JPH03145124A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH03145124A JPH03145124A JP28350289A JP28350289A JPH03145124A JP H03145124 A JPH03145124 A JP H03145124A JP 28350289 A JP28350289 A JP 28350289A JP 28350289 A JP28350289 A JP 28350289A JP H03145124 A JPH03145124 A JP H03145124A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ドライエツチング装置、特に反応性のガス又はイオンを
用いてエツチングするドライエツチング装置に関し、 反応生成物が堆積することのないドライエツチング装置
を提供することを目的とし、 上部電極２背面上にガスＧ２を！！続的に導入してガス
流を発生させるガス導入口４ａと、上部電極２と下部電
極３との間の空間を包囲して真空容器１側壁との間にガ
スＧ２の流路を形成する仕切り板５とを有するように構
成する。
用いてエツチングするドライエツチング装置に関し、 反応生成物が堆積することのないドライエツチング装置
を提供することを目的とし、 上部電極２背面上にガスＧ２を！！続的に導入してガス
流を発生させるガス導入口４ａと、上部電極２と下部電
極３との間の空間を包囲して真空容器１側壁との間にガ
スＧ２の流路を形成する仕切り板５とを有するように構
成する。
本発明は、ドライエツチング装置、特に反応性のガス又
はイオンを用いてエツチングするドライエツチング装置
に関する。
はイオンを用いてエツチングするドライエツチング装置
に関する。
半導体装置のチップパターンの微細化に伴い、半導体ウ
ェーハやフォトマスクのパターニング工程においてはウ
ェットエツチングよりも制御性の高いドライエツチング
が広く採用されているが、このドライエツチングにはエ
ツチング時に生ずる反応生成物が装置内に堆積し、これ
を放置するとその粒子が被処理物に付着して欠陥の原因
となると言う問題がある。従って反応生成物が堆積する
ことのないドライエツチング装置の開発が望まれている
。
ェーハやフォトマスクのパターニング工程においてはウ
ェットエツチングよりも制御性の高いドライエツチング
が広く採用されているが、このドライエツチングにはエ
ツチング時に生ずる反応生成物が装置内に堆積し、これ
を放置するとその粒子が被処理物に付着して欠陥の原因
となると言う問題がある。従って反応生成物が堆積する
ことのないドライエツチング装置の開発が望まれている
。
従来のドライエツチング装置を第２図によりフォトマス
クのエツチングを例に取り、説明する。
クのエツチングを例に取り、説明する。
第２図は従来のドライエツチング装置の一例を示す模式
断面図である。１は真空容器であり、中には上部電極２
と下部電極３が平行に対向している。
断面図である。１は真空容器であり、中には上部電極２
と下部電極３が平行に対向している。
上部電極２と下部電極３は共に円板部と軸部からなって
いる。このうち上部電極２は軸部、円板部共に中空をな
して双方の中空部は連接しており、軸部の中空部は真空
容器１の外の部分で反応ガス供給手段（図示は省略）に
連通している。上部電８ｉ２の円板部下面（下部電極３
に対向する面）には多数の反応ガス導入孔２ａを有して
いる。上部電極２と下部電極３の各円板部の間の空間を
包囲して、両日板部とは若干の間隙を置いて仕切り板５
が配設されている。
いる。このうち上部電極２は軸部、円板部共に中空をな
して双方の中空部は連接しており、軸部の中空部は真空
容器１の外の部分で反応ガス供給手段（図示は省略）に
連通している。上部電８ｉ２の円板部下面（下部電極３
に対向する面）には多数の反応ガス導入孔２ａを有して
いる。上部電極２と下部電極３の各円板部の間の空間を
包囲して、両日板部とは若干の間隙を置いて仕切り板５
が配設されている。
被処理物であるマスク基板Ｍは下部電極３上に載置され
る。マスク基板Ｍはガラス板表面にクロムの薄膜を被着
したものである。
る。マスク基板Ｍはガラス板表面にクロムの薄膜を被着
したものである。
前述の真空排気装置により真空容器１内を排気しつつ、
上部電極２の軸部を経て多数の反応ガス導入口２ａから
反応ガスＧｌ （例えばＣＣ１，＋ ０□）を真空容器
ｌ内に導入する。下部電極３に高周波電力を印加すると
、上部電極２と下部電極３の間にはプラズマを発生し、
マスク基板Ｍのクロム薄膜がエツチングされる。反応ガ
スＧｌの排気は排気口１ａから真空排気装置により排出
される。
上部電極２の軸部を経て多数の反応ガス導入口２ａから
反応ガスＧｌ （例えばＣＣ１，＋ ０□）を真空容器
ｌ内に導入する。下部電極３に高周波電力を印加すると
、上部電極２と下部電極３の間にはプラズマを発生し、
