JPH10199817A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH10199817A JPH10199817A JP1462297A JP1462297A JPH10199817A JP H10199817 A JPH10199817 A JP H10199817A JP 1462297 A JP1462297 A JP 1462297A JP 1462297 A JP1462297 A JP 1462297A JP H10199817 A JPH10199817 A JP H10199817A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オペレータの負担を増大させることなく適正
な時期に処理炉のクリーニングを行え、過剰なクリーニ
ングに起因した炉壁面の損傷を防止できる成膜装置を提
供する。 【解決手段】 処理炉１０内に投入されたウェーハＷ、
すなわち、成膜処理したウェーハＷを基板センサにより
検出し、基板センサの検知出力を基にカウンタでウェー
ハ処理枚数の累計を計数し、このウェーハＷの処理枚数
が設定枚数を超えた時に処理炉１１のクリーニング処理
を行う。
な時期に処理炉のクリーニングを行え、過剰なクリーニ
ングに起因した炉壁面の損傷を防止できる成膜装置を提
供する。 【解決手段】 処理炉１０内に投入されたウェーハＷ、
すなわち、成膜処理したウェーハＷを基板センサにより
検出し、基板センサの検知出力を基にカウンタでウェー
ハ処理枚数の累計を計数し、このウェーハＷの処理枚数
が設定枚数を超えた時に処理炉１１のクリーニング処理
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造にお
いてウェーハに薄膜を形成するＣＶＤ装置等の成膜装
置、詳しくは、成膜室において成膜処理したウェーハ処
理枚数を計数し、このウェーハ処理枚数に応じて成膜室
のクリーニング時期を管理する成膜装置に関する。
いてウェーハに薄膜を形成するＣＶＤ装置等の成膜装
置、詳しくは、成膜室において成膜処理したウェーハ処
理枚数を計数し、このウェーハ処理枚数に応じて成膜室
のクリーニング時期を管理する成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の製造に際して
は、ＣＶＤ装置等の成膜装置により気相での化学反応に
よりＳi０2、ＳiＮx等をウェーハ表面に堆積させ、ウェ
ーハに薄膜を形成する。一般に、このようなＣＶＤ装置
は、温度や圧力等の処理炉１０の成膜条件を制御装置２
０により制御し、処理炉１０においてウェーハＷに薄膜
を形成する。
は、ＣＶＤ装置等の成膜装置により気相での化学反応に
よりＳi０2、ＳiＮx等をウェーハ表面に堆積させ、ウェ
ーハに薄膜を形成する。一般に、このようなＣＶＤ装置
は、温度や圧力等の処理炉１０の成膜条件を制御装置２
０により制御し、処理炉１０においてウェーハＷに薄膜
を形成する。
【０００３】処理炉１０は、図２に示すように、内部に
処理室（成膜室）１１を画成し、この処理室１１内に上
下に対向して電極１２とサセプタ１３が設けられ、ま
た、成膜ガス供給管１４と排気管１５が設けられる。周
知のように、電極１２は高周波電源（ＲＦ）に接続さ
れ、サセプタ１３は炉体１０を介して接地され、このサ
セプタ１３上に半導体ウェーハＷが搭載される。また、
図示しないが、成膜ガス供給管１４はガス供給部に連絡
され、排気管１５は圧力制御弁等を経て排気ポンプ等に
連絡される。
処理室（成膜室）１１を画成し、この処理室１１内に上
下に対向して電極１２とサセプタ１３が設けられ、ま
た、成膜ガス供給管１４と排気管１５が設けられる。周
知のように、電極１２は高周波電源（ＲＦ）に接続さ
れ、サセプタ１３は炉体１０を介して接地され、このサ
セプタ１３上に半導体ウェーハＷが搭載される。また、
図示しないが、成膜ガス供給管１４はガス供給部に連絡
され、排気管１５は圧力制御弁等を経て排気ポンプ等に
連絡される。
【０００４】制御装置２０は、図３に示すように、制御
部２１、キーボード２２ａやマウス２２ｂを有する入力
部２２、ＣＲＴ等の表示部２３、フロッピィディスクの
書込・読出装置２４ａや固定ディスクの書込・読出装置
２４ｂを有する記憶部２４、処理室１１内の温度や圧力
等を制御する複数のコントローラ２６（１）〜（３）、
制御部２１の出力する条件に応じた制御信号を各コント
ローラ２６に出力するシーケンサ２５を備える。
部２１、キーボード２２ａやマウス２２ｂを有する入力
部２２、ＣＲＴ等の表示部２３、フロッピィディスクの
書込・読出装置２４ａや固定ディスクの書込・読出装置
２４ｂを有する記憶部２４、処理室１１内の温度や圧力
等を制御する複数のコントローラ２６（１）〜（３）、
制御部２１の出力する条件に応じた制御信号を各コント
ローラ２６に出力するシーケンサ２５を備える。
【０００５】このＣＶＤ装置は、処理室１１内の温度や
圧力、成膜ガスの供給量、また、ウェーハＷの搬入等を
制御装置２０により制御する。すなわち、成膜ガス供給
管１４から成膜ガスを処理室１１内に供給するとともに
排気管１５により処理室１１内を排気して所定の真空度
に維持する。そして、カセット等を用いてウェーハＷを
処理室１１内に搬入し、電極１２とサセプタ１３の間に
高周波を印加し、成膜ガスにエネルギを与えてプラズマ
を発生させ、サセプタ１３上のウェーハＷに薄膜を形成
する。
圧力、成膜ガスの供給量、また、ウェーハＷの搬入等を
制御装置２０により制御する。すなわち、成膜ガス供給
管１４から成膜ガスを処理室１１内に供給するとともに
排気管１５により処理室１１内を排気して所定の真空度
に維持する。そして、カセット等を用いてウェーハＷを
処理室１１内に搬入し、電極１２とサセプタ１３の間に
高周波を印加し、成膜ガスにエネルギを与えてプラズマ
を発生させ、サセプタ１３上のウェーハＷに薄膜を形成
する。
【０００６】すなわち、成膜時においては図４のフロー
チャートに示す処理を行ってウェーハＷに薄膜を順次形
成する。図４に示すように、先ず、ステップＰ１におい
てウェーハ（基板）Ｗをカセットから処理室（チャン
バ）１１内に投入する。次いで、ステップＰ２において
基板ＷをプラズマＣＶＤ処理して基板Ｗに薄膜を形成
し、続くステップＰ３において基板Ｗをチャンバ１１か
ら搬出する。
チャートに示す処理を行ってウェーハＷに薄膜を順次形
成する。図４に示すように、先ず、ステップＰ１におい
てウェーハ（基板）Ｗをカセットから処理室（チャン
バ）１１内に投入する。次いで、ステップＰ２において
基板ＷをプラズマＣＶＤ処理して基板Ｗに薄膜を形成
し、続くステップＰ３において基板Ｗをチャンバ１１か
ら搬出する。
【０００７】この後、ステップＰ４において、カセット
内の基板の有無を基板センサで検出し、この基板センサ
の検知出力に基づきカセット内に基板Ｗが残存するか否
かを判断する。そして、このステップＰ４においては、
基板Ｗがカセットに残存していればステップＰ１からの
処理を繰り返し行い、また、基板Ｗがカセットに残存し
ていなければステップＰ５でカセットを交換した後にス
テップＰ１からの処理を行う。
内の基板の有無を基板センサで検出し、この基板センサ
の検知出力に基づきカセット内に基板Ｗが残存するか否
かを判断する。そして、このステップＰ４においては、
基板Ｗがカセットに残存していればステップＰ１からの
処理を繰り返し行い、また、基板Ｗがカセットに残存し
ていなければステップＰ５でカセットを交換した後にス
テップＰ１からの処理を行う。
【０００８】ところで、成膜時においては、上述したＳ
i０2やＳiＮx等が基板（ウェーハ）Ｗのみならず処理室
１１の壁面等にも堆積し、この堆積物がパーティクル等
の汚染物質を発生させる原因となり、膜質低下等の不良
を引き起こす。このため、処理室１１のクリーニング
（エッチング）を行い、処理室１１内壁面に付着した堆
積物を除去していた。
i０2やＳiＮx等が基板（ウェーハ）Ｗのみならず処理室
１１の壁面等にも堆積し、この堆積物がパーティクル等
の汚染物質を発生させる原因となり、膜質低下等の不良
を引き起こす。このため、処理室１１のクリーニング
（エッチング）を行い、処理室１１内壁面に付着した堆
積物を除去していた。
【０００９】そして、処理室１１のクリーニングに際し
ては、いくつかのクリーニング条件を入力部２２から予
め入力して制御部２１で編集、設定し、１つのガスクリ
ーニングレシピをシーケンサ２５に登録しておき、図５
