JPH1046372A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理物を順次連続的にエッチング処理する
際に、連続的なエッチング処理開始時からエッチング速
度を安定させることができる。 【解決手段】 被処理物６のエッチング処理に先立っ
て、放電室１で空放電が所定時間行われる。この空放電
は、エッチング処理室５に被処理物６が存在しない状態
で、放電室１に導入した反応性ガスをマイクロ波によっ
て励起することによって行われる。この空放電の後に、
複数枚の被処理物が連続的にエッチング処理される。所
定時間の空放電によって、放電室１の温度が一定にな
り、放電室１からエッチング処理室５に送られるラジカ
ルの量が一定するため、被処理物６のエッチング速度も
一定となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
方法に係り、特にマイクロ波などによって励起された反
応性ガスで複数個の被処理物を連続的にエッチング処理
するドライエッチング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ドライエッチング装置は、半導体素子や
液晶ディスプレイの製造工程において、半導体用シリコ
ンウエハや液晶ディスプレイ用ガラス基板をエッチング
処理するために広く使用されている。このようなドライ
エッチング装置は種々のタイプのものが知られている
が、近年は、マイクロ波励起プラズマ方式のドライエッ
チング装置が広く使用されている。このマイクロ波励起
プラズマ方式のドライエッチング装置は、反応性ガスを
マイクロ波によって励起してラジカル（活性種）を生成
し、このラジカルによって被処理物をエッチング処理す
る。

【０００３】マイクロ波励起プラズマ方式のドライエッ
チング装置は、反応性ガスをマイクロ波によって励起す
る放電室と励起された反応性ガスで被処理物をエッチン
グ処理するエッチング処理室とが互いに分離されている
エッチング処理室分離型のドライエッチング装置と、分
離されていないエッチング処理室非分離型のドライエッ
チング装置とに、大別することができる。

【０００４】このエッチング処理室分離型ドライエッチ
ング装置は、石英管等から構成される放電室とエッチン
グ処理室とが反応性ガス輸送管によって接続されてい
る。放電室に導入された反応性ガスは、マイクロ波によ
って励起されてプラズマを生成し、この励起された反応
性ガスは反応性ガス輸送管を通ってエッチング処理室に
流入して、被処理物をエッチング処理する。

【０００５】反応性ガスの励起の際に、放電室内に発生
した電子やイオンは、反応性ガス輸送管内で十分に減衰
されるため、エッチング処理室で行われる被処理物のエ
ッチング処理への悪影響は全く無視することができる。
これを詳述すると、放電室内に発生した電子やイオンが
そのまま、エッチング処理室に入ると、被処理物を損傷
する恐れがある。しかしながら、放電室内に発生した電
子やイオンは、反応性ガス輸送管内で十分に減衰され
て、エッチング処理室には殆ど流入しないため、被処理
物の損傷は回避される。従って、エッチング処理室分離
型ドライエッチング装置にあっては、被処理物のエッチ
ング処理は、中性で活性なラジカルによる純粋な化学反
応によって行うことができる利点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のドラ
イエッチング装置は、多数枚の半導体ウエハなどの被処
理物を順次連続的にエッチング処理する際に、連続的な
エッチング処理開始時のエッチング速度が安定せず、エ
ッチング処理の歩留まりが悪いといった問題がある。

【０００７】これを更に詳細に説明すると、ドライエッ
チング装置は反応性ガスの励起によって生成されたプラ
ズマによって放電室が加熱され、この加熱によって放電
室が温度上昇し、これに伴い放電室の材料自体が励起反
応性ガスによりエッチングされる。この放電室の温度
は、プラズマの生成開始からの時間経過と共に上昇し、
所定の時間後にほぼ一定になる。放電室の材料のエッチ
ング速度は、放電室の温度の上昇に伴って大きくなり、
これによって放電室材料のエッチングに消費されるラジ
カルの量も増大する。

