwerte der durch die Interferenzfilter und die Farbfilter in Kombination gelieferten
Durchlaßgrade Dl bis D 4 (Fig. 5) allesamt als gleich
angenommen. Gleichung 3 gibt jedoch an, daß der Scheiteldurchlaßgrad eines Interferenzfilters von dem
Reflexionsgrad und dem durch den Metallfilm absorbierten Bruchteil des Lichts abhängt Um die gewünschten
Halbwertsbreitenwerte zu gewinnen, unterscheiden sich die Interenzfilter 31 bis 34 hinsichtlich des Reflexionsgrades
der Metallfilme 36 und 37 und damit hinsichtlich ihres Scheiteldurchlaßgrades voneinander. Es
ist sinnvoll, die Größen der Lichtempfängerflächen der Photodioden 31 bis 34 auch unter Berücksichtigung der
Unterschiede im Scheiteldurchlaßgrad festzulegen. Wenn Licht auf einen Gegenstand zur Feststellung seiner
Farbe eingestrahlt wird, werden die Größen der Lichtempfängerflächen der Photodioden 31 bis 34 auch
unter Berücksichtigung der spektralen Intensität der Lichtquelle festgelegt.
Das Ausgangssignal der Photodiode ist durch die
Leerlaufspannung, die man erhält, wenn der Anoden-Kathodenkreis geöffnet ist, oder durch den Kurzschlußstrom,
den man erhält, wenn der Kreis kurzgeschlossen ist, gegeben. Der Kurzschlußstrom ist der einfallenden
Lichtmenge proportional. Es sei nun angenommen, daß die Summe der Kurzschlußströme der Photodioden 31
und 32 aus der Elektrode 21 Ix ist und die Kurzschlußströme der Photodioden 33 und 34 aus den Elektroden
23 und 24 Iy bzw. Iz sind. Die Farbartkoordinaten χ und
y sind durch die folgenden Gleichungen gegeben.
χ —■
Ix
y =
Ix + Iy + Iz
Ix+Iy+ Iz
Diese Koordinaten χ und y repräsentieren die von der
Helligkeit verschiedene Farbeigenschaft. Die die Helligkeit betreffenden Daten erhält man aus einem der oder
der Summe der Kurzschlußströme Ix, Iy und Iz, oder aus dem Ausgangssignal eines weiteren gesondert vorgesehenen
photoelektrischen Wandlers. Die Schaltung zur
Berechnung der Farbartkoordinaten und die Schaltung zur Lieferung eines auf dem Berechnungsergebnis beruhenden
Farbfeststellungsausgangssignals können integriert auf dem Halbleitersubstrat 1 vorgesehen sein.
Fig. 8 zeigt eine Abwandlung der Einrichtung zur
Fig. 8 zeigt eine Abwandlung der Einrichtung zur
Auswahl des gewünschten Durchlaßbereiches des Interferenzfilters. Ein weiteres Interferenzfilter 47 ist durch
Vakuumaufdampfung über dem Interferenzfilter 31 vorgesehen. Das Interferenzfilter 47 umfaßt eine dielektrische
Schicht 45 und Metallfilme 46 und 36, welche die Schicht 45 von oben und unten zwischen sich nehmen.
Einer der Durchlaßbereiche des Interferenzfilters 47 stimmt mit dem Durchlaßbereich des Filters 31, der eine
Scheitelwellenlänge bei 600 nm hat, überein (die Durchlaßbereichordnungen
sind dabei allerdings verschieden).
