DE2007261A1

DE2007261A1 - Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE2007261A1
Application number: DE19702007261
Authority: DE
Inventors: Frederick Berkeley Heights N.J. Vratny (V.St.A.)
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1969-02-19
Filing date: 1970-02-18
Publication date: 1970-09-10
Also published as: DE2007261C3; DE2007261B2; NL7002270A; JPS4936328B1; FR2073294B1; FR2073294A1; BE746076A; GB1298992A; NL166568C; US3574143A

Description

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Western Electric Company Incorporated 195» Broadway

New York 1ΟΟΟ7 /USA A 31 553 - Is

Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung

Sie Erfindung betrifft eine elektrische Widerstandssubstanz, die insbesondere 2or Herstellung von Widerstandsschichten geeigent.ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Widerstandeschichten. Zum Gegenstand der Erfindung gehört ferner eine SLektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer solchen Widerstandssubstanz bzw· Widerstandsschicht bestehenden Schirmkörper·

In neuerer Zeit haben gewisse lichtempfindliche Speichervorrichtungen Interesse gewonnen, die für den Einsatz in Fern-βeh-Aufnahmeröhren geeignet sind. Derartige Vorrichtungen weisen im allgemeinen eine Schirmstruktur mit einem planeren, η-leitenden Halbleiter mit einer Anordnung von isolierten, p-leitenden Bereichen auf, die mit dem Substrat der Vorrichtung Sperrschichtdioden bilden. Im Betrieb der Vorrichtung wird das Substrat auf einem festen Potential bezüglich der Katode der Aufnahmerohre gehalten, während ein Elektronen-Abtaststrahl zur Vorspannungsumkehr aufeinanderfolgend abgetasteter Diodenabschnitte verwendet wird. Diese Spannungsumkehr erfolgt bis zu einer solchen Spannung, welche der Potent i*ldiffβA* zwiechen Substrat und Katode entspricht·

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Der Leckstrom der Dioden bei Abwesenheit einer Lichtbeaufschlagung ist so gering, daß die Dioden für eine Zeitdauer von mehr als einer Sekunde in diesem Umkehr-Vorspannungszustand verbleiben. Auf das η-leitende Substrat von der bezüglich des Abtaststrahles entgegengesetztenfin^eunmittelbarer Nachbarschaft der Dioden auffallendes Licht erhöht den Leckstrom durch Photonenauslösung von Loch-Elektronenpaaren. Wenn der Abtaststrahl erneut die p-leitende Oberfläche überstreicht und diese damit auf Katodenpotential umlädt sowie den vollen Wert der Umkehr-VoBspannung wieder herstellt, so entspricht die auf jedem p-leitenden Bereich abgesetzte Ladung gerade derjenigen Ladung, die durch den Leckstrom während der vorangehenden Abtastperiode abgeflossen war. Diese Ladung ist wiederum von der örtlichen Lichtintensität abhängig, der das betreffende Halbleitersegment ausgesetzt war. Das Wideraufladen einer Diode ist mit einem entsprechenden Strom im äußeren Schaltungskreis verbunden. Dieser Strom verändert sich somit über eine Abtastperiode im Verhältnis zu der räumlichen Verteilung der Lichtintensität innerhalb der aufeinanderfolgend abgetasteten Bereich und bildet somit das Video-Ausgangssignal·

Kürzlich ist ferner eine Vorrichtung der erwähnten Art beschrieben worden, bei der die Dioden so bemessen sind, daß der Abtaststrahl gleichzeitig mehrere Dioden trifft. Hierdurch werden Schwierigkeiten infolge ungenauer Ausrichtung der Schirmstruktur und infolge Ausfalles einzelner Dioden vermieden. Auf der dem Abtaststrahl zugewandten Oberfläche des Halbleitersubstrats ist hierbei ein Isolierüberzug vorgesehen, der das Substrat gegen den Strahl abschirmt. Auf diesem Isolierüberzug ist ein Leitüberzug vorgesehen, der

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zur Steuerung des Oberflächenpotentials dient und mit einer Spannungsquelle für die Abführung der Elektronen von der Isolierung verbunden ist· Die Kapazität der Sperrschichten in den Dioden wird durch Aufbringung von gesonderten Kontaktelementen oder sonstigen elektrisch leitenden Bereichen, die gegenüber dem Le^tüberzug isoliert sind, über den Dioden auf einen passenden ««Wert erhöht.