【０００８】従って、エッチング処理室に供給される励
起反応性ガス中のラジカルの量は、放電室の温度上昇に
応じて変化し、放電室の温度がほぼ一定になると、エッ
チング処理室に供給されるラジカルの量もほぼ一定とな
る。従って、放電室の温度がほぼ一定になるまでにエッ
チング処理された被処理物のエッチング深さ等のエッチ
ング量は、安定せず、エッチング処理の歩留まり低下を
招来する。

【０００９】特に、エッチング装置の放電室は一般に石
英材料が少なくとも一部使用される場合が多く、この石
英材料のエッチングは特に温度依存性が高いたため、エ
ッチング処理の歩留まりが大幅に低下する。具体的に
は、プラズマ加熱に伴う放電室の加熱は、約３００秒以
上で安定し放電室の温度はほぼ一定となるため、一つの
被処理物のエッチング処理時間が約６００秒以上であれ
ば、プラズマ加熱に伴う放電室の温度上昇は被処理物の
エッチング処理に実質的に悪影響を与えないが、しかし
ながら、被処理物のエッチング処理時間が約６００秒以
下である場合には、被処理物のエッチング深さ等のエッ
チング量に悪影響を及ぼす。

【００１０】そこで、本発明の目的は、被処理物を順次
連続的にエッチング処理する際に、連続的なエッチング
処理開始時からエッチング速度を安定させることができ
るドライエッチング方法を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、反応性ガス導入管から
反応性ガスを放電室に導入すると共に励起波導入手段か
ら励起波を上記放電室に導入し、上記反応性ガスを励起
してプラズマを生成し、複数個の被処理物をエッチング
処理室に順次導入し、上記励起された反応性ガスによっ
て、上記エッチング処理室に導入された上記被処理物を
連続的にエッチング処理するドライエッチング方法にお
いて、上記被処理物の連続的エッチング処理に先立っ
て、上記被処理物を上記エッチング処理室に導入するこ
となしに上記放電室に上記励起波及び反応性ガスを導入
して空放電を所定の時間行うことを特徴とするものであ
る。

【００１２】上記被処理物の連続的エッチング処理に先
立って、空放電を所定の時間行うことによって、放電室
の温度がほぼ一定になるため、放電室で消費されるラジ
カル量もほぼ一定になり、連続的なエッチング処理開始
時からエッチング速度を安定させることができる。

【００１３】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載のドライエッチング方法において、上記空放電の時
間Ｔは、上記一つの被処理物のエッチング処理時間をｔ
とした時に、Ｔ＝３．６９×１０^−６ｔ^３−５．０１×
１０^−３ｔ^２＋２．２０ｔ＋３．５５〜５．０９×１０
^−６ｔ^３−６．８５×１０^−３ｔ^２＋３．００ｔ＋４．
５６であることを特徴とするものである。

【００１４】連続的エッチング処理開始時からエッチン
グ速度を安定させるために必要な空放電の時間は、エッ
チング処理のスループットの観点からできるだけ、短く
設定することが望ましい。本出願の発明者は、必要な空
放電の時間を一つの被処理物のエッチング処理時間ｔに
基づき、設定することができることを見出だした。空放
電の時間Ｔは、上記のエッチング処理時間ｔの関数から
求められた値を用いることによって、比較的に短時間の
空放電にもかかわらず放電室の温度をほぼ一定にするこ
とができる。

【００１５】請求項３に記載された発明は、請求項２に
記載のドライエッチング方法において、上記放電室と上
記エッチング処理室とは、反応性ガス輸送管によって接
続され、上記反応性ガス輸送管によって上記励起された
反応性ガスを上記放電室から上記エッチング処理室に輸
送することを特徴とするものである。放電室における反
応性ガスの励起の際に、発生する電子やイオンは反応性
ガス輸送管において減衰されるため、中性なラジカルに
よるエッチング処理を行うことができる。

