DE2432503B2 - Elektrolumineszenzelement - Google Patents
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Description
J5
Die Erfindung bezieht sich auf ein Elektrolumineszenzelement der im Oberbegriff des Anspruches 1
genannten Art.
Bei einem bekannten derartigen Elektrolumineszenzeiemeni
(FR-Zusatz-PS 66 220 zu FR-PS Ϊ0 77 637) 4» besteht die elektrolumineszierende Schicht aus einer
Trägersubstanz wie Methylzellulose oder Polystyrol, in der Fluoreszenzstoffpartikel verteilt sind, bestehend aus
einer Mischung von Zinksulfid und Zinkoxid mit einer Mangandotierung. Die zu beiden Seiten der elektrolumineszierenden
Schicht angeordneten dielektrischen Schichten bestehen aus einer isolierenden organischen
Substanz wie Nitrozellulose. Bei einem derartigen Elektrolumineszenzelement erfolgt bei Anlegen einer
Wechselspannung an die Elektroden eine Emission von Fluoreszenzlicht aus den in Berührung miteinander
stehenden Partikeln.
Es ist ferner ein Strahlungsverstärker in Form eines Leuchtschirmes bekannt (DE-AS 11 36 429), bei dem
beiderseits einer elektrolumineszierenden Schicht leitende Schichten vorgesehen sind, von denen eine aus
Titandioxyd besteht. Die elektrolumineszierende Schicht ist zusammenhängend, homogen und kornfrei
und kann aus Zinksulfid bestehen, welches mit annähernd 0,5 bis 2 Gew.-% Mangan dotiert ist. Im t>o
Betrieb des Leuchtschirmes wird eine Gleichspannung an die beiden leitenden Schichten angelegt, und bei
Einfall von Ultraviolett- oder Röntgenlicht auf die elektrolumineszierende Schicht erfolgt eine Emission
von sichtbarem Lumineszenzlicht.
Gegenstand eines älteren Vorschlags (P 24 29 318.3-33) ist ein Verfahren zur Steuerung eines
elektrolumineszenten Schalielements, welches aus einer dünnen elektrolumineszierenden Schicht besteht, auf
deren beiden Seiten je eine dielektrische Schicht mit einer darauf befindlichen Elektrode angeordnet ist. Das
elektrolumineszente Schaltelement weist bezüglich der emittierten Lichtintensität in Abhängigkeit von der
Amplitude einer an die Elektroden angelegten WechseJ-spannung innerhalb eines bestimmten Wechselspannungsamplitudenbereichs
Hysterese-Eigenschaften auf. Diese Hysterese Eigenschaften beruhen auf einer ein
zusätzliches elektrisches Feld in der lumineszierenden Schicht erzeugenden remanenten Polarisation und
bestehen darin, daß, wenn die Amplitude der zugeführten Wechselspannung von einem kleineren zu einem
größeren Wert allmählich erhöht wird und dann allmählich von dem größeren zu dem kleineren Wert
verringert wird, wobei beide Werte in dem genannten Wechselspannungsamplitudenbereich liegen, die von
dem Element emittierte Lichtintensität für jeden zwischen den beiden Werten liegenden Amplitudenwert
im Falle der Amplitudenerhöhung geringer ist als im Fall der Amplitudenverringerung.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren werden diese Hysterese-Eigenschaften dazu ausgenutzt, Information
in das Schaltelement einzuschreiben, bzw. daraus zu löschen, dadurch, daß ständig Basisimpulse einer
mittleren Wechselspannungsamplitude an das Schaltelement angelegt werden und zum Einschreiben von
Information eine zeitweise Einwirkung auf das Schaltelement im Sinne einer Erhöhung der Polarisation
desselben vorgenommen wird und zum Löschen auf das Schaltelement im Sinne einer Verringerung dieser
Polaristion eingewirkt wird. Die Basisimpulse bewirken nach einem derartigen Einschreib- bzw. Löschvorgang
die Emission einer erhöhten bzw. verringerten Lichtintensität.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein Elektrolumineszenzelement der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1
genannten Art zu schaffen, bei dem die Abhängigkeit der Lichtemission von der Amplitude der zugeführten