Um die für die Bildung von gegenüber dem Leitüberzug isolierten Leiterbereichen erforderlichen, langwierigen Verfahrensschritte zu vermeiden, wurde bereits eine Anordnung entwickelt, bei der an die Stelle des Leitüberzuges auf der Isolierschicht eine haLbisoliex^ende Schicht tritt, wobei letztere den Ladungsaufbau an der Isolierschicht steuert. Für diesen Zweck geeignete Materialien weisen eine Entladungszweitkonstante auf, welche die Abtastperiode der Aufnahmeröhre um eine bestimmte Zeitdauer unterschreitet; und zwar ist diese Zeitdauer wesentlich, geringer als die Entladungszeitkonstante des hochisolierenden Überzuges. Di; m Anforderungen werden von Substanzen erfüllt, die einen Obe^f1?^:-henwiddrstand von 10 ^ bis 10 Ohm bezogen auf einen quadratischeil xlächenbereich aufweisen. Zu diesen Substanzen gehören unter anderen Siliciummonoxid, Anti-

lc

montrisulfid, Kadmiumsulfid, Zinsulfid und SArsentrusulfid.

Keine der vorgenannten Substanzen hat, wie entsprechende Untersuchungen zeigten, ausreichende Stabilität, während die für eine lange Höhrenlebensdauer erforderliche Hochtemperatur-Vakuumbehandlung oft zu einer Verschlechterung der elektrischen Materialeigenschaften führt. Aufgabe der Erfindung ist die Überwindung dieser nachteiligen Eigenschaften und der sich hieraus ergebenden Anwendungsbeschränkungen. Zur Lösung dieser Aufgabe

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wird erfindungsgemäße eine Widerstandssubstanz angegeben, die eich durch eine Zusammensetzung gemäß der Formel (M₁Hf)N₀ kennzeichnet, wobei M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, während M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente, sowie für eine Mischung ttndvon Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente T^itan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt. Eine derartige Substanz eignet sich bevorzugt für den Schirmkörper einer Elektronenstrahl-Speichervorrichtung-i

Bei den erfindungsgemäßen Viderstandssubstanzen handelt es sich

e im allgemeinen um Verbindungsgemische, die z.B. durch raktive

Versprühung von legierten Metallkatoden in Anwesenheit von Stickstoff cerzeugt werden können. Derart hergestellte Substanzen weisen spezifische Widerstände im Bereich von lO^Ohm.cm

10
bis 10 Ohm.cm auf und sind gegen hohe Temperaturen beständig, wobei Änderungen des spezifischen Widerstandes von nicht mehr als einer Dekade auftreten.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispieleh anhand der Zeichnungen. Hierin zeigt

Fig. 1 einen stark vergrößerten Querschnittebereich eines erfindungsgemäßen Schjfcrmkörpers für eine Fernsehaufnahmekamera ,

Fig. 2 die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes in 0hm.cm einer erfindungsgemäßen Widerstandssubstanz von dem in Gewichtsprozenten gemessenen Mengenanteil von Titan in Hafnium,

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Fig. 3 ein Diagramm entsprechend Fig. 2, jedoch für eine Zusammensetzung mit Tantal und Hafnium, und

Fig. 4 ein weiteres Diagramm der Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von der Zusammensetzung einer erfindungsgemäßen Widerstandssubstanz, und zwar für eine Titan-Tantal-Hafnium-Verbindung, wobei der Gewichtsanteil von Tantal auf der Abszisse aufgetragen und der Gewichtsanteil von Titan als Parameter der dargestellten Kurvenschar angegeben ist.

