JPH10199817A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH10199817A JPH10199817A JP1462297A JP1462297A JPH10199817A JP H10199817 A JPH10199817 A JP H10199817A JP 1462297 A JP1462297 A JP 1462297A JP 1462297 A JP1462297 A JP 1462297A JP H10199817 A JPH10199817 A JP H10199817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- cleaning
- film forming
- cassette
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オペレータの負担を増大させることなく適正
な時期に処理炉のクリーニングを行え、過剰なクリーニ
ングに起因した炉壁面の損傷を防止できる成膜装置を提
供する。 【解決手段】 処理炉10内に投入されたウェーハW、
すなわち、成膜処理したウェーハWを基板センサにより
検出し、基板センサの検知出力を基にカウンタでウェー
ハ処理枚数の累計を計数し、このウェーハWの処理枚数
が設定枚数を超えた時に処理炉11のクリーニング処理
を行う。
な時期に処理炉のクリーニングを行え、過剰なクリーニ
ングに起因した炉壁面の損傷を防止できる成膜装置を提
供する。 【解決手段】 処理炉10内に投入されたウェーハW、
すなわち、成膜処理したウェーハWを基板センサにより
検出し、基板センサの検知出力を基にカウンタでウェー
ハ処理枚数の累計を計数し、このウェーハWの処理枚数
が設定枚数を超えた時に処理炉11のクリーニング処理
を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造にお
いてウェーハに薄膜を形成するCVD装置等の成膜装
置、詳しくは、成膜室において成膜処理したウェーハ処
理枚数を計数し、このウェーハ処理枚数に応じて成膜室
のクリーニング時期を管理する成膜装置に関する。
いてウェーハに薄膜を形成するCVD装置等の成膜装
置、詳しくは、成膜室において成膜処理したウェーハ処
理枚数を計数し、このウェーハ処理枚数に応じて成膜室
のクリーニング時期を管理する成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI等の半導体装置の製造に際して
は、CVD装置等の成膜装置により気相での化学反応に
よりSi02、SiNx等をウェーハ表面に堆積させ、ウェ
ーハに薄膜を形成する。一般に、このようなCVD装置
は、温度や圧力等の処理炉10の成膜条件を制御装置2
0により制御し、処理炉10においてウェーハWに薄膜
を形成する。
は、CVD装置等の成膜装置により気相での化学反応に
よりSi02、SiNx等をウェーハ表面に堆積させ、ウェ
ーハに薄膜を形成する。一般に、このようなCVD装置
は、温度や圧力等の処理炉10の成膜条件を制御装置2
0により制御し、処理炉10においてウェーハWに薄膜
を形成する。
【0003】処理炉10は、図2に示すように、内部に
処理室(成膜室)11を画成し、この処理室11内に上
下に対向して電極12とサセプタ13が設けられ、ま
た、成膜ガス供給管14と排気管15が設けられる。周
知のように、電極12は高周波電源(RF)に接続さ
れ、サセプタ13は炉体10を介して接地され、このサ
セプタ13上に半導体ウェーハWが搭載される。また、
図示しないが、成膜ガス供給管14はガス供給部に連絡
され、排気管15は圧力制御弁等を経て排気ポンプ等に
連絡される。
処理室(成膜室)11を画成し、この処理室11内に上
下に対向して電極12とサセプタ13が設けられ、ま
た、成膜ガス供給管14と排気管15が設けられる。周
知のように、電極12は高周波電源(RF)に接続さ
れ、サセプタ13は炉体10を介して接地され、このサ
セプタ13上に半導体ウェーハWが搭載される。また、
図示しないが、成膜ガス供給管14はガス供給部に連絡
され、排気管15は圧力制御弁等を経て排気ポンプ等に
連絡される。
【0004】制御装置20は、図3に示すように、制御
部21、キーボード22aやマウス22bを有する入力
部22、CRT等の表示部23、フロッピィディスクの
書込・読出装置24aや固定ディスクの書込・読出装置
24bを有する記憶部24、処理室11内の温度や圧力
等を制御する複数のコントローラ26(1)〜(3)、
制御部21の出力する条件に応じた制御信号を各コント
ローラ26に出力するシーケンサ25を備える。
部21、キーボード22aやマウス22bを有する入力
部22、CRT等の表示部23、フロッピィディスクの
書込・読出装置24aや固定ディスクの書込・読出装置
24bを有する記憶部24、処理室11内の温度や圧力
等を制御する複数のコントローラ26(1)〜(3)、
制御部21の出力する条件に応じた制御信号を各コント
ローラ26に出力するシーケンサ25を備える。
【0005】このCVD装置は、処理室11内の温度や
圧力、成膜ガスの供給量、また、ウェーハWの搬入等を
制御装置20により制御する。すなわち、成膜ガス供給
管14から成膜ガスを処理室11内に供給するとともに
排気管15により処理室11内を排気して所定の真空度
に維持する。そして、カセット等を用いてウェーハWを
処理室11内に搬入し、電極12とサセプタ13の間に
高周波を印加し、成膜ガスにエネルギを与えてプラズマ
を発生させ、サセプタ13上のウェーハWに薄膜を形成
する。
圧力、成膜ガスの供給量、また、ウェーハWの搬入等を
制御装置20により制御する。すなわち、成膜ガス供給
管14から成膜ガスを処理室11内に供給するとともに
排気管15により処理室11内を排気して所定の真空度
に維持する。そして、カセット等を用いてウェーハWを
処理室11内に搬入し、電極12とサセプタ13の間に
高周波を印加し、成膜ガスにエネルギを与えてプラズマ
を発生させ、サセプタ13上のウェーハWに薄膜を形成
する。
【0006】すなわち、成膜時においては図4のフロー
チャートに示す処理を行ってウェーハWに薄膜を順次形
成する。図4に示すように、先ず、ステップP1におい
てウェーハ(基板)Wをカセットから処理室(チャン
バ)11内に投入する。次いで、ステップP2において
基板WをプラズマCVD処理して基板Wに薄膜を形成
し、続くステップP3において基板Wをチャンバ11か
ら搬出する。
チャートに示す処理を行ってウェーハWに薄膜を順次形
成する。図4に示すように、先ず、ステップP1におい
てウェーハ(基板)Wをカセットから処理室(チャン
バ)11内に投入する。次いで、ステップP2において
基板WをプラズマCVD処理して基板Wに薄膜を形成
し、続くステップP3において基板Wをチャンバ11か
ら搬出する。
【0007】この後、ステップP4において、カセット
内の基板の有無を基板センサで検出し、この基板センサ
の検知出力に基づきカセット内に基板Wが残存するか否
かを判断する。そして、このステップP4においては、
基板Wがカセットに残存していればステップP1からの
処理を繰り返し行い、また、基板Wがカセットに残存し
ていなければステップP5でカセットを交換した後にス
テップP1からの処理を行う。
内の基板の有無を基板センサで検出し、この基板センサ
の検知出力に基づきカセット内に基板Wが残存するか否
かを判断する。そして、このステップP4においては、
基板Wがカセットに残存していればステップP1からの
処理を繰り返し行い、また、基板Wがカセットに残存し
ていなければステップP5でカセットを交換した後にス
テップP1からの処理を行う。
【0008】ところで、成膜時においては、上述したS
i02やSiNx等が基板(ウェーハ)Wのみならず処理室
11の壁面等にも堆積し、この堆積物がパーティクル等
の汚染物質を発生させる原因となり、膜質低下等の不良
を引き起こす。このため、処理室11のクリーニング
(エッチング)を行い、処理室11内壁面に付着した堆
積物を除去していた。
i02やSiNx等が基板(ウェーハ)Wのみならず処理室
11の壁面等にも堆積し、この堆積物がパーティクル等
の汚染物質を発生させる原因となり、膜質低下等の不良
を引き起こす。このため、処理室11のクリーニング
(エッチング)を行い、処理室11内壁面に付着した堆
積物を除去していた。
【0009】そして、処理室11のクリーニングに際し
ては、いくつかのクリーニング条件を入力部22から予
め入力して制御部21で編集、設定し、1つのガスクリ
ーニングレシピをシーケンサ25に登録しておき、図5
のフローチャートに示す処理を行ってクリーニングを行
う。すなわち、ステップQ1においてクリーニングレシ
ピをシーケンサ25に登録し、ステップQ2でプロセス
レシピを実行して基板Wに薄膜を形成する(成膜)。
ては、いくつかのクリーニング条件を入力部22から予
め入力して制御部21で編集、設定し、1つのガスクリ
ーニングレシピをシーケンサ25に登録しておき、図5
のフローチャートに示す処理を行ってクリーニングを行
う。すなわち、ステップQ1においてクリーニングレシ
ピをシーケンサ25に登録し、ステップQ2でプロセス
レシピを実行して基板Wに薄膜を形成する(成膜)。
【0010】そして、ステップQ3において、カセット
交換か否かを判断し、カセットの交換でなければステッ
プQ2に戻ってプロセスレシピを実行し(成膜を継続
し)、また、カセットの交換であればステップQ4でク
リーニングレシピを実行して処理室11のクリーニング
を行う。すなわち、カセットの交換の度に処理室11の
クリーニングを行っていた。
交換か否かを判断し、カセットの交換でなければステッ
プQ2に戻ってプロセスレシピを実行し(成膜を継続
し)、また、カセットの交換であればステップQ4でク
リーニングレシピを実行して処理室11のクリーニング
を行う。すなわち、カセットの交換の度に処理室11の
クリーニングを行っていた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のCVD装置にあっては、カセットの交換の度に
