JP5189859B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5189859B2 JP5189859B2 JP2008054537A JP2008054537A JP5189859B2 JP 5189859 B2 JP5189859 B2 JP 5189859B2 JP 2008054537 A JP2008054537 A JP 2008054537A JP 2008054537 A JP2008054537 A JP 2008054537A JP 5189859 B2 JP5189859 B2 JP 5189859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing chamber
- sample
- processing
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
21:マイクロ波発生装置、
22:自動整合機、
23:方形導波管、
24:方形円形導波管変換機、
25:円形導波管、
26:空洞共振部、
27:マイクロ波導入窓、
31:下部電極、
32:RF電源、
33:RF整合機、
41:ガス源、
42:マスフローコントローラ、
43:ガスバルブ、
44:シャワープレート、
51:可動弁、
52:ターボ分子ポンプ、
61:ソレノイドコイル
71:ファイバー、
72:分光器、
73:コンピュータ、
A:炭素(C)を含むガスで処理をした後の処理室状態測定の生データ、
B:炭素(C)を含まないガスで処理をした後の処理室状態測定の生データ、
C:炭素(C)からの発光成分、
D:背景光成分、
E:炭素(C)を含むガスで処理をした後のC残留量、
F:炭素(C)を含まないガスで処理をした後のC残留量、
G:過去の残留量測定結果、
H:ウェハ処理枚数に対する微分、
I:あらかじめ決められた適切な基準値、
J:酸素添加量に対する炭素残留量の線、
K:酸素添加量を示す軸方向の位置、
L:JとKの交点、
M:炭素残留量1.11の目盛り、
N:炭素残留量の異なる2条件下でのエッチングレート、
O:インサイチュクリーニング処理後に測定される炭素の残留量。
Claims (5)
- 内部にプラズマが形成される処理室と、前記処理室内に配置された試料台とを備えるプラズマ処理装置を用い、前記試料台上に載置された試料を前記プラズマにより処理するプラズマ処理方法において、
不活性ガスを用いて発生させたプラズマから前記処理室内に堆積する残留物に対応する波長の発光強度を検出し、前記検出された発光強度から背景光成分を減算して時間積分された値に基づいて前記プラズマ処理装置状態の変動を逐次計測する装置状態測定を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記装置状態測定は、前記時間積分された値を前記残留物の残留量として測定された過去の結果における前記試料の処理枚数に対する微分値を計算し、前記微分値が基準値以下であるかどうかを判定して、前記微分値が前記基準値以下であれば、前記試料のロット毎に行われ、前記微分値が前記基準値を超えていれば前記試料毎に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記装置状態測定は、前記試料毎、前記試料の予め決められた枚数毎、前記試料のロット毎の中のいずれかの頻度で行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
前記装置状態測定により求められた結果を前記処理室内の堆積物を除去するための処理であるインサイチュクリーニングに反映させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 内部に減圧されたプラズマが形成される処理室を有した真空容器と、この処理室内に配置された試料台とを有するプラズマ処理装置を用い、前記試料台上の試料を前記プラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、
不活性ガスを用いてプラズマを発生し、このプラズマによる前記不活性ガス以外の前記処理室内の残留物のプラズマ中に放出された元素からのプラズマ発光を計測して処理性能の変動の原因となるプラズマ処理装置の処理室内残留物の堆積状態の変動を逐次計測し、
前記プラズマ処理装置の処理室内残留物の堆積状態の測定は、半導体製品としての構造を備えた試料の処理中のあらかじめ決められた順序で実行され、
過去の残留量測定結果の前記試料の処理枚数に対する微分値を計算し、前記微分値が基準値以下であるかどうかを判定して、前記微分値が前記基準値以下であれば、前記プラズマ処理装置の処理室内残留物の堆積状態の測定を前記試料のロット毎に行い、前記微分値が前記基準値を超えていれば前記プラズマ処理装置の処理室内残留物の堆積状態の測定を前記試料毎に行うよう制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008054537A JP5189859B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008054537A JP5189859B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009212333A JP2009212333A (ja) | 2009-09-17 |
JP5189859B2 true JP5189859B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=41185189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008054537A Expired - Fee Related JP5189859B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5189859B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5976377B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 |
JP6902941B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0837175A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Kokusai Electric Co Ltd | 汚染測定方法 |
JPH11135475A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3661851B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2005-06-22 | シャープ株式会社 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
JP2008034877A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造システム |
-
2008
- 2008-03-05 JP JP2008054537A patent/JP5189859B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009212333A (ja) | 2009-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9960031B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP4914119B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
US8298957B2 (en) | Plasma etchimg method and plasma etching apparatus | |
KR101274527B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP4801045B2 (ja) | ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去する方法 | |
US20180082855A1 (en) | Plasma processing method | |
US20100178415A1 (en) | Method for seasoning plasma processing apparatus, and method for determining end point of seasoning | |
JP5377993B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US8114244B2 (en) | Method for etching a sample | |
JP2013214584A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5189859B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP5753866B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US7312865B2 (en) | Method for in situ monitoring of chamber peeling | |
JP3927464B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP4745273B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP2889191B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
US20200273683A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR101066972B1 (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 | |
JP2009260091A (ja) | プラズマ処理装置のシーズニング方法 | |
JP5731881B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその運転方法 | |
JP2005072614A (ja) | 試料処理装置及び試料処理システム | |
JP2011187902A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |