JP3066673B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング技術
に係り、特に被処理体と向き合う側に配設される電極の
改善に関する。
に係り、特に被処理体と向き合う側に配設される電極の
改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、平行平板型のドライエッチング
装置は、真空の反応容器内に対向配置した電極を設け、
一方の電極をアース電位に接続し、もう一方の電極に高
周波電圧を供給することで、両電極間に放電によるプラ
ズマを発生させ、このプラズマ中の反応性イオンをいず
れか一方の電極（普通は下部電極）上に載置された被処
理体たとえば半導体ウエハに電界の力で引っ張り込ん
で、エッチングを行うようにしている。
装置は、真空の反応容器内に対向配置した電極を設け、
一方の電極をアース電位に接続し、もう一方の電極に高
周波電圧を供給することで、両電極間に放電によるプラ
ズマを発生させ、このプラズマ中の反応性イオンをいず
れか一方の電極（普通は下部電極）上に載置された被処
理体たとえば半導体ウエハに電界の力で引っ張り込ん
で、エッチングを行うようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）のエッチングを行う従来のドライエッチング装
置では、被処理体と向き合う側の電極（普通は上部電
極）をアモルファスカーボンで構成していた。しかし、
アモルファスカーボン電極には次のような種々の欠点が
あった。
ｉＯ2 ）のエッチングを行う従来のドライエッチング装
置では、被処理体と向き合う側の電極（普通は上部電
極）をアモルファスカーボンで構成していた。しかし、
アモルファスカーボン電極には次のような種々の欠点が
あった。
【０００４】第１に、上部電極は、イオンが周期的（た
とえば高周波電圧の極性が負になっている時）に入射す
るためにスパッタ効果によってエッチングされるが、ア
モルファスカーボン電極で構成した場合は、完全に気化
せずに、カーボンの固まりとなって落下することがあ
る。アモルファスカーボンは、炭素分子が複雑に絡み合
った非晶質体であり、内部結合力が均一でなく、結合力
の強い部分と弱い部分とが混在している。このため、ス
パッタ効果によって結合力の弱い部分から局所的にエッ
チングされ、結果的に結合力の強い部分が固まった状態
で落下しやすく、これがパーティクルとなって半導体素
子の歩留まりを低下させていた。
とえば高周波電圧の極性が負になっている時）に入射す
るためにスパッタ効果によってエッチングされるが、ア
モルファスカーボン電極で構成した場合は、完全に気化
せずに、カーボンの固まりとなって落下することがあ
る。アモルファスカーボンは、炭素分子が複雑に絡み合
った非晶質体であり、内部結合力が均一でなく、結合力
の強い部分と弱い部分とが混在している。このため、ス
パッタ効果によって結合力の弱い部分から局所的にエッ
チングされ、結果的に結合力の強い部分が固まった状態
で落下しやすく、これがパーティクルとなって半導体素
子の歩留まりを低下させていた。
【０００５】また、アモルファスカーボン電極は、アモ
ルファス化の製造上の限界から３ｍｍ程度までの厚さに
しか形成できないため、電極寿命が短く、メンテナンス
交換の回数が多かった。また、この種のエッチング装置
では、電極の温度がエッチングの均一性特性を左右する
ほど重要であるが、アモルファスカーボン電極は、熱伝
導度がそれほど良くないうえ、上記のように厚みが小さ
いため、電極全体を均一温度に冷却すのが難しく、被処
理体上で均一なエッチング特性が得られなかった。
ルファス化の製造上の限界から３ｍｍ程度までの厚さに
しか形成できないため、電極寿命が短く、メンテナンス
交換の回数が多かった。また、この種のエッチング装置
では、電極の温度がエッチングの均一性特性を左右する
ほど重要であるが、アモルファスカーボン電極は、熱伝
導度がそれほど良くないうえ、上記のように厚みが小さ
いため、電極全体を均一温度に冷却すのが難しく、被処
理体上で均一なエッチング特性が得られなかった。
