JPH09129596A - 反応室のクリーニング方法 - Google Patents
反応室のクリーニング方法Info
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- JPH09129596A JPH09129596A JP27911695A JP27911695A JPH09129596A JP H09129596 A JPH09129596 A JP H09129596A JP 27911695 A JP27911695 A JP 27911695A JP 27911695 A JP27911695 A JP 27911695A JP H09129596 A JPH09129596 A JP H09129596A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物の処理中に真空処理装置の反応室の
壁面等に堆積した膜を完全に除去し、その後に行われる
被処理物の処理における歩留まりの低下を防止できる反
応室のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 真空処理装置の反応室に対してプラズマ
クリーニングを実施する。その後、前記反応室に所定の
ガスを導入する。そして、プラズマ出力をパルス状に発
振させると共に各パルス毎のプラズマ出力を変化させ
る。さらに、前記パルスの発振と同期させて前記ガスの
流量を変化させる。
壁面等に堆積した膜を完全に除去し、その後に行われる
被処理物の処理における歩留まりの低下を防止できる反
応室のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 真空処理装置の反応室に対してプラズマ
クリーニングを実施する。その後、前記反応室に所定の
ガスを導入する。そして、プラズマ出力をパルス状に発
振させると共に各パルス毎のプラズマ出力を変化させ
る。さらに、前記パルスの発振と同期させて前記ガスの
流量を変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置の反
応室のクリーニング方法に係わり、特に、被処理物の処
理中に真空処理装置の反応室に堆積した膜を完全に除去
することができる反応室のクリーニング方法に関する。
応室のクリーニング方法に係わり、特に、被処理物の処
理中に真空処理装置の反応室に堆積した膜を完全に除去
することができる反応室のクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、エッ
チング装置等の真空処理装置を用いて、半導体製造用ウ
ェハ、液晶表示（ＬＣＤ）基板等の被処理物の表面に対
して成膜、エッチング等の処理を実施すると、真空処理
装置の反応室の壁面、電極、シールド材等に粒子が付着
して膜が形成される。この膜はその後に行われる被処理
物の処理の際にパーティクルの発生原因となり、発生し
たパーティクルは被処理物の表面に落下して表面を汚染
し、歩留まりの低下をもたらすという問題があった。
チング装置等の真空処理装置を用いて、半導体製造用ウ
ェハ、液晶表示（ＬＣＤ）基板等の被処理物の表面に対
して成膜、エッチング等の処理を実施すると、真空処理
装置の反応室の壁面、電極、シールド材等に粒子が付着
して膜が形成される。この膜はその後に行われる被処理
物の処理の際にパーティクルの発生原因となり、発生し
たパーティクルは被処理物の表面に落下して表面を汚染
し、歩留まりの低下をもたらすという問題があった。
【０００３】この問題を解消するために、従来、真空処
理装置による被処理物表面の処理を終了した後に、反応
室の壁面等に堆積した膜をプラズマによって除去するプ
ラズマクリーニングが実施されている。
理装置による被処理物表面の処理を終了した後に、反応
室の壁面等に堆積した膜をプラズマによって除去するプ
ラズマクリーニングが実施されている。
【０００４】以下、プラズマＣＶＤ装置を例に挙げて従
来のプラズマクリーニング方法について説明する。図３
において符号１は、プラズマＣＶＤ装置の反応室１を示
し、この反応室１の内部には被処理物である半導体製造
用のウェハＷが載置されたサセプタ２が設けられ、この
サセプタ２の周囲には真空引きプレート３が設けられて
いる。ウェハＷの上方には上部電極４が設けられ、この
上部電極４の周囲にはシールド材５が設けられている。
また、サセプタ２の下方にはウェハＷを加熱するための
加熱手段６が設けられている。
来のプラズマクリーニング方法について説明する。図３
において符号１は、プラズマＣＶＤ装置の反応室１を示
し、この反応室１の内部には被処理物である半導体製造
用のウェハＷが載置されたサセプタ２が設けられ、この
サセプタ２の周囲には真空引きプレート３が設けられて
いる。ウェハＷの上方には上部電極４が設けられ、この
上部電極４の周囲にはシールド材５が設けられている。
また、サセプタ２の下方にはウェハＷを加熱するための
加熱手段６が設けられている。
【０００５】そして、ウェハＷの表面に所定の膜を形成
する際には、上記プラズマＣＶＤ装置の反応室の内部に
所定のガスを導入し、上部電極４に高周波電圧を印加す
る。すると、反応室１の内部にプラズマが形成され、こ
のプラズマによって生成された活性種を利用してプラズ
マＣＶＤ法によって成膜を行う。また、成膜処理中にお
いては加熱手段６によってウェハＷを加熱する。
する際には、上記プラズマＣＶＤ装置の反応室の内部に
所定のガスを導入し、上部電極４に高周波電圧を印加す
る。すると、反応室１の内部にプラズマが形成され、こ
のプラズマによって生成された活性種を利用してプラズ
マＣＶＤ法によって成膜を行う。また、成膜処理中にお
