JPH04186615A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04186615A JPH04186615A JP31237190A JP31237190A JPH04186615A JP H04186615 A JPH04186615 A JP H04186615A JP 31237190 A JP31237190 A JP 31237190A JP 31237190 A JP31237190 A JP 31237190A JP H04186615 A JPH04186615 A JP H04186615A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要]
半導体装置の製造に用いられるドライエツチング装置や
化学気相成長装置などの半導体製造装置の構成に関し、 被処理基板へのゴミやパーティクルの付着を減少させる
ことを目的とし、 反応容器内に設けた所定電極以外に第3の電極を設置し
、該第3の電極によってプラズマを発生させて付着物を
除去するように構成する。
化学気相成長装置などの半導体製造装置の構成に関し、 被処理基板へのゴミやパーティクルの付着を減少させる
ことを目的とし、 反応容器内に設けた所定電極以外に第3の電極を設置し
、該第3の電極によってプラズマを発生させて付着物を
除去するように構成する。
例えば、前記反応容器の側壁が接地され、且つ絶縁体を
介した前記第3の電極が被処理基板を出入させる搬出入
口の上部に設置された構成にする。
介した前記第3の電極が被処理基板を出入させる搬出入
口の上部に設置された構成にする。
〔産業上の利用分野]
本発明は半導体装置の製造に用いられるトライエツチン
グ装置や化学気相成長装置などの半導体製造装置の構成
に関する。
グ装置や化学気相成長装置などの半導体製造装置の構成
に関する。
最近、ドライエツチング装置や化学気相成長(CVD)
装置などの半導体製造装置は自動化処理工程の一環をな
しており、そのような製造装置を出来るだけ長時間使用
するための構成に関している。
装置などの半導体製造装置は自動化処理工程の一環をな
しており、そのような製造装置を出来るだけ長時間使用
するための構成に関している。
〔従来の技術]
例えば、プラズマCVD装置は反応ガスをプラズマ化し
て低温で分解成長させる装置であり、第3図にそのよう
な従来のプラズマCVD装置の要部断面図を示している
。図中の記号lは反応容器。
て低温で分解成長させる装置であり、第3図にそのよう
な従来のプラズマCVD装置の要部断面図を示している
。図中の記号lは反応容器。
2は上部電極、3は下部電極、4はウェハー(被処理基
板)35はガス導入口、6は排気口、7は高周波電源(
例えば、周波数13.56MH2) 、 8は絶縁体
、9はロードロック室、10は搬出入口である。
板)35はガス導入口、6は排気口、7は高周波電源(
例えば、周波数13.56MH2) 、 8は絶縁体
、9はロードロック室、10は搬出入口である。
例えば、窒化シリコン(SiNx)膜を成長する場合、
ヒータを内蔵した下部電極3上にウェハー4(直径8イ
ンチφ)を載置して、モノシラン(SiH4)とアンモ
ニア(NH3)との混合ガスからなる反応ガスを反応容
器1に導入し、排気口6から排気して反応容器1内部の
減圧度を数十Torrにする。且つ、上下両電極2.3
間に出力500W程度の高周波電力を印加して反応ガス
をプラズマ化し、ウェハー4面で反応させて被着させる
。
ヒータを内蔵した下部電極3上にウェハー4(直径8イ
ンチφ)を載置して、モノシラン(SiH4)とアンモ
ニア(NH3)との混合ガスからなる反応ガスを反応容
器1に導入し、排気口6から排気して反応容器1内部の
減圧度を数十Torrにする。且つ、上下両電極2.3
間に出力500W程度の高周波電力を印加して反応ガス
をプラズマ化し、ウェハー4面で反応させて被着させる
。
その際、ウェハー4はロードロック室9から搬出人口1
0を通じて搬入・搬8させており、その操作は自動的に
おこなっている。
0を通じて搬入・搬8させており、その操作は自動的に
おこなっている。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、上記のようなプラズマCVD装置によって被
膜を繰り返し成長させると、ウェハー面以外の反応容器
内壁にも被膜や異物が被着し、その被膜が剥がれてウェ