【００１６】請求項４に記載された発明は、請求項３に
記載のドライエッチング方法において、上記空放電時に
上記放電室に導入される上記反応性ガスの種類は、上記
エッチング処理のために上記放電室に導入される上記反
応性ガスと同一であることを特徴とするものである。

【００１７】請求項５に記載された発明は、請求項３に
記載のドライエッチング方法において、上記空放電時に
上記放電室に導入される上記反応性ガスの種類は、上記
エッチング処理のために上記放電室に導入される上記反
応性ガスと異なることを特徴とするものである。

【００１８】請求項６に記載された発明は、請求項３に
記載のドライエッチング方法において、上記エッチング
処理室に隣接配置された予備排気室に上記複数個の被処
理物を事前に収容し、上記収容後に上記予備排気室を真
空排気し、上記真空排気の途中でまたは上記真空排気の
終了後に上記空放電を開始し、上記空放電の終了後に上
記予備排気室と上記エッチング処理室との間に設けられ
たゲートバルブを介して上記予備排気室から上記被処理
物を上記エッチング処理室に導入することを特徴とする
ものである。

【００１９】予備排気室の真空排気動作と空放電動作と
を関連付けることによって、空放電動作の完了後に、直
ちに被処理物を予備排気室からエッチング処理室に導入
することができる。

【００２０】請求項７に記載された発明は、請求項６に
記載のドライエッチング方法において、上記予備排気室
と上記エッチング処理室とには共通の排気ポンプが接続
され、上記排気ポンプは上記エッチング処理室の真空排
気に先立って上記予備排気室の真空排気を行い、上記予
備排気室の真空排気の終了後に上記空放電を開始するこ
とを特徴とするものである。共通の排気ポンプを使用す
るため、予備排気室とエッチング処理室との真空排気は
時系列に行われる。

【００２１】請求項８に記載された発明は、請求項６に
記載のドライエッチング方法において、上記予備排気室
と上記エッチング処理室とには夫々別個の排気ポンプが
接続され、上記予備排気室の真空排気の途中で上記空放
電を開始することを特徴とするものである。

【００２２】予備排気室とエッチング処理室とには別個
の排気ポンプが使用されるため、予備排気室の真空排気
とエッチング処理室の真空排気とを一部同時に行うこと
ができ、エッチング処理全体の所要時間を短縮すること
ができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明によるドライエッ
チング方法の実施例を図１乃至図６を参照して説明す
る。図１は、本発明によるドライエッチング方法の第１
の実施例を使用するエッチング処理室分離型ドライエッ
チング装置を示したものである。石英管から構成される
放電室１には反応性ガス導入管２が接続され、この反応
性ガス導入管２は石英放電室１にＣＦ_４やＯ_２やＮ_２な
どの反応性ガスを導入する。マイクロ波導波管３は石英
放電室１にマイクロ波を送り、このマイクロ波は石英放
電室１内の反応性ガスを励起してプラズマを生成する。
反応性ガス輸送管４は、励起された反応性ガスを石英放
電室１からエッチング処理室５に輸送する。

【００２４】エッチング処理室５内には半導体ウエハ等
の被処理物６を載置する載置板７が設置され、エッチン
グ処理室５の底面には排気管８が接続され、この排気管
８はバルブ９を介して排気ポンプ１０に接続されてい
る。エッチング処理室５には予備排気室１１が隣接配置
され、この予備排気室１１とエッチング処理室５とはゲ
ートバルブ１２を介して隔離されている。予備排気室１
１内にはステージ１３が設置され、このステージ１３に
は多数枚の被処理物６を収容したカセット１４が載置さ
れる。予備排気室１１には排気管１５が接続され、この
排気管１５はバルブ１６を介して上述の排気ポンプ１０
に接続されている。このように、本実施例に使用するエ
ッチング処理室分離型ドライエッチング装置は、エッチ
ング処理室５用の排気ポンプと予備排気室１１用の排気
ポンプとして共通の単一排気ポンプ１０が用いられてい
る。

【００２５】次に、この第１の実施例の作用を説明す
る。多数の被処理物を収容したカセット１４が予備排気
室１１のステージ１３に載置された後に、予備排気室１
１用のバルブ１６が開弁され、排気ポンプ１０が排気管
１５を介して予備排気室１１を真空排気する。この時、
エッチング処理室５用のバルブ９は閉弁されている。

【００２６】予備排気室１１の排気が終了すると、バル
ブ１６が閉弁されると共にバルブ９が開弁される。この
バルブ９の開弁によって、排気ポンプ１０は排気管８を
介してエッチング処理室５を真空排気する。なお、この
時には、エッチング処理室５には被処理物６は導入され
ていない。この後に、応性ガス導入管２から放電室１に
反応性ガスを導入すると同時に、マイクロ波導波管３か
ら放電室１にマイクロ波を導入する。これによって、放
電室１に導入された反応性ガスは励起され活性化され、
プラズマが生成される。こうして、放電室１の空放電が
行われ、放電室１の温度が徐々に上昇し、所定時間後に
ほぼ一定となる。

【００２７】この後に、ゲートバルブ１２が開放され、
カセット１４内の被処理物６が一枚図示を省略した搬送
装置によって、ゲートバルブ１２を通ってエッチング処
理室５に搬送され、載置板７に載置される。この後にゲ
ートバルブ１２が閉弁されると共に、エッチング用の反
応性ガスが応性ガス導入管２から放電室１に導入され、
エッチング用のマイクロ波がマイクロ波導波管３から放
電室１に導入され、これによって、反応性ガスは励起さ
れプラズマを生成する。励起された反応性ガスは、反応
性ガス輸送管４を介してエッチング処理室５に流入し、
載置板７に載置された被処理物６のエッチング処理を行
う。この被処理物６はエッチング処理が終了すると、エ
ッチング処理室５から搬出され、次の被処理物６がカセ
ット１４からゲートバルブ１２を通ってエッチング処理
室５に搬送され、載置板７に載置され、次のエッチング
処理が行われる。このようにして、カセット１４に収容
された多数枚の被処理物６が順次、連続的にエッチング
処理される。

【００２８】このように、放電室１は、被処理物６の連
続的なエッチング処理に先立って行われる空放電によっ
て、安定した一定温度まで昇温されるため、この放電室
１で消費されるラジカルの量も一定となり、従って、エ
ッチング処理室５に輸送されるラジカルの量も常に一定
となる。このような状態になった後に、被処理物６の連
続的なエッチング処理が開始されるため、被処理物６の
エッチング速度は、最初の被処理物のエッチング処理か
ら最後の被処理物のエッチング処理まで、ほぼ一定とな
る。

【００２９】次に、上述の第１の実施例に係るドライエ
ッチング方法によって半導体ウエハをエッチング処理し
た具体例を説明する。被処理物である半導体ウエハは、
図２に示したように、シリコン基板１７にＣＶＤ法によ
ってＢＰＳＧ層１８が堆積され、このＢＰＳＧ層１８は
パターニングされたレジスト１９によって被覆されてい
る。このような構成の半導体ウエハを２５枚、連続的に
エッチング処理した。このエッチング処理の条件は、以
下の通りである。即ち、反応性ガスはＣＦ_４とＯ_２との
混合ガス、エッチング処理室５の圧力は５０Ｐａ、マイ
クロ波電力は７００Ｗ、一枚の半導体ウエハの処理時間
は６０秒であった。

【００３０】半導体ウエハの連続的エッチング処理に先
立つ放電室１の空放電の条件は、反応性ガスとエッチン
グ処理室圧力とマイクロ波電力は、連続的エッチング処
理の条件と同一、即ち、夫々ＣＦ_４とＯ_２との混合ガ
ス、５０Ｐａ、７００Ｗであった。また、空放電の時間
Ｔは、本発明者が見出だした下記の算定式（１）に基づ
き算出した。 Ｔ＝３．６９×１０^−６ｔ^３−５．０１×１０^−３ｔ^２＋２．２０ｔ＋ ３．５５〜５．０９×１０^−６ｔ^３−６．８５×１０^−３ｔ^２＋ ３．００ｔ＋４．５６ ………（１） この式に、一枚の半導体ウエハの処理時間ｔ＝６０を代
入すると、Ｔ＝１１８〜１６１秒となる。そこで、この
具体例では、Ｔ＝１４０秒を採用した。

