JPH0867968A - 酸化物薄膜の作製方法 - Google Patents
酸化物薄膜の作製方法Info
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- Y10S505/742—Annealing
Abstract
(57)【要約】
【構成】 成膜時に酸化ガスを冷却して供給し、反応性
の高いガスの割合を高めて反応性共蒸着法で高品質な酸
化物超電導薄膜を成膜する。
の高いガスの割合を高めて反応性共蒸着法で高品質な酸
化物超電導薄膜を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物薄膜の作製方法
に関する。より詳細には、成膜後に熱処理等を行わずに
表面清浄性、結晶性、超電導特性の優れた酸化物薄膜を
反応性共蒸着法により作製する方法に関する。
に関する。より詳細には、成膜後に熱処理等を行わずに
表面清浄性、結晶性、超電導特性の優れた酸化物薄膜を
反応性共蒸着法により作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体は、従来の金属系超電導
体に比較して臨界温度が高く、実用性がより高いと考え
られている。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
の臨界温度は80Ｋ以上であり、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸
化物超電導体およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体の臨界温度は 100Ｋ以上と発表されている。
体に比較して臨界温度が高く、実用性がより高いと考え
られている。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
の臨界温度は80Ｋ以上であり、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸
化物超電導体およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体の臨界温度は 100Ｋ以上と発表されている。
【０００３】酸化物超電導体を超電導素子、超電導集積
回路等いわゆる超電導エレクトロニクス技術に応用する
場合、一般には酸化物超電導体を薄膜化して使用しなけ
ればならない。酸化物超電導体を薄膜化する方法として
は、各種のスパッタリング法、レーザアブレーション
法、ＭＢＥ法等が好ましいとされている。特に、ＭＢＥ
法は、原子層を一層ずつ積層して成膜することが可能
で、積層状態をその場でモニターできるので高品質の酸
化物超電導薄膜が成膜可能である。
回路等いわゆる超電導エレクトロニクス技術に応用する
場合、一般には酸化物超電導体を薄膜化して使用しなけ
ればならない。酸化物超電導体を薄膜化する方法として
は、各種のスパッタリング法、レーザアブレーション
法、ＭＢＥ法等が好ましいとされている。特に、ＭＢＥ
法は、原子層を一層ずつ積層して成膜することが可能
で、積層状態をその場でモニターできるので高品質の酸
化物超電導薄膜が成膜可能である。
【０００４】また、超電導素子、超電導集積回路を作製
する場合には、絶縁体膜も必要であるが、酸化物超電導
体と組み合わせて使用する絶縁体としては、SrTiＯ3、M
gＯ等の酸化物誘電体薄膜が好ましい。特に、SrTiＯ
3は、酸化物超電導体と同様、層状構造の結晶を有し、
酸化物超電導薄膜と同じ装置を使用して、ＭＢＥ法によ
り一層ずつ積層して成膜することにより、品質、厚さの
精密な制御ができる。
する場合には、絶縁体膜も必要であるが、酸化物超電導
体と組み合わせて使用する絶縁体としては、SrTiＯ3、M
gＯ等の酸化物誘電体薄膜が好ましい。特に、SrTiＯ
3は、酸化物超電導体と同様、層状構造の結晶を有し、
酸化物超電導薄膜と同じ装置を使用して、ＭＢＥ法によ
り一層ずつ積層して成膜することにより、品質、厚さの
精密な制御ができる。
【０００５】上記の酸化物超電導薄膜、酸化物誘電体薄
膜等の酸化物薄膜をＭＢＥ法で成膜する場合には、ＭＢ
Ｅ法の中でも特に反応性共蒸着法と呼ばれる方法を使用
する。この方法は、酸化物の酸素以外の成分元素をＫセ
ル（クヌーセンセル）蒸発源から供給し、また、酸素を
含む酸化ガスを基板近傍に供給して、基板表面で反応さ
せ成膜する方法である。酸化ガスとしては、Ｏ3を含む
Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2等が使用される。
膜等の酸化物薄膜をＭＢＥ法で成膜する場合には、ＭＢ
Ｅ法の中でも特に反応性共蒸着法と呼ばれる方法を使用
する。この方法は、酸化物の酸素以外の成分元素をＫセ
ル（クヌーセンセル）蒸発源から供給し、また、酸素を
含む酸化ガスを基板近傍に供給して、基板表面で反応さ
せ成膜する方法である。酸化ガスとしては、Ｏ3を含む
Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2等が使用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】反応性共蒸着法では、
一般にプロセスの汚染を避けるため、成膜雰囲気の圧力
できるだけ下げる（真空度を上げる）ことが一般的であ
る。しかしながら、酸化物薄膜を成膜する場合には、上
