TWI425882B - 減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置 - Google Patents

減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置 Download PDF

Info

Publication number
TWI425882B
TWI425882B TW094145878A TW94145878A TWI425882B TW I425882 B TWI425882 B TW I425882B TW 094145878 A TW094145878 A TW 094145878A TW 94145878 A TW94145878 A TW 94145878A TW I425882 B TWI425882 B TW I425882B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
deposition
plasma
plasma processing
deposition barrier
processing chamber
Prior art date
Application number
TW094145878A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200635446A (en
Inventor
Shrikant P Lohokare
Bailey, Iii
Original Assignee
Lam Res Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Corp filed Critical Lam Res Corp
Publication of TW200635446A publication Critical patent/TW200635446A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI425882B publication Critical patent/TWI425882B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置
本發明大致關係於基材製造技術，更明確地說，有關於用以降低在電漿處理系統中之副產物沉積的方法與配置。
於基材的處理中，例如，半導體晶圓或用於平面顯示器製造的玻璃面板的處理中，經常使用電漿。在基材處理的一部份(化學氣相沉積、電漿加強化學氣相沉積、物理氣相沉積等)中，例如，基材被分成多數晶粒或矩形區域，每一區域將變成一積體電路。基材然後在一序列步驟中被處理，其中，多數材料被選擇地移除(蝕刻)及沉積(沉積)，以在其上形成電子元件。
很多電漿處理包含部份類型之電漿轟擊。例如，通常被稱為濺射的純離子蝕刻係被用以自基材(例如氧化物等等)解離材料。通常，例如氬的鈍氣在電漿中被離子化，隨後加速向一帶負電基材。同樣地，稱為離子加強蝕刻的反應離子蝕刻(RIE)組合化學及離子處理，以自基材移除材料(例如光阻、BARC、TiN、氧化物等等)。通常，電漿中之離子藉由碰撞基材的表面，隨後，破壞在表面上之原子的化學鍵，以使得它們更容易與化學處理中之分子反應，來加強一化學程序。
然而，一電漿處理系統也可以產生污染物。一般由有機及無機副產物構成的污染物係為電漿處理中之蝕刻氣體的材料(例如碳、氟、氫、氮、氧、氬、氙、矽、硼、氯等)，或由基材中之材料(例如光阻、矽、氧、氮、鋁、鈦等)、或由電漿處理室本身的結構材料(例如鋁、石英等)所產生。
部份污染物為揮發，並可以實質所為一真空系統所抽出，同時，來自非揮發或低揮發濺射物種的其他污染物傾向沉積在內表面上及電漿室壁上，而很難有效地自電漿室排出。所得污染沉積物可能最後剝離，而增加基材缺陷的可能性，降低了清洗間之平均時間(MTBC)、降低良率等等。例如，取決於電漿處理，導電膜沉積可能在電漿室內表面形成，而衝擊在電漿源及偏壓的FW耦合。另外，副產物沉積可能造成電漿密度漂移。
非揮發及低揮發副產物包含直接濺射材料的直線沉積、直接離子加強蝕刻副產物沉積、揮發副產物凝結、高黏著係數電漿解離副產物、電漿物種的離子加強沉積等等。例子包含高k介電質(HfOx、HfSixOy等等)副產物、金屬電極(Pt、Ir、IrOx等等)副產物、記憶體材料副產物(PtMn、NiFe、CoFe、FeW等)、內連線副產物(Cu、Ru、CoWP、Ta等等)。
一般而言，濺射原子的發射分佈大致特徵化為餘弦分佈。這表示在法線(垂直)以外的部份角度的發射率係等於法線入射發射率乘以離開法線的角度餘弦。這通常被繪為接觸碰撞點的圓圈，其中圓係為在其他角的發射大小的範圍。一般而言，因為濺射原子傾向為中性，所以，並不可能在飛行中再指引其路線，因此，濺射原子傾向於以直線飛行。
沉積物黏著至室內表面的程度及後續可能污染的程度通常係取決於特定電漿處理程式(例如化學、功率及溫度)及處理室組件的啟始表面條件而定。因為實質移除沉積物可能費時、所以一電漿處理系統室大致只有當粒子污染程度到達不可接受層次時，當電漿處理系統必須打開以更換可消耗結構時(例如邊緣環等)、或作為例行防範性維護(PM)時，才會實際清洗。
沉積物黏著至室內表面的程度，及可能污染的程度通常係取決於特定的電漿處理程式(例如化學品、功率及溫度)及處理室組件的啟始表面狀況而定。因為實質移除沉積物可能費時，所以，一電漿處理系統室大致只有當微粒污染程度到達不可接受時、當電漿處理系統必須打開以替換消耗結構(例如邊緣環等)、或例行防止維護(PM)之一部份時，才會實質清洗。
參考第1圖，顯示一電感耦合電漿處理室，例如Lam研究變壓耦合電漿處理系統。於常用架構中，電漿室係由位在下室中之底件150及位在上室之可拆卸頂件152所構成。一般而言，適當組的氣體被由配氣系統122通入室102中，並通過介電耦合窗104中。這些電漿處理氣體可以隨後在噴氣器108被離子化，以在電漿產生區中，形成電漿110，以處理(例如蝕刻或沉積)基材114的外露區域，基材係例如半導體基材或玻離面板並以邊緣環115定位在靜電夾116上。
第一RF產生器134產生電漿並控制電漿密度，而第二RF產生器138產生偏壓RF，這些者被共同用以控制直流偏壓與離子轟擊能量。進一步連接至源RF產生器134的是匹配網路136a，及進一步連接至偏壓RF產生器138的是匹配網路136b，其想要將RF電源的阻抗匹配至電漿110的阻抗。再者，泵111被一起用以將大氣氣份抽出電漿室102，以完成所需之壓力，以維持電漿110。
雖然這些係很難處理的複雜高溫室設計、特殊材料等等，但這些不同材料的行為並沒有共通性。例如，如果電漿處理狀態允許，則可以開發明一清洗或一自清洗電漿程式，或者，室表面可以以對問題副產物產生較低黏著係數的材料設計，或者，如果副產物足夠地黏著或貼在室壁，則電漿處理可以持續進行，一直到剝離變成問題為止。然而，因為這些解決方案對程序很敏感，所以，幾乎可以處理所有這些材料及可能化學品的單一反應器設計及程序方法都有問題。
因此，有想要在電漿處理系統中，有方法與配置來降低副產物沉積。