Wechselspannung die vorstehend erörterten Hysterese-Eigenschaften zeigt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Das erfindungsgemäße Elektrolumineszenzelement kann aufgrund der Hysterese, die sich bei der
Abhängigkeit der Lichtemission von der Amplitude der zugeführten Wechselspannung ergibt, zum Speichern
von Information, und zwar insbesondere von Analoginformation verwendet werden. Eine Hysterese ergibt
sich auch hinsichtlich der Abhängigkeit der Stärke und der Phase des elektrischen Stroms von der zugeführten
Wechselspannungsamplitude.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend im Zusammenhang mit den Zeichnungen und im
Vergleich zum Stande der Technik näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein bekanntes Elektrolumineszenzelement mit Mn-dotierter dünner
ZnS-Schicht,
Fig.2 ein Diagramm, das die Lichtemission in Abhängigkeit von der zugeführten Spannung bei dem
bekannten Element gemäß F i g. 1 zeigt,
Fig.3A ein Diagramm, das die Hysteresekennlinien
zeigt, die bei der Abhängigkeit der Lichtemission oder des elektrischen Stroms von der zugeführten Wechselspannung
bei dem als Ausführungsbeispiel der Erfindung beschriebenen EL-Element auftreten,
Fig.3B ein Diagramm, das die Hysteresekennlinien
zeigt, die bei dem als Ausführungsbeispiel der Erfindung beschriebenen Element hinsichtlich der Abhängigkeit
der Phase des elektrischen Stroms von der zugeführten Spannung auftreten,
Fig.4 einen Querschnitt durch eine Aufdampfvorrichtung
mittels Elektronenstrahlaufheizung, die zur Herstellung des als Ausführungsbeispiel der Erfindung
beschriebenen Elements verwendet wird, und
F i g. 5 ein Diagramm zur Erläuterung der Beziehung zwischen der Substrattemperatur und der Mn-Konzentration
in der ZnS-PiIIe.
Es ist bekannt, daß ein Dünnschicht- Elektrolumineszenzelement mit Doppelisolierstruktur, das aus einer
dünnen elektrolumineszierenden ZnS-Schicht besteht, die zwischen zwei dielektrische Schichten geschichtet
ist, hervorragende Elektrolumineszenz zeigt.
In F i g. 1 ist ein typisches, bekanntes EL-Element mit
dünner ZnS-Schicht und DoppelisolierstruVtur gezeigt, das ein Glassubstrat 1, das mit einer transparenten
Elektrode 2 aus SnO2 oder In2Ch beschichtet ist, eine
dünne elektrolumineszierende ZnS-Schicht 4, die zwischen zwei dielektrischen Schichten 3 und 5 gehalten
ist, und eine metallische hintere Elektrode 6 aus Al usw. hat. Diese Schichten 3,4 und 5 und die Elektroden 2 und
6 werden nacheinander auf das Substrat 1 unter Verwendung von Aufdampftechnik aufeinander aufgebracht.
Vorzugsweise wird die dünne elektrolumineszierende ZnS-Schicht 4 dadurch gebildet, daß eine mit Mn
dotierte gesinterte ZnS-Pille in gewünschter Menge verdampft wird, wobei Mn als Lumineszenzzentrum in
der dünnen elektrolumineszierenden ZnS-Schicht 4 dient. Die dielektrischen Schichten 3 und 5 werden
entweder aus Oxiden oder Nitriden von Halbleitern oder Metallen oder aus Verbindungen solcher Elemente
gebildet.
Das oben erläuterte EL-Element zeigt eine Lichtemission in Abhängigkeit von der zugeführten Spannung,
wie dies in F i g. 2 gezeigt ist, wenn eine Wechselspannung an die Elektroden 3 und 5 gelegt wird.
Hystereseeigenschaften sind nicht erkennbar.
Hystereseeigenschaften sind nur aufgrund von Effekten zu erwarten, die beim Transport von
Ladungsträgern auftreten, die in Fallen tiefen Potentials gefangen sind, die sich in der dünnen elektrolumineszierenden
ZnS-Schicht oder im Grenzbereich zwischen der ZnS-Schicht und den dielektrischen Schichten befinden.
Bisher gab es jedoch kein wirksames Verfahren zur Bildung solcher Fallen in der EL-Schicht oder im
Grenzgebiet zwischen dieser und den dielektrischen Schichten. Daher konnten die ZnS-EL-Elemente gemäß
dem Stand der Technik die obenerwähnten Hystereseeigenschaften nicht zeigen.
