JP3265047B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JP3265047B2 JP3265047B2 JP09913893A JP9913893A JP3265047B2 JP 3265047 B2 JP3265047 B2 JP 3265047B2 JP 09913893 A JP09913893 A JP 09913893A JP 9913893 A JP9913893 A JP 9913893A JP 3265047 B2 JP3265047 B2 JP 3265047B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング時に発生
する反応生成物を除去するドライエッチング装置に関す
るものである。
する反応生成物を除去するドライエッチング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドライエッチング装置は微細加工
が必要となり、反応生成物のウエハへの堆積を利用した
異方性エッチングがよく用いられている。以下図面を参
照しながら、従来のドライエッチング装置の一例につい
て説明する。すなわち、図３は従来のドライエッチング
装置の断面図を示すものである。図３において、１はサ
スでできたエッチングチャンバ、２はエッチングチャン
バ１の上部に取り付けられたアルミ上部電極、３は上部
電極２に作られたエッチングガス吹出口、４は上部電極
２に取り付けられたエッチングガス導入管、５はエッチ
ングチャンバ１の下部に取り付けられた下部電極で下部
電極５上にウエハ６を載せてエッチングを行う。７はエ
ッチングチャンバ１内にエッチングガス吹出口３より導
入されたガスを排気する排気口、８は上部電極２へのエ
ッチング反応生成物の付着を防ぐために上部電極２の中
に取り付けられたヒータ、９はエッチングチャンバ１の
内壁面へのエッチング反応生成物の付着を防ぐためにエ
ッチングチャンバ１に取り付けられたヒータである。
が必要となり、反応生成物のウエハへの堆積を利用した
異方性エッチングがよく用いられている。以下図面を参
照しながら、従来のドライエッチング装置の一例につい
て説明する。すなわち、図３は従来のドライエッチング
装置の断面図を示すものである。図３において、１はサ
スでできたエッチングチャンバ、２はエッチングチャン
バ１の上部に取り付けられたアルミ上部電極、３は上部
電極２に作られたエッチングガス吹出口、４は上部電極
２に取り付けられたエッチングガス導入管、５はエッチ
ングチャンバ１の下部に取り付けられた下部電極で下部
電極５上にウエハ６を載せてエッチングを行う。７はエ
ッチングチャンバ１内にエッチングガス吹出口３より導
入されたガスを排気する排気口、８は上部電極２へのエ
ッチング反応生成物の付着を防ぐために上部電極２の中
に取り付けられたヒータ、９はエッチングチャンバ１の
内壁面へのエッチング反応生成物の付着を防ぐためにエ
ッチングチャンバ１に取り付けられたヒータである。
【０００３】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、以下その動作をポリシリコンエッチャー
を例にして説明する。まず、例えばＨＢｒガス５０ｓｃ
ｃｍをエッチングガス吹出口３より導入し、エッチング
チャンバ１内を例えば３００ｍＴに保ち、上部電極３と
下部電極５の間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧
１．５Ｗ／ｃｍ2 を印加し、ウエハ６をエッチングす
る。このとき、ＳｉX ＢｒY が反応生成物としてエッチ
ングチャンバ１の内壁面や上部電極３に付着する。これ
を低減するため、エッチングチャンバ１と上部電極３を
ヒータ８，９により、例えば１００℃にヒーティングす
る。しかしながら、反応生成物の付着を完全には防げな
いため、例えば１０００枚のウエハ６をエッチングした
後、例えば、反応生成物のエッチングガスとしてＣＦ4
ガス３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス１００ｓｃｃｍをエッチン
グガス吹き出し口３より導入し、エッチングチャンバ１
内を例えば３００ｍＴに保ち、上部電極３と下部電極５
の間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を１０分間
印加し、エッチングチャンバ１の下部に付着した反応生
成物ＳｉX ＢｒY をエッチングして除去する（以下、こ
の反応生成物のエッチングをドライクリーニングと呼
ぶ。）。
装置について、以下その動作をポリシリコンエッチャー
を例にして説明する。まず、例えばＨＢｒガス５０ｓｃ
ｃｍをエッチングガス吹出口３より導入し、エッチング