ハー面に飛来すると、それがゴミやパーティクル(粉末
)となって成長膜の欠陥を誘発する。そのために、所定
回数の成長処理した後、内壁に付着した付着物をクリー
ニング除去する処理がおこなわれており、例えば、上記
のような枚葉式装置ではウェハーを数十枚成長するとプ
ラズマエツチングを実施しており、それはウェハーを挿
入せずに、0□ (酸素)、NF3(三弗化窒素)、C
F4 (フレオン)などのガスやそれらの混合ガスを
反応容器内に導入して上下両電極2.3間に高周波電力
を印加し、付着物をプラズマエツチングしてパージ(放
逐)させる方法である。また、更に、数回のプラズマエ
ツチングをおこなうと、反応容器内に大気を流入して部
材を分解するオーバーオール的なりリーニングをおこな
っている。
膜を繰り返し成長させると、ウェハー面以外の反応容器
内壁にも被膜や異物が被着し、その被膜が剥がれてウェ
ハー面に飛来すると、それがゴミやパーティクル(粉末
)となって成長膜の欠陥を誘発する。そのために、所定
回数の成長処理した後、内壁に付着した付着物をクリー
ニング除去する処理がおこなわれており、例えば、上記
のような枚葉式装置ではウェハーを数十枚成長するとプ
ラズマエツチングを実施しており、それはウェハーを挿
入せずに、0□ (酸素)、NF3(三弗化窒素)、C
F4 (フレオン)などのガスやそれらの混合ガスを
反応容器内に導入して上下両電極2.3間に高周波電力
を印加し、付着物をプラズマエツチングしてパージ(放
逐)させる方法である。また、更に、数回のプラズマエ
ツチングをおこなうと、反応容器内に大気を流入して部
材を分解するオーバーオール的なりリーニングをおこな
っている。
しかし、前記のプラズマエツチングによって上下両電極
2.3間に高周波電力を印加しても、ガスがプラズマ化
され難い隅部分に付着物が付着している場合には、それ
を完全に除去することは困難で、例えば、第3図に示す
プラズマCVD装置の搬出人口10に被着物が付着する
とパージが困難になる。そうすると、ウェハーはこの1
入口を必ず通過するために側壁から剥がれた付着物がゴ
ミ、パーティクルになってウェハー面に付着し、ウェハ
ーの成長膜の品質を低下させることが起こる。
2.3間に高周波電力を印加しても、ガスがプラズマ化
され難い隅部分に付着物が付着している場合には、それ
を完全に除去することは困難で、例えば、第3図に示す
プラズマCVD装置の搬出人口10に被着物が付着する
とパージが困難になる。そうすると、ウェハーはこの1
入口を必ず通過するために側壁から剥がれた付着物がゴ
ミ、パーティクルになってウェハー面に付着し、ウェハ
ーの成長膜の品質を低下させることが起こる。
本発明は、そのような被処理基板(ウェハー)へのゴミ
やパーティクルの付着を減少させることを目的とした半
導体製造装置を提案するものである。
やパーティクルの付着を減少させることを目的とした半
導体製造装置を提案するものである。
〔課題を解決するための手段]
その課題は、第1図に示す実施例図のように、反応容器
1内に設けた所定電極(上部電極2と下部電極3)以外
に第3の電極12を設置し、該第3の電極12によって
プラズマを発生させて付着物を除去するように構成され
ている半導体製造装置によって解決される。
1内に設けた所定電極(上部電極2と下部電極3)以外
に第3の電極12を設置し、該第3の電極12によって
プラズマを発生させて付着物を除去するように構成され
ている半導体製造装置によって解決される。
例えば、前記反応容器1の側壁が接地され、且つ絶縁体
18を介した前記第3の電極12が被処理基板を出入さ
せる搬出入口10の上部に設置された構造にする。
18を介した前記第3の電極12が被処理基板を出入さ
せる搬出入口10の上部に設置された構造にする。
〔作 用]
即ち、本発明はプラズマ化され難い隅部分、例えば、搬
出人口10に第3の電極12を設け、所定電極(下部電
極2と下部電極3)から切替えて高周波電力を印加して
ガスをプラズマ化させ、その近傍をプラズマエツチング
する。
出人口10に第3の電極12を設け、所定電極(下部電
極2と下部電極3)から切替えて高周波電力を印加して
ガスをプラズマ化させ、その近傍をプラズマエツチング
する。
そうすると、その近傍に被着した付着物がエツチング除
去されて、ウェハーへの付着を減少させることができる
。
去されて、ウェハーへの付着を減少させることができる
。
[実 施 例]