のフローチャートに示す処理を行ってクリーニングを行
う。すなわち、ステップＱ１においてクリーニングレシ
ピをシーケンサ２５に登録し、ステップＱ２でプロセス
レシピを実行して基板Ｗに薄膜を形成する（成膜）。
ては、いくつかのクリーニング条件を入力部２２から予
め入力して制御部２１で編集、設定し、１つのガスクリ
ーニングレシピをシーケンサ２５に登録しておき、図５
のフローチャートに示す処理を行ってクリーニングを行
う。すなわち、ステップＱ１においてクリーニングレシ
ピをシーケンサ２５に登録し、ステップＱ２でプロセス
レシピを実行して基板Ｗに薄膜を形成する（成膜）。
【００１０】そして、ステップＱ３において、カセット
交換か否かを判断し、カセットの交換でなければステッ
プＱ２に戻ってプロセスレシピを実行し（成膜を継続
し）、また、カセットの交換であればステップＱ４でク
リーニングレシピを実行して処理室１１のクリーニング
を行う。すなわち、カセットの交換の度に処理室１１の
クリーニングを行っていた。
交換か否かを判断し、カセットの交換でなければステッ
プＱ２に戻ってプロセスレシピを実行し（成膜を継続
し）、また、カセットの交換であればステップＱ４でク
リーニングレシピを実行して処理室１１のクリーニング
を行う。すなわち、カセットの交換の度に処理室１１の
クリーニングを行っていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＣＶＤ装置にあっては、カセットの交換の度に
処理室１１のクリーニングを行うため、実際の成膜時間
に対するクリーニングの頻度が高くなる（過剰となる）
おそれがあり、過剰な頻度のエッチングにより処理炉１
１の炉壁の損傷を生じるという問題、また、過剰な頻度
のクリーニング、換言すれば、不必要なクリーニングに
より成膜時間が浸食されて生産効率の低下をもたらすと
いう問題があった。
た従来のＣＶＤ装置にあっては、カセットの交換の度に
処理室１１のクリーニングを行うため、実際の成膜時間
に対するクリーニングの頻度が高くなる（過剰となる）
おそれがあり、過剰な頻度のエッチングにより処理炉１
１の炉壁の損傷を生じるという問題、また、過剰な頻度
のクリーニング、換言すれば、不必要なクリーニングに
より成膜時間が浸食されて生産効率の低下をもたらすと
いう問題があった。
【００１２】すなわち、成膜に際してカセット内に収容
されるウェーハＷの数は常に一定の数ではなく、製造工
程途中のウェーハＷの破損や試験用のカセットの割り込
み等で変動する。このため、カセットに常に最大の枚数
のウェーハが収容されていることを前提にクリーニング
時期を設定すると、クリーニング頻度が必要以上に過度
となり、エッチング頻度が過剰なことに起因して処理室
１１の内壁面の損傷をもたらすという問題があった。
されるウェーハＷの数は常に一定の数ではなく、製造工
程途中のウェーハＷの破損や試験用のカセットの割り込
み等で変動する。このため、カセットに常に最大の枚数
のウェーハが収容されていることを前提にクリーニング
時期を設定すると、クリーニング頻度が必要以上に過度
となり、エッチング頻度が過剰なことに起因して処理室
１１の内壁面の損傷をもたらすという問題があった。
【００１３】一方、上述した問題は、カセット内に収容
されるウェーハＷの枚数に応じて複数種のクリーニング
レシピを登録することも考えられるが、オペレータが複
数のクリーニング条件を作成・編集して入力部２２に入
力しなければならず、オペレータの負担が増大し、ま
た、シーケンサ２５の処理が複雑化するという新たな問
題を生じる。この発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、オペレータの負担を増大させることなく適正な時期
にクリーニングを行え、処理室の壁面等の損傷を防止で
きる成膜装置を提供することを目的とする。
されるウェーハＷの枚数に応じて複数種のクリーニング
レシピを登録することも考えられるが、オペレータが複
数のクリーニング条件を作成・編集して入力部２２に入
力しなければならず、オペレータの負担が増大し、ま
た、シーケンサ２５の処理が複雑化するという新たな問