チャンバ１内を例えば３００ｍＴに保ち、上部電極３と
下部電極５の間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧
１．５Ｗ／ｃｍ2 を印加し、ウエハ６をエッチングす
る。このとき、ＳｉX ＢｒY が反応生成物としてエッチ
ングチャンバ１の内壁面や上部電極３に付着する。これ
を低減するため、エッチングチャンバ１と上部電極３を
ヒータ８，９により、例えば１００℃にヒーティングす
る。しかしながら、反応生成物の付着を完全には防げな
いため、例えば１０００枚のウエハ６をエッチングした
後、例えば、反応生成物のエッチングガスとしてＣＦ4
ガス３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス１００ｓｃｃｍをエッチン
グガス吹き出し口３より導入し、エッチングチャンバ１
内を例えば３００ｍＴに保ち、上部電極３と下部電極５
の間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を１０分間
印加し、エッチングチャンバ１の下部に付着した反応生
成物ＳｉX ＢｒY をエッチングして除去する（以下、こ
の反応生成物のエッチングをドライクリーニングと呼
ぶ。）。
【０００４】この従来例によれば、エッチングチャンバ
１内を大気圧に戻し、エッチングチャンバ１の内側を純
水あるいはアルコールでクリーニングする方法に比べ、
クリーニング時間を短縮でき、装置の稼動時間を上げる
ことができる。
１内を大気圧に戻し、エッチングチャンバ１の内側を純
水あるいはアルコールでクリーニングする方法に比べ、
クリーニング時間を短縮でき、装置の稼動時間を上げる
ことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような構成では、ドライクリーニング時に使用したガス
がエッチングチャンバ１内でプラズマになるため、エッ
チングチャンバ１の内壁にガスが付着し、そのガスがエ
ッチングチャンバ１内に出てくるので（以下このガスを
残留ガスと呼ぶ。）、その後のウエハ６のエッチング
で、エッチングレートが変動するなどの悪影響を及ぼす
と言う問題点があった。
ような構成では、ドライクリーニング時に使用したガス
がエッチングチャンバ１内でプラズマになるため、エッ
チングチャンバ１の内壁にガスが付着し、そのガスがエ
ッチングチャンバ１内に出てくるので（以下このガスを
残留ガスと呼ぶ。）、その後のウエハ６のエッチング
で、エッチングレートが変動するなどの悪影響を及ぼす
と言う問題点があった。
【０００６】したがって、この発明の目的は、上記問題
点に鑑み、装置の稼動率を高く維持することができると
ともに、ドライクリーニング時の残留ガスがウエハのエ
ッチングに影響を与えるのを防止できるドライエッチン
グ装置を提供することである。
点に鑑み、装置の稼動率を高く維持することができると
ともに、ドライクリーニング時の残留ガスがウエハのエ
ッチングに影響を与えるのを防止できるドライエッチン
グ装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のドライエッチ
ング装置は、エッチングガス吹出口および排気口を有す
るエッチングチャンバと、エッチングガス吹出口側に設
置されたウエハをエッチングするエッチング用電極と、
エッチングガス吹出口側に設置されてウエハ以外の部位
に反応生成物が付着するのを防止するヒータと、排気口
側に設置されて反応生成物を付着させるクーリング部
と、このクーリング部の反応生成物を除去するドライク
リーニング電極とを備えたものである。
ング装置は、エッチングガス吹出口および排気口を有す
るエッチングチャンバと、エッチングガス吹出口側に設
置されたウエハをエッチングするエッチング用電極と、
エッチングガス吹出口側に設置されてウエハ以外の部位
に反応生成物が付着するのを防止するヒータと、排気口
側に設置されて反応生成物を付着させるクーリング部
と、このクーリング部の反応生成物を除去するドライク
リーニング電極とを備えたものである。
【０００８】請求項２のドライエッチング装置は、請求
項１において、排気口側にドライクリーニング用ガス導
入口を有するものである。
項１において、排気口側にドライクリーニング用ガス導
入口を有するものである。
【０００９】
【作用】請求項１のドライエッチング装置によれば、ヒ
ータを発熱しクーリング部をクーリングさせながら、エ
ッチングガス吹出口からガスを導入し電極間に電圧を印
加してウエハにエッチングを行い、つぎに反応生成物の
エッチングガスを導入しドライクリーニング用電極間に
電圧を印加してドライクリーニングを行う。
ータを発熱しクーリング部をクーリングさせながら、エ
ッチングガス吹出口からガスを導入し電極間に電圧を印
加してウエハにエッチングを行い、つぎに反応生成物の
エッチングガスを導入しドライクリーニング用電極間に
電圧を印加してドライクリーニングを行う。
【００１０】この場合、ウエハのエッチングの際に生成
した反応生成物を積極的にクーリング部に付着させるの
で、クーリング部を設けない場合に比べ、ヒータにより
ヒーティングされた部分への反応生成物の付着を防ぐ効
果が高くなる。またクーリング部に付着した反応生成物
をそのエッチングガスとドライクリーニング電極により
除去するため、ドライクリーニング電極間に発生したプ
ラズマは排気口側にあってエッチングガス吹出口側へは
まわり込まないので、残留ガスがエッチングガス吹出口
側に付着することがなく、したがってウエハのエッチン
グに悪影響を及ぼさなくなる。また、ドライクリーニン
グで反応生成物を除去するため、装置の稼動率を高く維
持することができる。
した反応生成物を積極的にクーリング部に付着させるの
で、クーリング部を設けない場合に比べ、ヒータにより
ヒーティングされた部分への反応生成物の付着を防ぐ効
果が高くなる。またクーリング部に付着した反応生成物
をそのエッチングガスとドライクリーニング電極により
除去するため、ドライクリーニング電極間に発生したプ
ラズマは排気口側にあってエッチングガス吹出口側へは
まわり込まないので、残留ガスがエッチングガス吹出口
側に付着することがなく、したがってウエハのエッチン
グに悪影響を及ぼさなくなる。また、ドライクリーニン
グで反応生成物を除去するため、装置の稼動率を高く維
持することができる。
【００１１】請求項２のドライエッチング装置によれ
ば、請求項１において、排気口側にドライクリーニング
用ガス導入口を有するため、請求項１の作用のほか、ウ
エハのエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
ば、請求項１において、排気口側にドライクリーニング
用ガス導入口を有するため、請求項１の作用のほか、ウ
エハのエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
【００１２】
【実施例】この発明の第１の実施例のドライエッチング
装置について、図１を参照しながら説明する。図１はそ
のドライエッチング装置の断面図を示す。図１におい
て、３１はサスでできたエッチングチャンバ、３２はエ
ッチングチャンバ３１の上部に取り付けられたエッチン
グ用のアルミ上部電極、３３は上部電極３２に作られた
エッチングガス吹出口、３４は上部電極３２に取り付け
られたエッチングガス導入管、３５はエッチングチャン
バ３１の下部に取り付けられたエッチング用の下部電極
で下部電極３５上にウエハ３６を載せてエッチングを行
う。３７はエッチングチャンバ３１内にエッチングガス
吹出口３３より導入されたガスを排気する排気口、３８
は上部電極３２へのエッチング反応生成物の付着を防ぐ
ために上部電極３２の中に取り付けられたヒータ、３９
はエッチングチャンバ３１へのエッチング反応生成物の
付着を防ぐためにエッチングチャンバ３１のエッチング
ガス吹出口３３側すなわち比較的上部で、ウエハ３６よ
り上部に取り付けられたヒータ、４０はエッチングチャ
ンバ３１の排気口３７側で、ウエハ３６より下部に作ら
れたクーリング部を構成するクーリング液導入管であ
る。これは、ヒータ３９によりエッチングチャンバ３１
のヒーティングされた部分とクーリング液導入管４０に
よりエッチングチャンバ３１のクーリングされた部分を
作ることにより、クーリングされた部分に積極的に反応
生成物を付着させるためのものであり、クーリングなし
の場合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成物
の付着を防ぐ効果は高い。なお、クーリングされた部分
に付着する反応生成物はウエハ３６より下にあるため、
ウエハ３６のエッチングへの影響はない。
装置について、図１を参照しながら説明する。図１はそ
のドライエッチング装置の断面図を示す。図１におい
て、３１はサスでできたエッチングチャンバ、３２はエ
ッチングチャンバ３１の上部に取り付けられたエッチン
グ用のアルミ上部電極、３３は上部電極３２に作られた
エッチングガス吹出口、３４は上部電極３２に取り付け
られたエッチングガス導入管、３５はエッチングチャン
バ３１の下部に取り付けられたエッチング用の下部電極
で下部電極３５上にウエハ３６を載せてエッチングを行
う。３７はエッチングチャンバ３１内にエッチングガス
吹出口３３より導入されたガスを排気する排気口、３８
は上部電極３２へのエッチング反応生成物の付着を防ぐ
ために上部電極３２の中に取り付けられたヒータ、３９
はエッチングチャンバ３１へのエッチング反応生成物の
付着を防ぐためにエッチングチャンバ３１のエッチング