処理室11のクリーニングを行うため、実際の成膜時間
に対するクリーニングの頻度が高くなる(過剰となる)
おそれがあり、過剰な頻度のエッチングにより処理炉1
1の炉壁の損傷を生じるという問題、また、過剰な頻度
のクリーニング、換言すれば、不必要なクリーニングに
より成膜時間が浸食されて生産効率の低下をもたらすと
いう問題があった。
た従来のCVD装置にあっては、カセットの交換の度に
処理室11のクリーニングを行うため、実際の成膜時間
に対するクリーニングの頻度が高くなる(過剰となる)
おそれがあり、過剰な頻度のエッチングにより処理炉1
1の炉壁の損傷を生じるという問題、また、過剰な頻度
のクリーニング、換言すれば、不必要なクリーニングに
より成膜時間が浸食されて生産効率の低下をもたらすと
いう問題があった。
【0012】すなわち、成膜に際してカセット内に収容
されるウェーハWの数は常に一定の数ではなく、製造工
程途中のウェーハWの破損や試験用のカセットの割り込
み等で変動する。このため、カセットに常に最大の枚数
のウェーハが収容されていることを前提にクリーニング
時期を設定すると、クリーニング頻度が必要以上に過度
となり、エッチング頻度が過剰なことに起因して処理室
11の内壁面の損傷をもたらすという問題があった。
されるウェーハWの数は常に一定の数ではなく、製造工
程途中のウェーハWの破損や試験用のカセットの割り込
み等で変動する。このため、カセットに常に最大の枚数
のウェーハが収容されていることを前提にクリーニング
時期を設定すると、クリーニング頻度が必要以上に過度
となり、エッチング頻度が過剰なことに起因して処理室
11の内壁面の損傷をもたらすという問題があった。
【0013】一方、上述した問題は、カセット内に収容
されるウェーハWの枚数に応じて複数種のクリーニング
レシピを登録することも考えられるが、オペレータが複
数のクリーニング条件を作成・編集して入力部22に入
力しなければならず、オペレータの負担が増大し、ま
た、シーケンサ25の処理が複雑化するという新たな問
題を生じる。この発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、オペレータの負担を増大させることなく適正な時期
にクリーニングを行え、処理室の壁面等の損傷を防止で
きる成膜装置を提供することを目的とする。
されるウェーハWの枚数に応じて複数種のクリーニング
レシピを登録することも考えられるが、オペレータが複
数のクリーニング条件を作成・編集して入力部22に入
力しなければならず、オペレータの負担が増大し、ま
た、シーケンサ25の処理が複雑化するという新たな問
題を生じる。この発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、オペレータの負担を増大させることなく適正な時期
にクリーニングを行え、処理室の壁面等の損傷を防止で
きる成膜装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、成膜室内でウェーハに薄膜を形成する
成膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚
数を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記
成膜室のクリーニング処理を行う構成を採用した。
め、この発明は、成膜室内でウェーハに薄膜を形成する
成膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚
数を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記
成膜室のクリーニング処理を行う構成を採用した。
【0015】この発明にかかる成膜装置は、上述したC
VD装置に代表されるが、その他、エピタキシャル成長
装置やPVD装置等が例示される。この成膜装置には、
成膜処理済みあるいは成膜処理前のウェーハを検出する
センサと、このセンサの検知出力を基に処理したウェー
ハの枚数を検出するカウンタが設けられる。センサはカ
セットから処理室内に搬入されるウェーハを検出するも
の等、また、カウンタはシーケンサ等に内蔵するもの等
が用いられる。そして、クリーニング処理は、処理室内
にエッチングガスを充満して行うガスエッチング等が挙
げられるが、その他、プラズマエッチング等も可能であ
り、クリーニングの方法は適宜選択できる。
VD装置に代表されるが、その他、エピタキシャル成長
装置やPVD装置等が例示される。この成膜装置には、
成膜処理済みあるいは成膜処理前のウェーハを検出する
センサと、このセンサの検知出力を基に処理したウェー
ハの枚数を検出するカウンタが設けられる。センサはカ
セットから処理室内に搬入されるウェーハを検出するも
の等、また、カウンタはシーケンサ等に内蔵するもの等
が用いられる。そして、クリーニング処理は、処理室内
にエッチングガスを充満して行うガスエッチング等が挙
げられるが、その他、プラズマエッチング等も可能であ
り、クリーニングの方法は適宜選択できる。