題を生じる。この発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、オペレータの負担を増大させることなく適正な時期
にクリーニングを行え、処理室の壁面等の損傷を防止で
きる成膜装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、成膜室内でウェーハに薄膜を形成する
成膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚
数を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記
成膜室のクリーニング処理を行う構成を採用した。
め、この発明は、成膜室内でウェーハに薄膜を形成する
成膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚
数を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記
成膜室のクリーニング処理を行う構成を採用した。
【００１５】この発明にかかる成膜装置は、上述したＣ
ＶＤ装置に代表されるが、その他、エピタキシャル成長
装置やＰＶＤ装置等が例示される。この成膜装置には、
成膜処理済みあるいは成膜処理前のウェーハを検出する
センサと、このセンサの検知出力を基に処理したウェー
ハの枚数を検出するカウンタが設けられる。センサはカ
セットから処理室内に搬入されるウェーハを検出するも
の等、また、カウンタはシーケンサ等に内蔵するもの等
が用いられる。そして、クリーニング処理は、処理室内
にエッチングガスを充満して行うガスエッチング等が挙
げられるが、その他、プラズマエッチング等も可能であ
り、クリーニングの方法は適宜選択できる。
ＶＤ装置に代表されるが、その他、エピタキシャル成長
装置やＰＶＤ装置等が例示される。この成膜装置には、
成膜処理済みあるいは成膜処理前のウェーハを検出する
センサと、このセンサの検知出力を基に処理したウェー
ハの枚数を検出するカウンタが設けられる。センサはカ
セットから処理室内に搬入されるウェーハを検出するも
の等、また、カウンタはシーケンサ等に内蔵するもの等
が用いられる。そして、クリーニング処理は、処理室内
にエッチングガスを充満して行うガスエッチング等が挙
げられるが、その他、プラズマエッチング等も可能であ
り、クリーニングの方法は適宜選択できる。
【００１６】この発明の成膜装置は、処理室内で成膜処
理したウェーハの枚数、すなわち、処理回数に応じてク
リーニングを行うため、カセット内のウェーハの枚数の
如何に関わらず適正な時期にクリーニングを行え、不必
要なクリーニングにより成膜処理が中断等されることが
無く、また、過剰なエッチングにより処理室の壁面等が
損傷することが無い。さらに、カセット内のウェーハ装
填枚数に応じて複数のクリーニング条件を作成する必要
もなく、オペレータの負担が増大することも無い。
理したウェーハの枚数、すなわち、処理回数に応じてク
リーニングを行うため、カセット内のウェーハの枚数の
如何に関わらず適正な時期にクリーニングを行え、不必
要なクリーニングにより成膜処理が中断等されることが
無く、また、過剰なエッチングにより処理室の壁面等が
損傷することが無い。さらに、カセット内のウェーハ装
填枚数に応じて複数のクリーニング条件を作成する必要
もなく、オペレータの負担が増大することも無い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１はこの発明の一の実施の形
態にかかる成膜装置を示し、その制御処理を示すフロー
チャートである。なお、この実施の形態は、前述したＣ
ＶＤ装置と図２，３等に示す構成が同一であるため、そ
の図示と説明は省略する。
面を参照して説明する。図１はこの発明の一の実施の形
態にかかる成膜装置を示し、その制御処理を示すフロー
チャートである。なお、この実施の形態は、前述したＣ
ＶＤ装置と図２，３等に示す構成が同一であるため、そ
の図示と説明は省略する。
【００１８】この実施の形態においては、ウェーハＷの
成膜処理を行う前にクリーニングを行うウェーハＷの枚
数（クリーニング間に処理するウェーハＷの枚数、以
下、設定枚数と称する）を入力部２２から入力し、この