マスク基板Ｍのクロム薄膜がエツチングされる。反応ガ
スＧｌの排気は排気口１ａから真空排気装置により排出
される。
このエツチングの際、反応生成物が発生してその一部が
上部電極２円板部の背面と真空容器１の上部内面に付着
して固体化し、徐々に堆積して行く（図のＳ）。これを
除去するには、付着する反応生成物の種類にもよるが、
アルコールで清拭する、アルコールで超音波洗浄する、
オゾン等で分解する、真空容器等を加熱する、等の方法
が採られている。
上部電極２円板部の背面と真空容器１の上部内面に付着
して固体化し、徐々に堆積して行く（図のＳ）。これを
除去するには、付着する反応生成物の種類にもよるが、
アルコールで清拭する、アルコールで超音波洗浄する、
オゾン等で分解する、真空容器等を加熱する、等の方法
が採られている。
〔発明が解決しようとする課題］
ところがこのように堆積した反応生成物を放置すると、
その後粒子状で脱落して被処理物であるウェーハやフォ
トマスクの表面に付着してそれらの欠陥の原因となり、
又このように堆積した反応生成物を除去するためには装
置を停止して除去作業を行わなければならないという問
題があった。
その後粒子状で脱落して被処理物であるウェーハやフォ
トマスクの表面に付着してそれらの欠陥の原因となり、
又このように堆積した反応生成物を除去するためには装
置を停止して除去作業を行わなければならないという問
題があった。
本発明は、このような問題を解決して、反応生成物が堆
積することのないドライエツチング装置を提供すること
を目的とする。
積することのないドライエツチング装置を提供すること
を目的とする。
この目的は、本発明によれば、上部電極２背面上にガス
Ｇ２を継続的に導入してガス流を発生させるガス導入口
４ａと、上部電極２と下部電極３との間の空間を包囲し
て真空容器ｌ側壁との間にガスＧ２の流路を形成する仕
切り板５〉 とを有することを特徴とするドライエツチ
ング装置とすることで、達成される。
Ｇ２を継続的に導入してガス流を発生させるガス導入口
４ａと、上部電極２と下部電極３との間の空間を包囲し
て真空容器ｌ側壁との間にガスＧ２の流路を形成する仕
切り板５〉 とを有することを特徴とするドライエツチ
ング装置とすることで、達成される。
反応ガスは主として上部電極から下方に向かって流れる
ため、上部電極背面と真空容器上部内面との間の空間で
はガスは滞留し、反応生成物が付着し易い。そこでこの
部分に排気口に向かうガスの流れを作り、反応生成物の
付着を防いでいる。
ため、上部電極背面と真空容器上部内面との間の空間で
はガスは滞留し、反応生成物が付着し易い。そこでこの
部分に排気口に向かうガスの流れを作り、反応生成物の
付着を防いでいる。
又、上部電極と下部電極の間の空間を包囲して仕切り板
を設けたことにより、反応生成物が上部に向かうのを妨
げると共に、上部に導入したガスが反応ガスと混入して
反応に影響を与えることを抑止する。
を設けたことにより、反応生成物が上部に向かうのを妨
げると共に、上部に導入したガスが反応ガスと混入して
反応に影響を与えることを抑止する。
（実施例）
本発明に基づくドライエツチング装置の実施例を第１図
によりフォトマスクのエツチングを例に取り、説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す模式断面図である。
によりフォトマスクのエツチングを例に取り、説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す模式断面図である。
同図中、１は真空容器であり、中には上部電極２と下部
電極３が平行に対向している。真空容器１の下部には排
気口１ａがあり、これは真空排気装置（図示は省略）に
連通している。上部電ＦｌｊＡ２と下部電極３は共に円
板部と軸部からなっている。このうち上部電極２は軸部
、円板部共に中空をなして双方の中空部は連接しており
、軸部の中空部は真空容器１の外の部分で反応ガス供給
手段（図示は省略）に連通している。上部電極２の円板
部下面（下部電極３に対向する面）には多数の反応ガス
導入孔２ａを有している。
電極３が平行に対向している。真空容器１の下部には排
気口１ａがあり、これは真空排気装置（図示は省略）に
連通している。上部電ＦｌｊＡ２と下部電極３は共に円
板部と軸部からなっている。このうち上部電極２は軸部
、円板部共に中空をなして双方の中空部は連接しており
、軸部の中空部は真空容器１の外の部分で反応ガス供給
手段（図示は省略）に連通している。上部電極２の円板
部下面（下部電極３に対向する面）には多数の反応ガス
導入孔２ａを有している。
この上部電極２の軸部の外側にはガス導入管４が設けら
れており、真空容器１の外の部分でガス供給手段（図示
は省略）に連通しており、真空容器１の中の部分には上
部電極２の円板部背面に向けて開口するガス導入口４ａ
を有している。上部電極２と下部電極３の各円板部の間