いては加熱手段６によってウェハＷを加熱する。
【０００６】このようにして成膜処理を実施すると、ウ
ェハＷの表面のみならず、反応室１の側壁１ａ、上部電
極４、シールド材５等の表面にも膜が形成されてしま
う。
ェハＷの表面のみならず、反応室１の側壁１ａ、上部電
極４、シールド材５等の表面にも膜が形成されてしま
う。
【０００７】そこで、従来は、反応室１の内部に所定の
ガスを導入し、上部電極４に高周波電圧を印加してプラ
ズマを生成して側壁１ａ等に堆積した膜を除去してい
た。このプラズマクリーニング終了後は、反応室を真空
排気して浮遊しているパーティクルを反応室外へ排出す
るようにしていた。
ガスを導入し、上部電極４に高周波電圧を印加してプラ
ズマを生成して側壁１ａ等に堆積した膜を除去してい
た。このプラズマクリーニング終了後は、反応室を真空
排気して浮遊しているパーティクルを反応室外へ排出す
るようにしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来のプラズマクリーニングでは、反応室の壁面等に付着
した膜の除去が不均一となり、クリーニング終了後も膜
が部分的に残留してしまい、また、反応室内に浮遊して
いるパーティクルが静電気によって反応室の壁面、電極
等に再付着し、付着したパーティクルはクリーニング終
了後に反応室を真空排気しても除去されずに残留してし
まう。このようにクリーニング終了後も反応室の内部に
残留した膜やパーティクルは、その後に行われる被処理
物の処理の際に反応室の壁面等から剥がれ落ちて被処理
物の表面を汚染し、歩留まりの低下をもたらすという問
題があった。
来のプラズマクリーニングでは、反応室の壁面等に付着
した膜の除去が不均一となり、クリーニング終了後も膜
が部分的に残留してしまい、また、反応室内に浮遊して
いるパーティクルが静電気によって反応室の壁面、電極
等に再付着し、付着したパーティクルはクリーニング終
了後に反応室を真空排気しても除去されずに残留してし
まう。このようにクリーニング終了後も反応室の内部に
残留した膜やパーティクルは、その後に行われる被処理
物の処理の際に反応室の壁面等から剥がれ落ちて被処理
物の表面を汚染し、歩留まりの低下をもたらすという問
題があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、被処理物の処理
中に真空処理装置の反応室の壁面等に堆積した膜を完全
に除去し、その後に行われる被処理物の処理における歩
留まりの低下を防止できる反応室のクリーニング方法を
提供することにある。
中に真空処理装置の反応室の壁面等に堆積した膜を完全
に除去し、その後に行われる被処理物の処理における歩
留まりの低下を防止できる反応室のクリーニング方法を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
真空処理装置の反応室に対してプラズマクリーニングを
実施した後、前記反応室に所定のガスを導入し、プラズ
マ出力をパルス状に発振させると共に各パルス毎のプラ
ズマ出力を変化させ、前記パルスの発振と同期させて前
記ガスの流量を変化させることを特徴とする。
真空処理装置の反応室に対してプラズマクリーニングを
実施した後、前記反応室に所定のガスを導入し、プラズ
マ出力をパルス状に発振させると共に各パルス毎のプラ
ズマ出力を変化させ、前記パルスの発振と同期させて前
記ガスの流量を変化させることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による反応室のクリ
ーニング方法の一実施形態について、図面を参照して説
明する。なお、本実施形態においては、上記従来技術の
説明の中で参照した図３に示したプラズマＣＶＤ装置を
例にとって説明する。
ーニング方法の一実施形態について、図面を参照して説
明する。なお、本実施形態においては、上記従来技術の
説明の中で参照した図３に示したプラズマＣＶＤ装置を
例にとって説明する。
【００１２】図３において符号１は、プラズマＣＶＤ装
置の反応室１を示し、この反応室１の内部には被処理物
である半導体製造用のウェハＷが載置されたサセプタ２
が設けられ、このサセプタ２の周囲には真空引きプレー
ト３が設けられている。ウェハＷの上方には上部電極４
が設けられ、この上部電極４の周囲にはシールド材５が
設けられている。また、サセプタ２の下方にはウェハＷ
を加熱するための加熱手段６が設けられている。
置の反応室１を示し、この反応室１の内部には被処理物
である半導体製造用のウェハＷが載置されたサセプタ２
が設けられ、このサセプタ２の周囲には真空引きプレー
ト３が設けられている。ウェハＷの上方には上部電極４
が設けられ、この上部電極４の周囲にはシールド材５が
設けられている。また、サセプタ２の下方にはウェハＷ
を加熱するための加熱手段６が設けられている。
【００１３】そして、ウェハＷの表面にシリコン酸化膜
（ＳｉＯ2 膜）を形成する際には、上記プラズマＣＶＤ
装置の反応室の内部にＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ、Ｎ2 系のガス
を導入し、上部電極４に高周波電圧を印加し、反応室１
の内部にプラズマを生成してプラズマＣＶＤ法によって
成膜を行う。この成膜処理中は加熱手段６によってウェ
ハＷを加熱する。
（ＳｉＯ2 膜）を形成する際には、上記プラズマＣＶＤ
装置の反応室の内部にＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ、Ｎ2 系のガス
を導入し、上部電極４に高周波電圧を印加し、反応室１
の内部にプラズマを生成してプラズマＣＶＤ法によって