ウェーハＷの枚数を含むクリーニング条件をシーケンサ
２５に登録する。そして、処理室１０で処理した（処理
する）ウェーハＷの枚数を基板センサ（図示せず）で検
出し、この基板センサの出力に基づきシーケンサ２５が
処理したウェーハＷの枚数を監視し、図１のフローチャ
ートに示す処理を行ってクリーニング処理の時期を決
定、換言すれば、クリーニング処理を行う。
成膜処理を行う前にクリーニングを行うウェーハＷの枚
数（クリーニング間に処理するウェーハＷの枚数、以
下、設定枚数と称する）を入力部２２から入力し、この
ウェーハＷの枚数を含むクリーニング条件をシーケンサ
２５に登録する。そして、処理室１０で処理した（処理
する）ウェーハＷの枚数を基板センサ（図示せず）で検
出し、この基板センサの出力に基づきシーケンサ２５が
処理したウェーハＷの枚数を監視し、図１のフローチャ
ートに示す処理を行ってクリーニング処理の時期を決
定、換言すれば、クリーニング処理を行う。
【００１９】すなわち、図１に示すように、先ず、ステ
ップＲ１においてウェーハＷの処理枚数を計数するカウ
ンタに１を初期設定する。そして、ステップＲ２におい
て、ウェーハＷをカセットから処理室１１内へ投入し、
続くステップＲ３において成膜処理、すなわち、プラズ
マＣＶＤにより薄膜を形成する。そして、ステップＲ４
でウェーハＷを処理室１１から搬出する。
ップＲ１においてウェーハＷの処理枚数を計数するカウ
ンタに１を初期設定する。そして、ステップＲ２におい
て、ウェーハＷをカセットから処理室１１内へ投入し、
続くステップＲ３において成膜処理、すなわち、プラズ
マＣＶＤにより薄膜を形成する。そして、ステップＲ４
でウェーハＷを処理室１１から搬出する。
【００２０】次に、ステップＲ５においてカウンタの計
数値を１だけ増大、すなわち、ウェーハＷの処理毎に処
理枚数を加算する。そして、ステップＲ６においてカウ
ンタの計数値（処理枚数の累計）と設定枚数を比較し、
処理枚数の累計が設定枚数に満たなければステップＲ９
に進み、また、処理枚数の累計が設定枚数以上であれば
ステップＲ７でガスクリーニング処理を行った後にステ
ップＲ８でカウンタに１を設定してステップＲ９に進
む。
数値を１だけ増大、すなわち、ウェーハＷの処理毎に処
理枚数を加算する。そして、ステップＲ６においてカウ
ンタの計数値（処理枚数の累計）と設定枚数を比較し、
処理枚数の累計が設定枚数に満たなければステップＲ９
に進み、また、処理枚数の累計が設定枚数以上であれば
ステップＲ７でガスクリーニング処理を行った後にステ
ップＲ８でカウンタに１を設定してステップＲ９に進
む。
【００２１】そして、ステップＲ９においては、カセッ
ト内にウェーハＷが残存するか否かを判断し、カセット
内にウェーハＷが残存していなければステップＲ１０で
カセットを交換するカセット交換処理を行った後にステ
ップＲ２からの処理を繰り返し行い、また、カセット内
に基板が残存していれば直ちにステップＲ２からの処理
を繰り返し行う。
ト内にウェーハＷが残存するか否かを判断し、カセット
内にウェーハＷが残存していなければステップＲ１０で
カセットを交換するカセット交換処理を行った後にステ
ップＲ２からの処理を繰り返し行い、また、カセット内
に基板が残存していれば直ちにステップＲ２からの処理
を繰り返し行う。
【００２２】上述したように、この実施の形態にあって
は、処理したウェーハＷの枚数を計数し、処理した枚数
の累計が設定枚数になるとカセット内のウェーハＷの有
無に関わらずクリーニング処理を行うため、適正な時期
にクリーニングを行えウェーハＷへの成膜処理がクリー
ニングにより阻害されることもなく、また、過剰なエッ
チングにより処理室１１の内壁が損傷されることもな
く、さらに、複数のクリーニング条件を準備する必要も
ないためオペレータの負担が増大することを防止でき
る。
は、処理したウェーハＷの枚数を計数し、処理した枚数
の累計が設定枚数になるとカセット内のウェーハＷの有
無に関わらずクリーニング処理を行うため、適正な時期
にクリーニングを行えウェーハＷへの成膜処理がクリー
ニングにより阻害されることもなく、また、過剰なエッ
チングにより処理室１１の内壁が損傷されることもな
く、さらに、複数のクリーニング条件を準備する必要も
