JPH0216730A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
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- JPH0216730A JPH0216730A JP16581088A JP16581088A JPH0216730A JP H0216730 A JPH0216730 A JP H0216730A JP 16581088 A JP16581088 A JP 16581088A JP 16581088 A JP16581088 A JP 16581088A JP H0216730 A JPH0216730 A JP H0216730A
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- Japan
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- wall surface
- surface cover
- electric heater
- reaction products
- cover
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 16
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、真空容器内に、その壁面がプラズマに晒さ
れるのを防止するための壁面カバー体を設けたエツチン
グ装置に関するものである。
れるのを防止するための壁面カバー体を設けたエツチン
グ装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は例えば特開昭６０−１９６９３２号公報に示さ
れた従来のエツチング装置を示す断面図であり、図にお
いて、（１）は真空容器、（２）は高周波を印加する高
周波電極、（３）は接地電極、＜４）は高周波電源、（
５）は反応ガスの供給系統、（６）は真空を造り出し、
また活性種と被エツチング材との反応による揮発性の反
応生成物を真空容器（１）の外部に排出する真空排気系
統、（７）は被エツチング材としてのウェハ、（８）、
（９）は真空容器（１）の壁面がプラズマに晒される
のを防止する壁面カバー体としての石英円筒および石英
天板、（１０）は真空容器（１）の外周に設けられた電
熱器である。
れた従来のエツチング装置を示す断面図であり、図にお
いて、（１）は真空容器、（２）は高周波を印加する高
周波電極、（３）は接地電極、＜４）は高周波電源、（
５）は反応ガスの供給系統、（６）は真空を造り出し、
また活性種と被エツチング材との反応による揮発性の反
応生成物を真空容器（１）の外部に排出する真空排気系
統、（７）は被エツチング材としてのウェハ、（８）、
（９）は真空容器（１）の壁面がプラズマに晒される
のを防止する壁面カバー体としての石英円筒および石英
天板、（１０）は真空容器（１）の外周に設けられた電
熱器である。
次に、上記構成の動作について説明する。高周波電極（
２）に高周波を印加し、真空中の平行平板の電極（２）
、 （３）間においてプラズマを生成させ、そのプラズ
マ中に反応ガスを供給すると、自己バイアスで正イオン
が加速され、活性種がウェハ（７）に衝突し、エツチン
グが行なわれる。
２）に高周波を印加し、真空中の平行平板の電極（２）
、 （３）間においてプラズマを生成させ、そのプラズ
マ中に反応ガスを供給すると、自己バイアスで正イオン
が加速され、活性種がウェハ（７）に衝突し、エツチン
グが行なわれる。
この反応に対し、電極以外の金属面をおおってエツチン
グ特性の安定をはかるために、石英円筒（８）および石
英天板（９）が設けられている。また、活性種とウェハ
（７）との反応生成物が石英円筒〈８）に／付着するの
を防止するため、電熱器（１０）の加熱により石英円筒
（８）での反応生成物を揮発させている。
グ特性の安定をはかるために、石英円筒（８）および石
英天板（９）が設けられている。また、活性種とウェハ
（７）との反応生成物が石英円筒〈８）に／付着するの
を防止するため、電熱器（１０）の加熱により石英円筒
（８）での反応生成物を揮発させている。
［発明が解決しようとする課題］
従来のエツチング装置は、石英円筒（８）での反応生成
物の付着による真空容器（１）内の発塵を防止するため
、電熱器（１０）を真空容器（１）の外部に設置してい
るが、石英円筒（８）に対する加熱は、１０−２Ｔｏｒ
ｒ程度の真空隙間を介しているため、石英円筒（８）に
対する加熱が不十分で反応生成物が石英円筒（８）に付
着し、反応生成物の発塵によるエツチング不良が生じた
り、清掃ピッチの短期化等の問題点があった。
物の付着による真空容器（１）内の発塵を防止するため
、電熱器（１０）を真空容器（１）の外部に設置してい
るが、石英円筒（８）に対する加熱は、１０−２Ｔｏｒ
ｒ程度の真空隙間を介しているため、石英円筒（８）に
対する加熱が不十分で反応生成物が石英円筒（８）に付
着し、反応生成物の発塵によるエツチング不良が生じた
り、清掃ピッチの短期化等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点な解消するなめになさ
れたもので、反応生成物の発塵によるエツチング不良や
、清掃ピッチの短期化等の生じないエツチング装置を得
ることを目的とする。
れたもので、反応生成物の発塵によるエツチング不良や
、清掃ピッチの短期化等の生じないエツチング装置を得