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図は本発明にかかるプラズマCVD装置の要部断面
図を示しており、記号は第3図と同様に1は反応容器、
2は上部電極、3は下部電極、4はウェハー、5はガス
導入口、6は排気口、7は高周波電源、8.18は絶縁
体、9はロードロック室、 10は搬出入口であるが、
その他の記号12は第3の電極、Sは切換スイッチであ
る。
図を示しており、記号は第3図と同様に1は反応容器、
2は上部電極、3は下部電極、4はウェハー、5はガス
導入口、6は排気口、7は高周波電源、8.18は絶縁
体、9はロードロック室、 10は搬出入口であるが、
その他の記号12は第3の電極、Sは切換スイッチであ
る。
且つ、第2図に第1図の搬出入口部分の斜視図を示して
おり、同図には上記第1図の記号と同一部位に同一記号
が付けである。即ち、搬出入口10の上部に第3の電極
12が絶縁体18を介して設置されており、反応容器1
の内部をプラズマエツチングする場合には、ガス導入口
5から02ガスとCF4ガスとの混合ガスを導入し、排
気口6から排気して反応容器1内部の減圧度を数Tor
rにし、高周波電源7からの切換スイッチSを上部電極
2側に接続し、上下両電極2.3間に出力500 Wの
高周波電力を印加して混合ガスをプラズマ化して反応容
器1の内部側壁に付着した被着物をエツチング除去する
。
おり、同図には上記第1図の記号と同一部位に同一記号
が付けである。即ち、搬出入口10の上部に第3の電極
12が絶縁体18を介して設置されており、反応容器1
の内部をプラズマエツチングする場合には、ガス導入口
5から02ガスとCF4ガスとの混合ガスを導入し、排
気口6から排気して反応容器1内部の減圧度を数Tor
rにし、高周波電源7からの切換スイッチSを上部電極
2側に接続し、上下両電極2.3間に出力500 Wの
高周波電力を印加して混合ガスをプラズマ化して反応容
器1の内部側壁に付着した被着物をエツチング除去する
。
次に、切換スイッチSを第3の電極12側に切り換え、
反応容器1の側壁と第3の電極12との間に同出力の高
周波電力を印加して混合ガスをプラズマ化し、搬出入口
10の第3の電極12およびその側壁近傍に付着した被
着物をプラズマエツチングして除去する。第1図に図示
しているように、第3の電極12を高周波電源7側に接
続し、反応容器Iの側壁を接地側にして高周波電力を印
加すると、第3の電極12側(電源側)が負になるセル
フバイアスが生じて、プラズマ中の+イオンが第3の電
極12側に引き寄せられ、その+イオンによるスパッタ
効果が大きく作用して、特に搬出入口10の上面(第3
の電極12面)に付着している被着物が除去され、極め
て完全にクリーニングされる。
反応容器1の側壁と第3の電極12との間に同出力の高
周波電力を印加して混合ガスをプラズマ化し、搬出入口
10の第3の電極12およびその側壁近傍に付着した被
着物をプラズマエツチングして除去する。第1図に図示
しているように、第3の電極12を高周波電源7側に接
続し、反応容器Iの側壁を接地側にして高周波電力を印
加すると、第3の電極12側(電源側)が負になるセル
フバイアスが生じて、プラズマ中の+イオンが第3の電
極12側に引き寄せられ、その+イオンによるスパッタ
効果が大きく作用して、特に搬出入口10の上面(第3
の電極12面)に付着している被着物が除去され、極め
て完全にクリーニングされる。
上記のような本発明にかかるプラズマCVD装置によれ
ば、特にウェハーの搬出入時におけるゴミやパーティク
ルの付着が減少して、ウェハーの成長膜の品質が向上す
る。
ば、特にウェハーの搬出入時におけるゴミやパーティク
ルの付着が減少して、ウェハーの成長膜の品質が向上す
る。
しかも、このような隅部分までクリーニングできるプラ
ズマエツチングをおこなえば、反応容器1内に大気を導
入して機材を分解クリーニングする時間間隔を長くする
ことができて、成長装置の稼働率を上げることができる
。
ズマエツチングをおこなえば、反応容器1内に大気を導
入して機材を分解クリーニングする時間間隔を長くする
ことができて、成長装置の稼働率を上げることができる
。
上記実施例はプラズマCVD装置の例であるが、本発明
はプラズマエツチング装置や通常のCVD装置にも適用
できるもので、また、第3の電極の設置箇所は搬8人口
に限るものではなく、反応容器の隅部分のいずれに設置
しても効果のあるものである。
はプラズマエツチング装置や通常のCVD装置にも適用