ないためオペレータの負担が増大することを防止でき
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
成膜装置によれば、処理炉内で成膜処理したウェーハの
枚数を計数し、この計数したウェーハの枚数が設定値に
なった時に処理室のクリーニング処理を行うため、処理
室の内壁面の損傷を引き起こす過剰なクリーニングが防
止でき、また、成膜処理を効率的に行え、さらに、複数
のクリーニング条件の準備も不用でオペレータの負担増
大も防止できる。
成膜装置によれば、処理炉内で成膜処理したウェーハの
枚数を計数し、この計数したウェーハの枚数が設定値に
なった時に処理室のクリーニング処理を行うため、処理
室の内壁面の損傷を引き起こす過剰なクリーニングが防
止でき、また、成膜処理を効率的に行え、さらに、複数
のクリーニング条件の準備も不用でオペレータの負担増
大も防止できる。
【図１】この発明の一の実施の形態にかかる成膜装置の
制御処理を示すフローチャートである。
制御処理を示すフローチャートである。
【図２】成膜装置であるＣＶＤ装置の要部の模式図であ
る。
る。
【図３】同ＣＶＤ装置の制御系のブロック図である。
【図４】同ＣＶＤ装置における成膜処理を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】従来のＣＶＤ装置におけるクリーニング処理を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【符号の説明】 １０ 処理炉 １１ 処理室（チャンバ） １２ 電極 １３ サセプタ ２０ 制御装置 ２１ 制御部 ２２ 入力部 ２３ 表示部 ２４ 記憶部 ２５ シーケンサ ２６ コントローラ Ｗ ウェーハ（基板）
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜室内でウェーハに薄膜を形成する成
膜装置において、前記成膜処理したウェーハの処理枚数
を計数し、該処理枚数が規定の枚数に達した時に前記成
膜室のクリーニング処理を行うことを特徴とする成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1462297A JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1462297A JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199817A true JPH10199817A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11866317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1462297A Pending JPH10199817A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199817A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911398B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of sequentially processing a plurality of lots each including semiconductor substrates |
| JP2009224580A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム |
| JP2010236048A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
| JP2019071359A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP1462297A patent/JPH10199817A/ja active Pending
Cited By (5)
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