【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、電極寿命を延ばし、パーティクルの発生を防止
するとともに、被処理体上で均一なエッチング特性が得
られるドライエッチング方法を提供することを目的とす
る。
もので、電極寿命を延ばし、パーティクルの発生を防止
するとともに、被処理体上で均一なエッチング特性が得
られるドライエッチング方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のドライエッチング方法は、被処理体上のＳ
ｉＯ2層をドライエッチングする方法であって、反応容
器内に、単結晶シリコンからなる多数の通気孔を有する
板状の上部電極と、前記上部電極の裏面全体に直接接触
し、前記上部電極の各通気孔と対応する位置に通気孔が
形成されているアルミニウムからなる背板と、前記背板
に接続され冷却路が形成されたアルミニウムからなる冷
却ジャケットと、前記冷却ジャケットの前記冷却路に冷
媒を供給する冷媒供給手段と、前記上部電極に対向して
配置された、前記被処理体を載置する下部電極とを設
け、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を
印加して両電極間にプラズマを生成し、前記冷媒供給手
段、前記冷却ジャケットおよび前記背板により前記上部
電極の各部をほぼ均一な温度に冷却しながら、炭素およ
びフッ素を含有するガスとアルゴンガスとを含むエッチ
ングガスを前記背板および前記上部電極の通気孔を介し
て前記上部電極と前記下部電極上の前記被処理体との間
に供給して、前記被処理体上のＳｉＯ2層の所定の箇所
を選択的にドライエッチングして多層配線用のコンタク
トホールを形成する方法とした。
め、本発明のドライエッチング方法は、被処理体上のＳ
ｉＯ2層をドライエッチングする方法であって、反応容
器内に、単結晶シリコンからなる多数の通気孔を有する
板状の上部電極と、前記上部電極の裏面全体に直接接触
し、前記上部電極の各通気孔と対応する位置に通気孔が
形成されているアルミニウムからなる背板と、前記背板
に接続され冷却路が形成されたアルミニウムからなる冷
却ジャケットと、前記冷却ジャケットの前記冷却路に冷
媒を供給する冷媒供給手段と、前記上部電極に対向して
配置された、前記被処理体を載置する下部電極とを設
け、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を
印加して両電極間にプラズマを生成し、前記冷媒供給手
段、前記冷却ジャケットおよび前記背板により前記上部
電極の各部をほぼ均一な温度に冷却しながら、炭素およ
びフッ素を含有するガスとアルゴンガスとを含むエッチ
ングガスを前記背板および前記上部電極の通気孔を介し
て前記上部電極と前記下部電極上の前記被処理体との間
に供給して、前記被処理体上のＳｉＯ2層の所定の箇所
を選択的にドライエッチングして多層配線用のコンタク
トホールを形成する方法とした。
【０００８】
【０００９】本発明のドライエッチング方法において、
被処理体と向き合う側の上部電極は、単結晶シリコンで
構成されるため、スパッタ効果で電極表面が均一にエッ
チングされ、スパッタされたシリコン原子はフッ素活性
種と反応して気化し、排気される。また、上部電極は、
単結晶シリコンで構成されるため、任意の厚さにつくる
ことが可能であり、厚みを大きくすることで、電極寿命
を延ばすことができる。また、上部電極は、単結晶シリ
コンで構成されるため、熱伝導率が高い。かかる単結晶
シリコン製上部電極の裏面全体にそれよりも熱伝導率の
高いアルミニウム製の背板が直接接触する。そして、こ
のアルミニウム背板に接続されたアルミニウム冷却ジャ
ケットの冷却路に冷媒供給手段により冷媒が供給される
ことで、冷媒の冷却力とアルミニウム冷却ジャケットお
よびアルミニウム背板の伝熱作用とにより上部電極の各
部がほぼ均一な温度に冷却される。このように、単結晶
シリコン製上部電極の各部（全体）を均一に冷却しなが
ら、炭素およびフッ素を含有するガスとアルゴンガスと
を含むエッチングガスを用いて被処理体上のＳｉＯ2層
をプラズマエッチングすることにより、被処理体上の各
部でエッチング開口部付近のデポガスの付着量を均一化