ガス吹出口３３側すなわち比較的上部で、ウエハ３６よ
り上部に取り付けられたヒータ、４０はエッチングチャ
ンバ３１の排気口３７側で、ウエハ３６より下部に作ら
れたクーリング部を構成するクーリング液導入管であ
る。これは、ヒータ３９によりエッチングチャンバ３１
のヒーティングされた部分とクーリング液導入管４０に
よりエッチングチャンバ３１のクーリングされた部分を
作ることにより、クーリングされた部分に積極的に反応
生成物を付着させるためのものであり、クーリングなし
の場合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成物
の付着を防ぐ効果は高い。なお、クーリングされた部分
に付着する反応生成物はウエハ３６より下にあるため、
ウエハ３６のエッチングへの影響はない。
【００１３】４１はエッチングチャンバ３１をヒーター
３９によりヒーティングされた部分と、エッチングチャ
ンバ３１をクーリング液導入管４０によりクーリングさ
れた部分を熱的に隔離するために、例えばテフロンでつ
くられた絶縁物、４２はエッチングチャンバ３１内の真
空度を保つためにエッチングチャンバ３１と絶縁物４１
の間に取り付けられたＯリング、４３は下部電極３５の
周りに取り付けられたセラミックリングである。
３９によりヒーティングされた部分と、エッチングチャ
ンバ３１をクーリング液導入管４０によりクーリングさ
れた部分を熱的に隔離するために、例えばテフロンでつ
くられた絶縁物、４２はエッチングチャンバ３１内の真
空度を保つためにエッチングチャンバ３１と絶縁物４１
の間に取り付けられたＯリング、４３は下部電極３５の
周りに取り付けられたセラミックリングである。
【００１４】４４はエッチングチャンバ３１のクーリン
グされた部分に一方の電極を、セラミックの周りに対向
電極を持つドライクリーニング電極である。ウエハ３６
のエッチング中にエッチングチャンバ３１のクーリング
された部分へ付着した反応生成物を、ウエハ３６のエッ
チング終了後に除去するために、エッチングチャンバ３
１のクーリングされた部分へドライクリーニング電極４
４を設置する。エッチングガス吹出口３３より反応生成
物を除去できるガスを導入し、ドライクリーニング電極
４４に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させ、エッ
チングチャンバー３１のクーリングされた部分へ付着し
た反応生成物を除去する。これにより、エッチングチャ
ンバ３１内を大気にせずクリーニングでき、さらにプラ
ズマがウエハ３６より下の部分の排気口３７側に閉じ込
められるので、ウエハ３６より上部のエッチングチャン
バ３１内へプラズマはまわり込まず、通常のウエハ３６
のエッチングへの影響は少ない。
グされた部分に一方の電極を、セラミックの周りに対向
電極を持つドライクリーニング電極である。ウエハ３６
のエッチング中にエッチングチャンバ３１のクーリング
された部分へ付着した反応生成物を、ウエハ３６のエッ
チング終了後に除去するために、エッチングチャンバ３
１のクーリングされた部分へドライクリーニング電極４
４を設置する。エッチングガス吹出口３３より反応生成
物を除去できるガスを導入し、ドライクリーニング電極
４４に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させ、エッ
チングチャンバー３１のクーリングされた部分へ付着し
た反応生成物を除去する。これにより、エッチングチャ
ンバ３１内を大気にせずクリーニングでき、さらにプラ
ズマがウエハ３６より下の部分の排気口３７側に閉じ込
められるので、ウエハ３６より上部のエッチングチャン
バ３１内へプラズマはまわり込まず、通常のウエハ３６
のエッチングへの影響は少ない。
【００１５】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、以下図１を用いてその動作を説明する。
まず、エッチングガス吹出口３３よりエッチングガスを
導入し、上部電極３２と下部電極３５の間に高周波電圧
を印加し、プラズマを発生させ、ウエハ３６をエッチン
グする。エッチング中にはプラズマの反応生成物ができ
るが、エッチングチャンバ３１に取り付けられたヒータ
３８，３９によりエッチングチャンバ３１のエッチング
ガス吹出口３３側へのエッチング反応生成物の付着が防
がれ、クーリング液導入管４０のあるクーリング部に付
着する。このように、ヒータ３９によりエッチングチャ
ンバ３１のヒーティングされた部分とクーリング液導入
管４０によりエッチングチャンバ３１のクーリングされ
た部分を作ることにより、クーリングされた部分に積極
的に反応生成物を付着させるため、クーリングなしの場