Der Querschnittsaufbau einer Schirmstruktur 11 bgemäß Fig. umfaßt eine Halbleiterscheibe, deren Hauptteil aus einem η-leitenden Substrat 12 mit einer Mehrzahl von isolierton, p-leitenden und längs der Schirnoberfla#che angeordneten Bereichen 13, die im folgenden kurz als "Segmente¹¹ "bezeichnet werden. Ein hoc-hisolierender Überzug 14 bedeckt die gesamte Schirraoberflache auf der Seite des Substrates 12, wobei die Segmente 13 jedoch unbedeckt bleiben. Der überzug 14 weist im allgemeinen eine Dicke von 0,01 bis 0,6 Ilikron auf und überlappt die Kanten der p~leitenden Segmente 13. Hierdurch werden die Enda_bschnitte der Segmente cegen den abtastenden Elektronenstrahl abgeschirmt und die üperrHo-i licht en gegen Kurzschließen geschützt. Eine auo einer Wider3t:andseubstanz bestehende Schicht 15 wird über dom Inolicmiberzug 14 und über den Segmenten 13 -aufgebracht. ULese Widrrulaudsßchicht weist eine Entladungsaeitkonöbanfco von etwa ei tier Sekunde auf. Auf der Rückseite dea Üubntratoo 12 wird »vaie transparente, win Siliciumdioxid bentehend« Schicht Iu und hierüber wiederum eine iji wesentlichen trannparente, Leitschicht 17 aufgebracht.

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Wie erwähnt, lassen sich die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen durch die allgemeine Formel φΙ,Ηί )Νρ__χ v/iedergeben, wobei M den Mengenanteil von Tantal, Titan doder einer Zantal-Titan-Mischung bedeutet, und der Index χ in einem Bereich zwischen 0,0 und 0,5 liegt. Eine Schicht einer Substanz mit einer Zusammensetzung gemäß diesem wesentlichen Erfindungsmerkmal kann durch reaktives Versprühen einer entsprechend zusam-** mengesetzten Katode in Anwesenheit von Stickstoff hergestellt werden, wobei der Stickstoffdruck zwischen 10 und 150 Mikron liegen kann« Für die Katode kommt eine Legierung aus Hfnium und einer der unter dem Symbol M zusammengefaßten Substanzen in Betracht, wobei der Mongenanteil von Tantal in einer Hafnium-Tantal-Legierung 35 bis 96 Gewichtsprozente, der Mengenanteil von Titan in einer Hafnium-Titan-Legierung 4 bis 1·'+ ue wichtsprozente betragen kann. Es kommt auch eine zusammengesetzte M-Hf-Katode in Betracht, die so ausgebildet ist, daß sich das gewünschte geometrische Verhältnis von M zu Hafnium über der gesamten Fläche in einem Bereich von 35 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal bzw. von 4 bis 14 G· wichtnprozonten Titan einstellt. Ea wurde festgestellt, daß die geometrische Fläche der M-Komponente in der zusammengesetztem Struktur annähernd dem Anteil von M in Gewichtsprozenten innerhalb der abgeschiedenen Schicht entspricht- Abgeschiedene Schichten mit einem geringeren odor größeren Mengenanteil der M-Komponente lassen die für eino Dioden-Flächenspeicherung orforderlichon, oben erwähnten Kennwerte nicht in Erscheinung treten· Die gleichen Überlegungen gelten auch für ein tornäres System der Form (Ta,Ti,Hf)N_O . Die hierbei eineuhaltenden Anteilsgrenzen liegen für Titan zwischen 0,1 und 14 Gewichtsprozenten sowie für Tantal zwischen 1 und 96 Gewichfcsprozenten bei 4 bis 99 Gewichtsprozenten Hafnium.