し、エッチング特性を均一化し、被処理体上の各部で均
一形状のコンタクトホールを得ることができる。
被処理体と向き合う側の上部電極は、単結晶シリコンで
構成されるため、スパッタ効果で電極表面が均一にエッ
チングされ、スパッタされたシリコン原子はフッ素活性
種と反応して気化し、排気される。また、上部電極は、
単結晶シリコンで構成されるため、任意の厚さにつくる
ことが可能であり、厚みを大きくすることで、電極寿命
を延ばすことができる。また、上部電極は、単結晶シリ
コンで構成されるため、熱伝導率が高い。かかる単結晶
シリコン製上部電極の裏面全体にそれよりも熱伝導率の
高いアルミニウム製の背板が直接接触する。そして、こ
のアルミニウム背板に接続されたアルミニウム冷却ジャ
ケットの冷却路に冷媒供給手段により冷媒が供給される
ことで、冷媒の冷却力とアルミニウム冷却ジャケットお
よびアルミニウム背板の伝熱作用とにより上部電極の各
部がほぼ均一な温度に冷却される。このように、単結晶
シリコン製上部電極の各部（全体）を均一に冷却しなが
ら、炭素およびフッ素を含有するガスとアルゴンガスと
を含むエッチングガスを用いて被処理体上のＳｉＯ2層
をプラズマエッチングすることにより、被処理体上の各
部でエッチング開口部付近のデポガスの付着量を均一化
し、エッチング特性を均一化し、被処理体上の各部で均
一形状のコンタクトホールを得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例による平行平板型ド
ライエッチング装置の構成を示す。このエッチング装置
において、真空容器１０の中央部に上部電極１２と下部
電極１４とが一定の間隔をおいて互いに平行に配設さ
れ、下部電極１４上に被処理体として半導体ウエハＷが
載置される。
明する。図１は、本発明の一実施例による平行平板型ド
ライエッチング装置の構成を示す。このエッチング装置
において、真空容器１０の中央部に上部電極１２と下部
電極１４とが一定の間隔をおいて互いに平行に配設さ
れ、下部電極１４上に被処理体として半導体ウエハＷが
載置される。
【００１１】下部電極１４は、アルミニウムからなる円
板体で、アース電位に接続される。下部電極１４の内部
には、冷却水を流すための環状の流路１４ａが設けられ
ており、この流路１４ａに供給管１６および排水管１８
を介して冷却水供給装置（図示せず）からの冷却水が流
れることで、下部電極１４が冷却され、ひいてはウエハ
Ｗが冷却されるようになっている。
板体で、アース電位に接続される。下部電極１４の内部
には、冷却水を流すための環状の流路１４ａが設けられ
ており、この流路１４ａに供給管１６および排水管１８
を介して冷却水供給装置（図示せず）からの冷却水が流
れることで、下部電極１４が冷却され、ひいてはウエハ
Ｗが冷却されるようになっている。
【００１２】下部電極１４の外周側には、たとえばセラ
ミックからなる断面Ｌ形のクランプリング２０が配置さ
れている。このクランプリング２０は、連結棒２２，２
４を介して反応容器１０の外側に設置されたエアシリン
ダ２６のピストンロッド２６ａに結合され、エアシリン
ダ２６より発生される加圧力でウエハＷを下部電極１４
に押し付けるように構成されている。下部電極１４の下
面には蛇腹状の電極支持体２８が設けられ、クランプリ
ング２０からの押圧力を弾力的に受け止めるようになっ
ている。
ミックからなる断面Ｌ形のクランプリング２０が配置さ
れている。このクランプリング２０は、連結棒２２，２
４を介して反応容器１０の外側に設置されたエアシリン
ダ２６のピストンロッド２６ａに結合され、エアシリン
ダ２６より発生される加圧力でウエハＷを下部電極１４
に押し付けるように構成されている。下部電極１４の下
面には蛇腹状の電極支持体２８が設けられ、クランプリ
ング２０からの押圧力を弾力的に受け止めるようになっ
ている。
【００１３】上部電極１２は、単結晶シリコンからなる
円形の板体であり、板面にはエッチングガスを通すため
の多数の通気孔１２ａが形成されている。上部電極１２
の裏側には電極１２とほぼ同じ形状の背板３０が設けら
れ、上部電極１２はこの背板３０を介して冷却ジャケッ
ト３２の下端部にボルト３４で固定されている。背板３
０の板面にも上部電極１２の通気孔１２ａと対応する位