合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成物の付
着を防ぐ効果は高くなる。なお、クーリングされた部分
に付着する反応生成物はウエハ３６より下にあるため、
反応生成物がダストになってもウエハ３６への影響はな
い。
装置について、以下図１を用いてその動作を説明する。
まず、エッチングガス吹出口３３よりエッチングガスを
導入し、上部電極３２と下部電極３５の間に高周波電圧
を印加し、プラズマを発生させ、ウエハ３６をエッチン
グする。エッチング中にはプラズマの反応生成物ができ
るが、エッチングチャンバ３１に取り付けられたヒータ
３８，３９によりエッチングチャンバ３１のエッチング
ガス吹出口３３側へのエッチング反応生成物の付着が防
がれ、クーリング液導入管４０のあるクーリング部に付
着する。このように、ヒータ３９によりエッチングチャ
ンバ３１のヒーティングされた部分とクーリング液導入
管４０によりエッチングチャンバ３１のクーリングされ
た部分を作ることにより、クーリングされた部分に積極
的に反応生成物を付着させるため、クーリングなしの場
合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成物の付
着を防ぐ効果は高くなる。なお、クーリングされた部分
に付着する反応生成物はウエハ３６より下にあるため、
反応生成物がダストになってもウエハ３６への影響はな
い。
【００１６】ウエハ３６のエッチング終了後、ウエハ３
６をエッチングチャンバ３１外に取り出す。その後、エ
ッチングガス吹き出し口３３より反応生成物を除去でき
るガスを導入し、ドライクリーニング電極４４に高周波
電圧を印加し、プラズマを発生させ、エッチングチャン
バ３１のクーリングされた部分へ付着した反応生成物を
除去する。これにより、エッチングチャンバー３１内を
大気にせずクリーニングでき、さらにプラズマがウエハ
３６より下部の排気口３７側に閉じ込められるので、ウ
エハ３６より上部のエッチングチャンバ３１内へプラズ
マはまわり込まない。そのため、ドライクリーニングで
発生したプラズマからの残留ガスは、エッチングチャン
バ３１内のウエハ３６より下の部分にしか残らない。よ
って、その後のウエハ３６のエッチングへ与える影響は
少ない。
６をエッチングチャンバ３１外に取り出す。その後、エ
ッチングガス吹き出し口３３より反応生成物を除去でき
るガスを導入し、ドライクリーニング電極４４に高周波
電圧を印加し、プラズマを発生させ、エッチングチャン
バ３１のクーリングされた部分へ付着した反応生成物を
除去する。これにより、エッチングチャンバー３１内を
大気にせずクリーニングでき、さらにプラズマがウエハ
３６より下部の排気口３７側に閉じ込められるので、ウ
エハ３６より上部のエッチングチャンバ３１内へプラズ
マはまわり込まない。そのため、ドライクリーニングで
発生したプラズマからの残留ガスは、エッチングチャン
バ３１内のウエハ３６より下の部分にしか残らない。よ
って、その後のウエハ３６のエッチングへ与える影響は
少ない。
【００１７】次に、この発明の第１の実施例におけるド
ライエッチング装置の動作を、ポリシリコンエッチャー
に適用した場合について、図１を用いて説明する。例え
ばＨＢｒガス５０ｓｃｃｍをエッチングガス吹出口３３
より導入し、エッチングチャンバ３１内を例えば３００
ｍＴに保ち、上部電極３２と下部電極３５の間に例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電圧１．５Ｗ／ｃｍ2を印加
し、ウエハ３６をエッチングする。このとき、ＳｉX Ｂ
ｒY が反応生成物としてエッチングチャンバ３１の内壁
面や上部電極３２に付着する。これを防ぐため、エッチ
ングチャンバ３１と上部電極３２をヒータ３８，３９に
より、例えば１００℃にヒーティングする。さらに、１
０℃にクーリングした水をクーリング液導入管４０内を
循環させ、エッチングチャンバー３１の下部をクーリン
グし、積極的に反応生成物を付着させる。クーリングな
しの場合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成
物の付着を防ぐ効果も高い。次に、例えば１０００枚の
ウエハ３６をエッチングした後、例えばＣＦ4 ガス３０
ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス１００ｓｃｃｍをエッチングガス吹
出口３３より導入し、エッチングチャンバ３１内を例え
ば３００ｍＴに保ち、ドライクリーニング電極４４に例
えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を１０分間印加し、
エッチングチャンバ３１の下部に付着した反応生成物Ｓ
ｉ X ＢｒY をエッチングして除去する。これにより、エ