記のような酸化ガスを基板近傍に供給する極めて特異的
な方法が採られる。この場合でも、基板近傍の圧力をで
きるだけ低くすることが不純物の薄膜内への混入を防ぐ
ために好ましい。従来は、基板近傍の圧力を１×10-5To
rr程度にしているが、基板表面近傍における酸化反応を
十分に進行させることが難しい場合がある。
一般にプロセスの汚染を避けるため、成膜雰囲気の圧力
できるだけ下げる（真空度を上げる）ことが一般的であ
る。しかしながら、酸化物薄膜を成膜する場合には、上
記のような酸化ガスを基板近傍に供給する極めて特異的
な方法が採られる。この場合でも、基板近傍の圧力をで
きるだけ低くすることが不純物の薄膜内への混入を防ぐ
ために好ましい。従来は、基板近傍の圧力を１×10-5To
rr程度にしているが、基板表面近傍における酸化反応を
十分に進行させることが難しい場合がある。
【０００７】従って、酸化ガスの反応性をできるだけ高
めることが要求される。そのためには、反応性の高いＯ
3やＮ2Ｏを多く含む酸化ガスを供給することが必要であ
る。しかしながら、従来の方法では、酸化ガスを供給す
るためのノズルが加熱され、先端の温度が200 ℃程度に
なるため、Ｏ3やＮ2Ｏが分解され、基板近傍に十分に供
給できないことがあった。
めることが要求される。そのためには、反応性の高いＯ
3やＮ2Ｏを多く含む酸化ガスを供給することが必要であ
る。しかしながら、従来の方法では、酸化ガスを供給す
るためのノズルが加熱され、先端の温度が200 ℃程度に
なるため、Ｏ3やＮ2Ｏが分解され、基板近傍に十分に供
給できないことがあった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決して、酸化力の強い酸化ガスを基板近傍に
供給して、優れた特性および品質の酸化物薄膜を作製す
る方法を提供することにある。
問題点を解決して、酸化力の強い酸化ガスを基板近傍に
供給して、優れた特性および品質の酸化物薄膜を作製す
る方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、高真空
に排気可能なチャンバ内に、基板を加熱可能に収容し、
前記チャンバ内で、前記基板の近傍に酸素を含む酸化ガ
スをノズルから供給し、前記基板に対向して配置したＫ
セル蒸着源から酸素以外の成分元素を供給し、反応性共
蒸着法により酸化物薄膜を作製する方法において、酸化
ガスを冷却して供給することを特徴とする酸化物薄膜の
作製方法が提供される。
に排気可能なチャンバ内に、基板を加熱可能に収容し、
前記チャンバ内で、前記基板の近傍に酸素を含む酸化ガ
スをノズルから供給し、前記基板に対向して配置したＫ
セル蒸着源から酸素以外の成分元素を供給し、反応性共
蒸着法により酸化物薄膜を作製する方法において、酸化
ガスを冷却して供給することを特徴とする酸化物薄膜の
作製方法が提供される。
【００１０】本発明の方法では、酸化ガスを液体窒素ト
ラップと、液体窒素トラップからノズルに達する伝熱部
材により冷却することが好ましい。
ラップと、液体窒素トラップからノズルに達する伝熱部
材により冷却することが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明の方法は、反応性共蒸着法で酸化ガスを
冷却しながら供給し、酸化物薄膜の成膜を行うところに
その主要な特徴がある。酸化ガスを冷却しながら供給す
ることにより、反応性の高いＯ3やＮ2Ｏの分解が防止さ
れ、これらのガスの割合が従来よりも高い酸化ガスが、
基板表面近傍に供給される。従って、十分に酸化された
酸化物薄膜が成膜できる。
冷却しながら供給し、酸化物薄膜の成膜を行うところに
その主要な特徴がある。酸化ガスを冷却しながら供給す
ることにより、反応性の高いＯ3やＮ2Ｏの分解が防止さ
れ、これらのガスの割合が従来よりも高い酸化ガスが、
基板表面近傍に供給される。従って、十分に酸化された
酸化物薄膜が成膜できる。
【００１２】本発明の方法において、酸化ガスは、酸化
ガスの供給のためのノズルを液体窒素トラップを使用し
て冷却すること好ましい。より具体的には、液体窒素ト
ラップと、液体窒素トラップからノズルに達する伝熱部
材によりノズルを冷却し、それにより酸化ガスを冷却す
ることが好ましい。この方法によれば、トラップ効果に
より基板近傍の真空度を向上させる効果も期待できる。
ガスの供給のためのノズルを液体窒素トラップを使用し
て冷却すること好ましい。より具体的には、液体窒素ト
ラップと、液体窒素トラップからノズルに達する伝熱部
材によりノズルを冷却し、それにより酸化ガスを冷却す
ることが好ましい。この方法によれば、トラップ効果に
より基板近傍の真空度を向上させる効果も期待できる。
【００１３】本発明の方法におけるその他の成膜条件
は、本件特許出願人による特願平５−103624号に開示さ
れている。以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
は、本件特許出願人による特願平５−103624号に開示さ
れている。以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１４】
【実施例】図１に、本実施例で使用した本発明の方法を
実現する装置の概略図を示す。この装置は、主排気系１
を備えた真空チャンバ２と、この真空チャンバ２の底部
に装着された蒸発源を収容するためのＫセル３および真
空チャンバ２の頂部に装着された基板４を保持するため
の基板ホルダ５とを具備する。基板ホルダ５には、基板
４を加熱するためのヒータ５ａが設けられている。ま
た、真空チャンバ２の中程には、基板４近傍に反応ガス
を供給する給気系７、試料導入部10、成膜中の薄膜を観
測するための反射高速電子線回折装置（以下、ＲＨＥＥ
Ｄと記載する）８等が装備され、真空チャンバ２の底部
には、蒸発源の周囲にコールドトラップを構成するため
の液化窒素シュラウド６が備えられている。基板４の直
前には、成膜処理の断続を制御するためのシャッタ９が
設けられている。Ｋセル３は、供給する分子線に合わせ
複数設けられている。また、Ｋセル３の代わりに電子銃
11を装着する場合もある。
実現する装置の概略図を示す。この装置は、主排気系１
を備えた真空チャンバ２と、この真空チャンバ２の底部
に装着された蒸発源を収容するためのＫセル３および真
空チャンバ２の頂部に装着された基板４を保持するため
の基板ホルダ５とを具備する。基板ホルダ５には、基板
４を加熱するためのヒータ５ａが設けられている。ま
た、真空チャンバ２の中程には、基板４近傍に反応ガス
を供給する給気系７、試料導入部10、成膜中の薄膜を観
測するための反射高速電子線回折装置（以下、ＲＨＥＥ
Ｄと記載する）８等が装備され、真空チャンバ２の底部
には、蒸発源の周囲にコールドトラップを構成するため
の液化窒素シュラウド６が備えられている。基板４の直
前には、成膜処理の断続を制御するためのシャッタ９が
設けられている。Ｋセル３は、供給する分子線に合わせ
複数設けられている。また、Ｋセル３の代わりに電子銃
11を装着する場合もある。
【００１５】図１の装置では、真空チャンバ２のほぼ中
央付近に絞り手段21およびゲートバルブ22が設けられ、
ゲートバルブ22の基板側に副排気系20が装着されてい
る。絞り手段21は、中央に貫通孔を有する板状の部材に
より構成されている。この貫通孔は、Ｋセル３および電
子銃11から基板４に向かって照射される分子ビームを妨
げないように設けられている。この絞り手段21により、
真空チャンバ２内の基板４側と蒸発源側との間の実効的
な口径が小さくなり、基板４側と蒸発源側との間に差圧
を発生させ易くしている。
央付近に絞り手段21およびゲートバルブ22が設けられ、
ゲートバルブ22の基板側に副排気系20が装着されてい
る。絞り手段21は、中央に貫通孔を有する板状の部材に
より構成されている。この貫通孔は、Ｋセル３および電
子銃11から基板４に向かって照射される分子ビームを妨
げないように設けられている。この絞り手段21により、
真空チャンバ２内の基板４側と蒸発源側との間の実効的
な口径が小さくなり、基板４側と蒸発源側との間に差圧
を発生させ易くしている。
【００１６】ゲートバルブ22は、絞り手段21に設けられ
た貫通孔21を閉塞することができるように構成されてお
り、閉じた状態では、真空チャンバ２の基板側と蒸発源
側とを気密に遮断することができるように構成されてい
る。尚、図示されていないが、ゲートバルブ22は真空チ
ャンバ２の外部からその開閉を操作できるように構成さ
れている。
た貫通孔21を閉塞することができるように構成されてお
り、閉じた状態では、真空チャンバ２の基板側と蒸発源
側とを気密に遮断することができるように構成されてい
る。尚、図示されていないが、ゲートバルブ22は真空チ
ャンバ２の外部からその開閉を操作できるように構成さ
れている。
【００１７】また、副排気系20は、絞り手段21およびゲ
ートバルブ22に対して基板４側に設けられており、上記
の熱処理後迅速に真空チャンバ２の基板側を排気するこ
とができる。副排気系20としてはターボポンプやクライ
オポンプ等が好ましい。尚、絞り手段21およびゲートバ
ルブ22に対して蒸発源側に設けられる主排気系１として
は、拡散ポンプ等を使用することが好ましい。
ートバルブ22に対して基板４側に設けられており、上記
の熱処理後迅速に真空チャンバ２の基板側を排気するこ
とができる。副排気系20としてはターボポンプやクライ
オポンプ等が好ましい。尚、絞り手段21およびゲートバ
ルブ22に対して蒸発源側に設けられる主排気系１として
は、拡散ポンプ等を使用することが好ましい。
【００１８】さらに、図１の装置では、本発明の方法を
実施するために必要な液体窒素トラップ16が給気系７の
近傍に配置されている。液体窒素トラップ16には、液体
窒素が流されており、給気系７には、伝熱部材15である
Cuテープが巻きつけてあり、その一端は液体窒素トラッ
プ16に取り付けられている。
実施するために必要な液体窒素トラップ16が給気系７の
近傍に配置されている。液体窒素トラップ16には、液体
窒素が流されており、給気系７には、伝熱部材15である
Cuテープが巻きつけてあり、その一端は液体窒素トラッ
プ16に取り付けられている。
【００１９】本発明の方法により、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化
物薄膜を作製した。以下に手順を説明する。最初にSrTi
Ｏ3（１００）基板４を基板ホルダ５に、蒸発源をＫセ
ル３にそれぞれセットした後、真空チャンバ２内を１×
10-9Torr以下の高真空に排気する。本実施例では、基板
４にMgＯを、蒸発源には金属Ｙ、金属Baおよび金属Cuを
それぞれ異なるＫセルにセットして使用した。続いて、