【0016】この発明の成膜装置は、処理室内で成膜処
理したウェーハの枚数、すなわち、処理回数に応じてク
リーニングを行うため、カセット内のウェーハの枚数の
如何に関わらず適正な時期にクリーニングを行え、不必
要なクリーニングにより成膜処理が中断等されることが
無く、また、過剰なエッチングにより処理室の壁面等が
損傷することが無い。さらに、カセット内のウェーハ装
填枚数に応じて複数のクリーニング条件を作成する必要
もなく、オペレータの負担が増大することも無い。
理したウェーハの枚数、すなわち、処理回数に応じてク
リーニングを行うため、カセット内のウェーハの枚数の
如何に関わらず適正な時期にクリーニングを行え、不必
要なクリーニングにより成膜処理が中断等されることが
無く、また、過剰なエッチングにより処理室の壁面等が
損傷することが無い。さらに、カセット内のウェーハ装
填枚数に応じて複数のクリーニング条件を作成する必要
もなく、オペレータの負担が増大することも無い。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図1はこの発明の一の実施の形
態にかかる成膜装置を示し、その制御処理を示すフロー
チャートである。なお、この実施の形態は、前述したC
VD装置と図2,3等に示す構成が同一であるため、そ
の図示と説明は省略する。
面を参照して説明する。図1はこの発明の一の実施の形
態にかかる成膜装置を示し、その制御処理を示すフロー
チャートである。なお、この実施の形態は、前述したC
VD装置と図2,3等に示す構成が同一であるため、そ
の図示と説明は省略する。
【0018】この実施の形態においては、ウェーハWの
成膜処理を行う前にクリーニングを行うウェーハWの枚
数(クリーニング間に処理するウェーハWの枚数、以
下、設定枚数と称する)を入力部22から入力し、この
ウェーハWの枚数を含むクリーニング条件をシーケンサ
25に登録する。そして、処理室10で処理した(処理
する)ウェーハWの枚数を基板センサ(図示せず)で検
出し、この基板センサの出力に基づきシーケンサ25が
処理したウェーハWの枚数を監視し、図1のフローチャ
ートに示す処理を行ってクリーニング処理の時期を決
定、換言すれば、クリーニング処理を行う。
成膜処理を行う前にクリーニングを行うウェーハWの枚
数(クリーニング間に処理するウェーハWの枚数、以
下、設定枚数と称する)を入力部22から入力し、この
ウェーハWの枚数を含むクリーニング条件をシーケンサ
25に登録する。そして、処理室10で処理した(処理
する)ウェーハWの枚数を基板センサ(図示せず)で検
出し、この基板センサの出力に基づきシーケンサ25が
処理したウェーハWの枚数を監視し、図1のフローチャ
ートに示す処理を行ってクリーニング処理の時期を決
定、換言すれば、クリーニング処理を行う。
【0019】すなわち、図1に示すように、先ず、ステ
ップR1においてウェーハWの処理枚数を計数するカウ
ンタに1を初期設定する。そして、ステップR2におい
て、ウェーハWをカセットから処理室11内へ投入し、
続くステップR3において成膜処理、すなわち、プラズ
マCVDにより薄膜を形成する。そして、ステップR4
でウェーハWを処理室11から搬出する。
ップR1においてウェーハWの処理枚数を計数するカウ
ンタに1を初期設定する。そして、ステップR2におい
て、ウェーハWをカセットから処理室11内へ投入し、
続くステップR3において成膜処理、すなわち、プラズ
マCVDにより薄膜を形成する。そして、ステップR4
でウェーハWを処理室11から搬出する。
【0020】次に、ステップR5においてカウンタの計
数値を1だけ増大、すなわち、ウェーハWの処理毎に処
理枚数を加算する。そして、ステップR6においてカウ
ンタの計数値(処理枚数の累計)と設定枚数を比較し、
処理枚数の累計が設定枚数に満たなければステップR9
に進み、また、処理枚数の累計が設定枚数以上であれば
ステップR7でガスクリーニング処理を行った後にステ
ップR8でカウンタに1を設定してステップR9に進
む。
数値を1だけ増大、すなわち、ウェーハWの処理毎に処
理枚数を加算する。そして、ステップR6においてカウ
ンタの計数値(処理枚数の累計)と設定枚数を比較し、
処理枚数の累計が設定枚数に満たなければステップR9
に進み、また、処理枚数の累計が設定枚数以上であれば
ステップR7でガスクリーニング処理を行った後にステ
ップR8でカウンタに1を設定してステップR9に進
む。
【0021】そして、ステップR9においては、カセッ
ト内にウェーハWが残存するか否かを判断し、カセット
内にウェーハWが残存していなければステップR10で
カセットを交換するカセット交換処理を行った後にステ
ップR2からの処理を繰り返し行い、また、カセット内
に基板が残存していれば直ちにステップR2からの処理
を繰り返し行う。
ト内にウェーハWが残存するか否かを判断し、カセット
内にウェーハWが残存していなければステップR10で
カセットを交換するカセット交換処理を行った後にステ
ップR2からの処理を繰り返し行い、また、カセット内