できるもので、また、第3の電極の設置箇所は搬8人口
に限るものではなく、反応容器の隅部分のいずれに設置
しても効果のあるものである。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明にかか−る半導
体製造装置によれば、被処理基板が高品質化されて、そ
の安定化と装置の稼働率の向上に大きく寄与し、半導体
デバイスの品質向上に役立つものである。
体製造装置によれば、被処理基板が高品質化されて、そ
の安定化と装置の稼働率の向上に大きく寄与し、半導体
デバイスの品質向上に役立つものである。
第1図は本発明にかかるプラズマCVD装置の要部断面
図、 第2図は第1図の搬出入口部分の斜視図、第3図は従来
のプラズマCVD装置の要部断面図である。 図において、 1は反応容器、 2は上部電極、3は下部電極
、 4はウェハー(被処理基vi)、 5はガス導入口、 6は排気口、7は高周波電源
、 8.18は絶縁体、9はロードロック室、 1
0は搬出入口、12は第3の電極、 Sは切換ス
イッチを示している。 151剰9 第1図の散山入1iニア部分n蛸丑(ワ第2図 、7411猷電速 E水のプラズマ0pit/)’x舒前悔フ第3図
図、 第2図は第1図の搬出入口部分の斜視図、第3図は従来
のプラズマCVD装置の要部断面図である。 図において、 1は反応容器、 2は上部電極、3は下部電極
、 4はウェハー(被処理基vi)、 5はガス導入口、 6は排気口、7は高周波電源
、 8.18は絶縁体、9はロードロック室、 1
0は搬出入口、12は第3の電極、 Sは切換ス
イッチを示している。 151剰9 第1図の散山入1iニア部分n蛸丑(ワ第2図 、7411猷電速 E水のプラズマ0pit/)’x舒前悔フ第3図
Claims (2)
- (1)反応容器内に設けた所定電極以外に第3の電極を
設置し、該第3の電極によってプラズマを発生させて付
着物を除去するように構成されてなることを特徴とする
半導体製造装置。 - (2)前記反応容器の側壁が接地され、且つ、絶縁体を
介した前記第3の電極が被処理基板を出入させる搬出入
口の上部に設置されていることを特徴とする請求項(1
)記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31237190A JPH04186615A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31237190A JPH04186615A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04186615A true JPH04186615A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18028454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31237190A Pending JPH04186615A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04186615A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
JP2012506620A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバをクリーニングするプラズマ発生源とプロセス |
US8866209B2 (en) | 2010-03-02 | 2014-10-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31237190A patent/JPH04186615A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
JP2012506620A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバをクリーニングするプラズマ発生源とプロセス |
US8866209B2 (en) | 2010-03-02 | 2014-10-21 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same |
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