真空チャンバ２の排気を行いながら給気系７から、Ｏ3
を70体積％含むＯ2を酸化ガスとして供給し、基板４の
周辺の圧力を５×10-5Torrに調整する。絞り手段21によ
り、蒸発源側は基板周辺よりもさらに一桁以上低い圧力
となる。また、給気系７から噴出する酸化ガスが基板の
成膜面に直接あたるように装置を構成すると、成膜面に
おける実質的な酸素圧をさらに高くすることができる。
従来の方法では、吸気系７の先端の温度が200℃以上で
あった。本実施例においては、給気系７の先端が150℃
以下にまで冷却されているので、基板表面近傍に供給す
る酸化ガス中に含まれるＯ3の割合を高めることがで
き、且つ酸化物超電導薄膜の良好な特性を有する領域を
広くすることが可能になる。
物薄膜を作製した。以下に手順を説明する。最初にSrTi
Ｏ3（１００）基板４を基板ホルダ５に、蒸発源をＫセ
ル３にそれぞれセットした後、真空チャンバ２内を１×
10-9Torr以下の高真空に排気する。本実施例では、基板
４にMgＯを、蒸発源には金属Ｙ、金属Baおよび金属Cuを
それぞれ異なるＫセルにセットして使用した。続いて、
真空チャンバ２の排気を行いながら給気系７から、Ｏ3
を70体積％含むＯ2を酸化ガスとして供給し、基板４の
周辺の圧力を５×10-5Torrに調整する。絞り手段21によ
り、蒸発源側は基板周辺よりもさらに一桁以上低い圧力
となる。また、給気系７から噴出する酸化ガスが基板の
成膜面に直接あたるように装置を構成すると、成膜面に
おける実質的な酸素圧をさらに高くすることができる。
従来の方法では、吸気系７の先端の温度が200℃以上で
あった。本実施例においては、給気系７の先端が150℃
以下にまで冷却されているので、基板表面近傍に供給す
る酸化ガス中に含まれるＯ3の割合を高めることがで
き、且つ酸化物超電導薄膜の良好な特性を有する領域を
広くすることが可能になる。
【００２０】酸化ガスの供給と同時に、ヒータ５ａおよ
びＫセル３により、基板および蒸発源をそれぞれ所定の
温度まで加熱する。本実施例では、基板温度は700 ℃、
各Ｋセルの温度は、Ｙセルを1220℃、Baセルを620℃、C
uセルを1000℃とした。蒸発源から分子ビームが安定に
発生するようになったらシャッタ９を開いて成膜を開始
する。このとき、ＲＨＥＥＤ８により薄膜の成長状態を
観察することができる。本実施例では、１nm／分の成膜
速度で90nmの厚さの酸化物超電導薄膜を成長させた。
びＫセル３により、基板および蒸発源をそれぞれ所定の
温度まで加熱する。本実施例では、基板温度は700 ℃、
各Ｋセルの温度は、Ｙセルを1220℃、Baセルを620℃、C
uセルを1000℃とした。蒸発源から分子ビームが安定に
発生するようになったらシャッタ９を開いて成膜を開始
する。このとき、ＲＨＥＥＤ８により薄膜の成長状態を
観察することができる。本実施例では、１nm／分の成膜
速度で90nmの厚さの酸化物超電導薄膜を成長させた。
【００２１】基板４上に成長した薄膜が所定の膜厚90nm
に達したら、成膜時の雰囲気を維持したままヒータ５ａ
を切り、基板温度を降温させる。このように作製したｃ
軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の表面を大気
にさらさない状態で、ＲＨＥＥＤ、ＸＰＳ、ＬＥＥＤで
評価した。その結果、ＲＨＥＥＤ像は、ストリーク状で
薄膜表面が平坦で、且つ結晶性の表面であることがわか
った。また、ＬＥＥＤ像には１×１のスポットが観察さ
れ、本発明の方法で作製した酸化物超電導薄膜の表面は
清浄な結晶性表面であることがわかった。一方、ＸＰＳ
スペクトルでは、Ｃのピークが見られないことから、本
発明の方法で作製された酸化物超電導薄膜の表面には、
汚染物質であるＣ化合物が存在してないことがわかっ
た。さらに、従来の方法では、基板４の吸気系７の先端
に近い部分上にのみ高品質な薄膜が成長したが、本発明
の方法では基板４上の全体に亘って均一に高品質な薄膜
が成長した。
に達したら、成膜時の雰囲気を維持したままヒータ５ａ
を切り、基板温度を降温させる。このように作製したｃ
軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の表面を大気
にさらさない状態で、ＲＨＥＥＤ、ＸＰＳ、ＬＥＥＤで
評価した。その結果、ＲＨＥＥＤ像は、ストリーク状で
薄膜表面が平坦で、且つ結晶性の表面であることがわか
った。また、ＬＥＥＤ像には１×１のスポットが観察さ
れ、本発明の方法で作製した酸化物超電導薄膜の表面は
清浄な結晶性表面であることがわかった。一方、ＸＰＳ
スペクトルでは、Ｃのピークが見られないことから、本
発明の方法で作製された酸化物超電導薄膜の表面には、
汚染物質であるＣ化合物が存在してないことがわかっ
た。さらに、従来の方法では、基板４の吸気系７の先端
に近い部分上にのみ高品質な薄膜が成長したが、本発明
の方法では基板４上の全体に亘って均一に高品質な薄膜
が成長した。
【００２２】次に本発明の方法により、同じ成膜装置を
使用して上記のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜上にSr
TiＯ3誘電体薄膜を成膜した。成膜条件を以下に示す。
使用して上記のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜上にSr
TiＯ3誘電体薄膜を成膜した。成膜条件を以下に示す。