【００３１】このような条件で空放電を行った後に、上
述のエッチング処理条件で図２に示した構成の半導体ウ
エハを２５枚連続的に処理した後に、２５枚の半導体ウ
エハのエッチング深さを測定した結果を図３に示す。こ
の図３のグラフから分かるように、エッチング深さは２
５枚全て、約３００ｎｍであり、２５枚の半導体ウエハ
の各々のエッチング深さの均一性が２％以下であり、経
時変化がないことが分かる。

【００３２】この具体例から分かるように、２枚分の半
導体ウエハの処理時間１２０秒とほぼ等しい時間Ｔ＝１
１８〜１６１秒だけ空放電を行うことによって、２５枚
の全ての半導体ウエハについてエッチング速度を一定に
することができる。

【００３３】次に本発明の第２の実施例を説明する。図
４は、本発明の第２の実施例のドライエッチング方法を
実施するために使用されるエッチング処理室分離型ドラ
イエッチング装置を示したものである。この図４に示し
たエッチング処理室分離型ドライエッチング装置は、エ
ッチング処理室５には専用の排気ポンプ２０が接続さ
れ、予備排気室１１にも専用の排気ポンプ２１が接続さ
れている点を除き、図１に示したドライエッチング装置
の構成と同一である。

【００３４】次に、この第２の実施例の作用を説明す
る。予備排気室１１の真空排気は、排気ポンプ２１によ
って排気管１５及びバルブ１６を介して行われる。この
予備排気室１１の真空排気の途中において、エッチング
処理室５は、排気ポンプ２０によって排気管８及びバル
ブ９を介して真空排気される。この後に、第１の実施例
と同様に、放電室１の空放電が所定時間行われ、この空
放電の終了後にカセット１４から被処理物６が順次エッ
チング処理室５に導入され、エッチング処理が行われ
る。

【００３５】次に、この第２の実施例に係るドライエッ
チング方法によって半導体ウエハをエッチング処理した
第１の具体例を説明する。被処理物である半導体ウエハ
は、図２に示したものを使用し、この半導体ウエハを２
５枚、連続的にエッチング処理した。このエッチング処
理の条件は、前述と同様であり、反応性ガスがＣＦ_４と
Ｏ_２との混合ガス、エッチング処理室５の圧力が５０Ｐ
ａ、マイクロ波電力が７００Ｗであるが、しかし一枚の
半導体ウエハの処理時間は１２０秒とした。

【００３６】半導体ウエハの連続的エッチング処理に先
立つ放電室１の空放電の条件は、反応性ガスがＮ_２で、
エッチング処理室圧力が３０Ｐａで、マイクロ波電力が
７００Ｗであった。また、空放電の時間Ｔは、上述の算
定式（１）にｔ＝１２０を代入すると、Ｔ＝２０１〜２
７５となるので、２４０秒を採用した。

【００３７】予備排気室１１の排気中に以上述べた条件
の空放電を行った後に、上述のエッチング処理条件で半
導体ウエハを２５枚連続的に処理した。この後に、２５
枚の半導体ウエハのエッチング深さを測定した結果を図
５に示す。この図５のグラフから分かるように、エッチ
ング深さは２５枚全て、約６００ｎｍであり、２５枚の
半導体ウエハの各々のエッチング深さの均一性が２％以
下であり、経時変化がないことが分かる。