在一實施例中，本發明關係在一電漿處理系統中，降低副產物沉積在電漿處理室的電漿處理室表面上。該方法包含在電漿處理室內設置一沉積阻障體，該沉積阻障體被架構以被安置在電漿處理室的電漿產生區中，藉以允許當電漿在電漿處理室內觸發時所產生之至少部份的處理副產物被黏著至沉積阻障體，並降低副產物沉積在該組電漿處理室表面上。
於另一實施例中，本發明關係於一種方法，用以降低一組沉積在電漿反應器中之一組電漿室表面上的副產物沉積物。該方法更包含將一沉積阻障體定位在電漿處理室中，其中第一電漿被架構以當觸發時包圍沉積阻障體，藉以沉積阻障體被架構與來自基材的副產物沉積組的第一小組接觸。該方法同時也包含將沉積阻障體再次定位在電漿處理室中，其中第二電漿被架構以當被觸發時包圍沉積阻障體，藉以沉積阻障體被架構以與來自基材的副產物沉積組的第二小組接觸。
於另一實施例中，本發明關係於一電漿處理系統，一種降低副產物沉積在電漿處理室的電漿室表面組的配置。該配置包含阻障機構，安置在該電漿處理室中，該阻障機構被架構以安排在電漿處理室的電漿產生區中，藉以允許當電漿於電漿處理室內觸發時所產生之至少部份處理副產物黏著至沉積阻障體上，並降低副產物沉積在該組電漿處理室表面上。該配置同時也包含附著機構，用以將阻障機構附著至電漿處理室內部的頂、底及側上之一。
於另一實施例中，本發明關係於一種沉積阻障配置，被架構以降低在電漿處理室的一組電漿室表面上之副產物 沉積。該配置包含一沉積阻障體，架構以安置在電漿處理室的電漿產生區中，該沉積阻障體被架構以使得至少部份在電漿於電漿處理室內觸發時所產生之處理副產物黏著至沉積阻障體，藉以降低在該組電漿室表面上的副產物沉積。
本發明的這些及其他特性將在以下之本發明詳細說明配合上附圖加以更詳細說明。
本發明將參考例示在附圖之較佳實施例加以詳細說明。於以下說明中，各種特定細節被加以說明，以對本案提供全面的了解。然而，明顯地，熟習於本技藝者可以在沒有部份或全部特定細節下加以實施本案。於其他例子中，已知處理步驟及/或結構並未加以描述，以免不必要地阻礙本發明。
雖然並不希望為理論所束縛，但發明人認為可以使用一沉積阻障體，而降低在一組電漿室表面上之濺鍍沉積，該阻障體實質為電漿所包圍。即，沉積阻障體可以被定位使得如果一粒子被由基材濺射向電漿室表面時，粒子將首先碰撞沉積阻障體。
於非明顯方式中，通常碰撞在室的其他表面上及包含渦輪泵浦之抽氣歧管的濺射原子可以為沉積阻障體所截住，該阻障體隨後可容易地移除。例如，阻障體可以自動地被傳送進出電漿室至一外部清洗程序。於一實施例中，沉 積阻障體也可以在少晶片自動清洗WAC(或晶片較少室調整)中，保護靜電夾盤，其中，電漿室元件被曝露至電漿，作為清洗或調整/乾燥程序的一部份。
現參考第2圖，顯示依據本發明實施例之電感耦合電漿處理系統的簡化圖。於一共同架構中，電漿室係由位在下室的底件250及一位在上室的可拆卸頂件252構成。一般而言，一適當組的氣體被由配氣系統222經由介電質耦合窗204通入室202°這些電漿處理氣體可以隨後在噴氣器209離子化，以形成電漿210，以用以處理(例如蝕刻或沉積)例如半導體基材或玻璃面板的基材214的曝露區，該基材被定位在靜電夾盤216上的邊緣環215上。
第一RF產生器234產生電漿並控制電漿密度，而第二RF產生器238產生偏壓RF，兩者一起被用以控制直流偏壓與離子轟擊能量。連接至源RF產生器234的是匹配網路236a，及連接至偏壓RF產生器238的是匹配網路236b，這想要將RF電源的阻抗匹配至電漿210的阻抗。再者，泵211經常被用以將大氣氣氛自電漿室202抽出，以完成所要之壓力，以維持電漿220。
另外，一沉積阻障體206係定位在該電漿反應器的底面上的一高度，使得如果有一粒子由基材射向電漿室壁，粒子將先碰撞沉積阻障體。
現參考第3圖，顯示第2圖所示之電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中沉積阻障體係以一結構308加以支撐，依據本發明實施例，該結構係附著至電漿室的底部(下內 部表面)。
現參考第4圖，顯示第2圖所示之電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中沉積阻障體係以一結構408加以支撐，依據本發明實施例，該結構係附著至電漿室的頂部(上內部表面)。
現參考第5圖，顯示第2圖所示之電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中沉積阻障體係以一結構508加以支撐，依據本發明實施例，該結構係附著至電漿室的側部(側內部表面)。
現參考第6圖，顯示第2圖所示之電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中沉積阻障體係以一結構608加以支撐，依據本發明實施例，該結構係附著至夾盤216。
於一實施例中，沉積阻障體的底面高度可以相對於電漿反應器底面再定位，以最佳化電漿處理狀態。於另一實施例中，沉積阻障體實質對所產生之RF為透通的。於另一實施例中，沉積阻障體包含一材料，其實質對電漿攻擊具有抗性(例如石英、Y2 O3 、釔、CeO2 、鈰、ZrO2 、鋯、鐵氟龍、Vespel、實質純塑膠、陶瓷、SiC、BN、BC、SiN、SiO等等)。於另一實施例中，沉積阻障體包含一材料，其當曝露至電漿時，產生一組揮發蝕刻產物。
於另一實施例中，沉積阻障體被以無關於電漿的方式加熱。於另一實施例中，RF偏壓被施加至沉積阻障體。於另一實施例中，沉積阻障體可以在內部(in-situ)移開，例如藉由一機械手臂。於另一實施例中，沉積阻障體可以 在內部加以替換，例如藉由一機械手臂。在另一實施例中，沉積阻障體可以藉由在自動控制下的真空機械手臂，由電漿處理室加以移開。
於另一實施例中，沉積阻障體包含實際連續表面。於另一實施例中，沉積阻障體包含一組孔。於另一實施例中，沉積阻障體可以在基材由電漿室移除之前、同時、或之後加以移除。於另一實施例中，沉積阻障體為一法拉第阻障體。
於另一實施例中，沉積阻障體可以被清洗或再使用。於另一實施例中，電漿處理系統包含一源RF，其係由電漿室的頂部、側部或底部耦合。於另一實施例中，一組電漿室壁可以無關於電漿的方式加以加熱及/或冷卻。
於另一實施例中，沉積阻障體可以被加熱，以完成較厚膜的黏著並防止會造成預熟剝落的揮發物種的加入。於另一實施例中，沉積阻障體可以被冷卻，以增加實質揮發沉積副產物的黏著或然率並在剝離前完成較厚的膜。於另一實施例中，沉積阻障體可以當沉積阻障體由熱冷卻時，藉由電漿清洗程序，而在內部清洗。於另一實施例中，沉積阻障體可以當沉積阻障體由冷被加熱時，藉由電漿清洗程序加以在內部清洗。
於另一實施例中，沉積阻障體包含一金屬，其當曝露至電漿時大致不會產生一組揮發蝕刻產物(例如Ni、Pt、Ir、陽極化Al、Cu等等)。
於另一實施例中，沉積阻障體可以藉由一電漿清洗程 序加以內部清洗。於另一實施例中，沉積阻障體可以藉由一濕式化學沖洗程序加以清洗。於另一實施例中，沉積阻障體包含一材料，其可以實質對濕式清洗程序具有抗性。於另一實施例中，沉積阻障體被塗覆有一實質對濕式清洗程序有抗性的材料。在另一實施例中，沉積阻障體可以被下降至夾盤，以在執行內部電漿室清洗的同時，保護夾盤。於另一實施例中，沉積阻障體可以下降至夾盤，以當室在基材處理循環間之空閒時，保護夾盤。