【００２３】基板温度 480℃ 圧力 ３×10-5Torr（基板近傍） （Ｏ3を70体積％以上含んだＯ2） 蒸着源およびるつぼ温度 Sr： 600 ℃ Ti： 1500 ℃ 膜厚 250nm
【００２４】上記の本発明の方法により作製した積層膜
は、表面が極めて平滑性であり、下層のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X
薄膜および上層のSrTiＯ3薄膜いずれの結晶性も優れ、
また、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X薄膜およびSrTiＯ3薄膜の境界面
も明瞭に形成されていた。
は、表面が極めて平滑性であり、下層のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X
薄膜および上層のSrTiＯ3薄膜いずれの結晶性も優れ、
また、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X薄膜およびSrTiＯ3薄膜の境界面
も明瞭に形成されていた。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
良好な表面状態を有する酸化物薄膜を成膜しただけで後
処理なしで得られる作製方法が提供される。本発明の方
法により作製される酸化物薄膜は、表面の清浄性、結晶
性、超電導特性が優れている。また、品質に分布がなく
一様な薄膜を基板全体上に成膜することが可能である。
本発明を超電導素子、超電導集積回路の作製に応用する
ことにより、従来得られなかった高性能な超電導装置が
作製可能である。
良好な表面状態を有する酸化物薄膜を成膜しただけで後
処理なしで得られる作製方法が提供される。本発明の方
法により作製される酸化物薄膜は、表面の清浄性、結晶
性、超電導特性が優れている。また、品質に分布がなく
一様な薄膜を基板全体上に成膜することが可能である。
本発明を超電導素子、超電導集積回路の作製に応用する
ことにより、従来得られなかった高性能な超電導装置が
作製可能である。
【図１】本発明の方法を実施する反応性共蒸着装置の一
例の概略図である。
例の概略図である。
１ 主排気系 ２ 真空チャンバ ３ Ｋセル ４ 基板 ５ 基板ホルダ 5a ヒータ ６ 液体窒素シュラウド ７ 給気系 ８ 反射高速電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ） ９ シャッタ 10 試料導入部 11 電子銃 15 伝熱部材 16 液体窒素トラップ 20 副排気系 21 絞り手段 22 ゲートバルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 高真空に排気可能なチャンバ内に、基板
を加熱可能に収容し、前記チャンバ内で、前記基板の近
傍に酸素を含む酸化ガスをノズルから供給し、前記基板
に対向して配置したＫセル蒸着源から酸素以外の成分元
素を供給し、反応性共蒸着法により酸化物薄膜を作製す
る方法において、酸化ガスを冷却して供給することを特
徴とする酸化物薄膜の作製方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物薄膜の作製方法
において、酸化ガスを液体窒素トラップと、液体窒素ト
ラップからノズルに達する伝熱部材により冷却すること
を特徴とする酸化物薄膜の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225708A JPH0867968A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 酸化物薄膜の作製方法 |
| DE69519703T DE69519703T2 (de) | 1994-08-26 | 1995-08-24 | Verfahren zum Herstellen einer hochkristallinen dünnen Oxidfilms und Beschichtigungsvorrichtung für dieses Verfahren |
| EP95401947A EP0698932B1 (en) | 1994-08-26 | 1995-08-24 | Process for preparing high crystallinity oxide thin film and film deposition apparatus for the process |
| CA002156992A CA2156992C (en) | 1994-08-26 | 1995-08-25 | Process for preparing high crystallinity oxide thin film and film deposition apparatus for the process |