置にエッチングガスを通すための多数の通気孔３０ａが
形成されている。
円形の板体であり、板面にはエッチングガスを通すため
の多数の通気孔１２ａが形成されている。上部電極１２
の裏側には電極１２とほぼ同じ形状の背板３０が設けら
れ、上部電極１２はこの背板３０を介して冷却ジャケッ
ト３２の下端部にボルト３４で固定されている。背板３
０の板面にも上部電極１２の通気孔１２ａと対応する位
置にエッチングガスを通すための多数の通気孔３０ａが
形成されている。
【００１４】ガス室３６の上部にはガス供給管３８の供
給口が臨んでおり、エッチングガス供給源（図示せず）
よりエッチングガスとして、たとえばＣＦ3 ／ＣＦ4 ／
Ａｒの混合ガスがガス供給管３８を介してガス室３６に
導入され、ガス室３６に導入されたエッチングガスは背
板３０および上部電極１２の通気孔３０ａ，１２ａを通
って下方のウエハＷに吹き付けられるようになってい
る。
給口が臨んでおり、エッチングガス供給源（図示せず）
よりエッチングガスとして、たとえばＣＦ3 ／ＣＦ4 ／
Ａｒの混合ガスがガス供給管３８を介してガス室３６に
導入され、ガス室３６に導入されたエッチングガスは背
板３０および上部電極１２の通気孔３０ａ，１２ａを通
って下方のウエハＷに吹き付けられるようになってい
る。
【００１５】冷却ジャケット３２は、たとえばアルミニ
ウムからなる有底筒状の金属部材を逆さにしたもので、
円板部内には環状の流路３２ａが設けられており、この
流路３２ａに供給管４０，排水管４２を介して冷却水供
給装置（図示せず）からの冷却水が流れることにより、
冷却ジャケット３２が冷却され、ひいては背板３０を介
して上部電極１２が冷却されるようになっている。ま
た、冷却ジャケット３２には高周波電源４４が接続され
ており、この高周波電源４４より、たとえば３８０ＫＨ
ｚの高周波電圧が冷却ジャケット３２および背板３０を
介して上部電極１２に供給される。
ウムからなる有底筒状の金属部材を逆さにしたもので、
円板部内には環状の流路３２ａが設けられており、この
流路３２ａに供給管４０，排水管４２を介して冷却水供
給装置（図示せず）からの冷却水が流れることにより、
冷却ジャケット３２が冷却され、ひいては背板３０を介
して上部電極１２が冷却されるようになっている。ま
た、冷却ジャケット３２には高周波電源４４が接続され
ており、この高周波電源４４より、たとえば３８０ＫＨ
ｚの高周波電圧が冷却ジャケット３２および背板３０を
介して上部電極１２に供給される。
【００１６】冷却ジャケット３２の回りには、環状の支
持板４６が反応容器１０の上部開口縁部に担持されるよ
うにして取付され、この支持板４６の段部４６ａに冷却
ジャケット３２のフランジ部３２ｂが載ることで、冷却
ジャケット３２、背板３０および上部電極１２が支持さ
れている。支持板４６の下端部には、上部電極１２の周
縁部に掛かるようにして断面Ｌ形のカバー板４８がボル
ト４９で取付されている。このカバー板４８によってプ
ラズマイオンがウエハＷに向けられるようになってい
る。
持板４６が反応容器１０の上部開口縁部に担持されるよ
うにして取付され、この支持板４６の段部４６ａに冷却
ジャケット３２のフランジ部３２ｂが載ることで、冷却
ジャケット３２、背板３０および上部電極１２が支持さ
れている。支持板４６の下端部には、上部電極１２の周
縁部に掛かるようにして断面Ｌ形のカバー板４８がボル
ト４９で取付されている。このカバー板４８によってプ
ラズマイオンがウエハＷに向けられるようになってい
る。
【００１７】なお、反応容器１０の側壁には、ウエハＷ
を出し入れするためのゲートバルブ５０、およびエッチ
ングによって気化した反応生成物を排出するための排気
管５２が設けられている。
を出し入れするためのゲートバルブ５０、およびエッチ
ングによって気化した反応生成物を排出するための排気
管５２が設けられている。
【００１８】かかるエッチング装置において、上部電極
１２と下部電極１４との間に高周波電圧が印加されるこ
とにより、両電極間にプラズマが発生し、このプラズマ
雰囲気中に送り込まれたエッチングガス（ＣＦ3 ／ＣＦ
4 ／Ａｒの混合ガス）からフッ素活性種Ｆ＊および反応