【００３８】この第１の具体例から分かるように、２枚
分の半導体ウエハの処理時間２４０秒にほぼ等しい時間
Ｔ＝２０１〜２７５秒だけ空放電を行うことによって、
２５枚の全ての半導体ウエハについてエッチング速度を
一定にすることができる。なお、この第１の具体例で
は、空放電の条件とエッチング処理の条件は、反応性ガ
スとエッチング処理室圧力に関して異なっている。即
ち、反応性ガスは空放電用にはＮ_２を使用し、エッチン
グ処理用にはＣＦ_４とＯ_２との混合ガスを使用し、エッ
チング処理室圧力は空放電用には３０Ｐａとし、エッチ
ング処理用には５０Ｐａとした。このように、空放電時
の反応性ガスの種類とエッチング処理室圧力とをエッチ
ング処理時のものと変えることができるのは、空放電に
よる放電室の昇温が、反応性ガスの種類及びエッチング
処理室圧力には無関係であり、空放電時間によって決定
されるためである。従って、空放電時のガスは、エッチ
ング処理時の反応性ガスの他に、任意のガスを使用する
ことができるが、しかしながら、フッ素Ｆや塩素Ｃｌや
臭素Ｂｒやヨウ素Ｉなどのハロゲンを含んでいないガス
を使用する方が、放電室のエッチング反応を生じないた
め、放電室の寿命が長くなり好ましい。

【００３９】次に、上述の第２の実施例に係るドライエ
ッチング方法によって半導体ウエハをエッチング処理し
た第２の具体例を説明する。この第２の具体例では、エ
ッチング処理の条件は第２の実施例の第１具体例と同一
であり、空放電の条件は、空放電時間を２７５秒とし、
マイクロ波電力を６３０Ｗ（即ち、エッチング処理時の
マイクロ波電力７００Ｗの９０％）とすること以外は、
第１の具体例の値と同一である。

【００４０】図６は、この第２の具体例について２５枚
の半導体ウエハのエッチング深さを測定した結果を示
す。この図６のグラフから分かるように、エッチング深
さは２５枚全て、約６００ｎｍであり、２５枚の半導体
ウエハの各々のエッチング深さの均一性が３％以下であ
り、経時変化がないことが分かる。また、この具体例で
は空放電時のマイクロ波電力を、エッチング処理時のマ
イクロ波電力の９０％にしたが、１１０％にした場合に
も、同様の効果を得ることができた。従って、空放電時
のマイクロ波電力は、エッチング処理時のマイクロ波電
力の９０％〜１１０％に定めることができる。なお、第
２の具体例のように、空放電時のマイクロ波電力をエッ
チング処理時の９０％と小さく定めた時には、空放電時
間を２７５秒と比較的長めに設定することが望ましく、
逆に、空放電時のマイクロ波電力をエッチング処理時の
１１０％のように大きく定めた場合には、空放電時間を
例えば２０１秒のように短く設定する事が望ましい。

【００４１】以上の各実施例では、半導体ウエハをエッ
チングするものであったが、本発明はこれに限らず、導
体ウエハ以外の任意の基材、例えば液晶ディスプレイ用
ガラス基板をエッチングすることができる。また、実施
例にあっては、エッチング処理室分離型ドライエッチン
グ装置に使用したエッチング方法であったが、本発明は
これに限らず、エッチング処理室非分離型ドライエッチ
ング装置にも適用することができる。

【００４２】また、本発明にあっては、反応性ガスの励
起はマイクロ波の代りに高周波を使用することもでき、
放電室は、放電管に限らず、透明窓タイプやベルジャー
タイプのものも使用することができ、更には、放電室の
材料も、石英の代りに酸化アルミや窒化アルミナなども
使用することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、被処理物の連続的エッチング処理に先立って、
空放電を所定の時間行うことによって、放電室の温度が
ほぼ一定になるため、放電室で消費されるラジカル量も
ほぼ一定になり、連続的なエッチング処理開始時からエ
ッチング速度を安定させることができ、従って被処理物
のエッチング特性をほぼ一定にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるドライエッチング方法の第１の実
施例に使用するエッチング処理室分離型ドライエッチン
グ装置を示した概略図。