| US08/519,640 US5622918A (en) | 1994-08-26 | 1995-08-25 | Process and apparatus for preparing YBaCuO superconducting films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225708A JPH0867968A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 酸化物薄膜の作製方法 |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6225708A Pending JPH0867968A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 酸化物薄膜の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0698932B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0867968A (ja) |
| CA (1) | CA2156992C (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6541079B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Engineered high dielectric constant oxide and oxynitride heterostructure gate dielectrics by an atomic beam deposition technique |
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| CN113533397B (zh) * | 2021-07-01 | 2023-04-07 | 上海大学 | 一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法 |
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| DE69024916T2 (de) * | 1989-10-31 | 1996-08-14 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren und System zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus Oxyd |
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| DE69422666T2 (de) * | 1993-07-02 | 2000-07-27 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur Herstellung eines hochkristallinen, dünnen SrTiO3 Oxidfilms |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP6225708A patent/JPH0867968A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-24 EP EP95401947A patent/EP0698932B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-24 DE DE69519703T patent/DE69519703T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-25 US US08/519,640 patent/US5622918A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-25 CA CA002156992A patent/CA2156992C/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530042A (ja) * | 2002-06-18 | 2005-10-06 | リベル | 差動真空ポンピングを行う材料蒸発室 |
| JP4918221B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2012-04-18 | リベル | 差動真空ポンピングを行う材料蒸発室 |
| US8894769B2 (en) | 2002-06-18 | 2014-11-25 | Riber | Material evaporation chamber with differential vacuum pumping |
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|---|---|
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| CA2156992C (en) | 1999-02-02 |
| US5622918A (en) | 1997-04-22 |
| EP0698932A2 (en) | 1996-02-28 |
| DE69519703T2 (de) | 2001-05-03 |
| CA2156992A1 (en) | 1996-02-27 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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