Die Fig. 9 und Flg. 10 zeigen eine weitere Ausführungsform,
welche eine große Anzahl von kleinen pn-Photodioden, die regelmäßig in vertikalen und horizontalen
Reihen angeordnet sind, umfaßt Die einen photoelektrischen Wandler 31' bildenden Photodioden 31 e
und die einen photoelektrischen Wandler 32' bildenden Photodioden 32e sind verteilt auf einem Substrat 1 angeordnet
und durch ein auf dem Substrat 1 ausgebildetes elektrisch leitendes Muster parallel mit einer Elektrode
21 verbunden. Der Scheitelwert der spektralen Empfindlichkeit Fl wird durch die Summe der Größen
der Lichtempfängerflächen der Photodiode 31 e bestimmt,
und ebenso der Scheitelwert der spektralen Empfindlichkeit F2 durch die entsprechende Summe
der Photodioden 32e. Ähnlich umfassen photoelektrisehe Wandler 33' und 34' in verteilter Anordnung vorgesehene
Photodioden 33e bzw. 34e. Wenn sich auf diese Weise jeder photoelektrische Wandler aus kleinen
Photodioden in verteilter Anordnung zusammensetzt, läßt sich ein Meßfehler, der sich ergeben würde, wenn
die Intensität des einfallenden Lichts von Ort zu Ort schwankt, minimalisieren.
Die Fig. 11 und 12 zeigen wiederum eine weitere Ausführungsform,
welche Photodioden 11 und 12,13 und 14
auf einem Substrat 1 und in der Nähe der Photodioden 11 und 12, 13 und 14 auf dem Substrat 1 angeordnete
Photodioden 51,53 bzw. 54 zur Messung der Intensität
des einfallenden Lichts umfaßt Die Dioden 51, 53 und 54 sind mit Elektroden 61, 63 bzw. 64 verbunden und
weder mit einem Interferenz- noch einem Farbfilter versehen.
Die Ausgangssignale der Photodioden werden über Verstärker 25 bzw. 65 auf eine Kompensationsschaltung
26 gegeben. Auf der Grundlage der Ausgangssignale der Photodioden 51, 53 und 54 ermittelt
die Kompensationsschaltung 26, ob die Intensität des einfallenden Lichts an verschiedenen Stellen unterschiedlich
ist, und ebenso ermittelt sie darüber hinaus den Grad der ggf. vorhandenen Ungleichmäßigkeit. Auf
der Grundlage des Ergebnisses korrigiert die Schaltung 26 die Ausgangssignale der Photodioden 11 und 12,13
und 14.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
20
30
35
40
45
50
55
60
65
Claims (5)
1. Farbfeststellungsvorrichtung mit mehreren pho- Beschreibung
toelektrischen Wandlern, vor welchen jeweils ein
toelektrischen Wandlern, vor welchen jeweils ein
Filter angeordnet ist, und wobei eine erste dieser 5 Die Erfindung betrifft eine Farbfeststellungsvorrich-
Wandler-Filterkombinationen eine spektrale Emp- tung gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
findlichkeit, die der z-Normspektralwertkurve ent- Bei einer bekannten Vorrichtung dieser Art (US-PS
spricht, eine zweite dieser Wandler-Filterkombina- 33 89 265) sind die Wandler als getrennte Bauteile auf-
tionen eine spektrale Empfindlichkeit, die der y- gebaute Photozellen, vor denen wiederum als getrennte
Normspektralwertkurve entspricht, und eine dritte 10 Bauteile ausgebildete Filter angeordnet sind. Es wird
dieser Wandler-Filterkombinationen eine spektrale dabei weiter nicht im einzelnen ausgeführt, wie die
Empfindlichkeit, die dem das langwellige Maximum Wandler und Filter beschaffen sein müssen, damit sich
enthaltenden Teil der x-Normspektraiwertkurve die den Normspektralwertkurven entsprechenden
entspricht, aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß spektralen Empfindlichkeiten der Wandler-Filterkombi-
die photoelektrischen Wandler (14,13,11) und FiI- 15 nation ergeben.
