JP2003174012A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003174012A5
JP2003174012A5 JP2001370771A JP2001370771A JP2003174012A5 JP 2003174012 A5 JP2003174012 A5 JP 2003174012A5 JP 2001370771 A JP2001370771 A JP 2001370771A JP 2001370771 A JP2001370771 A JP 2001370771A JP 2003174012 A5 JP2003174012 A5 JP 2003174012A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
process chamber
substrate holder
insulating film
plasma
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001370771A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003174012A (ja
JP3971603B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2001370771A external-priority patent/JP3971603B2/ja
Priority to JP2001370771A priority Critical patent/JP3971603B2/ja
Priority to TW091133170A priority patent/TW569344B/zh
Priority to EP02258328A priority patent/EP1324374B1/en
Priority to KR1020020076272A priority patent/KR20030045644A/ko
Priority to CNB021399832A priority patent/CN1296977C/zh
Priority to US10/310,685 priority patent/US7025855B2/en
Publication of JP2003174012A publication Critical patent/JP2003174012A/ja
Publication of JP2003174012A5 publication Critical patent/JP2003174012A5/ja
Publication of JP3971603B2 publication Critical patent/JP3971603B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 排気系を有するとともに内部でエッチング処理が行われるプロセスチャンバーと、プロセスチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、エッチング作用のあるガスをプロセスチャンバー内に導入するガス導入系と、導入されたガスのプラズマを形成するプラズマ形成手段と、未処理の基板をプロセスチャンバー内に搬入するとともに処理済みの基板をプロセスチャンバーから搬出する搬送系とを備え、プラズマ中で生成される種の作用により基板の表面の絶縁膜をエッチングする絶縁膜エッチング装置であって、
    前記ガス導入系は、前記エッチング作用のあるガスに替えて、プロセスチャンバー内の露出面に堆積した膜を除去するクリーニング作用のあるガスを導入することが可能となっており、
    さらに、前記排気系、前記ガス導入系、前記プラズマ形成手段及び前記搬送系を制御する制御部が設けられており、この制御部は、前記エッチング処理の後、前記排気系によってプロセスチャンバーを排気するとともに前記搬送系を制御して処理済みの基板を前記プロセスチャンバーから搬出した後、前記ガス導入系を制御して前記クリーニング作用のあるガスを前記プロセスチャンバー内に導入し、この状態で前記プラズマ形成手段を動作させる制御を行うものであることを特徴とする絶縁膜エッチング装置。
  2. 前記プロセスチャンバー内であって前記基板ホルダーの基板保持面より下方の位置には、強制冷却される冷却トラップが設けられており、この冷却トラップは、堆積作用のあるガス分子を捕集することで他の場所に比して多くの膜を堆積させるものであり、交換可能に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜エッチング装置。
  3. 前記冷却トラップの表面には、堆積した膜の剥離を防止する凹凸が設けられているとともにその凹凸の表面は酸化物又は絶縁物から形成されていることを特徴とする請求項２記載の絶縁膜エッチング装置。
  4. 前記基板ホルダー内に冷媒を流通させて前記基板ホルダーを冷却する冷却機構が設けられており、前記制御部は、この冷却機構も制御するものであって、前記エッチング処理の際に比べて前記クリーニングの際には前記基板ホルダーの温度が高くなるように冷却機構を制御するものであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜エッチング装置。
  5. 前記プラズマ形成手段は、前記基板ホルダーに対向するようにして設けられた対向電極と、対向電極に高周波電圧を印加するプラズマ形成用高周波電源とから成っているとともに、対向電極内に冷媒を流通させて対向電極を冷却する冷却機構が設けられており、さらに、前記制御部は、この冷却機構も制御するものであって、前記エッチング処理の際に比べて前記クリーニングの際には対向電極の温度が高くなるように冷却機構を制御するものであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜エッチング装置。
  6. 前記プラズマ形成手段は、前記基板ホルダーに対向するようにして設けられた対向電極と、対向電極に高周波電圧を印加するプラズマ形成用高周波電源とから成っており、
    さらに、前記基板ホルダーには、前記基板ホルダーに高周波電圧を印加することで形成される自己バイアス電圧によりプラズマ中からイオンを引き出して入射させるバイアス用電源が接続されているとともに、前記基板ホルダーとバイアス用電源との間又は対向電極とプラズマ形成用高周波電源との間には可変キャパシタが設けられており、
    前記制御部は、この可変キャパシタも制御するものであって、前記基板ホルダーと前記対向電極との間の放電空間のうち周辺部におけるプラズマ密度が前記エッチング処理の際に比べて高くなるよう可変キャパシタを制御するものであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜エッチング装置。
  7. 前記プラズマ形成手段は、前記基板ホルダーに対向するようにして設けられた対向電極と、対向電極に高周波電圧を印加するプラズマ形成用高周波電源とから成っており、
    さらに、前記基板ホルダーには、基板ホルダーに高周波電圧を印加することで形成される自己バイアス電圧によりプラズマ中からイオンを引き出して入射させるバイアス用電源が接続されており、前記制御部は、このバイアス用電源も制御するものであって、前記エッチング処理の際にはこのバイアス用電源を動作させるとともに前記クリーニングの際にはこのバイアス用電源を停止させるか前記エッチングの際よりも小さい自己バイアス電圧になるように動作させる制御を行うものであることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜エッチング装置。
  8. 排気系を有するとともに内部でエッチング処理が行われるプロセスチャンバーと、プロセスチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、エッチング作用のあるガスをプロセスチャンバー内に導入するガス導入系と、導入されたガスのプラズマを形成するプラズマ形成手段と、未処理の基板をプロセスチャンバー内に搬入するとともに処理済みの基板をプロセスチャンバーから搬出する搬送系とを備え、プラズマ中で生成される種の作用により基板の表面の絶縁膜をエッチングする絶縁膜エッチング装置であって、
    前記プロセスチャンバー内であって前記基板ホルダーの基板保持面より下方の位置には、強制冷却される冷却トラップが設けられており、この冷却トラップは、堆積作用のあるガス分子を捕集することで他の場所に比して多くの膜を堆積させるものであり、交換可能に取り付けられていることを特徴とする絶縁膜エッチング装置。
  9. 前記冷却トラップは、前記基板ホルダーの側面に設けられていることを特徴とする請求項８記載の絶縁膜エッチング装置。
  10. 前記プロセスチャンバーの底面には排気口は形成されておらず前記プロセスチャンバーの側面に排気口が形成されており、前記排気系は、この側面の排気口を通して排気するものであることを特徴とする請求項８又は９記載の絶縁膜エッチング装置。