の空間を包囲して、両日板部とは若干の間隙を置いて仕
切り板５が配設されている。
れており、真空容器１の外の部分でガス供給手段（図示
は省略）に連通しており、真空容器１の中の部分には上
部電極２の円板部背面に向けて開口するガス導入口４ａ
を有している。上部電極２と下部電極３の各円板部の間
の空間を包囲して、両日板部とは若干の間隙を置いて仕
切り板５が配設されている。
被処理物であるマスク基板Ｍは下部電極３上に載置され
る。マスク基板Ｍはガラス板表面にクロムの薄膜を被着
したものである。
る。マスク基板Ｍはガラス板表面にクロムの薄膜を被着
したものである。
前述の真空排気装置により真空容器１内を排気しつつ、
上部電極２の軸部を経て多数の反応ガス導入口２ａから
反応ガスＧｌ （例えばＣＣｌ４ ＋Ｏｆ ）を真空容
器１内に導入する。下部電極３に高周波電力を印加する
と、上部電極２と下部電極３の間にはプラズマを発生し
、マスク基板Ｍのクロム薄膜がエツチングされる。反応
ガスＧ１の排気は排気口１ａから真空排気装置により排
出される。
上部電極２の軸部を経て多数の反応ガス導入口２ａから
反応ガスＧｌ （例えばＣＣｌ４ ＋Ｏｆ ）を真空容
器１内に導入する。下部電極３に高周波電力を印加する
と、上部電極２と下部電極３の間にはプラズマを発生し
、マスク基板Ｍのクロム薄膜がエツチングされる。反応
ガスＧ１の排気は排気口１ａから真空排気装置により排
出される。
一方、ガス導入管４を通じてガスＧ２ （例えばオゾン
〉をガス導入口４ａから上部電極２の円板部背面上方に
導入する（流量は反応ガスＧ１の１０％程度）。ガスＧ
２は上部電極２の円板部背面上方を周辺方向に流れ、そ
の大部分は仕切り板５ど真空容器ｌ内側面との間の空間
を下方に流れ、排気口１ａから排出される。ガスＧ２の
一部は上部電極２の円板部と仕切り板５との間隙と、下
部電極３円板部と仕切り板５との間隙とを経て、排気口
１ａから排出される。尚、ガスＧ２の一部を上部電極２
の円板部と仕切り板５との間隙を経由して仕切り板５で
包囲された空間内へも流すのは、反応ガスＧ１の滞留箇
所を作らないためである。もちろんガスＧ２は反応ガス
Ｇ１に混入することによってエツチングの反応に悪影響
を及ぼすものであってはならない。
〉をガス導入口４ａから上部電極２の円板部背面上方に
導入する（流量は反応ガスＧ１の１０％程度）。ガスＧ
２は上部電極２の円板部背面上方を周辺方向に流れ、そ
の大部分は仕切り板５ど真空容器ｌ内側面との間の空間
を下方に流れ、排気口１ａから排出される。ガスＧ２の
一部は上部電極２の円板部と仕切り板５との間隙と、下
部電極３円板部と仕切り板５との間隙とを経て、排気口
１ａから排出される。尚、ガスＧ２の一部を上部電極２
の円板部と仕切り板５との間隙を経由して仕切り板５で
包囲された空間内へも流すのは、反応ガスＧ１の滞留箇
所を作らないためである。もちろんガスＧ２は反応ガス
Ｇ１に混入することによってエツチングの反応に悪影響
を及ぼすものであってはならない。
上記の例のオゾンはその微量が ＣＣｌ４＋ Ｏｚ中に
混入しても支障がなかった。他に、アルゴン等の不活性
ガスや、反応ガスＧ１と同一のガスであってもよい。
混入しても支障がなかった。他に、アルゴン等の不活性
ガスや、反応ガスＧ１と同一のガスであってもよい。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、反応生成物堆積防止用の
ガスＧ２として、反応ガスＧｌと同様のガスを使用した
場合は特にガス導入管４を設けず、上部電極２の円板部
の背面側にガス導入口を設ければよい。又、マスク基板
上のクロム薄膜エツチング用の装置だけではなく、半導
体ウェーハ上のシリコン化合物やアル泉ニウム薄膜等の
エツチング用の装置であっても、本発明は有効である。
変形して実施出来る。例えば、反応生成物堆積防止用の
ガスＧ２として、反応ガスＧｌと同様のガスを使用した
場合は特にガス導入管４を設けず、上部電極２の円板部
の背面側にガス導入口を設ければよい。又、マスク基板
上のクロム薄膜エツチング用の装置だけではなく、半導
体ウェーハ上のシリコン化合物やアル泉ニウム薄膜等の
エツチング用の装置であっても、本発明は有効である。
以上説明したように、本発明によれば、反応生成物が堆
積することのないドライエツチング装置を提供すること
が出来、反応生成物の粒子付着に起因する欠陥発生を抑
止すると共に、装置を止めて装置内面に付着した反応生
成物を除去する工数を節減することが出来、フォＩ・マ
スクや半導体装置の製造合理化に寄与するところが大で
ある。
積することのないドライエツチング装置を提供すること
が出来、反応生成物の粒子付着に起因する欠陥発生を抑
止すると共に、装置を止めて装置内面に付着した反応生
成物を除去する工数を節減することが出来、フォＩ・マ
スクや半導体装置の製造合理化に寄与するところが大で
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式断面図、第２図は
