JPH03215687A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH03215687A JPH03215687A JP969990A JP969990A JPH03215687A JP H03215687 A JPH03215687 A JP H03215687A JP 969990 A JP969990 A JP 969990A JP 969990 A JP969990 A JP 969990A JP H03215687 A JPH03215687 A JP H03215687A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエッチング装置に関し、特に貴金属等の
高融点金属の加工に用いられるドライエッチング装置に
関する。
高融点金属の加工に用いられるドライエッチング装置に
関する。
従来からドライエッチングは、その加工精度の高さ，制
御性の良さなどの故、アルミニウムや絶縁膜のエッチン
グ用として半導体装置の製造用に広く用いられている。
御性の良さなどの故、アルミニウムや絶縁膜のエッチン
グ用として半導体装置の製造用に広く用いられている。
さらに近年は、磁界の印加やイオン衝撃を利用すること
により、金，タングステン，チタン，白金などの高融点
金属や貴金属をもエッチング可能な装置が実用化されつ
つある。
により、金，タングステン，チタン，白金などの高融点
金属や貴金属をもエッチング可能な装置が実用化されつ
つある。
この高融点金属や貴金属のドライエッチング装置は、前
述の磁界の利用などの手法で反応ガスのエネルギーを高
め、従来エッチングし得なかった金，タングステン等の
エッチングが可能となった点が画期的で、高信頼性・高
性能の半導体装置を開発する上で極めて期待するところ
の大きいものであるが、実用的には以下の様な問題点が
存在する。
述の磁界の利用などの手法で反応ガスのエネルギーを高
め、従来エッチングし得なかった金，タングステン等の
エッチングが可能となった点が画期的で、高信頼性・高
性能の半導体装置を開発する上で極めて期待するところ
の大きいものであるが、実用的には以下の様な問題点が
存在する。
即ち、エッチング物近傍では局所的に反応ガスのエネル
ギーや温度が高められているため、エッチングが可能と
なっているものの、エッチングにより気化した反応生成
物が排気系に導かれていく過程で、温度・磁界・電界の
低下と共に、反応室壁面や排気系配管の壁面に金属とし
て再付着する．そしてエッチングを繰り返すうちにこの
付着物が剥離し、被エッチング基板に落下して結果的に
不完全なエッチングをもたらしたり、装置の排気性能を
低下させたりしてしまうとう問題点があった。
ギーや温度が高められているため、エッチングが可能と
なっているものの、エッチングにより気化した反応生成
物が排気系に導かれていく過程で、温度・磁界・電界の
低下と共に、反応室壁面や排気系配管の壁面に金属とし
て再付着する．そしてエッチングを繰り返すうちにこの
付着物が剥離し、被エッチング基板に落下して結果的に
不完全なエッチングをもたらしたり、装置の排気性能を
低下させたりしてしまうとう問題点があった。
本発明のドライエッチング装置は、反応室内に設けられ
被エッチング基板を支持する下部電極と、この下部電極
に対向して設けられた上部電極と、前記反応室を排気す
るための排気系配管とを有するドライエッチング装置に
おいて、前記反応室の内壁温度を被エッチング基板温度
より高く保持するための手段と、エッチングにより気化
した反応生成物を捕集するための手段を排気系に設けた
ものである． 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する．第１図は
本発明をタングステン膜のエッチングに適用した場合の
第１の実施例の模式断面図である。
被エッチング基板を支持する下部電極と、この下部電極
に対向して設けられた上部電極と、前記反応室を排気す
るための排気系配管とを有するドライエッチング装置に
おいて、前記反応室の内壁温度を被エッチング基板温度
より高く保持するための手段と、エッチングにより気化
した反応生成物を捕集するための手段を排気系に設けた
ものである． 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する．第１図は
本発明をタングステン膜のエッチングに適用した場合の
第１の実施例の模式断面図である。
図においてタングステン膜を有する被エッチング基板１
は下部電極２の上に置かれ、下部電極２はエッチング条
件を適当に制御するため温調配管２ｌと温調器２２から
なる温度調節機構によって２０〜３０℃に温度制御され
ている．又、被エッチング基板１から５０〜１００ｍｍ
離れた位置に対向して上部電極３が配置され、両電極間
には１３．５６ＭＨｚ，ＩＫＷの高周波電力が高周波電
源１０から供給されている。反応ガス供給配管５からは
ＣＦ４ガスが反応室４内に導びかれ、排気系配管６から
排気が行なわれて反応室４内は約１ ０Ｐａに保たれて
いる。
は下部電極２の上に置かれ、下部電極２はエッチング条
件を適当に制御するため温調配管２ｌと温調器２２から
なる温度調節機構によって２０〜３０℃に温度制御され
ている．又、被エッチング基板１から５０〜１００ｍｍ
離れた位置に対向して上部電極３が配置され、両電極間
には１３．５６ＭＨｚ，ＩＫＷの高周波電力が高周波電
源１０から供給されている。反応ガス供給配管５からは
ＣＦ４ガスが反応室４内に導びかれ、排気系配管６から
排気が行なわれて反応室４内は約１ ０Ｐａに保たれて
いる。
この状態で従来技術によりエッチングを行なうと反応室
４の内壁や排気系配管，排気ボンプ９内に多量の反応物
が付着し、被エッチング基板１自身を汚染したり、排気
ポンプの性能低下をもたらすが、本第１の実施例におい
ては次の手段を設けることでこれを防止できる． 即ち反応室４を電気ヒーター４１で加熱し、反応物の蒸
気圧が真空度より高くなる様に保つ。こうすることで反
応物の壁面への付着は抑えられ゛、ガス状態で排気系へ
導かれる．排気系へ導かれた反応物は捕集部で捕集され
る．捕集部は温調器８により冷却された水と熱交換部７
から成り４真空度より反応物の蒸気圧が低くなる温度に
保たれる．このため反応物はここで固体化し、排気ポン
プ９へのダメージを防ぐことができる．この捕気部は２