JP2001370771A 2001-12-04 2001-12-04 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法 Expired - Fee Related JP3971603B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001370771A JP3971603B2 (ja) 2001-12-04 2001-12-04 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
TW091133170A TW569344B (en) 2001-12-04 2002-11-12 Insulation-film etching system
EP02258328A EP1324374B1 (en) 2001-12-04 2002-12-03 Etching System for an insulation-film
KR1020020076272A KR20030045644A (ko) 2001-12-04 2002-12-03 절연막 에칭장치
CNB021399832A CN1296977C (zh) 2001-12-04 2002-12-04 绝缘膜刻蚀装置
US10/310,685 US7025855B2 (en) 2001-12-04 2002-12-04 Insulation-film etching system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001370771A JP3971603B2 (ja) 2001-12-04 2001-12-04 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006333816A Division JP4469364B2 (ja) 2006-12-11 2006-12-11 絶縁膜エッチング装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003174012A JP2003174012A (ja) 2003-06-20
JP2003174012A5 true JP2003174012A5 (ja) 2005-11-04
JP3971603B2 JP3971603B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=19179938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001370771A Expired - Fee Related JP3971603B2 (ja) 2001-12-04 2001-12-04 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7025855B2 (ja)
EP (1) EP1324374B1 (ja)
JP (1) JP3971603B2 (ja)
KR (1) KR20030045644A (ja)
CN (1) CN1296977C (ja)
TW (1) TW569344B (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2797997B1 (fr) * 1999-08-26 2002-04-05 Cit Alcatel Procede et dispositif pour le traitement de substrat sous vide par plasma
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
JP4043488B2 (ja) * 2003-02-04 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理システムの稼動方法
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
US7049052B2 (en) * 2003-05-09 2006-05-23 Lam Research Corporation Method providing an improved bi-layer photoresist pattern
US20040244949A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-09 Tokyo Electron Limited Temperature controlled shield ring
US7993460B2 (en) * 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
JP4413084B2 (ja) * 2003-07-30 2010-02-10 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置及びそのクリーニング方法
JP4540953B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 キヤノンアネルバ株式会社 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置
US20060000552A1 (en) * 2004-07-05 2006-01-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
JP4629421B2 (ja) * 2004-12-06 2011-02-09 パナソニック株式会社 ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
US20060218680A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
KR100757347B1 (ko) * 2006-08-30 2007-09-10 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
JP4646880B2 (ja) * 2006-09-08 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI319610B (en) * 2006-12-29 2010-01-11 Winbond Electronics Corp Method of manufacturing openings and via openings
KR20100022146A (ko) * 2008-08-19 2010-03-02 삼성전자주식회사 플라즈마 공정장치 및 그 방법
KR101097738B1 (ko) * 2009-10-09 2011-12-22 에스엔유 프리시젼 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100996210B1 (ko) * 2010-04-12 2010-11-24 세메스 주식회사 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법
CN103189957B (zh) * 2010-10-05 2016-01-20 欧瑞康先进科技股份公司 用于真空加工聚合物基板的原位调节
JP5666248B2 (ja) * 2010-11-02 2015-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 磁気記録媒体の製造装置
KR101260939B1 (ko) * 2011-03-09 2013-05-06 엘아이지에이디피 주식회사 점착 모듈, 이를 포함하는 기판 합착 장치 및 점착 패드의 제조방법
TWI585837B (zh) * 2011-10-12 2017-06-01 歐瑞康先進科技股份有限公司 濺鍍蝕刻室及濺鍍方法
JP6607795B2 (ja) * 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN107808838A (zh) * 2017-11-13 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干刻蚀装置及干刻蚀方法
JP7304261B2 (ja) * 2019-10-07 2023-07-06 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
CN114899759B (zh) * 2022-06-24 2024-01-19 国网湖北省电力有限公司超高压公司 机器人带电更换高压输电线路绝缘子操作方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546576A (en) * 1978-09-30 1980-04-01 Toshiba Corp Device for preventing semiconductor device from contaminating
JPS5950179A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 Ulvac Corp 真空槽のクリ−ニング方法
JPH0770509B2 (ja) * 1982-10-08 1995-07-31 株式会社日立製作所 ドライプロセス装置
