JPH01165120A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
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- JPH01165120A JPH01165120A JP62324404A JP32440487A JPH01165120A JP H01165120 A JPH01165120 A JP H01165120A JP 62324404 A JP62324404 A JP 62324404A JP 32440487 A JP32440487 A JP 32440487A JP H01165120 A JPH01165120 A JP H01165120A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はエツチング装置内の石英円筒への反応生成物
の付着防止に関するものである。
の付着防止に関するものである。
〔従来の技術］
第３図は例えば時開Ｉｓ ６０−１９６９３２号公報に
示された従来のエツチング装置を示す断面図であ抄、第
３図において、（１）は真空容器、Ｑ）は高周波を印加
する高周波電極、（３）は接地電極、（４）は両周波電
源、（５）は反応ガスの供給系統、（６）は真空を造り
出す真空排気系統、（７）はウェハ、（８）は石英円筒
、（９）は電熱器である。
示された従来のエツチング装置を示す断面図であ抄、第
３図において、（１）は真空容器、Ｑ）は高周波を印加
する高周波電極、（３）は接地電極、（４）は両周波電
源、（５）は反応ガスの供給系統、（６）は真空を造り
出す真空排気系統、（７）はウェハ、（８）は石英円筒
、（９）は電熱器である。
次に反応について説明する。真空中の高周波電極（２）
、接地電極（３）において、高周波を印加し、プラズマ
を生成させ、反応ガスを供給すると、自己バイアスで正
イオンが加速され、ウェハ（７）に衡突しエツチングを
行なう。
、接地電極（３）において、高周波を印加し、プラズマ
を生成させ、反応ガスを供給すると、自己バイアスで正
イオンが加速され、ウェハ（７）に衡突しエツチングを
行なう。
この反応に対し、電極以外の金属面をおおって、エツチ
ング特性の安定をはかるための石英円筒（８）が設けら
れており、との石英円筒（８）に反応生成物が付着する
のを防止するため、真空容器（１）外面から電熱器（９
）にて加熱している。
ング特性の安定をはかるための石英円筒（８）が設けら
れており、との石英円筒（８）に反応生成物が付着する
のを防止するため、真空容器（１）外面から電熱器（９
）にて加熱している。
〔発明が解決しようとする問題点Ｊ
従来のエツチング装置は反応室内の発ジン防止のため、
電熱器（９）を真空容器（１）外部に設置している。石
英円筒（８）の加熱は、電熱器（９）との間に有る真空
容器（１）と例えば１Ｏ−Ｔｏｒｒ程度の真空スキマを
介しているため、加熱が不充分で反応生成物の付着が防
止できず、反応生成物の発ジンによるエツチング不良の
発生や清掃ピッチの短期化などの問題点があった。
電熱器（９）を真空容器（１）外部に設置している。石
英円筒（８）の加熱は、電熱器（９）との間に有る真空
容器（１）と例えば１Ｏ−Ｔｏｒｒ程度の真空スキマを
介しているため、加熱が不充分で反応生成物の付着が防
止できず、反応生成物の発ジンによるエツチング不良の
発生や清掃ピッチの短期化などの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、石英円筒を直接加熱できるエツチング装置を
得ることを目的とする。
たもので、石英円筒を直接加熱できるエツチング装置を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段Ｊ
この発明に係るエツチング装置は、石英円筒に温水加熱
手段を設けたものである。
手段を設けたものである。
こめ発明におけるエツチング装置は、石英円筒に設けた
温水加熱手段によりその石英内筒を直接加熱できる。
温水加熱手段によりその石英内筒を直接加熱できる。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図において、（ｌＯ）は例えば中空断面の石英円筒
、（１１）は例えば石英円筒（ｌＯ）内に設けられた温
水加熱手段であり、温調器（１２）で調整された温水が
湿水循環系統（１３）より供給され、その温水によし石
英円筒（ｌＯ）を直接加熱する。
、（１１）は例えば石英円筒（ｌＯ）内に設けられた温
水加熱手段であり、温調器（１２）で調整された温水が
湿水循環系統（１３）より供給され、その温水によし石
英円筒（ｌＯ）を直接加熱する。
プラズマ反応部を包囲する様にした中空の石英円筒（ｌ
Ｏ）に真空容器（１）外部に設置した温調器（１２）で
加熱した温水を、温水循環系統（１３）により頭韻させ
ることにより、中空の石英円筒（ｌＯ）は均一かつ必要
温度に充分加熱されるため、反応にて生成された反応生
成物は、石英円筒（１０）の内面に付着される革なく、
真空排気系統（６）より除去される。
Ｏ）に真空容器（１）外部に設置した温調器（１２）で
加熱した温水を、温水循環系統（１３）により頭韻させ
ることにより、中空の石英円筒（ｌＯ）は均一かつ必要
温度に充分加熱されるため、反応にて生成された反応生
成物は、石英円筒（１０）の内面に付着される革なく、
真空排気系統（６）より除去される。
なお、上記実施例では石英円筒（ｌＯ）を中空断面とし
たが、第２図に示す様に、ろ英円筒（ｌＯ）の外面に石
英管（１４）をラセン状に巻き石英円筒（ｌＯ）と石英
管（１４）を加熱融着した温水管付石英円筒として、石
英管（１４）の中に温水を循環させても同様の効果を奏
する。
たが、第２図に示す様に、ろ英円筒（ｌＯ）の外面に石
英管（１４）をラセン状に巻き石英円筒（ｌＯ）と石英
管（１４）を加熱融着した温水管付石英円筒として、石
英管（１４）の中に温水を循環させても同様の効果を奏
する。
〔発明の効果」
・以上のように、この発明によればプラズマ室内の石英
円筒への反応生成物の付着を防止出来るため、反応生成
物が起こす発ジンによるエツチング不良や、真空容器を
開放して反応生成付着物を除去する清掃作業を大巾に延
ばせる等、エツチング性能及びメンテナンス性共に向上
させる効果がある。
円筒への反応生成物の付着を防止出来るため、反応生成
物が起こす発ジンによるエツチング不良や、真空容器を
開放して反応生成付着物を除去する清掃作業を大巾に延
ばせる等、エツチング性能及びメンテナンス性共に向上
させる効果がある。
第１７はこの発明の一実施例によるエツチング装置を示
す断面図、第２図はこの発明の他の実施例における石英
円筒を示す断面図、第３図は従来のエツチング装置を示
す断面図でめる。 図において、 （１０）は石英円筒、（１１）は温水加
熱手段である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 ↓
す断面図、第２図はこの発明の他の実施例における石英
円筒を示す断面図、第３図は従来のエツチング装置を示
す断面図でめる。 図において、 （１０）は石英円筒、（１１）は温水加
熱手段である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 ↓
Claims (4)
- （１）真空容器内に内設された石英円筒を有するエッチ
ング装置において、上記石英円筒に温水加熱手段を設け
たことを特徴とするエッチング装置。 - （２）温水加熱手段は石英円筒内に設けられたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のエッチング装置。 - （３）石英円筒は断面が中空を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のエッチング装置。 - （４）石英円筒は円筒外面に石英管をラセン状に巻き付
け融着させて構成されたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324404A JPH01165120A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324404A JPH01165120A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165120A true JPH01165120A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18165419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324404A Pending JPH01165120A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363021A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-12-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマプロセス装置 |
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2008526026A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324404A patent/JPH01165120A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363021A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-12-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマプロセス装置 |
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2008526026A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
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|---|---|---|---|
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