Im Rahmen der Erfindung wurde entdeckt, daß ein eine dünne ZnS-Schicht aufweisendes EL-Element der
oben erläuterten Art Hystereseeigenschaften zeigt, wenn die elektrolumineszierende dünne Schicht aus ZnS
mit einem Durchmesser der ZnS-Körner von weniger als 0,2 μίτι besteht, das eine Mn-Dotierung in einer
Konzentration von 0,05 bis 5,0 Gew.-% aufweist und von den beiden dielektrischen Schichten mindestens
eine aus Oxiden der seltenen Erden und/oder Oxiden oder Nitriden von Elementen der Gruppen IM, iV oder
V gebildet werden.
Die F i g. 3A und 3B zeigen die Hystereseeigenschaften eines derartigen EL-Elements. Fig. 3A zeigt die
Hystereseeigenschaften, die sich hinsichtlich der Abhängigkeit der Lichtemission oder des elektrischen Stroms
von der zugeführten Wechselspannung ergeben, und Fig.3B zeigt die Hystereseeigenschaften, die sich
hinsichtlich der Abhängigkeit der Phase des elektrischen Stroms von der zugeführten Wechselspannung
ergeben.
Das Mn muß in das ZnS-Kristallgitter in geeigneter
Konzentration eingebracht werden, um aktiv als Lumineszenzzentrum in der dünnen EL-Schicht zu
wirken, und die ZnS-Kristallkörner in der dünnen
ίο ZnS-Schicht zu wirken, und die ZnS-Kristallkörner in
der dünnen ZnS-Schicht müssen auf eine geeignete Größe, vorzugsweise auf einen Durchmesser von 0,05
bis 0,2 μπη anwachsen, damit das EL-Element eine gute
Elektrolumineszenz zeigt und die Fallen tiefen Potentials in der Schicht gebildet werden. Es wurde gefunden,
daß eine geeignete Mn-Konzentration 0,05 bis 5,0 Gew.-% beträgt, und die Größe der polykristallinen
ZnS-Körner dadurch gesteuert werden kann, daß die Konzentration des Mn in der zur Verdampfung
benutzten ZnS-Pille und die Substrattemperatur während der Aufdampfung mittels Elektronenstrahlaufheizens
geändert werden.
Mindestens eine der beiden dielektrischen Schichten wird aus Oxiden der seltenen Erden oder aus Oxiden
oder Nitriden von Elementen der Gruppe III, IV oder V des periodischen Systems gebildet, wobei sich während
des Aufwachsens Oxidleerstellen bilden, wodurch die Fallen niedrigen Potentials zwischen der Mn-dotierten
dünnen ZnS-Schicht und der dielektrischen Schicht entstehen. Geeignete Oxide sind Dy2O^ Y2Oi Ta2Os,
SiO2. Die Oxidleerstellen, die während des Aufwachsens der Körner entstehen, führen dazu, daß das Element
elektrische Eigenschaften zeigt, die sich von den grundsätzlichen Eigenschaften der in massiver Form
vorliegenden Werkstoffe unterscheiden. Ein unter Erfüllung der obigen Bedingungen hergestelltes EL-Element
weist Hystereseeigenschaften auf. Im folgenden wird das Verfahren zur Herstellung eines solchen
Mn-dotierten ZnS-EL-Elements erläutert.
Die Mn-dotierte elektrolumineszierende dünne ZnS-Schicht wird unter Verwendung des Aufdampfens
mittels Elektronenstrahlaufheizung gebildet, wobei eine hierzu geeignete Vorrichtung in Fig.4 gezeigt ist. Es
sind eine Grundplatte 11, ein Isolator 12, eine wassergekühlte Anode 13 zum Haltern der Pille, eine
Elektronenstrahl-Ablenkeinheit 14, eine Abstoßeinheit 15, ein Wolframdraht 16 und ein Pt-Podest 17
vorgesehen. Die auf dem Pt-Podest 17 angeordnete gesinterte ZnS-Pille empfängt Elektronenstrahlen 19,
die aus dem Wolframdraht 16 austreten und von der Ablenkeinheit 14 abgelenkt werden, so daß die Pille
aufgeheizt und verdampft wird und dadurch ZnS in die Dampfphase überführt wird.