DE69033286T2 (de) * 1989-02-15 2000-05-25 Hitachi Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Films
JP3045259B2 (ja) 1992-03-02 2000-05-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置
US5252178A (en) * 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
JPH06310588A (ja) 1993-04-26 1994-11-04 Fuji Electric Co Ltd プラズマ処理装置および該装置におけるドライクリーニング方法
US5474647A (en) * 1993-11-15 1995-12-12 Hughes Aircraft Company Wafer flow architecture for production wafer processing
JPH07201818A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置
US5514246A (en) * 1994-06-02 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor
JP3277209B2 (ja) 1994-06-08 2002-04-22 日本電信電話株式会社 ドライエッチング装置のドライ洗浄方法
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
JPH0867968A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物薄膜の作製方法
JPH0897147A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル結晶成長装置
US5685942A (en) * 1994-12-05 1997-11-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US5585012A (en) 1994-12-15 1996-12-17 Applied Materials Inc. Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation
JP3350264B2 (ja) 1994-12-22 2002-11-25 松下電器産業株式会社 プラズマクリーニング方法
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5534751A (en) * 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
US6214740B1 (en) * 1996-01-26 2001-04-10 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
JP3597330B2 (ja) 1996-10-04 2004-12-08 アネルバ株式会社 表面処理装置
JPH10144498A (ja) 1996-11-12 1998-05-29 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TW411527B (en) * 1996-11-14 2000-11-11 Tokyo Electron Ltd Cleaning method for plasma processing system and plasma processing method
JPH10154696A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Nittetsu Semiconductor Kk ドライエッチング装置プロセスチャンバーのドライクリーニング方法
JPH10178003A (ja) 1996-12-17 1998-06-30 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
JPH1140502A (ja) 1997-07-15 1999-02-12 Hitachi Ltd 半導体製造装置のドライクリーニング方法
JP3676919B2 (ja) 1997-10-09 2005-07-27 株式会社アルバック 反応性イオンエッチング装置
JP3566522B2 (ja) 1997-12-17 2004-09-15 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置内のプラズマクリーニング方法
JPH11233487A (ja) 1998-02-13 1999-08-27 Hitachi Ltd 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置
JP4060941B2 (ja) * 1998-05-26 2008-03-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP3238137B2 (ja) 1999-03-23 2001-12-10 株式会社日立製作所 プラズマ処理室のクリーニング方法
US6318384B1 (en) * 1999-09-24 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates
TW478026B (en) * 2000-08-25 2002-03-01 Hitachi Ltd Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield
US6403491B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
US6852242B2 (en) * 2001-02-23 2005-02-08 Zhi-Wen Sun Cleaning of multicompositional etchant residues
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003174012A5 (ja)
JP6737899B2 (ja) プラズマ処理チャンバでのインシトゥチャンバ洗浄効率向上のためのプラズマ処理プロセス
JP5390846B2 (ja) プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法
JP3647530B2 (ja) 平行電極エッチングの操作のための上段電極
TW201841252A (zh) 包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法
TWI425882B (zh) 減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置
TWI411015B (zh) A plasma processing apparatus, a plasma apparatus for performing the cleaning method thereof, and a memory medium for storing a program for executing the cleaning method
JP2007514275A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011054825A (ja) チャンバ内クリーニング方法
KR20120080544A (ko) 포커스 링 및 이 포커스 링을 구비하는 기판 처리 장치
TWI571930B (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
KR20110055402A (ko) 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체
TW201806026A (zh) 電漿處理方法
JPH08191059A (ja) プラズマ処理装置
JP2016086046A (ja) プラズマ処理方法
JP2021127516A (ja) 成膜装置及び成膜装置の水分除去方法
JPH07331445A (ja) 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JP2020177959A (ja) クリーニング処理方法及びプラズマ処理装置
JP2001250814A (ja) プラズマ処理装置
JP2001230234A (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP2000164582A (ja) プラズマ処理装置
JP3884561B2 (ja) プラズマクリーニング装置
JP2000150487A (ja) プラズマ処理方法
KR20200115228A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100632180B1 (ko) 대기압 플라즈마 시스템