従来のドライエツチング装置の一例を示す模式断面図で
ある。 図中、１は真空容器、 ２は上部電極、 ２ａは反応ガス導入孔、 ３は下部電極、 ４はガス導入管、 ４ａはガス導入口、 ５は仕切り板、である。 ネ金明の一実施例区示す傾式餠面図 従来のパフイエ１．＋ンフ°狡厘の−９１迷示Ｔ侯式□
面配祐 ２図
従来のドライエツチング装置の一例を示す模式断面図で
ある。 図中、１は真空容器、 ２は上部電極、 ２ａは反応ガス導入孔、 ３は下部電極、 ４はガス導入管、 ４ａはガス導入口、 ５は仕切り板、である。 ネ金明の一実施例区示す傾式餠面図 従来のパフイエ１．＋ンフ°狡厘の−９１迷示Ｔ侯式□
面配祐 ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器（１）内で上部電極（２）の下面から反応ガ
ス（Ｇ１）を放出し、該上部電極（２）と対向する下部
電極（３）との間にプラズマを発生せしめて該下部電極
（３）上に載置した被処理基板（Ｍ）をエッチングする
装置において、 該上部電極（２）背面上にガス（Ｇ２）を継続的に導入
してガス流を発生させるガス導入口（４ａ）と、該上部
電極（２）と該下部電極（３）との間の空間を包囲して
該真空容器（１）側壁との間に該ガス（Ｇ２）の流路を
形成する仕切り板（５）とを有することを特徴とするド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28350289A JPH03145124A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28350289A JPH03145124A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145124A true JPH03145124A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17666379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28350289A Pending JPH03145124A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145124A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433008B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-05-31 | (주)소슬 | 플라즈마 식각 장치 |
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| JP2007335465A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2008526026A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
| EP2390897A3 (en) * | 2010-05-25 | 2014-04-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP28350289A patent/JPH03145124A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433008B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-05-31 | (주)소슬 | 플라즈마 식각 장치 |
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| CN100449708C (zh) * | 2004-05-27 | 2009-01-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| JP2008526026A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
| JP2007335465A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| EP2390897A3 (en) * | 2010-05-25 | 2014-04-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8858754B2 (en) | 2010-05-25 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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