Vorzugsweise wird die gesinterte ZnS-Pille 18 in der Weise hergestellt, daß hochgereinigtes Mn mit einer
Konzentration von 0,05 bis 5,0 Gew.-% in das ZnS-Pulver eingebracht und danach das Gemisch
gepreßt wird und in reinem Argon bei Temperaturen von 1100 bis 1200°C gesintert wird. Die Verdampfung
fao zur Herstellung des ZnS-EL-Schicht wird unter
Einhaltung der folgenden Bedingungen durchgeführt: ein Unterdruck von 0,2 bis 1,0· 10-5Torr (0,3 bis
1,3· ;0~3Pa); eine Substrattemperatur von 100 bis
3000C; eine Aufdampfrate von 1800 bis 2500 Ä/min (180
bis 250 nm/min). Das Substrat wird nach Beendigung der Aufdampfung für 1 bis 2 h im Vakuum bei 575 bis
6000C gehalten. Diese anschließende Wärmebehandlung wird zu dem Zweck durchgeführt, das Mn in
ausreichendem Maß als Dotierung in das ZnS-Kristallgitter
einzuführen und die Verzerrung der ZnS-EL-Schicht auszugleichen. Die gebildete Mn-dotierte
ZnS-Schicht hat eine Dicke von 0,4 bis 2,0 μιη und sie
enthält Mn mit einer Konzentration von 0,05 bis 5,0 Gew.-%.
In F i g. 5 ist die Beziehung zwischen der Substrattemperatur, die in einem Bereich zwischen 100 und 300° C
gewählt wird, und der Mn-Konzentration der Pille 18 gezeigt, die in einem Bereich zwischen 0,05 bis 5,0
Gew.-°/o gewählt wird. Dabei ist auf der Abszissenachse die Substrattemperatur während des Aufdampfens
aufgetragen, während auf der Ordinatenachse die Konzentration des Mn in der Pille 18 aufgetragen ist.
Wenn das Mn-dotierte ZnS-EL-Element eine EL-Schicht enthält, die unter Bedingungen gebildet wurde,
die den in Fig.5 mit Kreisen bezeichneten Punkten
entsprechen, hat das Element das Hysteresephänomen, während Elemente, bei denen die Herstellung der
EL-Schicht den mit »x« bezeichneten Punkten entspricht, keine Hystereseeigenschaften haben. Es wird
aus dem Diagramm deutlich, daß das Element dann die gewünschten Hystereseeigenschaften hat, wenn die
Mn-dotierte dünne ZnS-Schicht desselben durch Verdampfen durch Elektronenstrählaufheizung unter Bedingungen
gebildet wurde, die dem schräg schraffierten Bereich entsprechen.
Es sei erwähnt, daß, wenn ein Aufdampfverfahren mittels Widerstandsheizung zur Bildung der dünnen
EL-Schicht anstatt mittels Elektronenstrählaufheizung verwendet wird, das Element nicht die gewünschten
Eigenschaften haben kann, da die Konzentration von Mn in der gebildeten Schicht nicht ausreicht, und nicht
gleichmäßig ist in Richtung der Dickenerstreckung der Schicht. Die Aufdampfmethode mittels Elektronenstrählaufheizung
vermeidet diese Mangel.
Im folgenden wird das Verfahren zur Herstellung der dielektrischen Schichten erläutert. Die dielektrischen
Schichten werden aus Oxiden der seltenen Erden und/oder aus Oxiden oder Nitriden von Elementen der
Gruppen III, IV und V unter Verwendung der Aufdampftechnik, der Kathodenzerstäubung, der anodischen
Oxidation oder der chemischen Dampfniederschlagung, gebildet. Sie bestehen beispielsweise aus
einer Mischung von Y2O3 und SiO2 oder ".rO2 und SiO2
in einem geeigneten Verhältnis. Vorzugsweise werden die dielektrischen Schichten unter Verwendung des
Aufdampfverfahrens mittels Elektronenstrählaufheizung
gebildet, und die Dicke der Schichten liegt im Bereich zwischen 0,2 bis 0,5 μιτι.
Die Bedingungen zur Herstellung der aus Y2O3 oder
ZrOj bestehenden dielektrischen Schichten und die dielektrischen Eigenschaften dieser Schichten sind die
folgenden:
Y2O3
ZrO2
Form des verdampften Stoffs
Substrattemperatur
Aufdampfrate
Substrattemperatur
Aufdampfrate
Restlicher
Gasdruck
Gasdruck
Dielektrizitätskonstante bei
1 kHz
1 kHz
Verlustwinkel
bei 1 kHz
Durchschlagfeldstärke
bei 1 kHz
Durchschlagfeldstärke
gepreßte Pille gepreßte Pille
100-300°C 100-300°C
100-300°C 100-300°C
400-500 A/min 400-500 A/min
(40-50 nm/min) (40—50 nm/min)
0,5-1,0
• ΙΟ-5 Torr
(0,7-1,3
• ΙΟ-3 Pa)
10-12,5
10-12,5
0,5-1,0
• ΙΟ-5 Torr
(0,7-1,3
(0,7-1,3
• ΙΟ-3 Pa)
19-22
19-22
1-3 ■ 10-3 2-4 · 10-^
3-4 · 106 V/cm 4 . ίο« V/cm
Das mit einer dünnen Mn-dotierten ZnS-Schichi versehene EL-Element, dessen EL-Schicht und dielektrische
Schichten entsprechend den den angegebener Bedingungen gebildet wurden, zeigt die in F i g. 3A unc
3B dargestellten Hystereseeigenschaften und kanr daher als Speicherelement verwendet werden.