性イオンＣＦ3+，ＣＦ4+，Ａｒ+ が生成され、これらの
活性種および反応性イオンが下部電極１４上のウエハＷ
に降下または入射することで、ウエハＷ表面の酸化膜
（ＳｉＯ2 ）がエッチングされる。
１２と下部電極１４との間に高周波電圧が印加されるこ
とにより、両電極間にプラズマが発生し、このプラズマ
雰囲気中に送り込まれたエッチングガス（ＣＦ3 ／ＣＦ
4 ／Ａｒの混合ガス）からフッ素活性種Ｆ＊および反応
性イオンＣＦ3+，ＣＦ4+，Ａｒ+ が生成され、これらの
活性種および反応性イオンが下部電極１４上のウエハＷ
に降下または入射することで、ウエハＷ表面の酸化膜
（ＳｉＯ2 ）がエッチングされる。
【００１９】このようなエッチングの処理中に、上部電
極１２は、周期的（高周波電圧の極性が負の時）にプラ
ズマ中の反応性イオンＣＦ3+，ＣＦ4+，Ａｒ+ が入射
し、スパッタ効果によってエッチングされる。本実施例
の上部電極１２は、単結晶シリコンからなるため、シリ
コン原子の結合が強く、かつ結合力が均一であるため、
電極表面が均一にエッチングされる。スパッタされたシ
リコン原子はフッ素活性種Ｆ＊と反応してＳｉＦに気化
し、排気される。したがって、上部電極１２から固まり
状のものが落下するおそれはなく、パーティクルが発生
しない。
極１２は、周期的（高周波電圧の極性が負の時）にプラ
ズマ中の反応性イオンＣＦ3+，ＣＦ4+，Ａｒ+ が入射
し、スパッタ効果によってエッチングされる。本実施例
の上部電極１２は、単結晶シリコンからなるため、シリ
コン原子の結合が強く、かつ結合力が均一であるため、
電極表面が均一にエッチングされる。スパッタされたシ
リコン原子はフッ素活性種Ｆ＊と反応してＳｉＦに気化
し、排気される。したがって、上部電極１２から固まり
状のものが落下するおそれはなく、パーティクルが発生
しない。
【００２０】また、上部電極１２は、単結晶シリコンで
構成されるため、任意の厚さにつくることが可能であ
る。したがって、上部電極１２の厚みを大きくすること
で、電極寿命を延ばして交換周期を長くし、メンテナン
ス作業員の負担を軽減することができる。
構成されるため、任意の厚さにつくることが可能であ
る。したがって、上部電極１２の厚みを大きくすること
で、電極寿命を延ばして交換周期を長くし、メンテナン
ス作業員の負担を軽減することができる。
【００２１】また、単結晶シリコンは、高い熱伝導度を
有するため、上部電極１２の各部は均一に冷却される。
特に、電極の厚みを大きくし、さらにはアルミニウム等
の熱伝導体からなる背板３０を設けることで、上部電極
１２の各部を（特に中心部と周縁部とを）均一な温度に
冷却することができる。これにより、上部電極１２の各
通気孔１２ａより均一な温度でエッチングガスが供給さ
れるため、下方のウエハＷにおいては外周部と中心部と
で均一なエッチング特性が得られる。
有するため、上部電極１２の各部は均一に冷却される。
特に、電極の厚みを大きくし、さらにはアルミニウム等
の熱伝導体からなる背板３０を設けることで、上部電極
１２の各部を（特に中心部と周縁部とを）均一な温度に
冷却することができる。これにより、上部電極１２の各
通気孔１２ａより均一な温度でエッチングガスが供給さ
れるため、下方のウエハＷにおいては外周部と中心部と
で均一なエッチング特性が得られる。
【００２２】図２および図３につきこの点の作用効果を
説明する。図２は、酸化膜にコンタクトホールを形成す
る場合のウエハ表面の構造を示す。この場合、フォトレ
ジスト膜に形成された開口部内にイオンＡｒ+ が入射し
て、開口部の底のＳｉＯ2 をスパッタし、スパッタされ
たＳｉＯ2 が活性種Ｆ＊と反応してＳｉＦに気化するこ
とで、酸化膜の異方性エッチングが行われる。この開口
部付近には、概念的に粒状に示すようにデポガス（Ｃ
Ｆ）が浮遊ないし付着しており、このデポガスの存在に
よってイオンＡｒ+ の入射が妨げられる。開口部の底に
おけるデポガスの付着量は、上部電極および下部電極の
それぞれの温度の相関関係によって決まるが、温度が高
い場所ほど付着量が多くなり、そのぶんスパッタ効果が
弱まり、エッチング速度が下がる。
説明する。図２は、酸化膜にコンタクトホールを形成す
る場合のウエハ表面の構造を示す。この場合、フォトレ