ッチングチャンバ３１内を大気にせずクリーニングで
き、さらにプラズマがウエハ３６より下部の排気口３７
側に閉じ込められるので、ウエハ３６より上部のエッチ
ングチャンバ３１内へプラズマはまわり込まない。その
ため、ドライクリーニングで発生したプラズマからの残
留ガスは、エッチングチャンバ３１内のウエハ３６より
下の部分にしか残らない。よって、その後のウエハ３６
のエッチングへ与える影響は少ない。
ライエッチング装置の動作を、ポリシリコンエッチャー
に適用した場合について、図１を用いて説明する。例え
ばＨＢｒガス５０ｓｃｃｍをエッチングガス吹出口３３
より導入し、エッチングチャンバ３１内を例えば３００
ｍＴに保ち、上部電極３２と下部電極３５の間に例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電圧１．５Ｗ／ｃｍ2を印加
し、ウエハ３６をエッチングする。このとき、ＳｉX Ｂ
ｒY が反応生成物としてエッチングチャンバ３１の内壁
面や上部電極３２に付着する。これを防ぐため、エッチ
ングチャンバ３１と上部電極３２をヒータ３８，３９に
より、例えば１００℃にヒーティングする。さらに、１
０℃にクーリングした水をクーリング液導入管４０内を
循環させ、エッチングチャンバー３１の下部をクーリン
グし、積極的に反応生成物を付着させる。クーリングな
しの場合に比べ、ヒーティングされた部分への反応生成
物の付着を防ぐ効果も高い。次に、例えば１０００枚の
ウエハ３６をエッチングした後、例えばＣＦ4 ガス３０
ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス１００ｓｃｃｍをエッチングガス吹
出口３３より導入し、エッチングチャンバ３１内を例え
ば３００ｍＴに保ち、ドライクリーニング電極４４に例
えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を１０分間印加し、
エッチングチャンバ３１の下部に付着した反応生成物Ｓ
ｉ X ＢｒY をエッチングして除去する。これにより、エ
ッチングチャンバ３１内を大気にせずクリーニングで
き、さらにプラズマがウエハ３６より下部の排気口３７
側に閉じ込められるので、ウエハ３６より上部のエッチ
ングチャンバ３１内へプラズマはまわり込まない。その
ため、ドライクリーニングで発生したプラズマからの残
留ガスは、エッチングチャンバ３１内のウエハ３６より
下の部分にしか残らない。よって、その後のウエハ３６
のエッチングへ与える影響は少ない。
【００１８】以上のように、第１の実施例によれば、ウ
エハ３６のエッチングの際に生成した反応生成物を積極
的にクーリング部に付着させるので、クーリング部を設
けない場合に比べ、ヒータ３８，３９によりヒーティン
グされた部分への反応生成物の付着を防ぐ効果が高くな
る。またクーリング部に付着した反応生成物をそのエッ
チングガスとドライクリーニング電極４４により除去す
るため、ドライクリーニング電極４４間に発生したプラ
ズマは排気口３７側にあってエッチングガス吹出口３３
側へはまわり込まないので、残留ガスがエッチングガス
吹出口３３側に付着することがなく、したがってウエハ
３６のエッチングに悪影響を及ぼさなくなる。また、ド
ライクリーニングで反応生成物を除去するため、装置の
稼動率を高く維持することができる。
エハ３６のエッチングの際に生成した反応生成物を積極
的にクーリング部に付着させるので、クーリング部を設
けない場合に比べ、ヒータ３８，３９によりヒーティン
グされた部分への反応生成物の付着を防ぐ効果が高くな
る。またクーリング部に付着した反応生成物をそのエッ
チングガスとドライクリーニング電極４４により除去す
るため、ドライクリーニング電極４４間に発生したプラ
ズマは排気口３７側にあってエッチングガス吹出口３３
側へはまわり込まないので、残留ガスがエッチングガス
吹出口３３側に付着することがなく、したがってウエハ
３６のエッチングに悪影響を及ぼさなくなる。また、ド
ライクリーニングで反応生成物を除去するため、装置の
稼動率を高く維持することができる。
【００１９】この発明の第２の実施例のドライエッチン
グ装置について、図２を参照しながら説明する。図２は
そのドライエッチング装置の断面図を示す。符号３１〜
４４は第１の実施例の図１と同様である。４５はエッチ
ングガス吹出口３３とは別にエッチングチャンバ３１の
排気口３７側すなわち下部に取り付けられたドライクリ
ーニング用ガス導入口である。
グ装置について、図２を参照しながら説明する。図２は
そのドライエッチング装置の断面図を示す。符号３１〜
４４は第１の実施例の図１と同様である。４５はエッチ
ングガス吹出口３３とは別にエッチングチャンバ３１の
排気口３７側すなわち下部に取り付けられたドライクリ