Kehrt man zu Fig.3A zurück, so ist ersichtlich, daC
ein Speicherbereich ausgedrückt werden kann durch V1A- V„, was mit der Breite der Hysteresisschleife
identisch ist, wobei V,i, der Grenzspannungswert füi
eine EL-Emission auf dem Kurvenast ansteigendei Spannung und V„ der Spannungswert ist, bei dem die
Lichtemission auf dem Kurvenast abfallender Spannung erlischt. Es ist ersichtlich, daß die Speicherwirkunger
des Elements um so stärker auftreten, je größer de: Speicherbereich ist.
Ein Elektrolumineszenzelement, das eine dünne elektrolumineszierende ZnS-Schicht hat, die untei
Einhaltung der im schraffierten Feld von F i g. i entsprechenden Bedingungen hergestellt wurde, unc
dessen dielektrische Schichten aus ZrO2 bestehen, ha
folgende Eigenschaften, wenn eine sinusförmige Wech selspannung von 1 kHz an das Element angelegt wird:
Die Breite der Hystereseschleife beträgt 15 V, wenn di( Messung bei einer Temperatur von 300 K erfolgt;
die Breite der Hystereseschleife beträgt 30 V, wenn di( Messung bei einer Temperatur von 77 K erfolgt.
Wenn die dielektrischen Schichten aus Y2O3 bestehen sind die Eigenschaften des Elements wie folgt:
Die Breite der Hystereseschleife beträgt 15 V, wenn di< Messung bei einer Temperatur von 400 K erfolgt;
die Breite der Hystereseschleife beträgt 40 V, wenn di< Messung bei einer Temperatur von 77 K erfolgt.
Die Breite der Hystereseschleife beträgt 15 V, wenn di( Messung bei einer Temperatur von 300 K erfolgt;
die Breite der Hystereseschleife beträgt 30 V, wenn di( Messung bei einer Temperatur von 77 K erfolgt.
Wenn die dielektrischen Schichten aus Y2O3 bestehen sind die Eigenschaften des Elements wie folgt:
Die Breite der Hystereseschleife beträgt 15 V, wenn di< Messung bei einer Temperatur von 400 K erfolgt;
die Breite der Hystereseschleife beträgt 40 V, wenn di< Messung bei einer Temperatur von 77 K erfolgt.
Hierzu 3 BWiIt Zeichnungen
Claims (3)
1. Elektrolumineszenzelement bei dem auf beiden Seiten der mit Mn als Lumineszenzzentren dotiertes
Zinksulfid enthaltenden dünnen elektrolumineszierenden Schicht je eine dielektrische Schicht und
darauf je eine Elektrode angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrolumineszierende dünne Schicht (4) aus Zinksulfid mit einem Durchmesser der ZnS-Körner
von weniger als 0,2 μηι besteht, das eine
Mn-Dotierung in einer Konzentration von 0,05 bis 5,0 Gew.-% aufweist, und
daß von den beiden dielektrischen Schichten (3, 5) mindestens eine aus Oxiden der seltenen Erden
und/oder Nitriden oder Oxiden von Elementen der Gruppen III, IV oder V des periodischen Systems
besteht
2. Elektrolumineszenzelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der
dielektrischen Schichten (3, 5) aus Y2O3 oder ZrO2
besteht
3. Verfahren zur Herstellung eines Elektrolumineszenzelements
nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mn-dotierte dünne elektrolumineszierende
ZnS-Schicht (4) durch Aufdampfen in der Weise gebildet wird, daß eine gesinterte
ZnS-Pille (18), die Mn in einem Konzentrationsbereich zwischen 0,05 und 5,0 Gew.-% enthält, mittels
Elektronenstrahlaufheizung zum Verdampfen gebracht wird.
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