ジスト膜に形成された開口部内にイオンＡｒ+ が入射し
て、開口部の底のＳｉＯ2 をスパッタし、スパッタされ
たＳｉＯ2 が活性種Ｆ＊と反応してＳｉＦに気化するこ
とで、酸化膜の異方性エッチングが行われる。この開口
部付近には、概念的に粒状に示すようにデポガス（Ｃ
Ｆ）が浮遊ないし付着しており、このデポガスの存在に
よってイオンＡｒ+ の入射が妨げられる。開口部の底に
おけるデポガスの付着量は、上部電極および下部電極の
それぞれの温度の相関関係によって決まるが、温度が高
い場所ほど付着量が多くなり、そのぶんスパッタ効果が
弱まり、エッチング速度が下がる。
【００２３】従来装置においては、アモルファスカーボ
ンからなる上部電極の熱伝導性がよくないため、この電
極の各部が均一に冷却されず、電極中心部の温度が電極
周縁部の温度よりも高くなってしまい、このため、ウエ
ハ周縁部よりもウエハ中心部のほうでデポガスが多めに
付着し、図３の（Ｂ）に示すように、コンタクトホール
の形状にバラツキが生じた。
ンからなる上部電極の熱伝導性がよくないため、この電
極の各部が均一に冷却されず、電極中心部の温度が電極
周縁部の温度よりも高くなってしまい、このため、ウエ
ハ周縁部よりもウエハ中心部のほうでデポガスが多めに
付着し、図３の（Ｂ）に示すように、コンタクトホール
の形状にバラツキが生じた。
【００２４】これに対し、本実施例の装置においては、
単結晶シリコンからなる上部電極１２の電極全体が均一
に冷却され、電極中心部も電極周縁部も等しい温度にな
るため、ウエハＷの各部で均一なエッチングが行われ、
図３の（Ａ）に示すように、ウエハＷの各部で均一形状
のコンタクトホールが得られる。
単結晶シリコンからなる上部電極１２の電極全体が均一
に冷却され、電極中心部も電極周縁部も等しい温度にな
るため、ウエハＷの各部で均一なエッチングが行われ、
図３の（Ａ）に示すように、ウエハＷの各部で均一形状
のコンタクトホールが得られる。
【００２５】上記した実施例では、下部電極１４をアー
ス電位にして、上部電極１２に高周波電圧を供給した
が、これと反対に、上部電極１２をアース電位にして、
下部電極１４に高周波電圧を供給したり、あるいは両電
極１２，１４に高周波電圧を供給することも可能であ
り、任意のプラズマ発生方法を使用することができる。
また、上記実施例の装置は平行平板型のドライエッチン
グ装置であったが、他の型式のドライエッチング装置、
たとえばマグネトロンエッチング装置、ＥＣＲエッチン
グ装置等にも本発明を適用することが可能である。
ス電位にして、上部電極１２に高周波電圧を供給した
が、これと反対に、上部電極１２をアース電位にして、
下部電極１４に高周波電圧を供給したり、あるいは両電
極１２，１４に高周波電圧を供給することも可能であ
り、任意のプラズマ発生方法を使用することができる。
また、上記実施例の装置は平行平板型のドライエッチン
グ装置であったが、他の型式のドライエッチング装置、
たとえばマグネトロンエッチング装置、ＥＣＲエッチン
グ装置等にも本発明を適用することが可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライエ
ッチング方法によれば、被処理体が載置される下部電極
とは反対側の上部電極を単結晶シリコンで構成するとと
もに、上部電極の裏面全体にアルミニウム製の背板を直
接接触させて、上部電極の各部をほぼ均一に冷却しなが
ら所定のエッチングガスを用いてプラズマ雰囲気中で被
処理体上のＳｉＯ2層をドライエッチングするようにし
たので、電極寿命を延ばし、パーティクルの発生を防止
するとともに、被処理体上で均一なエッチング特性を得
ることができる。
ッチング方法によれば、被処理体が載置される下部電極
とは反対側の上部電極を単結晶シリコンで構成するとと
もに、上部電極の裏面全体にアルミニウム製の背板を直
接接触させて、上部電極の各部をほぼ均一に冷却しなが
ら所定のエッチングガスを用いてプラズマ雰囲気中で被
処理体上のＳｉＯ2層をドライエッチングするようにし
たので、電極寿命を延ばし、パーティクルの発生を防止
するとともに、被処理体上で均一なエッチング特性を得
ることができる。