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るエツチング装置は、壁面カバー体に壁面
カバー体を加熱する電熱器を設けたものである。
カバー体を加熱する電熱器を設けたものである。
［作用］
この発明においては、電熱器での通電により壁面カバー
体は直接加熱され、壁面カバー体での反応生成物は揮発
する。
体は直接加熱され、壁面カバー体での反応生成物は揮発
する。
［実施例］
以下、この発明の詳細な説明する。第１図はこの発明の
一実施例を示すもので、第２図と同一または相当部分は
同一符号を付し、その説明は省略する。
一実施例を示すもので、第２図と同一または相当部分は
同一符号を付し、その説明は省略する。
図において、（１１）は石英円筒（８）に内蔵された電
熱器、（１２）は電熱器（１１）に接続された電源、（
１３）は通電用の真空密封端子である。
熱器、（１２）は電熱器（１１）に接続された電源、（
１３）は通電用の真空密封端子である。
上記のように構成されたエツチング装置においては、電
熱器（１１）の通電により壁面カバー体である石英円筒
（８）は均一かつ必要温度に十分に直接加熱されるため
に、活性種とウェハ（８）との反応による反応生成物は
、石英円筒（８）に付着することなく揮発し、真空排気
系統（６）から排出される。
熱器（１１）の通電により壁面カバー体である石英円筒
（８）は均一かつ必要温度に十分に直接加熱されるため
に、活性種とウェハ（８）との反応による反応生成物は
、石英円筒（８）に付着することなく揮発し、真空排気
系統（６）から排出される。
なお、上記実施例では壁面カバー化として石英円筒（８
）を用いた場合について説明したが、フッ化系樹脂、セ
ラミックス等からなるものでもよい。
）を用いた場合について説明したが、フッ化系樹脂、セ
ラミックス等からなるものでもよい。
また、加熱器を天板（９）にも内蔵してもよいのは勿論
である。さらに、石英円筒（８）の外周壁面に電熱器を
添設してもよい。
である。さらに、石英円筒（８）の外周壁面に電熱器を
添設してもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明のエツチング装置は、壁
面カバー体に加熱器を設けたことにより、壁面カバー体
に対する反応生成物の付着が防止され、反応生成物の発
塵によるエツチング不良は発生せず、また真空容器を開
放して反応生成付着物を除去する清掃作業間隔を大巾に
延ばせ、エツチング性能およびメンテナンス性ともに向
上するという効果がある。
面カバー体に加熱器を設けたことにより、壁面カバー体
に対する反応生成物の付着が防止され、反応生成物の発
塵によるエツチング不良は発生せず、また真空容器を開
放して反応生成付着物を除去する清掃作業間隔を大巾に
延ばせ、エツチング性能およびメンテナンス性ともに向
上するという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるエツチング装置の断
面図、第２図は従来のエツチング装置の一例を示す断面
図である。 （１）・・・真空容器、（７）・・・ウェハ、（８）・
・・石英円筒、（１１）・・・電熱器。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 ７：勺エバ ８：石英円筒 １１・電焦巷
面図、第２図は従来のエツチング装置の一例を示す断面
図である。 （１）・・・真空容器、（７）・・・ウェハ、（８）・
・・石英円筒、（１１）・・・電熱器。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 ７：勺エバ ８：石英円筒 １１・電焦巷
Claims (1)
- 真空容器内に、その壁面がプラズマに晒されるのを防止
するための壁面カバー体が設けられたエッチング装置に
おいて、前記壁面カバー体に電熱器を設け、壁面カバー
体を加熱することにより活性種と被エッチング材との反
応生成物が壁面カバー体に付着するのを防止したことを
特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16581088A JPH0216730A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16581088A JPH0216730A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216730A true JPH0216730A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15819426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16581088A Pending JPH0216730A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2015037139A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16581088A patent/JPH0216730A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2015037139A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
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