ーニング用ガス導入口である。
【００２０】このように構成されたドライエッチング装
置について、図２を用いてその動作を説明する。すなわ
ち、エッチングガス吹出口３３よりエッチングガスを導
入し、上部電極３２と下部電極３５の間に高周波電圧を
印加し、プラズマを発生させ、ウエハ３６をエッチング
する。ウエハ３６のエッチングと同時に、ドライクリー
ニング用ガス導入管４５より反応生成物を除去できるガ
スを導入し、ドライクリーニング電極４４に高周波電圧
を印加し、プラズマを発生させる。これにより、ウエハ
３６のエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、エッチングチャンバー３１内のクリーニングの必
要がなく、装置の稼働率を上げることができる。さら
に、ガス、プラズマがウエハ３６より下部の排気口側に
閉じ込められるので、ウエハ３６より上部のエッチング
チャンバ３１内へプラズマは全くまわり込まない。その
ため、ドライクリーニングで発生したプラズマからの残
留ガスは、エッチングチャンバ３１内のウエハ３６より
下の部分にしか残らない。よって、ウエハ３６のエッチ
ングへ与える影響は全くない。
置について、図２を用いてその動作を説明する。すなわ
ち、エッチングガス吹出口３３よりエッチングガスを導
入し、上部電極３２と下部電極３５の間に高周波電圧を
印加し、プラズマを発生させ、ウエハ３６をエッチング
する。ウエハ３６のエッチングと同時に、ドライクリー
ニング用ガス導入管４５より反応生成物を除去できるガ
スを導入し、ドライクリーニング電極４４に高周波電圧
を印加し、プラズマを発生させる。これにより、ウエハ
３６のエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、エッチングチャンバー３１内のクリーニングの必
要がなく、装置の稼働率を上げることができる。さら
に、ガス、プラズマがウエハ３６より下部の排気口側に
閉じ込められるので、ウエハ３６より上部のエッチング
チャンバ３１内へプラズマは全くまわり込まない。その
ため、ドライクリーニングで発生したプラズマからの残
留ガスは、エッチングチャンバ３１内のウエハ３６より
下の部分にしか残らない。よって、ウエハ３６のエッチ
ングへ与える影響は全くない。
【００２１】この第２の実施例におけるドライエッチン
グ装置を、ポリシリコンエッチャーに適用した場合につ
いての説明は、ウエハ３６のエッチングと同時に反応生
成物のエッチングガスとしてドライクリーニング用ガス
導入口４５から例えばＣＦ4ガス３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガ
ス１００ｓｃｃｍを導入し、ウエハ３６のエッチング処
理と同時に反応生成物を除去するほか、第１の実施例と
同様である。
グ装置を、ポリシリコンエッチャーに適用した場合につ
いての説明は、ウエハ３６のエッチングと同時に反応生
成物のエッチングガスとしてドライクリーニング用ガス
導入口４５から例えばＣＦ4ガス３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガ
ス１００ｓｃｃｍを導入し、ウエハ３６のエッチング処
理と同時に反応生成物を除去するほか、第１の実施例と
同様である。
【００２２】第２の実施例によれば、排気口３７側にド
ライクリーニング用ガス導入口４５を有するため、ウエ
ハ３６のエッチング処理と同時に反応生成物を除去でき
るため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
ライクリーニング用ガス導入口４５を有するため、ウエ
ハ３６のエッチング処理と同時に反応生成物を除去でき
るため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１のドライエッチング装置によれ
ば、ウエハのエッチングの際に生成した反応生成物を積
極的にクーリング部に付着させるので、クーリング部を
設けない場合に比べ、ヒータによりヒーティングされた
部分への反応生成物の付着を防ぐ効果が高くなる。また
クーリング部に付着した反応生成物をそのエッチングガ
スとドライクリーニング電極により除去するため、ドラ
イクリーニング電極間に発生したプラズマは排気口側に
あってエッチングガス吹出口側へはまわり込まないの
で、残留ガスがエッチングガス吹出口側に付着すること
がなく、したがってウエハのエッチングに悪影響を及ぼ
さなくなる。また、ドライクリーニングで反応生成物を
除去するため、装置の稼動率を高く維持することができ
るという効果がある。
ば、ウエハのエッチングの際に生成した反応生成物を積
極的にクーリング部に付着させるので、クーリング部を
設けない場合に比べ、ヒータによりヒーティングされた