ter (34, 44; 33, 43; 31, 41) monolithisch auf einem Die gleiche allgemeine Aussage, daß Wandler und
Halbleitersubstrat (1) ausgebildet sind, wobei die Filter so kombiniert worden, daß sich eine den Norm-Filter
hinsichtlich ihres Durchlaßgrades eine Schei- spektralwertkurven entsprechende Empfindlichkeitstelwellenlänge
und Halbwertsbreite haben, die de- verteilung ergibt, findet sich auch in der DE-OS
nen der z- bzw. y-Normspektralwertkurve bzw. des 20 24 24 545. Darüber hinaus ist aus ihr bei einer gattungsgenannten
Teils der j?-Normspektralwertkurve ent- fremden Farbmeßvorrichtung bekannt, über untersprechen,
und wobei die Lichtempfängerflächen schiedliche Querschnitte von Lichtleitfasern, mit denen
der zugehörigen Wandler auf dem Halbleitersub- das Licht an verschiedene Wandler-Filterkombinatiostrat
unterschiedlich sind, derart, daß die Lichtemp- nen herangeführt wird, einen Weißabgleich durchzufühfängerflächen
unter Berücksichtigung der spektra- 25 ren.
len Empfindlichkeiten der Wandler und der Schei- Aus der US-Patentschrift 39 85 449 ist es bekannt,
teldurchlaßgrade der Filter die Scheitelempfind- photoelektrische Wandler in Form von Photoelementen
lichkeiten der Wandler-Filterkombinationen so in einem Halbleitersubstrat zu integrieren. Filter fehlen;
festlegen, daß sich damit spektrale Empfindlichkei- die Farbanteile im Licht werden über Messungen bei
ten der Wandler-Filterkombinationen ergeben, die 30 unterschiedlichen Spannungen zwischen den Elektroder
z- bzw. der y-Normspektralwertkurve bzw. den der Photoelemente bestimmt,
dem genannten Teil der x-Normspektralwertkurve Aus der US-Patentschrift 39 29 398 ist es bekannt, entsprechen. photoelektrische Wandler in Verbindung mit diesen
dem genannten Teil der x-Normspektralwertkurve Aus der US-Patentschrift 39 29 398 ist es bekannt, entsprechen. photoelektrische Wandler in Verbindung mit diesen
2. Farbfeststellungsvorrichtung nach Anspruch 1, vorgeschalteten Interferenz- und Ordnungsfütern zu
dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtempfänger- 35 verwenden.
fläche eines jeden photoelektrischen Wandlers (14, Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer kom-13,
11) aus über das Halbleitersubstrat verteilt an- pakten und mit hoher Genauigkeit arbeitenden Farbgeordneten
Einzelflächen aufgebaut ist. feststellungsvorrichtung.
3. Farbfeststellungsvorrichtung nach Anspruch 1, Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
dadurch gekennzeichnet, daß jeweils benachbart zu 40 eine Farbfeststellungsvorrichtung wie sie in Anspruch 1
den mit den Filtern (34,44; 33,43; 31,41) versehe- gekennzeichnet ist.
nen photoelektrischen Wandlern (14, 13, 11) ein Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Geweiterer
photoelektrischer Wandler (54,53,51) zur gegenstand der Unteransprüche.
Messung der Intensität des einfallenden Lichts vor- Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfingesehen ist. 45 dung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung be-
Messung der Intensität des einfallenden Lichts vor- Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfingesehen ist. 45 dung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung be-
4. Farbfeststellungsvorrichtung nach einem der schrieben. Auf dieser ist
vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, Fig. 1 eine graphische Darstellung der Normspcklral-
daß jedes Filter durch ein Interferenzfilter (34, 33, wertkurven des farbmeßtechnischen Normalbeobach-
31) und eine Auswahleinrichtung (44,43, 41) gebil- ters,
det ist, welche einen der Durchlaßbereiche des In- 50 Fig. 2 eine Draufsicht einer Ausführungsform der Erterferenzfilters
als einzigen Durchlaßbereich aus- findung, wobei Interferenzfilter und Farbfilter weggewählt,
lassen sind,
5. Farbfeststellungsvorrichtung nach einem der Fig. 3 eine Schnittdarstellung dieser Ausführungsvorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, form,
daß eine vierte Wandler-Filterkombination vorge- 55 Fig. 4 eine graphische Darstellung, die veranschausehen
ist, bei welcher das Filter (32,42) hinsichtlich licht, wie der gewünschte der Durchlaßbereiche eines
seines Durchlaßgrades eine Scheitelwellenlänge Interferenzfilters durch ein Farbfilter ausgewählt wird,