に基板が残存していれば直ちにステップR2からの処理
を繰り返し行う。
【0022】上述したように、この実施の形態にあって
は、処理したウェーハWの枚数を計数し、処理した枚数
の累計が設定枚数になるとカセット内のウェーハWの有
無に関わらずクリーニング処理を行うため、適正な時期
にクリーニングを行えウェーハWへの成膜処理がクリー
ニングにより阻害されることもなく、また、過剰なエッ
チングにより処理室11の内壁が損傷されることもな
く、さらに、複数のクリーニング条件を準備する必要も
ないためオペレータの負担が増大することを防止でき
る。
は、処理したウェーハWの枚数を計数し、処理した枚数
の累計が設定枚数になるとカセット内のウェーハWの有
無に関わらずクリーニング処理を行うため、適正な時期
にクリーニングを行えウェーハWへの成膜処理がクリー
ニングにより阻害されることもなく、また、過剰なエッ
チングにより処理室11の内壁が損傷されることもな
く、さらに、複数のクリーニング条件を準備する必要も
ないためオペレータの負担が増大することを防止でき
る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
成膜装置によれば、処理炉内で成膜処理したウェーハの
枚数を計数し、この計数したウェーハの枚数が設定値に
なった時に処理室のクリーニング処理を行うため、処理
室の内壁面の損傷を引き起こす過剰なクリーニングが防
止でき、また、成膜処理を効率的に行え、さらに、複数
のクリーニング条件の準備も不用でオペレータの負担増
大も防止できる。
成膜装置によれば、処理炉内で成膜処理したウェーハの
枚数を計数し、この計数したウェーハの枚数が設定値に
なった時に処理室のクリーニング処理を行うため、処理
室の内壁面の損傷を引き起こす過剰なクリーニングが防
止でき、また、成膜処理を効率的に行え、さらに、複数
のクリーニング条件の準備も不用でオペレータの負担増
大も防止できる。
【図1】この発明の一の実施の形態にかかる成膜装置の
制御処理を示すフローチャートである。
制御処理を示すフローチャートである。
【図2】成膜装置であるCVD装置の要部の模式図であ
る。
る。
【図3】同CVD装置の制御系のブロック図である。
【図4】同CVD装置における成膜処理を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図5】従来のCVD装置におけるクリーニング処理を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【符号の説明】 10 処理炉 11 処理室(チャンバ) 12 電極 13 サセプタ 20 制御装置 21 制御部 22 入力部 23 表示部 24 記憶部 25 シーケンサ 26 コントローラ W ウェーハ(基板)
Claims (1)
- 【請求項1】 成膜室内でウェーハに薄膜を形成する成
膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚数
を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記成
膜室のクリーニング処理を行うことを特徴とする成膜装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1462297A JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1462297A JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10199817A true JPH10199817A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11866317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1462297A Pending JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10199817A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911398B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of sequentially processing a plurality of lots each including semiconductor substrates |
JP2009224580A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム |
JP2010236048A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