於另一實施例中，沉積阻障體可以保護一源RF。於另一實施例中，源RF包含一電感源。於另一實施例中，源RF包含一電容源。在另一實施例中，源RF包含一ECR(電子迴旋振盪)源。在另一實施例中，源RF包含微波源。在另一實施例中，源RF由電漿室的頂部耦合。在另一實施例中，源RF可以由電漿室的側部耦合。於另一實施例中，源RF可以由電漿室的底部耦合。
於另一實施例中，沉積阻障體可以保持一組電漿噴氣器，不被腐蝕及沉積阻塞。於另一實施例中，沉積阻障體可以保護一組內部量測感應器(例如光學發射、干涉儀等)或覆蓋它們的透明窗不受到腐蝕或沉積阻塞。在另一實施例中，沉積阻障體表面具有一預先決定的粗糙度，其促成沉積材料黏著的控制。在另一實施例中，沉積阻障體表面具有一預先決定表面組成物，其促成對沉積材料的黏著度控制。
現參考第7圖，顯示依據本發明另一實施例之降低在 電漿處理系統中之低揮發產物的簡化方法。開始時，基材在步驟702中，被放置在電漿處理室內。再者，在步驟704中，一沉積阻障體被放置在電漿處理室中，其中電漿可以被觸發並實質包圍沉積阻障體。然後在步驟706中，於電漿處理室內觸發電漿。在步驟708中，如果一微粒由基材濺射向電漿室表面組之電漿室表面，則微粒將碰撞該沉積阻障體。
本發明已經以幾個較佳實施例的方式加以描述，這些實施例之替換、模型及等效均落在本發明之範圍內。雖然本發明係針對Lam研究變壓器耦合電漿處理系統加以說明，但也可以使用其他電漿處理系統(例如蝕刻、沉積、離子濺射、電子束、集合離子束等)。應注意的是，有很多其他方式加以實施本發明的方法。
本發明的優點包含降低在電漿處理系統中之副產物沉積的方法與配置。其他優點包含實質改良生產力及裝置良率，多數電漿處理應用的共同電漿室設定的使用(即FeRAM、MRAM、Cu、MEMS、金屬閘極高k閘極等等)、處理可重覆性、低CoC、低COO、高MTBC、低MTTCR及延長電漿室部件的壽命。
雖然已揭示例示實施例及最佳模式，但仍可以在隨附申請專利範圍所主張的本發明的精神內，完成對揭示實施例的修改及變化。
202‧‧‧室
204‧‧‧介電耦合窗
206‧‧‧沉積阻障體
209‧‧‧噴氣器
211‧‧‧泵
214‧‧‧基材
215‧‧‧邊緣環
216‧‧‧夾盤
222‧‧‧配氣系統
234‧‧‧第一RF產生器
236a‧‧‧匹配網路
236b‧‧‧匹配網路
238‧‧‧第二RF產生器
250‧‧‧底件
252‧‧‧可拆卸頂件
308‧‧‧結構
408‧‧‧結構
508‧‧‧結構
608‧‧‧結構
第1圖為例如Lam變壓器耦合電漿處理系統之電感耦合電漿處理室的簡化圖；第2圖為依據本發明之實施例之具有沉積阻障體的電感耦合電漿處理室的簡化圖；第3圖為依據本發明之實施例的電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中一沉積阻障體係被以一結構加以支撐，該結構被附著至電漿室的底部。
第4圖為依據本發明之實施例的電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中一沉積阻障體係被以一結構加以支撐，該結構被附著至電漿室的頂部。
第5圖為依據本發明之實施例的電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中一沉積阻障體係被以一結構加以支撐，該結構被附著至電漿室的側部。
第6圖為依據本發明之實施例的電感耦合電漿處理系統的簡化圖，其中一沉積阻障體係被以一結構加以支撐，該結構被附著至夾盤。
第7圖為依據本發明實施例的降低在電漿處理系統中之低揮發直視副產物的方法簡化圖。
202．．．室
204．．．介電耦合窗
206．．．沉積阻障體
209．．．噴氣器
210．．．電漿
211．．．泵
214．．．基材
215．．．邊緣環
216．．．夾盤
222．．．配氣系統
234．．．第一RF產生器
236a．．．匹配網路
236b．．．匹配網路
238．．．第二RF產生器
250．．．底件
252．．．可拆卸頂件

Claims (44)

  1. 一種在用以處理至少一基材之電漿處理系統中降低在電漿處理室之電漿室表面組上之副產物沉積的方法，該副產物沉積係由該基材所產生，該方法包含：在該電漿處理室內，設置一沉積阻障體，該沉積阻障體被架構以安排在該電漿處理室的電漿產生區域中，藉以允許當電漿在該電漿處理室內觸發時所產生的至少部份副產物，黏著至該沉積阻障體，並降低在該電漿處理室表面組上的該副產物沉積；在該電漿處理室內並且在該沉積阻障體下方設置一結構；使用該結構來支撐該沉積阻障體，該結構係附著至該電漿處理室的底部，該結構使該沉積阻障體得以相對於該電漿處理室的該底部再定位；將該沉積阻障體相對於該電漿處理室的該底部而定位在該電漿處理室內的第一位置；當該沉積阻障體位在該第一位置時，在該電漿處理室內觸發第一電漿；當該沉積阻障體位在該第一位置時，使用該沉積阻障體來接觸該副產物沉積的第一次組；將該沉積阻障體相對於該電漿處理室的該底部而再定位在該電漿處理室內的第二位置；當該沉積阻障體位在該第二位置時，在該電漿處理室內觸發第二電漿； 當該沉積阻障體位在該第二位置時，使用該沉積阻障體來接觸該副產物沉積的第二次組；及在該沉積阻障體內包含一抗性材料，該抗性材料係對該電漿之攻擊具有抗性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體為一法拉第屏蔽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：冷卻該沉積阻障體；及在該冷卻步驟之後，使用一電漿清洗處理在內部(in-situ)清洗該沉積阻障體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體被塗覆有該抗性材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體包含鐵氟龍、BN、BC、SiN、SiO、SiC、及塑膠之至少之一。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：使該沉積阻障體下降至一夾盤上以保護該夾盤，該夾盤係被安置在該電漿處理室內，以在該基材的處理期間支撐該基材；及在該下降步驟之後，當該夾盤被該沉積阻障體所保護時，清洗該電漿處理室。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含獨立地加熱該沉積阻障體而與該第一電漿以及該第二電漿無關。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含施加RF 偏壓至該沉積阻障體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體包含一金屬，其當曝露至該電漿時，並不會產生相當量的揮發性蝕刻副產物。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含自該電漿處理室同時移除該基材與該沉積阻障體兩者。