und Halbwertsbreite hat, die denen des das kurz- Fig. 5 eine graphische Darstellung, welche die ausgewellige
Maximum enthaltenden Teils der x-Norm- wählten Durchlaßbereiche von Interferenzfiltern zeigt,
spektralwertkurve entsprechen, und die Lichtemp- 60 Fig. 6 eine graphische Darstellung, welche die Kuriäiigcmäc-he
des Wäiidierä (12) unter Serücksichti- von der spektraler. Empfindlichkeiten zeigt, die sich jegung
der spektralen Empfindlichkeit desselben und weils aus der Kombination einer Photodiode, eines Indes
Scheiteldurchlaßgrades des Filters so festgelegt terferenzfilters und eines Farbfilters ergeben, wobei anist,
daß sich eine spektrale Empfindlichkeit dieser genommen ist, daß die spektralen Empfindlichkeiten der
Wandler-Filterkombination ergibt, die dem ge- 65 Photodioden selbst konstant sind,
nannten Teil der ^-Spektralwertkurve entspricht, Fig. 7 eine graphische Darstellung, die veranschauwobei die dritte und die vierte Wandler-Filterkom- licht, wie kombinierte spektrale Empfindlichkeiten in bination über eine gemeinsame Elektrode parallel Anpassung an die Normspektralwertkurven gewonnen
nannten Teil der ^-Spektralwertkurve entspricht, Fig. 7 eine graphische Darstellung, die veranschauwobei die dritte und die vierte Wandler-Filterkom- licht, wie kombinierte spektrale Empfindlichkeiten in bination über eine gemeinsame Elektrode parallel Anpassung an die Normspektralwertkurven gewonnen
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---|---|---|---|
JP56069838A JPS57184937A (en) | 1981-05-08 | 1981-05-08 | Color discriminating element |
JP56089917A JPS57204427A (en) | 1981-06-11 | 1981-06-11 | Color discriminating element of 3 primary color separation |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=26411023
Family Applications (1)
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DE (1) | DE3217227C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4018815A1 (de) * | 1989-06-13 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Farbfilter |
DE4317772A1 (de) * | 1992-05-27 | 1994-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | Blendlichtsensor für Fahrzeuge |
DE102006002500A1 (de) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh | Optisches Spektrometer |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61231436A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Fuji Electric Co Ltd | 色識別方法 |
GB8528982D0 (en) * | 1985-11-25 | 1986-01-02 | Univ Liverpool | Colour quantification system |
DE3606557A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Farbempfindlicher sensor |
DE3622075A1 (de) * | 1986-07-01 | 1988-01-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Geraet zur messung inhomogener optischer strahlung und verfahren zur messung |
US5899605A (en) * | 1996-09-26 | 1999-05-04 | Xerox Corporation | Color mixing and color system for use in a printing machine |
EP1430281A1 (de) * | 2001-09-11 | 2004-06-23 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Farbsensor |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3389265A (en) * | 1965-05-03 | 1968-06-18 | Du Pont | Colorimeter for measuring the tristimulus coefficients of color in a laterally moving material |
US3929398A (en) * | 1971-08-18 | 1975-12-30 | Harry E Bates | High speed optical wavelength detection system |
HU168258B (de) * | 1973-05-28 | 1976-03-28 | ||
US3985449A (en) * | 1975-02-07 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor color detector |
-
1982
- 1982-05-07 DE DE3217227A patent/DE3217227C2/de not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4018815A1 (de) * | 1989-06-13 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Farbfilter |
DE4317772A1 (de) * | 1992-05-27 | 1994-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | Blendlichtsensor für Fahrzeuge |
DE4317772C2 (de) * | 1992-05-27 | 1999-04-22 | Koito Mfg Co Ltd | Blendlichtsensor für Fahrzeuge |
DE102006002500A1 (de) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh | Optisches Spektrometer |
DE102006002500B4 (de) * | 2006-01-13 | 2008-02-28 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh | Optisches Spektrometer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3217227A1 (de) | 1982-11-25 |
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