個設け交互に洗浄再生できるようにすると良い． 第２図は本発明の第２の実施例の模式断面図である． 本第２の実施例では反応室４の加熱を電気ヒーターでは
なく、温調器４３からの温調水の循環により行なう以外
は第１の実施例と同一である．本第２の実施例では加熱
だけでなく冷却も可能のため、エッチング反応熱により
反応室内温度が暴走する事を防ぐことができ、より安定
性の高いエッチングが可能である． 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は、反応室の内壁温度を被エッ
チング基板の温度より高くする手段と、反応生成物を捕
集する手段を設けることにより、反応生成物の再付着に
よるごみの問題や排気ポンプの性能低下の問題を防ぐこ
とができるという効果がある。
４の内壁や排気系配管，排気ボンプ９内に多量の反応物
が付着し、被エッチング基板１自身を汚染したり、排気
ポンプの性能低下をもたらすが、本第１の実施例におい
ては次の手段を設けることでこれを防止できる． 即ち反応室４を電気ヒーター４１で加熱し、反応物の蒸
気圧が真空度より高くなる様に保つ。こうすることで反
応物の壁面への付着は抑えられ゛、ガス状態で排気系へ
導かれる．排気系へ導かれた反応物は捕集部で捕集され
る．捕集部は温調器８により冷却された水と熱交換部７
から成り４真空度より反応物の蒸気圧が低くなる温度に
保たれる．このため反応物はここで固体化し、排気ポン
プ９へのダメージを防ぐことができる．この捕気部は２
個設け交互に洗浄再生できるようにすると良い． 第２図は本発明の第２の実施例の模式断面図である． 本第２の実施例では反応室４の加熱を電気ヒーターでは
なく、温調器４３からの温調水の循環により行なう以外
は第１の実施例と同一である．本第２の実施例では加熱
だけでなく冷却も可能のため、エッチング反応熱により
反応室内温度が暴走する事を防ぐことができ、より安定
性の高いエッチングが可能である． 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は、反応室の内壁温度を被エッ
チング基板の温度より高くする手段と、反応生成物を捕
集する手段を設けることにより、反応生成物の再付着に
よるごみの問題や排気ポンプの性能低下の問題を防ぐこ
とができるという効果がある。
第１図及び第２図は、本発明の第１及び第２の実施例の
模式断面図である． １・・・被エッチング基板、２・・・下部電極、３・・
・上部電極、４・・・反応室、５・・・反応ガス供給配
管、６・・・排気系配管、７・・・熱交換部、８・・・
温調器、９・・・排気ポンプ、１０・・・高周波電源、
１１・・・ヒーター電源、４１・・・電気ヒーター ２
１・・・得調配管、２２・・・温調器、４２・・・温調
配管、４３・・・温調器。
模式断面図である． １・・・被エッチング基板、２・・・下部電極、３・・
・上部電極、４・・・反応室、５・・・反応ガス供給配
管、６・・・排気系配管、７・・・熱交換部、８・・・
温調器、９・・・排気ポンプ、１０・・・高周波電源、
１１・・・ヒーター電源、４１・・・電気ヒーター ２
１・・・得調配管、２２・・・温調器、４２・・・温調
配管、４３・・・温調器。
Claims (1)
- 反応室内に設けられ被エッチング基板を支持する下部電
極と、この下部電極に対向して設けられた上部電極と、
前記反応室を排気するための排気系配管とを有するドラ
イエッチング装置において、前記反応室の内壁温度を被
エッチング基板温度より高く保持するための手段と、エ
ッチングにより気化した反応生成物を捕集するための手
段を排気系に設けたことを特徴とするドライエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP969990A JPH03215687A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP969990A JPH03215687A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215687A true JPH03215687A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11727481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP969990A Pending JPH03215687A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794487A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JPH08144072A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-04 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JP2007520059A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-07-19 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理方法、プラズマ室および半導体デバイス |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP969990A patent/JPH03215687A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794487A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JPH08144072A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-04 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JP2007520059A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-07-19 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理方法、プラズマ室および半導体デバイス |
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