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：加熱該沉積阻障體；及在該加熱步驟之後，使用一電漿清洗處理，在內部(in-situ)清洗該沉積阻障體。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含使用一濕式化學沖洗處理，以執行該沉積阻障體的外部(ex-situ)清洗。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該沉積阻障體包含一材料，其係實質對濕式清洗處理有抗性。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該沉積阻障體被塗覆以一材料，該材料實質對濕式清洗處理有抗性。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體在該電漿處理室被大致保持於真空時被移除。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該移除步驟可以藉由自動控制下的真空手臂加以完成。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體可以在內部加以替換。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體包含實質連續表面。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體包含一組孔。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在將該基材自該電漿處理室移除之前移除該沉積阻障體。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在將該基材自該電漿處理室移除後移除該沉積阻障體。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：使用該電漿處理室來執行第一基材處理循環；及在執行該第一基材處理循環之後並且在使用該電漿處理室來執行第二基材處理循環之前，使該沉積阻障體下降至一夾盤上以保護該夾盤，該夾盤係被安置在該電漿處理室內以支撐該基材。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在該沉積阻障體內包含產生揮發性蝕刻產物組的一材料，該揮發性蝕刻產物組係在該沉積阻障體曝露至該電漿時產生。
  24. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體保護一源RF。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該源RF包含一電感源。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該源RF被架構以保護用於該電感源的介電耦合窗。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該源RF 包含一電容源。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該源RF包含電感源及電容源。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該源RF包含ECR源。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該源RF包含一微波源。
  31. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿處理系統包含一源RF，其係由電漿處理室的頂部耦合。
  32. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿處理系統包含一源RF，其係由電漿處理室的側部耦合。
  33. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿處理系統包含一源RF，其係由電漿處理室的底部耦合。
  34. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿室表面組被架構以獨立地加熱。
  35. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿室表面組被架構以獨立地冷卻。
  36. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含獨立加熱該電漿處理室的電漿室壁組而與該第一電漿以及該第二電漿無關。
  37. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含獨立冷卻該沉積阻障體而與該第一電漿以及該第二電漿無關。
  38. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：暫停該電漿處理室中之基材處理，至少一直到該沉積 阻障體冷卻至一預定溫度臨限為止；及在該沉積阻障體被至少冷卻至該預定溫度臨限後，內部清洗該沉積阻障體。
  39. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中當該沉積阻障體被加熱時，該沉積阻障體以電漿清洗處理加以內部清洗。
  40. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體被架構以保護一組噴氣器不受到該副產物沉積。
  41. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體表面具有預定粗糙度，其完成沉積材料的黏著控制。
  42. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該沉積阻障體表面具有預定的表面組成物，其完成沉積材料的黏著控制。
  43. 一種降低在電漿處理室中之電漿室表面組上的副產物沉積組的方法，包含：將一基材定位在該電漿處理室中；將一沉積阻障體定位在該電漿處理室中；在該電漿處理室內並且在該沉積阻障體下方設置一結構；使用該結構來支撐該沉積阻障體，該結構係附著至該電漿處理室的底部，該結構使該沉積阻障體得以相對於該電漿處理室的該底部再定位；將該沉積阻障體相對於該電漿處理室的該底部而定位在該電漿處理室內的第一位置； 當該沉積阻障體位在該第一位置時，在該電漿處理室內觸發第一電漿，以使該第一電漿包圍該沉積阻障體；當該沉積阻障體位在該第一位置時，使用該沉積阻障體來接觸該副產物沉積組的第一次組，該副產物沉積係由該基材所產生；將該沉積阻障體相對於該電漿處理室的該底部而再定位在該電漿處理室內的第二位置；當該沉積阻障體位在該第二位置時，在該電漿處理室內觸發第二電漿；當該沉積阻障體位在該第二位置時，使用該沉積阻障體來接觸該副產物沉積組的第二次組；冷卻該沉積阻障體；及在該冷卻步驟之後，使用一電漿清洗處理在內部清洗該沉積阻障體。