成膜を行う。この成膜処理中は加熱手段６によってウェ
ハＷを加熱する。
【００１４】このようにして成膜処理を実施すると、ウ
ェハＷの表面のみならず、反応室１の側壁１ａ、上部電
極４、シールド材５等の表面にもＳｉＯ2 膜が形成され
てしまう。
ェハＷの表面のみならず、反応室１の側壁１ａ、上部電
極４、シールド材５等の表面にもＳｉＯ2 膜が形成され
てしまう。
【００１５】そこで、以下に述べる本実施形態による反
応室のクリーニング方法を用いて、反応室１の側壁１ａ
等の表面に堆積したＳｉＯ2 膜を除去する。まず、反応
室１の内部にＣＦ4 、Ｏ2 系のガスを導入し、上部電極
４に高周波電圧を印加してプラズマを生成し、プラズマ
クリーニングによって側壁１ａ等に堆積したＳｉＯ2 膜
を除去する。
応室のクリーニング方法を用いて、反応室１の側壁１ａ
等の表面に堆積したＳｉＯ2 膜を除去する。まず、反応
室１の内部にＣＦ4 、Ｏ2 系のガスを導入し、上部電極
４に高周波電圧を印加してプラズマを生成し、プラズマ
クリーニングによって側壁１ａ等に堆積したＳｉＯ2 膜
を除去する。
【００１６】このプラズマクリーニングが終了したら、
ＣＦ4 ／Ｏ2 系のガスに替えてＮ2Ｏ、Ｎ2 、Ｈｅ系の
ガスを反応室１の内部に導入する。そして、図１に示し
たように、パルス状のプラズマ発振出力を上部電極４に
印加すると共に、各パルス毎の発振出力を０、３００、
０、１００ワットと順次変化させる。また、導入するガ
スの流量も、プラズマ発振出力のパルスの発振に同期さ
せて０．５、５、１、５、１リットル／分と順次変化さ
せる。
ＣＦ4 ／Ｏ2 系のガスに替えてＮ2Ｏ、Ｎ2 、Ｈｅ系の
ガスを反応室１の内部に導入する。そして、図１に示し
たように、パルス状のプラズマ発振出力を上部電極４に
印加すると共に、各パルス毎の発振出力を０、３００、
０、１００ワットと順次変化させる。また、導入するガ
スの流量も、プラズマ発振出力のパルスの発振に同期さ
せて０．５、５、１、５、１リットル／分と順次変化さ
せる。
【００１７】図２は、本実施形態の反応室のクリーニン
グ方法によるダストレベルと、従来のプラズマクリーニ
ング方法によるダストレベルとを比較した結果を示して
いる。なお、ダストレベルはウェハ１枚当たりに付着し
たパーティクルの個数で表されている。図２から分かる
ように、従来のプラズマクリーニング方法におけるダス
トレベルの平均値は２４個／ウェハであるのに対し、本
実施形態におけるダストレベルの平均値は１０個／ウェ
ハであって大幅に低下している。また、従来のＣＦ4 ／
Ｏ2 系のプラズマクリーニングにおいては上部電極４の
表面に変色が認められていたが、本実施形態によるクリ
ーニング方法を実施した後においては上部電極４の変色
は認められなかった。
グ方法によるダストレベルと、従来のプラズマクリーニ
ング方法によるダストレベルとを比較した結果を示して
いる。なお、ダストレベルはウェハ１枚当たりに付着し
たパーティクルの個数で表されている。図２から分かる
ように、従来のプラズマクリーニング方法におけるダス
トレベルの平均値は２４個／ウェハであるのに対し、本
実施形態におけるダストレベルの平均値は１０個／ウェ
ハであって大幅に低下している。また、従来のＣＦ4 ／
Ｏ2 系のプラズマクリーニングにおいては上部電極４の
表面に変色が認められていたが、本実施形態によるクリ
ーニング方法を実施した後においては上部電極４の変色
は認められなかった。
【００１８】なお、上記実施形態においてはプラズマＣ
ＶＤ装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、他の種類のＣＶＤ装置、スパッタリ
ング装置、エッチング装置等の各種の真空処理装置にお
いても適用することができる。
ＶＤ装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、他の種類のＣＶＤ装置、スパッタリ
ング装置、エッチング装置等の各種の真空処理装置にお
いても適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、真空
処理装置の反応室に対してプラズマクリーニングを実施
した後、前記反応室に所定のガスを導入し、プラズマ出
力をパルス状に発振させると共に各パルス毎のプラズマ
出力を変化させ、前記パルスの発振と同期させて前記ガ
スの流量を変化させるようにしたので、被処理物の処理
中に真空処理装置の反応室の壁面等に堆積した膜を完全
に除去し、その後に行われる被処理物の処理における歩
留まりの低下を確実に防止することができる。
処理装置の反応室に対してプラズマクリーニングを実施
した後、前記反応室に所定のガスを導入し、プラズマ出
力をパルス状に発振させると共に各パルス毎のプラズマ
出力を変化させ、前記パルスの発振と同期させて前記ガ
スの流量を変化させるようにしたので、被処理物の処理
中に真空処理装置の反応室の壁面等に堆積した膜を完全
に除去し、その後に行われる被処理物の処理における歩
留まりの低下を確実に防止することができる。
【図１】本発明の一実施形態におけるプラズマ出力及び
ガス流量の変化を示したグラフ。
ガス流量の変化を示したグラフ。
【図２】同実施形態によるダスト低減効果を示したグラ
フ。
フ。
【図３】プラズマＣＶＤ装置の反応室を示した概略図。
１ 反応室 １ａ 反応室の側壁 ２ サセプタ ３ 真空引きプレート ４ 上部電極 ５ シールド材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/304 ３４１ 21/304 ３４１Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】真空処理装置の反応室に対してプラズマク