【図１】本発明の一実施例によるドライエッチング装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】酸化膜にコンタクトホールを形成する場合の半
導体ウエハ表面の構造を示す図である。
導体ウエハ表面の構造を示す図である。
【図３】実施例の装置および従来装置によってそれぞれ
得られるコンタクトホールの形状を示す図である。
得られるコンタクトホールの形状を示す図である。
１０ 反応容器 １２ 上部電極 １４ 下部電極 ３０ 補強板 ３２ 冷却ジャケット ４４ 高周波電源 Ｗ 半導体ウエハ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】被処理体上のＳｉＯ2層をドライエッチン
グする方法であって、 反応容器内に、 単結晶シリコンからなる多数の通気孔を有する板状の上
部電極と、 前記上部電極の裏面全体に直接接触し、前記上部電極の
各通気孔と対応する位置に通気孔が形成されているアル
ミニウムからなる背板と、 前記背板に接続され冷却路が形成されたアルミニウムか
らなる冷却ジャケットと、 前記冷却ジャケットの前記冷却路に冷媒を供給する冷媒
供給手段と、 前記上部電極に対向して配置された、前記被処理体を載
置する下部電極とを設け、 前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を印加
して両電極間にプラズマを生成し、前記冷媒供給手段、
前記冷却ジャケットおよび前記背板により前記上部電極
の各部をほぼ均一な温度に冷却しながら、炭素およびフ
ッ素を含有するガスとアルゴンガスとを含むエッチング
ガスを前記背板および前記上部電極の通気孔を介して前
記上部電極と前記下部電極上の前記被処理体との間に供
給して、前記被処理体上のＳｉＯ2層の所定の箇所を選
択的にドライエッチングして多層配線用のコンタクトホ
ールを形成するドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093435A JP3066673B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093435A JP3066673B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267235A JPH05267235A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3066673B2 true JP3066673B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=14082237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093435A Expired - Lifetime JP3066673B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3066673B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236505A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sumitomo Sitix Corp | プラズマエッチング装置用シリコン電極 |
| JP3019002B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| JPH11194016A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 表面形状測定方法 |
| JP3205312B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4093435A patent/JP3066673B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267235A (ja) | 1993-10-15 |
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