部分への反応生成物の付着を防ぐ効果が高くなる。また
クーリング部に付着した反応生成物をそのエッチングガ
スとドライクリーニング電極により除去するため、ドラ
イクリーニング電極間に発生したプラズマは排気口側に
あってエッチングガス吹出口側へはまわり込まないの
で、残留ガスがエッチングガス吹出口側に付着すること
がなく、したがってウエハのエッチングに悪影響を及ぼ
さなくなる。また、ドライクリーニングで反応生成物を
除去するため、装置の稼動率を高く維持することができ
るという効果がある。
【００２４】請求項２のドライエッチング装置によれ
ば、請求項１において、排気口側にドライクリーニング
用ガス導入口を有するため、請求項１の効果のほか、ウ
エハのエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
ば、請求項１において、排気口側にドライクリーニング
用ガス導入口を有するため、請求項１の効果のほか、ウ
エハのエッチング処理と同時に反応生成物を除去できる
ため、装置の稼働率をさらに上げることができる。
【図１】この発明の第１の実施例におけるドライエッチ
ング装置の断面図である。
ング装置の断面図である。
【図２】第２の実施例におけるドライエッチング装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】従来例のドライエッチング装置の断面図であ
る。
る。
３１ エッチングチャンバ ３２ エッチング用の上部電極 ３３ エッチングガス吹出口 ３５ エッチング用の下部電極 ３６ ウエハ ３７ 排気口 ３８，３９ ヒータ ４０ クーリング部のクーリング液導入管 ４４ ドライクリーニング電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチングガス吹出口および排気口を有
するエッチングチャンバと、前記エッチングガス吹出口
側に設置されたウエハをエッチングするエッチング用電
極と、前記エッチングガス吹出口側に設置されて前記ウ
エハ以外の部位に反応生成物が付着するのを防止するヒ
ータと、前記排気口側に設置されて反応生成物を付着さ
せるクーリング部と、このクーリング部の反応生成物を
除去するドライクリーニング電極とを備えたドライエッ
チング装置。 - 【請求項２】 排気口側にドライクリーニング用ガス導
入口を有する請求項１記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09913893A JP3265047B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09913893A JP3265047B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306648A JPH06306648A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3265047B2 true JP3265047B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=14239360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09913893A Expired - Fee Related JP3265047B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265047B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232766B2 (en) * | 2003-03-14 | 2007-06-19 | Lam Research Corporation | System and method for surface reduction, passivation, corrosion prevention and activation of copper surface |
| CN105027269B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-01-12 | 应用材料公司 | 通过聚合物管理提高蚀刻系统的生产率 |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP09913893A patent/JP3265047B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06306648A (ja) | 1994-11-01 |
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