リーニングを実施した後、前記反応室に所定のガスを導
入し、プラズマ出力をパルス状に発振させると共に各パ
ルス毎のプラズマ出力を変化させ、前記パルスの発振と
同期させて前記ガスの流量を変化させることを特徴とす
る反応室のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27911695A JPH09129596A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 反応室のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27911695A JPH09129596A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 反応室のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129596A true JPH09129596A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17606652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27911695A Pending JPH09129596A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 反応室のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129596A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852242B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
| JP2006093669A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-04-06 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 基体表面から材料を取り除く方法と装置 |
| DE19911046B4 (de) * | 1999-03-12 | 2006-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaverfahren |
| JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| WO2020012693A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-01-16 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27911695A patent/JPH09129596A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19911046B4 (de) * | 1999-03-12 | 2006-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaverfahren |
| US6852242B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
| JP2006093669A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-04-06 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 基体表面から材料を取り除く方法と装置 |
| JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| JP4758159B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| WO2020012693A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-01-16 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JPWO2020012693A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-07-27 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20200105746A (ko) * | 2019-02-27 | 2020-09-09 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 |
| CN111868890A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-10-30 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法以及等离子体处理装置 |
| TWI744782B (zh) * | 2019-02-27 | 2021-11-01 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理方法及電漿處理裝置 |
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