  44. 一種沉積阻障體配置，架構以降低在電漿處理室之電漿室表面組上的副產物沉積，該沉積阻障體配置包含：一沉積阻障體，安置在該電漿處理室的電漿產生區域中，該沉積阻障體被架構以使得當電漿在該電漿處理室內觸發時所產生之至少部份的處理副產物黏著至該沉積阻障體，藉以降低在該電漿室表面組上之該副產物沉積；一結構，安置在該電漿處理室內並且安置在該沉積阻障體下方，該結構支撐該沉積阻障體，該結構係附著至該電漿處理室的底部，該結構被架構以將該沉積阻障體相對 於該電漿處理室的該底部再定位，其中該沉積阻障體包含在該沉積阻障體曝露至該電漿時產生揮發性蝕刻產物組的一材料。
TW094145878A 2004-12-22 2005-12-22 減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置 TWI425882B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/022,982 US7959984B2 (en) 2004-12-22 2004-12-22 Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200635446A TW200635446A (en) 2006-10-01
TWI425882B true TWI425882B (zh) 2014-02-01

Family

ID=36594127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094145878A TWI425882B (zh) 2004-12-22 2005-12-22 減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7959984B2 (zh)
JP (2) JP2008526026A (zh)
KR (1) KR101209534B1 (zh)
CN (1) CN101422088B (zh)
TW (1) TWI425882B (zh)
WO (1) WO2006081004A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI766904B (zh) * 2016-12-06 2022-06-11 美商應用材料股份有限公司 用於在基板處理中減少顆粒的處理套件屏蔽、物理氣相沉積腔室及方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060218680A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
US7732009B2 (en) * 2006-09-26 2010-06-08 United Microelectronics Corp. Method of cleaning reaction chamber, method of forming protection film and protection wafer
US8008816B2 (en) * 2006-10-19 2011-08-30 Boise State University Device with magnetoplastic and/or magnetoelastic thin-film transducer and pick-up coil for harvesting energy
DE102007037527B4 (de) * 2006-11-10 2013-05-08 Schott Ag Verfahren zum Beschichten von Gegenständen mit Wechselschichten
WO2008061166A2 (en) * 2006-11-14 2008-05-22 Boise State University Multi-state memory and multi-functional devices comprising magnetoplastic or magnetoelastic materials
WO2009029953A2 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Boise State University Magnetic material with large magnetic-field-induced deformation
US8586194B2 (en) * 2007-08-30 2013-11-19 Boise State University Polycrystalline foams exhibiting giant magnetic-field-induced deformation and methods of making and using same
US20110297088A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Texas Instruments Incorporated Thin edge carrier ring
US9490106B2 (en) 2011-04-28 2016-11-08 Lam Research Corporation Internal Faraday shield having distributed chevron patterns and correlated positioning relative to external inner and outer TCP coil
US9293353B2 (en) 2011-04-28 2016-03-22 Lam Research Corporation Faraday shield having plasma density decoupling structure between TCP coil zones
FR2995454B1 (fr) * 2012-09-07 2014-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede pour la realisation d'un electrolyte a base de lithium pour micro-batterie solide
US9029267B2 (en) 2013-05-16 2015-05-12 Lam Research Corporation Controlling temperature of a faraday shield
CN104302084B (zh) * 2013-07-17 2017-04-12 朗姆研究公司 空气冷却的法拉第屏蔽罩和使用该屏蔽罩的方法
US9885493B2 (en) 2013-07-17 2018-02-06 Lam Research Corporation Air cooled faraday shield and methods for using the same
