JPH01158722A - 化学気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体製造における化学気相成長を行なう装
置において、チャンバー内壁に付着した反応堆積物を自
動的に除去する方式に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来の化学気相成長装置のチャンバー内部の断
面図である。即ち、加熱ステージ＋１１上に載置された
ウェハ（２）の表面にたとえば反応ガス０２とＳｉＨ４
を流すことによシ、熱化学反応を起こし酸化膜を気相成
長させる。図中、［３）　［４）はそれぞれの反応ガス
０２およびＳｉＨ４の導入孔である。（５）は排気孔で
、反応ガス導入孔（３１［４）より供給されされた反応
ガスのうち、ウェハ（２）面上に成膜されなかったもの
はすみやかに排出される。これら一連の反応は子ヤシバ
ー（６）内で行なわれる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の化学気相成長装置は、以上のように構成されてい
たので、熱化学反応がウニ八面上だけでなく第４図のよ
うに、チャンバー内壁（１１）や加熱ステージ表面（１
２）でも起こり堆積物が発生する。堆積物は粉末状とな
って壁面に付着するため、−室以上堆積すると自然には
くシしたシ、ガスにより巻き上げられたりし、異物とな
ってウニ八表面に付着するという問題点があった。

ウェハ上への付着をなくすためには、一定期間ごとに子
ヤシバーをあけ、掃除機などで付着物の掃除を行なうが
、そのための手間や気相成長装置の停止時間が多くその
効率が悪いという問題点もあった。

この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、チャンバー内壁に付着した堆積物を自動的に除去し
、チャンバー内を清浄に保つことを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明における化学気相成長装置は、チャンバー内壁
而に振動を与える機構と、チャンバー内に不活性ガスを
導入する不活性ガス孔、及びチャンバー内と導通し排気
量が強弱切替えできる排気孔とを備えたものである。

〔作用〕

この発明における化学気相成長装置は、チャンバー内壁
に付着した堆積物を壁面の振動によシ、除去もしくは付
着力を弱めるとともに、不活性ガスを導入しながら急速
排気を行ないガス流により堆積物を完全にチャンバー内
に排出しチャンバー内を清浄に保つ。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は加熱ステージ、（２）は処理中の
ウェハで、通常の反応ガス導入孔＋３＋　＋４）とは別
に不活性ガス導入孔（７）が設けられている。また、排
気孔（５）における排気量を増加させることができるよ
うに、急速排気タクト（８）及び、排気シャッター（９
）が備えられている。チャンバー（６）には内壁に振動
を与えるための加振器（１０）が装置されている。

次に動作について説明する。通常の成膜処理時には第１
図に示すように、反応ガス導入孔＋３＋　＋４）よシ反
応ガスを導入するとともに、シャッター（９）は閉じた
状態でゆるやかな排気を行なう。気相成長時のガス量は
少なく流れはゆるやかなものが望ましいためである。

この成膜処理を複数ウニ凸性なっていくにつれ、チャン
バー壁面には粉末状の堆積物が付着していくため、一定
量の処理をした後クリーニングを行なう。まず、加振器
（１０）によシ、チャンバー（６）の壁面に振動を与え
る。この振動により内壁に付着した粉末状の堆積物を除
去もしくは除去されやすくする。第２図に示すように振
動と同時に不活性ガス導入孔（７）よシネ活性ガスを大
量に導入しながら、排気シャッタ（９）を開は排気孔（
５）よシ急速排気を行なう。このガス流によシ、振動に
よって除去、もしくは除去されやすくなった堆積物を完
全にチャンバー（６）外に排出する。

堆積物をクリーニシクした後は加振器（ｌＯ）の振動を
止め、ついで不活性ガス導入、及び急速排気を止める。

このようにチ’Ｆ’ｙバー内壁に付着した堆積物を自動
的に除去ができ清浄なチャンバー内でひきつづき成膜処
理を行なう。

なお、上実施例では、排気量の切替えに排気シャッター
（９）を用いた場合を示したがファンの回転数を切替え
る方法でも同様の効果を奏する。

また、チャンバー形状、加熱ステージ＋１）、各ガス導
入孔＋３１　＋４）　（７１及び排気孔（６）、加振器
（ｌＯ）の配置は必ずしも前記実施例のとおりの必要は
なく、たとえば、加熱ステージの周辺に排気孔上方にガ
ス導入孔があるようなものでも同様の効果を有する。

また、上記実施例では常圧の化学気相成長装置について
述べたが減圧下にての化学気相成長、さらにはプラズマ
ＣＶＤ、光ＣＶＤなどの装置についても同様の効果を有
する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、化学気相成長装置にお
いてチ１７：７バー内壁面に振動を与える機構と、チャ
ンバー内に不活性ガスを導入する不活性ガス孔及びチャ
ンＪ’Ｓ−内と導通し、排気量が強弱切替えできる排気
孔を備えたため、チャンバー内壁に付着した堆積物を自
動的に除去ができるとともに、チャンバー内掃除のため
の手間及び気相成長装置の停止時間なしにチャンバー内
をクリーンに保てるため、ウニ八表面上への異物付着を
減らし、歩留りの向上に役立つものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による気相成長装置の構造
を示す断面図、第２図はこの発明の気相成長装置におい
て、熱化学反応による、堆積物の除去をしている状態を
示す断面図、第３図は従来の気相成長装置の構造を示す
断面図、第４図は従来の気相成長装置において、チャン
バー内壁面に堆積物が付着している状態を示す断面図を
示す。 図において、ｔｌ）は加熱ステージ、（２）はウェハ、
（３）（４）は反応ガス導入孔、（５）は排気孔、（６
）はチャンバー、（７）は不活性ガス導入孔、（８）は
急速排気タクト、（９）は排気シャッター、　（１０１
は加損器を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　チャンバー内部にウェハを載置しチャンバー内に反応
   ガスを導入してウェハ上に膜を生成する化学気相成長装
   置において、チャンバー内壁面に振動を与える振動機構
   と、チャンバー内と導通し排気量を強弱切替可能とした
   排気孔と、チャンバー内に不活性ガスを導入する不活性
   ガス導入孔と備えたことを特徴とする化学気相成長装置
   。