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Zur weiteren Erläuterung wird im folgenden auf ein spezielles Beispiel unter Verwendung einer Tnntal-Hafnium-Katode Bezug

genommen, wobei mittels dieser Katode ein Dünnfilm durch reaktive Katodenzerstäubung auf einem geeigneten Substrat verwendet wird· Das Substrat wird hierbei zunächst mit Hilfe üblicher Verfahren sorgfältig gereinigt und anschließend in eine übliche Zerstäubungseinrichtung eingesetzt, beispielsweise eine Gleichspannungs- oder eine Hochfrequenz-Gleichspannungs-Zerstäubungseinrichtung ο «dgl .«Die Zusammensetzung der Sbode kann hierbei gemäß den vorstehenden Angaben 35 bis 96 Gewichtsprozente Tantal bei restlichem Hafniumgehalt aufweisen. Die bei der Filmabscheidung einzuhaltenden Verfahrensbedingungen sind bekannt (s.z.B. "Vacuum Deposition of Thin Films« L. Holland, H. Wiley & Sons, New York, 1956).

Die Vakuumkammer der Zerstäubungseinrichtung wird zuerst evakuiert und dann mit einem inerten Gas ausgespült, beispielsweise mit einem Edelgas wie Helium, Argon oder Neon· Nach erneuter Evakuierung wird Stickstoff mit einem Druck von 10 bis 150 Mikron in die Kammer eingeführt, Über-und Unterschreitung des angegeben >-■*. Druckfcereiches führt zur Bildung von niederen Nitrid n, denen die für Zwecke der Erfing vorteilhaften Eigenschaften gemäß den vorangehenden Erläuterungen nicht zukommen. Untersuchungen haben ergeben, daß die Einhaltung des angegebenen Druckbereiches für die Bildung von Substanzen entspreche d der allgemeinen Formel (M,Hf)N₂__x mit χ zwischen 0,0 und 0,5 wesentlich ist.

Die für das Aufsprühen oder Aufstäuben einer Tantal-Hafnium-Nitrid-Schicht -gemäß der Erfindung erforderliche Spannung kann in einem Bereich zwischen 1 und 10 kV Gleichspannung liegen· Der Abgleich der verschiedenen Einflußgrößen wie

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Spannung, Druck und gegenseitige Anordnung von Katode, Anode und Substrat im Sinne einer hohen Abacheidungsquantität gehört zum bekannten Stande der Technik.

Unter entpsrechender Einstellung von Spannung, Druck und Abstand der Elemente innerhalb der Vakuumkammer wurde im Beispielfall eine T^ntal-Hafnium-Nitrid-Schicht in einer vorgegebenen Konfiguration auf einem Substrat abgescheiden. Die Zeitdauer des Aufstäubens richtet sich hierbei nach der* gewünschten Schichtdicke· Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Schirmkörpers ist die Schichtdicke durch den Endwert des Oberflächenwiderstandes oder des spezifischen Widerstandes bestimmt und liegt vorzugsweise in einem Bereich von 500 bis 1OOO Ä. Dieser Bereich der Schichtdicke entspricht einem spe-

zifischen Schichtwiderstand von 10 Ohm*cm bei einem zweckentsprechenden Wert der Entüadungszeitkonstante innerhalb des Widerstandsfilmes. Die angegebenen Grenzen der Schichtdicke sind Jedoch nicht zwingend^sondern erlauben je nach Anwendungsfall Abweichungen nach oben und unten·

Nach dem Aufstäuben wird die erhaltene Schicht unter Vakuum einer Wärmebehandlung bei Temperaturen zwischen 250 und 500⁰C für eine Zeitdauer zwischen 0,5 und 24 Stunden unterzogen, wodurch eine Stabilisierung des abgeschiedenen Filmes erreicht werden soll. Die Temperaturgrenzen dieser Wärmebehandlung richten sich nach Gesichtspunkten der Gasentfernung innerhalb des Entladungsgefäßes und nach der letztlich zu erreichenden Stabilität« Während dieser Vakuumwärmebehandlung ändert sich der spezifische Widerstand des Filmes erfahrttnfegemäß um eine Größenordnung. Zur Erzielung von Filmen mit einem spezifischen Wideretand zwischen 10^ und 10 Ohm·cm ist daher beim Aufstäuben die Einstellung eines spezifischen Widerstandes von 10 bis

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1Cr Ohm·cm erforderlich.