US9583369B2 (en) * 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
CN104485272A (zh) * 2014-12-19 2015-04-01 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
BR112019004237A2 (pt) * 2016-08-31 2019-06-04 One Scient Inc sistemas, aparelhos e métodos para gerar energia elétrica através da conversão de água em hidrogênio e oxigênio
CN109488720B (zh) * 2018-12-27 2024-04-26 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司 闭循环液氦制冷机的机械隔离式震动屏蔽系统
CN113113280B (zh) * 2020-01-09 2022-06-10 江苏鲁汶仪器有限公司 等离子体处理系统及其开合法拉第组件
CN114703464B (zh) * 2022-06-06 2022-08-23 拓荆科技(北京)有限公司 一种膜层生长设备及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW430902B (en) * 1998-12-22 2001-04-21 Applied Materials Inc Improvement in adhesion of diffusion barrier and fluorinated silicon dioxide using hydrogen based preclean technology
TW447014B (en) * 1998-12-14 2001-07-21 Applied Materials Inc High temperature chemical vapor deposition chamber
JP2002525866A (ja) * 1998-09-22 2002-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 内部誘導コイルアンテナ及び導電性チャンバ壁を有するｒｆプラズマエッチング反応器
US6537919B1 (en) * 2001-12-19 2003-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Process to remove micro-scratches
TW527647B (en) * 2002-02-06 2003-04-11 Jusung Eng Co Ltd Thin film deposition method
TW588401B (en) * 2000-11-01 2004-05-21 Applied Materials Inc Method of plasma etching features on a dielectric layer on a substrate

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE440201B (sv) 1983-12-01 1985-07-22 Asea Ab Verktygshallare for industrirobotar
US4594111A (en) 1984-10-04 1986-06-10 Coonan Edmund C Liquid phase cleaner-solvent
JPS61172335A (ja) * 1985-01-28 1986-08-04 Mitsubishi Electric Corp プラズマ装置
JPS6358834A (ja) 1986-08-27 1988-03-14 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション スパッタリング装置
JP2555062B2 (ja) * 1987-04-10 1996-11-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH01165120A (ja) * 1987-12-22 1989-06-29 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
JP2926711B2 (ja) * 1988-05-13 1999-07-28 松下電器産業株式会社 ドライエッチング装置
JPH0355832A (ja) * 1989-07-25 1991-03-11 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPH03145124A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置
US5391275A (en) * 1990-03-02 1995-02-21 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
JP2949874B2 (ja) * 1990-11-21 1999-09-20 富士電機株式会社 Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置ドライクリーニングの方法
JPH081923B2 (ja) 1991-06-24 1996-01-10 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
JP2745895B2 (ja) * 1991-10-04 1998-04-28 住友金属工業株式会社 プラズマ装置
JPH06272027A (ja) 1993-03-17 1994-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置
US5705080A (en) * 1994-07-06 1998-01-06 Applied Materials, Inc. Plasma-inert cover and plasma cleaning process
TW327236B (en) * 1996-03-12 1998-02-21 Varian Associates Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield
US5951773A (en) * 1996-03-18 1999-09-14 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus
US6135697A (en) 1997-01-30 2000-10-24 Siemens Electrocom, L.P. Transfer of cartridges containing flat articles
US6139697A (en) * 1997-01-31 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated via and trench fill process and apparatus
JP3423186B2 (ja) * 1997-04-09 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP3775689B2 (ja) * 1997-04-21 2006-05-17 トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド 材料をイオン化スパッタリングする方法と装置
JP3468446B2 (ja) * 1997-05-20 2003-11-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6521081B2 (en) * 1997-12-05 2003-02-18 Tegal Corporation Deposition shield for a plasma reactor
US6120660A (en) 1998-02-11 2000-09-19 Silicon Genesis Corporation Removable liner design for plasma immersion ion implantation
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6287435B1 (en) * 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
JP2000200754A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空処理方法と真空処理装置
KR100542459B1 (ko) * 1999-03-09 2006-01-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법
WO2001001467A1 (fr) * 1999-06-29 2001-01-04 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Procede et appareil de traitement de la poussiere de particules fines indesirables dans un plasma
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001246331A (ja) 2000-03-08 2001-09-11 Sharp Corp 洗浄装置
US20020100557A1 (en) * 2001-01-29 2002-08-01 Applied Materials, Inc. ICP window heater integrated with faraday shield or floating electrode between the source power coil and the ICP window
DE10110373C2 (de) 2001-03-03 2003-03-06 Wolfgang Daum Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Innenräumen von Automobilen
US7451941B2 (en) 2001-03-13 2008-11-18 Jackson David P Dense fluid spray cleaning process and apparatus
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
JP2002313732A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Seiko Epson Corp プラズマ装置
KR100420171B1 (ko) 2001-08-07 2004-03-02 삼성광주전자 주식회사 로봇 청소기와 그 시스템 및 제어방법
WO2003029513A1 (en) 2001-09-28 2003-04-10 Tokyo Electron Limited Hybrid plasma processing apparatus
JP3983557B2 (ja) * 2002-01-29 2007-09-26 富士通株式会社 誘導結合型プラズマ処理装置
JP4220173B2 (ja) 2002-03-26 2009-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板の搬送方法
JP4054208B2 (ja) 2002-04-01 2008-02-27 富士通株式会社 コンタクタの製造方法
JP2003311555A (ja) 2002-04-25 2003-11-05 Okuma Corp ネジ締め装置
US7137353B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
CN1235539C (zh) 2002-11-01 2006-01-11 三星电子株式会社 洗碗机控制方法
WO2004058572A1 (en) 2002-12-23 2004-07-15 Catalyst Services, Inc. A cleaning and/or inspecting robot for hazardous environments including catalyst removal
JP2004228102A (ja) * 2003-01-09 2004-08-12 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
JP3935850B2 (ja) * 2003-01-31 2007-06-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4363863B2 (ja) * 2003-02-06 2009-11-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体処理装置における処理制御方法
JP2005039015A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法および装置
US7241397B2 (en) * 2004-03-30 2007-07-10 Tokyo Electron Limited Honeycomb optical window deposition shield and method for a plasma processing system