【図２】半導体ウエハの一例を示した断面図。

【図３】第１の実施例によって被処理物をエッチングし
た時のエッチング深さを示したグラフ。

【図４】本発明によるドライエッチング方法の第２の実
施例に使用するエッチング処理室分離型ドライエッチン
グ装置を示した概略図。

【図５】第２の実施例によって被処理物をエッチングし
た時のエッチング深さを示したグラフ。

【図６】第２の実施例の変形例によって被処理物をエッ
チングした時のエッチング深さを示したグラフ。

【符号の説明】

１ 放電室 ２ 反応性ガス導入管 ３ 励起波導入手段（マイクロ波導入手段） ５ エッチング処理室 ６ 被処理物

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反応性ガス導入管から反応性ガスを放電室
   に導入すると共に励起波導入手段から励起波を上記放電
   室に導入し、上記反応性ガスを励起してプラズマを生成
   し、複数個の被処理物をエッチング処理室に順次導入
   し、上記励起された反応性ガスによって、上記エッチン
   グ処理室に導入された上記被処理物を連続的にエッチン
   グ処理するドライエッチング方法において、上記被処理
   物の連続的エッチング処理に先立って、上記被処理物を
   上記エッチング処理室に導入することなしに上記放電室
   に上記励起波及び反応性ガスを導入して空放電を所定の
   時間行うことを特徴とするドライエッチング方法。
2. 【請求項２】上記空放電の時間Ｔは、上記一つの被処理
   物のエッチング処理時間をｔとした時に、Ｔ＝３．６９
   ×１０^−６ｔ^３−５．０１×１０^−３ｔ^２＋２．２０ｔ
   ＋３．５５〜５．０９×１０^−６ｔ^３−６．８５×１０
   ^−３ｔ^２＋３．００ｔ＋４．５６であることを特徴とす
   る請求項１に記載のドライエッチング方法。
3. 【請求項３】上記放電室と上記エッチング処理室とは、
   反応性ガス輸送管によって接続され、上記反応性ガス輸
   送管によって上記励起された反応性ガスを上記放電室か
   ら上記エッチング処理室に輸送することを特徴とする請
   求項２に記載のドライエッチング方法。
4. 【請求項４】上記空放電時に上記放電室に導入される上
   記反応性ガスの種類は、上記エッチング処理のために上
   記放電室に導入される上記反応性ガスと同一であること
   を特徴とする請求項３に記載のドライエッチング方法。
5. 【請求項５】上記空放電時に上記放電室に導入される上
   記反応性ガスの種類は、上記エッチング処理のために上
   記放電室に導入される上記反応性ガスと異なることを特
   徴とする請求項３に記載のドライエッチング方法。
6. 【請求項６】上記エッチング処理室に隣接配置された予
   備排気室に上記複数個の被処理物を事前に収容し、上記
   収容後に上記予備排気室を真空排気し、上記真空排気の
   途中でまたは上記真空排気の終了後に上記空放電を開始
   し、上記空放電の終了後に上記予備排気室と上記エッチ
   ング処理室との間に設けられたゲートバルブを介して上
   記予備排気室から上記被処理物を上記エッチング処理室
   に導入することを特徴とする請求項３に記載のドライエ
   ッチング方法。
7. 【請求項７】上記予備排気室と上記エッチング処理室と
   には共通の排気ポンプが接続され、上記排気ポンプは上
   記エッチング処理室の真空排気に先立って上記予備排気
   室の真空排気を行い、上記予備排気室の真空排気の終了
   後に上記空放電を開始することを特徴とする請求項６に
   記載のドライエッチング方法。
8. 【請求項８】上記予備排気室と上記エッチング処理室と
   には夫々別個の排気ポンプが接続され、上記予備排気室
   の真空排気の途中で上記空放電を開始することを特徴と
   する請求項６に記載のドライエッチング方法。