JP2019071359A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP1462297A patent/JPH10199817A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911398B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of sequentially processing a plurality of lots each including semiconductor substrates |
JP2009224580A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム |
KR101227235B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2013-01-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템의 세정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
JP2010236048A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
JP2019071359A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7430496B2 (en) | Method and apparatus for using a pressure control system to monitor a plasma processing system | |
US5954887A (en) | Cleaning processing method of a film forming apparatus | |
US20090233450A1 (en) | Plasma etchimg method and plasma etching apparatus | |
US8262800B1 (en) | Methods and apparatus for cleaning deposition reactors | |
US7959970B2 (en) | System and method of removing chamber residues from a plasma processing system in a dry cleaning process | |
KR20010075426A (ko) | 프로세서 챔버를 세척하는 방법 | |
JPH09260358A (ja) | 半導体製造装置並びに発塵評価装置および発塵評価方法 | |
TW201714244A (zh) | 基板運送裝置及基板運送方法 | |
US9633841B2 (en) | Methods for depositing amorphous silicon | |
KR20010052902A (ko) | 스로틀 밸브 위치를 이용한 세척 공정의 종료점 결정 | |
US20100024840A1 (en) | Chamber plasma-cleaning process scheme | |
TWI775144B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 | |
US20070074741A1 (en) | Method for dry cleaning nickel deposits from a processing system | |
JPH10199817A (ja) | 成膜装置 | |
JP3084024B1 (ja) | プラズマcvd装置のチャンバークリーニング方法およびプラズマcvd装置 | |
JPH0684851A (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2889191B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
US11772137B2 (en) | Reactive cleaning of substrate support | |
EP0751554A2 (en) | Method of in-situ cleaning of deposits from sputter clean chambers | |
JPH09129596A (ja) | 反応室のクリーニング方法 | |
JP2928555B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003077898A (ja) | プラズマエッチングシステム及びエッチング工程管理方法 | |
WO2023175689A1 (ja) | 真空処理装置及び異物排出方法 | |
KR20230148249A (ko) | 제조 시스템 제어기에 대한 업데이트 프로세스 동안의 입력/출력(io) 핸들링 | |
JP2007165648A (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラム,プログラムを記録した記録媒体 |