US20050241669A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Tokyo Electron Limited Method and system of dry cleaning a processing chamber
JP2004274076A (ja) * 2004-05-13 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US7578945B2 (en) * 2004-09-27 2009-08-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for tuning a set of plasma processing steps
US20060218680A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002525866A (ja) * 1998-09-22 2002-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 内部誘導コイルアンテナ及び導電性チャンバ壁を有するｒｆプラズマエッチング反応器
TW447014B (en) * 1998-12-14 2001-07-21 Applied Materials Inc High temperature chemical vapor deposition chamber
TW430902B (en) * 1998-12-22 2001-04-21 Applied Materials Inc Improvement in adhesion of diffusion barrier and fluorinated silicon dioxide using hydrogen based preclean technology
TW588401B (en) * 2000-11-01 2004-05-21 Applied Materials Inc Method of plasma etching features on a dielectric layer on a substrate
US6537919B1 (en) * 2001-12-19 2003-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Process to remove micro-scratches
TW527647B (en) * 2002-02-06 2003-04-11 Jusung Eng Co Ltd Thin film deposition method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI766904B (zh) * 2016-12-06 2022-06-11 美商應用材料股份有限公司 用於在基板處理中減少顆粒的處理套件屏蔽、物理氣相沉積腔室及方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006081004A2 (en) 2006-08-03
CN101422088A (zh) 2009-04-29
WO2006081004B1 (en) 2008-10-30
CN101422088B (zh) 2012-02-01
JP2013102221A (ja) 2013-05-23
US20060130758A1 (en) 2006-06-22
KR20070086605A (ko) 2007-08-27
JP2008526026A (ja) 2008-07-17
TW200635446A (en) 2006-10-01
JP5726928B2 (ja) 2015-06-03
KR101209534B1 (ko) 2012-12-07
WO2006081004A3 (en) 2008-08-14
US7959984B2 (en) 2011-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425882B (zh) 減少副產物沉積在電漿處理系統之方法與配置
JP2008526026A5 (zh)
KR101903831B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP4331479B2 (ja) 半導体処理装置における高靭性ジルコニアセラミック構成要素とコーティングおよびその製造方法
KR101107542B1 (ko) 플라즈마 반응기용 용사 이트리아 함유 코팅
TWI713683B (zh) 電漿處理方法
CN107622945B (zh) 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台
US20170200588A1 (en) Minimization of ring erosion during plasma processes
US12009178B2 (en) Ceramic coated quartz lid for processing chamber
WO2009079285A1 (en) Silicon carbide focus ring for plasma etching system
KR200475462Y1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 교체 가능한 상부 챔버 섹션
TW201933471A (zh) 電漿處理裝置
KR20210008931A (ko) 보호 코팅을 갖는 프로세스 챔버 프로세스 키트
US7488689B2 (en) Plasma etching method
CN104241181B (zh) 静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置
JP4558431B2 (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法
CN115172163A (zh) 等离子体蚀刻方法
JP4676222B2 (ja) プラズマ処理装置
US20010049196A1 (en) Apparatus for improving etch uniformity and methods therefor
CN115836378A (zh) 用于氢与氨等离子体应用的具有保护性陶瓷涂层的处理套件
JP2004296753A (ja) プラズマ露出部品及びその表面処理方法並びにプラズマ処理装置
KR20220156674A (ko) 반응성 가스 전구체를 사용한 프로세싱 챔버로부터의 하이-k 막들의 선택적 인-시튜 세정
JP2008172270A (ja) プラズマ露出部品及びプラズマ処理装置