JP2005072614A - 試料処理装置及び試料処理システム - Google Patents
試料処理装置及び試料処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005072614A JP2005072614A JP2004311646A JP2004311646A JP2005072614A JP 2005072614 A JP2005072614 A JP 2005072614A JP 2004311646 A JP2004311646 A JP 2004311646A JP 2004311646 A JP2004311646 A JP 2004311646A JP 2005072614 A JP2005072614 A JP 2005072614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- processing
- function
- measurement
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 試料の処理パラメータをモニタする機能と、該モニタされたパラメータから前記試料の処理特性を推測する機能と、処理後の前記試料の処理状態を測定するための測定装置と通信する機能と、前記モニタによる情報から推測される前記試料の処理特性に応じて前記測定装置による測定条件を変更する機能とを有する。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の試料処理システムをドライエッチング処理システムとした第1の実施形態の全体構成を示すブロック図である。図2は、システム全体の機能を示すブロック図である。試料処理システム100の真空処理装置1は、2つのプラズマ処理室2a、2bと真空搬送室3とロック室4a、4bとから成る。真空搬送室3の周りにはプラズマ処理室2a、2b及びロック室4a、4bが配置されている。真空処理装置1のロック室4a、4b側には、搬送ロボット6を有する搬送装置5が配置され、さらに試料の搬送装置5を挟んでカセット8を複数個配置可能なカセット台7が配置される。また、搬送装置5には真空処理装置1とともに測定装置9及び通信機能11が併設してある。また、測定装置9による測定結果は制御装置10に取り込まれ、制御装置10は、通信回線12を経由して測定結果をホストコンピュータ50に送信する。ホストコンピュータ50もしくはコンピュータを具備した制御装置10のいずれかが、図2に示したようなエッチング特性推測機能110と測定調整機能120を備えている。また、これらの機能の一部を測定装置9のコンピュータで分担しても良い。
本発明のより具体的な実施例を、実施例1として図5の制御フロー及び図6のO2成分量特性データベース116(エッチング特性格納データベース113の一部)で説明する。一般に、Poly‐SiエッチングにおいてO2成分量がエッチングの形状に影響を及ぼすと言われている。そこで、O2成分量と形状の関係を予めデータベース化しておく。ウエハのエッチング処理中に(502)、発光モニタOESによりプラズマ発光を調ベ(504)、その中のO2成分量の変動を測定する(506)。これによりエッチング形状の仕上がりが予想できる。そして、図6に示すO2成分量と形状の関係のデータベース116を参照し(508)、エッチング中の発光量より形状が規格外になったか否かを判定し(510)、規格外になったと思われるウエハに関してその形状測定を測定装置9に依頼する(512)。また、ウエハが規格外でなくても、抜き取り検査などによりルーチンワークとしての検査も行う(514)。測定装置9の各ウエハに関する情報は、必要に応じて次工程においても利用される。
[実施例2]
本発明の実施例2を、図7の制御フロー及び図8の誘電正接特性データベース118(エッチング特性格納データベース113の一部)で説明する。
Claims (4)
- 試料の処理パラメータをモニタする機能と、該モニタされたパラメータから前記試料の処理特性を推測する機能と、処理後の前記試料の処理状態を測定するための測定装置と通信する機能と、前記モニタによる情報から推測される前記試料の処理特性に応じて前記測定装置による測定条件を変更する機能とを有する試料処理装置。
- 試料の処理パラメータをモニタする機能と、前記試料の処理状態をモニタするセンサ機能と、該モニタされたパラメータ及び処理状態から前記試料の処理特性を推測する機能と、前記試料の処理後の特性を測定するための測定装置と通信する機能と、前記処理パラメータ及び前記センサ情報により推測される処理特性により前記測定装置による測定条件を変更する機能とを有する試料処理装置。
- 通信回線を介して相互に接続された、試料処理装置と測定装置とホストコンピュータとを備えた試料処理システムであって、
前記試料処理装置における処理状態をモニタする機能と、判定ルールおよびデータベースに基づき前記モニタ結果を判定する判定システムとを備えており、
前記判定システムは、前記試料処理装置における前記試料の処理状態をモニタして判定した結果に基づき前記測定装置に対して測定条件の変更を指示し、該変更後の測定結果を受け取り前記判定ルールおよびデータベースに反映することにより、前記試料の処理を行いながら自動的に前記判定システムを更新する試料処理システム。 - 前記エッチング状態をモニタする機能を用いて前記試料処理装置におけるエッチング状態をモニタし、該モニタ結果を前記判定システムに入力し、該判定結果から前記通信機能により前記測定装置に対して測定条件の変更を指示し、その測定結果を受信し、該受け取った測定結果を前記判定ルールおよびデータベースに反映することにより、前記試料のエッチング処理を行いながら自動的に前記判定システムを更新する請求項3に記載の試料処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004311646A JP4520820B2 (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | 試料処理装置及び試料処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004311646A JP4520820B2 (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | 試料処理装置及び試料処理システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002228530A Division JP3637041B2 (ja) | 2002-08-06 | 2002-08-06 | 試料処理装置及び試料処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005072614A true JP2005072614A (ja) | 2005-03-17 |
JP4520820B2 JP4520820B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=34420371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004311646A Expired - Fee Related JP4520820B2 (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | 試料処理装置及び試料処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4520820B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091826A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの処理レシピ最適化方法,基板処理システム,基板処理装置 |
JP2010539696A (ja) * | 2007-09-12 | 2010-12-16 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 層転写により構造を製造する方法 |
JP2013084746A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sharp Corp | 基板処理制御装置および基板処理制御方法、制御プログラム、可読記憶媒体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212414A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH085542A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH11170144A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造システム |
-
2004
- 2004-10-27 JP JP2004311646A patent/JP4520820B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212414A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH085542A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH11170144A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造システム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091826A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムの処理レシピ最適化方法,基板処理システム,基板処理装置 |
JP2010539696A (ja) * | 2007-09-12 | 2010-12-16 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 層転写により構造を製造する方法 |
JP2013084746A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sharp Corp | 基板処理制御装置および基板処理制御方法、制御プログラム、可読記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4520820B2 (ja) | 2010-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3708031B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US6916396B2 (en) | Etching system and etching method | |
US20150004721A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
TWI746694B (zh) | 選擇性蝕刻速率監控器 | |
JP3799314B2 (ja) | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 | |
JP2006074067A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP2013222910A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2008042005A (ja) | データ収集方法,基板処理装置,基板処理システム | |
JP4520820B2 (ja) | 試料処理装置及び試料処理システム | |
JP3637041B2 (ja) | 試料処理装置及び試料処理システム | |
US6939433B2 (en) | Sample processing apparatus and sample processing system | |
JP3927464B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2007250902A (ja) | 基板処理装置の予測方法及び予測装置 | |
KR100950788B1 (ko) | 시료처리장치 및 시료처리제어장치 | |
JP4344674B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10854433B2 (en) | In-situ real-time plasma chamber condition monitoring | |
JP5189859B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP4363861B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2021061380A (ja) | クリーニング条件の決定方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20071204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20080204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090317 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20100521 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |