DE2631880A1 - Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschicht und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschicht und verfahren zu seiner herstellung

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Description

  • Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht und Verfahren zu
  • seiner Herstellung Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht zur Verwendung in einer aus Dünnschichten aufgebauten Sonnenbatterie oder dergleichen und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Nach einem bereits vorgeschlagenen Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Festkörperbauelements für die Verwendung in einer Sonnenbatterie oder dergleichen wird ein Festkörper- bzw.
  • Halbleiterelement gewöhnlich durch Polieren eines Einkristallstücks, beispielsweise aus Silizium (Si) hergestellt. Daher ist es bei dem herkömmlichen Verfahren sehr schwierig, eine dünne Halbleiterschicht zu bilden, deren Dicke in der Größenordnung von Mikron liegt. Selbst wenn eine solche dünne Schicht einmal hergestellt worden ist, so beträgt die Menge des verwendbaren Materials nur einige Prozent oder weniger der Gesamtmenge. Ferner ist es mit irgendeiner herkömmlichen Technik sehr schwierig, eine ausgezeichnete Schottky-Sperrschicht zu schaffen, die für die Verwendung in einer Sonnenbatterie besonders gut geeignet ist. Beispielsweise wird es als unmöglich oder praktisch unmöglich angesehen, mittels des herkömmlichen Kristall-Vakuumauftragungsverfahrens (C.V.D.-Verfahren), Vakuumverdampfungsverfahrens oder Zerstäubungsverfahrens eine dünne Einkristallschicht hoher Qualität zu erzeugen und - wenn eine Schottky-Sperrschicht gebildet werden soll, ihre Feinstruktur und Zusammensetzung zu steuern und optimal auszulegen sowie ihre Dichte ausreichend hoch und ihren Widerstand ausreichend niedrig zu machen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht von hoher Qualität und guter Ergiebigkeit zu schaffen, das dünnschicht- bzw. filmförmig ist, ein niedriges Gewicht aufweist, leicht zu transportieren ist und für die Verwendung in einer Sonnenbatterie geeignet ist. Dabei sollen die vorstehend diskutierten Nachteile der bekannten Verfahren vermieden werden.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist in dem Hauptanspruch und das erfindungsgemäße Verfahren in dem ersten Verfahrensanspruch gekennzeichnet, während die Unteransprüche vorteilhafte Ausgestaltungen charakterisieren.
  • Einige Gesichtspunkte der Erfindung können wie folgt zusammengefaßt werden: Das Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht enthält ein Schottky-Sperrschicht-Teilstück, das aus einer Metallplatte und einer darauf vorgesehenen Halbleiterdünnschicht besteht, wobei die Metallplatte aus einem Metall gebildet ist, das in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und der Halbleiterdünnschicht zu bilden, sowie aus einer halbleiterseitigen Anschlußelektrode, die auf dr äußeren Oberfläche der Halbleiterdünnschicht so angebracht ist, daß ein Ohmscher Kontakt damit erhalten wird, wobei wenigstens die Halbleiterdünnschicht durch ein Aufdampfverfahren gebildet ist, bei dem ionisierte Agglomerate aus einem Strahl abgeschieden werden und das im folgenden "Agglomerataufdampfverfahren" genannt wird.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels des Verdampfungsgerätes zur Durchführung des Agglomerataufdampfverfahrens für die Verwendung bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht gemäß der Erfindung, wobei diese Ansicht die grundlegenden Prinzipien verdeutlicht; Fig. 2 eine schematische Schnittansicht des Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, wobei zur Erläuterung der wesentliche Teil gezeigt ist; und Figv 3 eine schematische Schnittansicht des Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung, wobei zur Erläuterung der wesentliche Teil dargestellt ist.
  • Anhand von Figur 1 wird nun eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben, bei der das Agglomerataufdampfverahren angewendet wird.
  • Das Bezugszeichen 1 bezeichnet ein Substrat, auf dessen Oberfläche 2 eine Einkristall-Halbleiterdünnschicht 3, die beispielsweise aus p- oder n-Silizium gebildet ist, aufgetragen bzw. aufgedampft ist. Das Bezugszeichen 4 bezeichnet einen geschlossenen Tiegel mit wenigstens einer Spritzdüse 5. Ein auf dem Substrat 1 aufzutragendes Material 6 der Halbleiterdünnschicht 3, d.h. ein p- oder n-Halbleitermaterial, beispielsweise p- oder n-Silizium wird in den Tiegel 4 eingebracht, welcher dann durch geeignete Heizverfahren, beispielsweise Widerstandsheizung und Elektronenbeschußheizung (wie in Figur 1 gezeigt), auf eine hohe Temperatur aufgeheizt wird, um das Material 6 darin zu verdampfen und Dampf 7 zu erzeugen, dessen Druck etwa 10 2 bis einige Torr beträgt.
  • Der Dampf 7 wird dann aus dem Tiegel 4 durch die Spritzdüse 5 in einen Vakuumbereich 8 ausgespritzt, der auf einem Druck von 1/100 oder weniger des Dampfdruckes in dem Tiegel 4 gehalten wird und ebenfalls bei etwa 10 2 Torr oder weniger liegt. Zu diesem Zeitpunkt wird der Dampf 7 in Aggregate aus Atomen umgewandelt, die Agglomerate 9 genannt werden, und zwar aufgrund des durch adiabatische Expansion verursachten Unterkühlungsphänomens. Ein Agglomerat besteht gewöhnlich aus etwa 100 bis 2.000 Atomen.
  • Wenn eines der jedes Agglomerat bildenden Atome ionisiert wird, so kann ein ionisiertes Agglomerat gebildet werden. Daher ist ein Draht 10 als Thermion-Emissionsquelle vorgesehen, um Elektronen zu emittieren, die auf den Agglomeraten 9 auftreffen und ionisierte Agglomerate 12 bilden. Die ionisierten Agglomerate 12 werden, während sie gemeinsam mit den nichtionisierten neutralen Agglomeraten 9 in Richtung auf das im Weg der Agglomerate liegende Substrat zu fliegen, durch ein elektrisches Feld beschleunigt, das von einer Beschleunigungsstrornquelle 13 erzeugt wird, die mit an dem Substrat 1 oder in der Nähe desselben angeordneten Elektroden verbunden ist, und dadurch prallen die ionisierten Agglomerate auf die Oberfläche 2 des Substrates 1 auf und bilden darauf eine Dünnschicht 3.
  • Bei dem zuvor erwähnten Agglornerataufdampfverfahren, durch das ionisierte Agglomerate aus aufzudampfendem Material gebildet und beschleunigt werden, so daß sie auf ein Substrat auftreffen und dadurch darauf eine Dünnschicht auftragen, wird die Oberfläche 2 des Substrats 1 zu allen Zeiten sauber gehalten, und zwar aufgrund der kontinuierlichen Zerstäubungs-Reinigungswirkung, die durch Beschuß mit den ionisierten Agglomeraten 12 erzeugt wird, und daher kann eine sehr saubere und stark anhaftende Aufdampfung bzw. Ablagerung erreicht werden. Zusätzlich werden die ionisierten Agglomerate 12 auf eine geeignete hohe Energie beschleunigt, die durch das angelegte elektrische Hochspannungsfeld gegeben ist, und daher wird ihre kinetische Energie beim Auftreffen auf der Oberfläche 2 des Substrats 1 zum Teil in Wärmeenergie umgesetzt, wodurch eine örtliche Temperaturerhöhung verursacht wird und die Dünnschicht 3 des Aufdampfungsmaterials in die Lage versetzt wird, auf der Oberfläche des Substrats 1 durch Epitaxialzüchtung zu wachsen. Wie bereits angedeutet wurde kann der Selbsterhitzungseffekt an der Oberfläche der sich ablagernden Dünnschicht aufgrund von Umsetzung der kinetischen Energie der Agglomerate in Wärmeenergie eine unabhängige, ausgezeichnete Kristallzüchtung ohne besondere äußere Erhitzung des Substrats 1 erzielen. Eine geeignete Kombination aus einer Erhöhung der kinetischen Energie der Agglomerate und aus der Anwendung von externer Erhitzung des Substrats vergrößert jedoch den Einkristallbereich und kann daher so ausgelegt werden, daß eine noch hochwertigere Epitaxial-Kristalldünnschicht gezüchtet wird.
  • Unter Bezugnahme auf Figur 2 wird nun eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht, das als Sonnenbatterie verwendet wird, und das Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben.
  • Das Bezugszeichen 14 bezeichnet ein dünnes, blattförmiges Metallstück aus einem Metall, das in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und einem darauf aufzutragenden Halbleiter zu bilden. Das Bezugszeichen 16 bezeichnet eine p-oder n-Halbleiterkristall-Dünnschicht, die auf der Oberfläche 15 des Metallstücks 14 durch das zuvor beschriebene Agglomerataufdampfverfahren aufgetragen wurde, so daß dazwischen eine Schottky-Sperrschicht gebildet werden kann. Somit wird ein Element-Teilstück 17 eines Halbleiterbauelernents 20 mit Schottky-Sperrschicht gebildet, das als Sonnenbatterie verwendet wird und welches aus dem Metallstück 14 und der Halbleiterkristall-Dünnschicht 16 besteht. In diesem Fall entsprechen das Metallstück 14 und die Halbleiter-Dünnschicht 16 jeweils dem Substrat 1 bzw.
  • der sich ablagernden Material-Dünnschicht 3, die im Zusammenhang mit dem Agglomerataufdampfverfahren unter Bezugnahme auf Figur 1 beschrieben wurde. Das Bezugszeichen 18 bezeichnet eine metallstückseitige Anschlußelektrode, die auf einem geeigneten Teil des Metallstücks 14 aufgebracht ist, während die Kristall-Dünnschicht 16 keinen Uberzug aufweist. Zusätzlich ist eine halbleiterseitige Anschlußelektrode 19 an einem geeigneten Teil der Halbleiter-Dünnschicht 16, die zur Bildung einer Schottky-Sperrschicht dazwischen auf das Metallstück 14 aufgezogen ist, vorgesehen, und zwar durch Auftragung bzw. Aufdampfen eines Metallfilms aus einem Metall, das in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt set dem Material der Halbleiter-Dünnschicht 16 unter Anwendung des zuvor beschriebenen Agglomerataufdampfverfahrens herzustellen. Die Stufe der Bildung der metallstückseitigen Anschlußelektrode 18 auf dem Metallstück 14 kann vor oder nach dem Schritt der Bildung der Halbleiter-Dünnschicht 16 auf dem Metallstück 14 erfolgen, und zwar als gängige Maßnahme. Ferner kann das Metallstück 14 so ausgebildet sein , daß ein Teil desselben als metallstückseitige Anschlußelektrode 18 verwendet werden kann, je nach Größe und Form derselben.
  • Das Metallstück 14 oder wenigstens die oberste Schicht desselben ist vorzugsweise aus Gold, Chrom usw. Die zur Bildung der Schottky-Sperrschicht auf dem Metallstück 14 vorgesehene Halbleiter-Dünnsdicht 16 kann aus einem p- oder n-Halbleiter gebildet werden und kann vorzugsweise eine Dicke von einigen Mikron bis einigen Hundert Mikron aufweisen. Die Metallfilmschicht auf der halbleiterseitigen Anschlußelektrode 19, welche auf der oberen Oberfläche der Halbleiter-Dünnschicht 16 zur Bildung eines Ohmschen Kontaktes dazwischen vorgesehen ist, kann vorzugsweise aus einem Aluminium, Indium und anderen Stoffen enthaltenden Metall gebildet werden, wenn der damit in Berührung gelangende Halbleiter beispielsweise p-Silizium ist. Wenn der damit in Berührung gelangende Halbleiter beispielsweise n-Silizium ist, so kann es sich um ein Metall handeln, das Antimon usw.
  • enthält.
  • Wie bereits erwähnt ist das Schottky-Sperrschicht-Elementteilstück 17 an seinen gegenüberliegenden Oberflächen mit Anschlußelektroden versehen, und zwar mittels des Agglomerataufdampfverfahrens, das anhand des Ausführungsbeispieles vorstehend beschrieben wurde. Wenn also die ionisierten Agglomerate auf der Auftragungsoberfläche auftreffen, so wird die kinetische Energie der ionisierten Agglomerate teilweise in Wärmeenergie umgesetzt, und daher kann ein sehr guter Kontakt hergestellt werden und zusätzlich dazu ein ausreichender Ohmscher Kontakt zwischen dem Metall und dem Halbleiter des Elementteilstücks, welche in Berührung miteinander gelangen, erzielt werden, und zwar bei einem Wärmearbeitsgang, der bei einer wesentlich niedrigeren Temperatur ausgetragen wird als nach dem Stand der Technik beispielsweise bei dem herkömmlichen Vakuum-Verdampfungsverfahren.
  • Im Hinblick auf den Ablauf des Verfahrens ist dieser Wärmearbeitsgang insofern von Vorteil, als er während oder nach dem Aufdampfungsschritt unter Anwendung des Agglomerataufdampfverfahrens ausgeführt werden kann.
  • Das Bezugszeichen 21 bezeichnet eine Reflektionsschutz-Dünnschicht, die in geeigneter Weise auf der oberen Oberfläche des Elementteilstücks 17 gebildet ist. Die Reflektionsschutz-Dünnschicht 21 bildet eine Lichtaufnahmeschicht zur wirksamen Absorbierung von Strahlen, die von außen her darauf auffallen, und sie kann durch das Agglomerataufdampfverfahren oder irgendein anderes herkömmliches Verfahren gebildet werden. Der auf der oberen Oberfläche des Elementteilstücks gebildete Metallfilm der halbleiterseitigen Anschlußelektrode 19 kann gleichzeitig die Funktion der Reflektionsschutz-Dünnschicht 21 übernehmen, wenn das Material, die Bedingungen usw. in der geeigneten Weise ausgewählt werden.
  • Es kann also ein Halbleiterbauelement 20 mit Schottky-Sperrschicht von sehr hoher Qualität erzeugt werden, das als Sonnenbatterie verwendet wird.
  • Bei jeder vorstehend beschriebenen Stufe, in der das beschriebene Agglomerataufdampfverfahren ausgeführt wird, liegt es auf der Hand, daß die Arbeitsbedingungen wie beispielsweise Substrattemperatur, Größe des Elektronenstromes für die Ionisierung und Beschleunigungsspannung für ionisierte Agglomerate in geeigneter Weise zu wählen sind, so daß jede aufgedampfte Dünnschicht bezüglich Haftung, Festigkeit usw. optimale Eigenschaften aufweist.
  • Bezüglich des Schrittes bei der oben beschriebenen Ausführungsform, wo das Agglomerataufdampfverfahren angewendet wird, erfolgte die Beschreibung für den Fall, wo das Metallstück 14, auf das die Halbleiter-Dünnschicht zur Bildung einer Schottky-Sperrschicht dazwischen aufgebracht wird, dem Substrat 1 entspricht, auf das bei dem anhand von Figur 1 beschriebenen Agglomerataufdampfverfahren Bezug genommen wird, und wo die Halbleiter-Dünnschicht 16 zur Bildung einer Schottky-Sperrschicht auf diesem Metallstück 14 aufgebracht wird. Umgekehrt kann jedoch auch die Halbleiter-Dünnschicht 16 dem erwähnten Substrat 1 entsprechen, und das Material des Metallstücks 14 kann auf dieser Halbleiter-Dünnschicht 16 aufgetragen werden.
  • Anhand der oben beschriebenen Ausführungsform wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht, das als Sonnenbatterie verwendet wird und ein Elementteilstück mit Mono-Schottky-Sperrschicht aufweist, angegeben, welches die Schritte des Aufdampfens einer Halbleiter-Dünnschicht auf der Oberfläche eines Metallstücks mittels des Agglomerataufdampfverfahrens zur Bildung eines Elementteilstücks mit Mono-Schottky-Sperrschiclit, wobei das Metallstück wenigstens an seiner Oberfläche aus Metall ist, und der Befestigung von Anschlußelektroden auf dem Metallstück und auf der Halbleiter-Dünnschicht umfaßt. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Beispielsweise kann eine Mehrzahl von lamellierten oder geschichteten Elementteilstücken ähnlich dem voranstehend beschriebenen Elementteilstück zwischen den Elektroden in Ohmscher Berührung damit vorgesehen sein, um ein sogenanntes Multi-Schottky-Sperrschicht-Halbleiterbauelement zu bilden, d.h. eine Sonnenbatterie, die sehr dünn und mit hohem Wirkungsgrad ausgebildet werden kann.
  • Es wird nun auf Figur 3 Bezug genommen, die eine Seitenschnittansicht des wesentlichen Teiles eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung zeigt, welches als Sonnenbatterie verwendet wird. Dieses als Sonnenbatterie verwendete Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung werden im folgenden beschrieben.
  • Das Bezugszeichen 22 bezeichnet ein dünnschicht- oder blattförmiges Substratstück, das auch von der Form eines flexiblen Films sein kann und aus verschiedenen organischen Substanzen hergestellt ist, wie beispielsweise Polyimid und Mylar oder anorganischen Isolierstoffe wie Glas, Keramik oder Metalle. Auf der oberen Oberfläche dieses Substratstücks 22 ist ein Metallfilm von solcher Art aufgetragen, welcher einen Ohmschen Kontakt mit einer Halbleiter-Dünnschicht herstellen kann, die anschliessend darauf aufgetragen werden soll, und zwar mittels des unter Bezugnahme aaf Figur 1 beschriebenen Agglomerataufdampfverfahrens, zur Bildung einer halbleiterseitigen Anschlußelektrode 23.
  • Nachdem die halbleiterseitige Anschlußelektrode 23 gebildet ist, wird eine Halbleiter-Dünnschicht 24 (deren Dicke beispielsweise etwa einige Tausend Angström bis einige Mikron beträgt) aus n-oder p-Silizium auf der oberen Oberfläche der beschriebenen halbleiterseitigen Anschlußelektrode 23 in geschichteter Weise mittels eines Agglomerataufdampfverfahrens aufgedampft, das ähnlich dem vorstehend beschriebenen ist. Bei diesem Aufdampfungsschritt entspricht das Substratstück 22 mit der halbleiterseitigen Anschlußelektrode 23 darauf dem Substrat 1, das im Verlauf der Beschreibung des Agglomerataufdampfverfahrens anhand von Figur 1 erwähnt wurde, und die Halbleiter-Dünnschicht 25 entsprechend der Dünnschicht 3 in Figur 1 wird auf der halbleiterseitigen Anschlußelektrode, die auf dem Substratstück 22 vorgesehen ist, durch das Agglomerataufdampfverfahren aufgebracht.
  • Nachdem der vorstehend beschriebene Aufdampfungsschritt abgeschlossen ist, wird ein Metallstück 25, dessen Dicke etwa einige Hundert Angström bis einige Mikron beträgt und das aus einem Metallfilm gebildet ist, der in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und der Halbleiter-Dünnschicht 24 zu bilden, auf der oberen Oberfläche der Halbleiter-Dünnschicht 24 mittels eines Agglomerataufdampfverfahrens aufgebracht, das ähnlich dem vorstehend beschriebenen ist. Somit wird ein Schottky-Sperrschicht-Elementteilstück 29 gebildet, welches aus dem Metallstück 25 und der Halbleiter-Dünnschicht 24 besteht.
  • Nachdem der beschriebene Aufdampfschritt abgeschlossen ist, wird eine stromsammelnde metallstückseitige Anschlußelektrode 26 in Kamm- oder Drahtform oder dergleichen auf der oberen Oberfläche des Metallstücks 25 angebracht, und eine Reflektionsschutz-Dünnschicht 27 wird an einem geeigneten Teil der oberen Oberfläche des Metallstücks 25 aufgebracht.
  • Wie schon erwähnt wurde, wird die Silizium-Dünnschicht durch das Agglomerataufdampfverfahren gebildet, in dem beim Aufprall der ionisierten Agglomerate auf der Aufdampfungsoberfläche deren kinetische Energie teilweise in Wärmeenergie umgesetzt wird. Daher weist die so aufgetragene Silizium-Dünnschicht gute Kristalleigenschaften auf und ist in der Lage, einen ausreichenden Ohmschen Kontakt mit dem sich damit in Berührung befindlichen Metallfilm zu bilden, und zwar durch einen Wärmearbeitsgang, der bei einer wesentlich niedrigeren Temperatur ausgeführt wird als bei den herkömmlichen Verfahren.
  • Bei jedem beschriebenen Arbeitsschritt, bei dem das Agglomerat-Aufdampfverfahren ausgeführt wird, liegt es auf der Hand, daß die Arbeitsbedingungen wie beispielsweise Substrattemperatur, Stärke des Elektronenstroms zur Ionisierung und Beschleunigungsspannung für ionisierte Agglomerate in der geeigneten Weise entsprechend dem Substratmaterial, der Oberflächenbedingung und dem Aufdampfmaterial jeder Dünnschicht usw. zu wählen sind, so daß jede aufgedampfte Dünnschicht bezüglich Qualität, EIaftung, Festigkeit usw. optimale Eigenschaften erhält.
  • Die beschriebene Ausführungsform bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht mit einer Reihe von geschichteten Dünnschichten. Insbesondere umfaßt, wie bereits erwähnt wurde, das Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements die Arbeitsschritte der Bildung einer halbleiterseitigen Anschlußelektrode auf einem Substratstück, die aus einem solchen Metallfilm gebildet ist, welcher in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt mit einem anschließend darauf aufzubringenden Halbleiter herzustellen, der Bildung einer Halbleiter-Dünnschicht auf der halbleiterseitigen Anschlußelektrode und der Bildung eines Metallstücks auf der Halbleiter-Dünnschicht, welches aus einem solchen Metallfilm gebildet ist, der in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und der Halbleiter-Dünnschicht zu bilden. Die Erfindung ist jedoch auf diese Ausführungsform nicht beschränkt, und die vorstehend beschriebenen Arbeitsgänge können wiederholt werden, um eine Mehrzahl von Sätzen aus geschichteten Dünnschichten zu bilden.
  • Auf diese Weise kann ein Halbleiterbauelement hergestellt werden, das einen weiter verbesserten Wirkungsgrad der photoelektrischen Umwandlung aufweist. Das so hergestellte Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht besitzt einen Aufbau, bei dem auf dem Substratstück 22 ein qualitativ hochwertiges, dünnschichtförmiges Halbleiterelement mit Schottky-Sperrschicht vorgesehen ist. Wenn das Substratstück 22 also aus einer flexiblen Dünnschicht gebildet ist, so kann das Halbleiterbauelement als Ganzes ausreichend flexibel gemacht werden und daher frei von Ermüdungserscheinungen durch Zusammenfalten oder Aufrollen sein.
  • Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform der Erfindung wird das Agglornerataufdampfverfahren für jede der Aufdampfstufen der halbleiterseitigen Anschlußelektrode 23, der Halbleiter-Dünnschicht 24 und des Metallstücks 25 angewendet, und dadurch wird die Haftwirkung jeder Dünnschicht in bernerkenswerter Weise verbessert und die Produktqualität bedeutend verbessert. Es ist in diesem Fall erforderlich, daß das Agglomerataufdampfverfahren wenigstens zur Aufdampfstufe der Halbleiter-Dünnschicht 24 angewendet wird.
  • Das Substratstück 22 wird also vorzugsweise aus einer blattförmigen oder fLexiblen, dünnschichtförmigen organischen Substanz hergestellt, wie beispielsweise Mylar oder Polyimid oder aus einer blattförmigen anorganischen Substanz wie beispielsweise Glas oder Keramik oder aus dünnschichtförmigem oder blattförmigem Metall. Unter diesen verschiedenen Formen und Materialien sind je nach Zweck und Anwendung des zu erzeugenden Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht die geeigneten auszuwählen.
  • Der Metallfilm aus der halbleiterseitigen Anschlußelektrode 23 wird vorzugsweise aus einem Metall hergestellt, das beispielsweise Aluminium und Indium enthält, wenn die damit in Berührung befindliche Halbleiter-Dünnschicht 24 p-Silizium ist, und ein Metall, das beispielsweise Antimon enthält, wenn die Halbleiter-Dünnschicht 24 n-Silizium ist.
  • Das Metallstück 25 ist vorzugsweise aus Gold, Chrom usw. hergestellt.
  • Die halbleiterseitige Anschlußelektrode 23 und das Metallstück 25 befinden sich jeweils im Ohmschen Kontakt mit der Halbleiter- Dünnschicht 24 bzw. mit der rietallstückseitigen Anschlußelektrode 26.
  • Die bei der obigen Ausführungsform gezeigte Reflektionsschutz-Dünnschicht 27 ist vorgesehen, um eine Lichtaufnahmeoberfläche zur wirkungsvollen Absorption von Strahlen zu bilden, die von außen darauf auffallen, wenn das Halbleiterbauelement als Sonnenbatterie verwendet wird. Sie ist auf der oberen Oberfläche des Halbleiterbauelements mittels des erfindungsgemäßen Agglomerataufdampfverfahrens oder verschiedener anderer Verfahren hergestellt. Statt die Reflektionsschutz-Dünnschicht 27 vorzusehen, kann die metallstückseitige Anschlußelektrode 26 so gebildet werden, daß sie gleichzeitig die Funktion des Reflektionsschutzes übernimmt.
  • Aus der vorstehenden Beschreibung geht hervor, daß die Erfindung ein Halbleiterbauelelrent mit Schottky-Sperrschicht betrifft, welches durch Aufdampfen wenigstens der Halbleiter-Dünnschicht mittels des Agglomerataufdampfverfahrens in geschicheter Weise hergestellt wird und sehr gut für die Verwendung in einer Sonnenbatterie oder dergleichen geeignet ist.
  • Verschiedene Eigenschaften und Auswirkungen der Erfindung werden im folgenden aufgezählt: 1. Bei dem gemäß der Erfindung mrwendeten Agglomerataufdampfverfahren wird die Substratoberfläche zu allen Zeiten sauber gehalten aufgrund der Zerstäubungs- und Reinigungswirkung der ionisierten Agglomerate während des Aufdampfens, und daher kann eine aufgedampfte Dünnschicht mit sehr großer Haftwirkung und sehr hoher Qualität hergestellt werden.
  • 2. Da bei dem erfindungsgemäßen Aufdampfverfahrn die ionisierten Agglomerate auf eine geeignete hohe Energie beschleunigt werden, die durch ein angelegtes elektrisches Hochspannungsfeld erzeugt wird, kann ein sogenannter Selbsterhitzungseffekt auf der Oberfläche der sich ablagernden Dünnschicht erzeugt werden, welcher eine örtliche Temperaturerhöhung aufgrund von Teilumsetzung der kinetischen Energie der ionisierten Agglomm rate in Pfärmeenergic bewirkt, wenn die ionisierten Agglomerate auf dem Substrat auftreffen, und es kann ferner der sogenannte Migrationseffekt erzeugt werden, der die ionisierten und nichtionisierten Agglorerate in einzelne Atomteilchen aufbricht und sie über die Oberfläche der sich ablagernden Dünnschicht zersträubt, und zwar durch die Energie, die sie beim Aufprallzeitpunkt besitzen. Daher kann bei dem erfindungsgemaßen Aufdampfverfahren eine ausgezeichnete Kristallzüchtung des sich ablagernden Materials erreicht werden.
  • Ferner wird gemäß der Erfindung die Kristallzüchtung der sich ablauernden Dünnschicht unter Steuerung der Kristalleigenschaften des Substrates ausgeführt, und daher kann ein Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht von ausgezeichneter Qualität und hervorragenden Kristalleigenschaften erzeugt werden.
  • 3. Durch das erfindungsgemäße Aufdampfverfahren können die Beschleunigungsspannung und der Strom während des Aufdampfens so gesteuert werden, daß die Feinstruktur und Zusammensetzung der aufgetragenen Grenzschicht optimal ausgelegt werden können. Folglich kann dadurch die Auftragungsdichte vergrößert und der Widerstand an der Aufdampfoberfläche verkleinert werden, so daß ein Halbleiterbauelement hergestellt werden kann, dessen Aufbau und Zusammensetzung für die Verwendung in einer Sonnenbatterie besonders geeignet sind.
  • 4. Die Dicke der auf dem Substrat zur Bildung der Schottky-Sperrschicht aufgetragenen Dünnschicht kann durch geeignete Einstellung der Arbeitsbedingungen während des Aufdampfens gesteuert werden. Daher kann die Dicke der Halbleiter-Dünnschicht, die höher liegt als der Ubergang, d.h. der Schottky-Sperrschichtteil, kleiner gemacht werden als mit herkömmlichen Verfahren. Im Ergebnis wird der Wellenlängen-Empfindlichkeitsbereich für auffallende Strahlen verbreitert, und der Wirkungsgrad der Photospannungsumwandlung wird verbessert.
  • 5. Das erfindungsgemäße Aufdampfverfahren zur Bildung der n-oder p-Halbleiter-Dünnschicht ermöglicht eine Konzentrationssteuerung des sich bei dem Aufdampfen ablacjernden Materials, die nach dem Stand der Technik nur schwer zu erreichen war.
  • Im Ergebnis kann durch die Erfindung ein äußerst leistungsfähiges Halbleiterbauelement hergestellt werden, das in wirkungsvoller Weise geladene Teilchen herausnehmen kann, die durch Lichtstrahlung erzeugt werden.
  • 6. Wenn die auf dem Elementteilstück vorgesehene Anschlußelektrode ebehfalls durch das Agglomerataufdampfverfahren gebildet wird, wie anhand der oben beschriebenen Ausführungsform erwähnt wurde, so kann eine Hitzeverarbeitung zur Erzielung eines Ohmschen Kontaktes dazwischen bei einer Sm,peratur ausgeführt werden, die wesentlich niedriger liegt als beim Stand der Technik, so daß auf leichte Weise dazwischen eine Verbindung mit ausreichendem Ohmschen Kontakt hergestellt werden kann und sich ein hochwertiges Erzeugnis ergibt.
  • 7. Wie anhand des Ausführungsbeispieles der Erfindung gezeigt wurde, kann ein Halbleiterbauelement mit flexibler Schottky-Sperrschicht, dessen Realisierung durch den Stand der Technik praktisch unmöglich ist, hergestellt werden durch Bildung eines dünnschichtförmigen Halbleiterelements auf einem flexiblen organischen Film, und zwar unter Anwendung des Agglomerataufdampfverfahrens. Das so hergestellte Halbleiterbauelement ergibt eine Einsparung an Rohmaterial', weist niedriges Gewicht und Größe auf und ist flexibel; ferner kann es zusammengefaltet oder aufgerollt werden in Form eines kompakten Formats und ist somit leicht zu handhaben, transportieren, lagern usw.
  • 8. Durch die Erfindung kann eine Metall-Metall-Vielfachschicht-Verbindung mit großer Haftwirkung erzielt werden, deren Realisierung mit herkömmlichen Aufdampfverfahren wegen geringer Haftwirkung als unmöglich gilt. Besonders wenn das Halbleiterbauelement als Sonnenbatterie verwendet werden sll, so kann eine vielschichtige Dünnschicht gebildet werden, die zum Verhindern der Reflektion von auffallenden Strahlen geeignet ist.
  • 9. Bei dem obigen Ausführungsbeispiel erfolgte die Beschreibung für den Fall, daß Silizium als Halbleiter verwendet wird. Der bei der Erfindung zu verwendende Halbleiter ist jedoch nicht allein auf Silizium beschränkt. Neben Silizium können gemäß der Erfindung andere Halbleiterelemente und zusammengesetzte Halbleiter verwendet werden, wie beispielsweise Ge, GaAs, InP und CdTe, zur Erzeugung eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht. Wenn ein zusammengesetzter Halbleiter verwendet wird, so muß dieser selbst nicht in dem geschlossenen Tiegel eingebracht werden, sondern es kann ein geeignetes Gemisch aus den Elementen des zusammengesetzten Halbleiters eingegeben werden.

Claims (10)

  1. Patentansprüche Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht, dadurch gekennzeichnet, daß ein Element-Teilstück (17) mit Schottky-Sperrschicht vorgesehen ist, das aus einem Metallstück (14, 25) und einer auf der Oberfläche (15) des Metallstücks (14, 25) vorgesehenen Halbleiter-Dünnschicht (16, 24), wobei das Metallstück (14, 25) aus einem solchen Metall gebildet ist, das in der Lage ist,' eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und der Halbleiter-Dünnschicht zu bilden und wobei die Halbleiter-Dünnschicht (16, 24) so auf dem Metallstück (14, 25) vorgesehen ist, daß eine Schottky-Sperrschicht dazwischen gebildet ist, und aus einer halbleiterseitigen Anschlußelektrode (19, 23) besteht, die wenigstens auf der äußeren Oberfläche der Halbleiter-Dünnschicht des Elementteilstücks (17) mit Schottky-Sperrschicht so vorgesehen ist, daß ein Ohmscher Kontakt damit erhalten wird, und daß wenigstens die Halbleiter-Dünnschicht (16, 24) des Elementteilstücks mit Schottky-Sperrschicht durch das Agglomerataufdampfverfahren gebildet ist, bei dem ein aufzutragendes Material zur Bildung eines Dampfes verdampft wird, dieser Dampf in einen Vakuumbereich von etwa 10 Torr oder weniger gesprüht wird, um mit Agglomerat bezeichnete Atomaggregate aus dem Dampf zu bilden, diese Agglomerate mit Elektronen beschossen werden, um wenigstens einen Teil der Agglomerate zu ionisieren, wodurch ionisierte Agglomerate erzeugt werden, und die ionisierten Agglomerate durch ein elektrisches Feld beschleunigt werden, damit sie auf einem Substrat auftreffen und dadurch eine Dünnschicht darauf bilden.
  2. 2. Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine metallstückseitige Anschlußelektrode (18, 26) auf dr äußeren Oberfläche des Metallstücks (14, 25), welche das Elementteilstück mit Schottky-Sperrschicht bildet.
  3. 3. Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleiterseitige Anschlußelektrode (19, 23), die auf der Halbleiter-Dünnschicht vorgesehen ist, durch Auftragen eines solchen Metallfilms darauf gebildet ist, der in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt damit mittels des Agglomerataufdampfverfahrens zu erzielen.
  4. 4. Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht nach einem der Ansprüche 1 - 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Elementteilstück (17) mit Schottky-Sperrschicht auf einem Substratstück an der halbleiterseitigen Anschlußelektrode (19, 23) vorgesehen ist, die auf der äußeren Oberfläche der Halbleiter-Dünnschicht (16, 24) gebildet ist.
  5. 5. Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substratstück aus einer flexiblen Dünnschicht gebildet ist.
  6. 6. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht nach einem der Ansprüche 1 - 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Elementteilstück mit Schottky-Sperrschicht gebildet wird durch Auftragen einer Halbleiter-Dünnschicht auf der Oberfläche eines Metallstücks, von dem wenigstens die Oberflächenschicht aus einem solchen Metall ist, welches in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und der darauf aufzutragenden Halbleiter-Dünnschicht zu bilden, und zwar durch Anwendung des Agglomerataufdampfverfahrens, bei dem ein aufzutragendes Material zur Bildung eines Dampfes verdampft wird, -2 dieser Dampf in einen Vakuumbereich von etwa 10 2 Torr oder weniger gesprüht wird zur Bildung von Aggregaten aus Atomen, die als Agglomerate bezeichnet werden, diese Agglomerate mit Elektronen beschossen werden, um einen Teil der Agglomerate zu ionisieren, wodurch ionisierte Agglomerate erzeugt werden, und die ionisierten Agglomerate beschleunigt werden, so daß sie auf einem Substrat auftreffen und dadurch eine Dünnschicht darauf bilden, daß das Substrat dem Metallstück entspricht, auf das die Halbleiter-Dünnschicht aufgetragen wird und daß ein Halbleiterbauelement mit Schottky-Sperrschicht gebildet wird, indem wenigstens eine halbleiterseitige Anschlußelektrode auf der Halbleiter-Dünnschicht gebildet wird, so daß ein Ohmscher Kontakt damit entsteht.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei der ~Bildung des Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht eine metallstückseitige Anschlußelektrode auf dem Metallstück gebildet wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Herstellung des Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht die halbleiterseitige Anschlußelektrode auf der Halbleiter-Dünnschicht gebildet wird durch Auftragen eines solchen Metallfilms darauf, der in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt damit durch Anwendung des Agglomerataufdampfverfahrens herzustellen.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Schottky-Sperrschicht nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch wenigstens eine Gruppe von Arbeitsschritten zur Bildung einer halbleiterseitigen Anschlußelektrode auf einem Substratstück, wobei die Anschlußelektrode aus einem solchen Metallfilm gebildet ist, der in der Lage ist, einen Ohmschen Kontakt mit einem anschließend darauf aufzutragenden Halbleiter zu bilden, Bildung einer Halbleiter-Dünnschicht auf der halbleiterseitigen Anschlußelektrode und Bildung eines Metallstücks auf der Halbleiter-Dünnschicht, wobei das Metallstück aus einem solchen Metallfilm gebildet ist, der in der Lage ist, eine Schottky-Sperrschicht zwischen ihm selbst und einer Halbleiter-Dünnschicht zu bilden und wobei von diesen Arbeitsschritten wenigstens derjenige zur Bildung der Halbleiter-Dünnschicht mittels des Agglomerataufdampfverfahrens ausgeführt wird, bei dem ein aufzutragendes Material (Halbleiter) zur Bildung eines Dampfes verdampft wird, dieser Dampf in einen Vakuumbereich von etwa 10 2 Torr oder weniger gesprüht wird zur Bildung von Aggregaten aus Atomen, die Agglomerate genannt werden, diese Agglomerate mit Elektronen beschossen werden, um wenigstens einen Teil der Agglomerate zu ionisieren, wodurch ionisierte Agglomerate erzeugt werden, und die ionisierten Agglomerate beschleunigt werden, so daß sie auf einem Substrat (Substratstück) auftreffen und dadurch eine Dünnschicht (Halbleiter-Dünnschicht) darauf bilden.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substratstück aus einer flexiblen Dünnschicht gebildet ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813250A1 (de) * 1977-04-05 1978-10-12 Futaba Denshi Kogyo Kk Verfahren zur herstellung von verbindungshalbleiterchips
DE3023165A1 (de) * 1980-06-20 1982-01-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Solarzelle aus amorphem silizium
EP0066810A2 (de) * 1981-05-29 1982-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung hergestellt in einer Halbleiterschicht die auf einer isolierenden Schicht angebracht ist
EP2216832A2 (de) * 2009-02-06 2010-08-11 Zylum Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente II KG Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik-Systems und Dünnschicht-Photovoltaik-System

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813250A1 (de) * 1977-04-05 1978-10-12 Futaba Denshi Kogyo Kk Verfahren zur herstellung von verbindungshalbleiterchips
DE3023165A1 (de) * 1980-06-20 1982-01-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Solarzelle aus amorphem silizium
EP0066810A2 (de) * 1981-05-29 1982-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung hergestellt in einer Halbleiterschicht die auf einer isolierenden Schicht angebracht ist
EP0066810A3 (en) * 1981-05-29 1985-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device incorporated in a semiconductor layer formed on an insulating layer
EP2216832A2 (de) * 2009-02-06 2010-08-11 Zylum Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente II KG Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik-Systems und Dünnschicht-Photovoltaik-System

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