In Fig, 2 ist die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes eines aufgestäubten bzw· aufgesprühten Titan-Hafnium-Nitrid-Filmes von der Schichtzusammensetzung in Diagrammform dargestellt. Unter Berücksichtigung der erwähnten Widerstandsänderung bei der Vakuum-Wärmebahandiung ergibt sich somit für einen Endwert des spezifischen Widerstandes von 1CK bi3 10 Ohm»cm ein Titan-Anteil von 4 bis 14 Gewiehtsrpozentcn, Rest Hafnium.

In ähnlicher Weise ergibt sich für eine Tantal-Hafnium-Zusammensetzung ein Anfangsgehalt von 35 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal, Rest Hafnium, für das aufgestäubte Material (s. J?ig.J>)

Die Verhältnisse für ein ternäres Tii;an-Tantal-Hafnium~ITitrid-System sind in dem DiagiOinm gemäß Fig· 4 angedeutet« Hieraus ergibt sich, daß der gewünschte spezifische Widerstand iait einer Zusammensetzung erreichbar ist, die zwischen 0,1 und 14 Gewichtsprozente Titan, zwischen 1 und 9ö Gewichtsprozente Tantal und 4 bis 99 Gewichtsprozente Hafnium aufweist.

Anschließend bwerden noch die speziellen Daten von drei Ausführungsbeispielen angeben·

Beispiel I

Durch Hochfrequenz-Gleichspannungo-Kotodenzeratauburig wurde ein Tantal-Hafnium-Nitrit-Film abgenchiedon. Als Substrat diente eine rechteckige Glasscheibe von etwa 2,5 mal 7|5 cm Seitenlänge· Die Scheibe wurde zudv Erzielung einer reinen Oberfläche in Königswasser gekocht, in destilliertem Wasser gespUlt und sodann fltümgotrocknet. Als Katode wurde eine flächenhafte Tantal-Hafnium-Struktur mit einer Ausdehnung von

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ρ
etwa 40 cm und eimer Zusammensetzung aus 35 Gewichtsprozenten Tantal, Rest Hafnium,verwendet.

Die Vakuumkammer wurde zunächst auf einen Druck in der Größen-

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Ordnung von 10 torr evakuiert. Sodann wurde Stickstoff bei

■z

einem Druck von 60 χ 10 ^torr zugeführt. Der Abstand zwischen Anode und Katode betrug etwa 7»5 cm, wobei in einem Abstand von etw 2,5 cm von dem Substrat unmittelbar außerhalb des Crooke'echen Dunkelraumes ein die Elektronenemission

Gitter angeordnet war. Sodann wurde zwischen Anode und Katode eine Gleichspannung von etwa 4000 V mit einer überlagerten Hochfrequenzleistung von etwa 100 W angelegt, Sodiiann wurde während einer Sprühdauer von 30 Minuten eine Verschlußschicht aufgebracht, die anschließend wieder entfernt und u rch abermaliges Aufsprühen während einer Zeitdauer von 36 Minuten durch ehe endgültige Viderstandsschicht ersetzt wurde. Es ergäbe sich eine Tantal-Hafnium-Nitrid-Schicht mit etwa 35 Gewichtsprozenten Tantal und einer Dicke von 1800 Ä sowie einem spezifischen Widerstand von 6,4 χ 10' 0hm·cm.

Beispeil II

Zur Bestimmung der Stabilität des erzeugten Filmes bei hohen temperaturen wurde das Verfahren gemäß Beispiel I mit veränderter Katodenzusammensetzung ausgeführt und der erhaltene Film einer Vakuum-Wärmebehandlung in einem mittels einer Ionenpumpe evakuierten System bei einem Druck von 1 χ 10" torr bei 430⁰C für eine Zeitdauer von 16 Stunden unterzogen. Dor anfängliche Druckanstieg in dem System lag während der Kphitzung in einem Berich zwischen 10" und lO'^torr. Der Filmwiderstand wurde bei liaumtemperatur und bei Temperaturen bin herab zu

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Minus 9O°C ermittelt· Zum Abspülen von Tau und zur Sicherstellung der Abwesenheit von Wasser bei den niedrigen Temperaturen wurde eine Spülung mit Stickstoff vorgesehen. Es wurden die in der folgenden Tabelle festgehaltenen Ergebnisse erzielt:

Tabelle

Änderung des Quadratflächen-Widerstandes eines (ICa,. Filmes durch Vakuum-Wärmebehandlung bei

Gewiclrbprozente Quadrat flächen-Wider- ~s T.ntal stand in Ohm SJ

vor nach Wärmebehandlung

58	.7	• 3	2	X	10¹⁰	3	.5	X	10¹⁰	1	.75
54		4	.4	X	10¹²	6	.0	X	10¹¹	0	.17
53		.6	X	10¹²	7	•5	X	₁₀12	1	.63

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Hiernach nimmt der Quadratflächen-Widerstand durch die Vakuum-Wärmebahandlung im Mittel um weniger als eine Größenordnung zu.

B_#ispiel III

Eine Siliciumdioden-Schirmanordnung, ähnlich derjenigen gemäß Fig. 1 wurde in einem Verfahren gemäß Beispiel I mit einer Auflage aus Tantal-Hafnium-Nitrid versehen· Der erhaltene Widerstandskörper (36, 5 % T ntal und 63, 5 % Hafnium) erfüllte alle in einer derartigen Speichervorrichtung gestellten Anforderungen, und zwar bei einem spezifischen Widerstand von 6,8 χ 10 Ohm.cm und einem Quadratflächenwidenfcand von 4· χ 10 " bei einer Schichtdicke von etwa 900 Ä.

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Claims

Western Electric Company

Incorporated

195» Broadway

New York 10007 / USA A 31 553 - Is

Ansprüche

Elektrische Widerstandssubstanz, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung gemäß der Formel (M,Hf) N₀ , in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, ferner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal 35 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt.

Elektronenstrahl-Speichervorrichtung mit einem aus einer elektrischen Widerstandssubstanz bestehenden Schirmkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Schirmkörper aus einer Substanz mit einer Zusammensetzung gemäß der Formel (M,Hf)Np besteht, in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, ferner dadurch gekennzeichnet, daß M für Tantal $5 bis 96 Gewichtsprozente, für Titan 4 bis 14 Gewichtsprozente sowie für eine Mischung von Tantal und Titan 0,1 bis 14 Gewichtsprozente Titan und 1 bis 96 Gewichtsprozente Tantal beträgt.

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3. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Widerstandsschicht, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Schichtsubstanz der Formel (M,Hf) M₀ , in der M einen Mengenanteil von Tantal, Titan oder einer Mischung dieser Stoffe bezeichnet und der Zahlenwert des Index χ zwischen 0,0 und 0,5 liegt, eine Katode aus einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung M-Hf in Gegenwart von Stickstoff reaktiv versprüht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 35 und 96 Gewichtsprozente Tantal enthält.

5· Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Katode zwischen 4 und 14 Gewichtsprozente Titan enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 3* dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Zusammensetzung der Katode gemäß der Formel (It,Hf)M₀ ein Anteil von 0,1 bis 14 Gewichtsprozenten Titan, ein Anteil von 1 bis 96 Gewichtsprozenten Tantal und ein Anteil von 4 bis 99 Gewichtsprozenten Titan vorgesehen ist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktive Versprühung der Katode in Anwesenheit von Stickstoff mit einem Druck im Bereich von 10 bis 150 Mikron erfolgt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7_t dadurch ^ckennzeichnet, daß die durch Aufsprühen erzeugte Widerstandoochicht nach dein Aufsprühen unter Stabilisierung d»>r Schicht

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unter Vakuum einer Wärmebehandlung unterzogen wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung der Wxderstandsschicht bei Temperaturen zwi schen 250 und 5OO°C mit einer Behandlungsdauer von 0,5 bis 24 Stunden durchgeführt wird.

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